2025年無損檢測員RT面試高頻題庫及答案一、單項選擇題（每題1分，共30分）1.在X射線管中，決定射線穿透能力的主要參數(shù)是A.管電壓??B.管電流??C.曝光時間??D.焦點尺寸答案：A2.當射線穿過工件后，底片黑度從2.0降至1.0，其對應(yīng)的透照厚度變化約為A.增加一倍??B.減少一半??C.增加30%??D.減少25%答案：B3.用Ir192對30mm鋼件透照，若要求像質(zhì)計靈敏度達到22T，則最小可見絲徑為A.0.32mm??B.0.40mm??C.0.50mm??D.0.63mm答案：C4.底片黑度D=2.5時，對應(yīng)的光線透過率為A.0.1%??B.0.32%??C.1%??D.3.2%答案：B5.在射線照相中，幾何不清晰度Ug與焦點尺寸d、工件厚度t、焦距F的關(guān)系為A.Ug=d·t/F??B.Ug=d·F/t??C.Ug=F·t/d??D.Ug=d/(F·t)答案：A6.當射線能量提高時，膠片特性曲線將A.左移且斜率增大??B.右移且斜率減小??C.左移且斜率減小??D.右移且斜率增大答案：B7.用Se75透照40mm鋁件，其半值層為8mm，若要求底片黑度2.0，曝光量約為A.5Ci·min??B.10Ci·min??C.15Ci·min??D.20Ci·min答案：C8.在雙壁單影透照環(huán)焊縫時，搭接標記應(yīng)放在A.射線源側(cè)??B.膠片側(cè)??C.工件外表面??D.任意側(cè)答案：A9.當?shù)灼霈F(xiàn)樹枝狀黑色花紋時，最可能的原因是A.靜電放電??B.曝光不足??C.顯影過度??D.定影不足答案：A10.用Co60透照80mm鋼件，若曝光系數(shù)為1.2，則所需曝光時間約為A.30min??B.60min??C.90min??D.120min答案：B11.在射線實時成像系統(tǒng)中，決定圖像空間分辨率的主要因素是A.探測器像素尺寸??B.射線能量??C.系統(tǒng)幀頻??D.圖像灰階答案：A12.當工件厚度變化較大時，為減少底片黑度差，可采取A.雙膠片技術(shù)??B.增感屏技術(shù)??C.濾波板技術(shù)??D.提高管電壓答案：C13.用線型像質(zhì)計評定靈敏度時，若可見最細絲徑為0.25mm，則靈敏度為A.1%??B.1.5%??C.2%??D.2.5%答案：C14.在射線照相中，若焦距從600mm增至1200mm，曝光時間應(yīng)A.不變??B.減半??C.加倍??D.增至四倍答案：D15.當?shù)灼霈F(xiàn)白色斑點時，最可能的原因是A.增感屏劃傷??B.膠片受潮??C.顯影液氧化??D.定影液疲勞答案：A16.用X射線透照10mm鋁件，若管電壓為120kV，則其近似半值層為A.5mm??B.10mm??C.15mm??D.20mm答案：B17.在射線照相中，若散射比n=3，則底片對比度將降低約A.30%??B.50%??C.70%??D.90%答案：C18.用雙壁雙影透照Φ60×5mm管環(huán)焊縫，有效評定長度為A.20mm??B.30mm??C.40mm??D.50mm答案：B19.當射線能量超過多少時，需考慮電子對效應(yīng)A.0.1MeV??B.0.5MeV??C.1.02MeV??D.2.0MeV答案：C20.在射線照相中，若底片黑度為3.0，則其光學密度計讀數(shù)應(yīng)為A.1.0??B.2.0??C.3.0??D.4.0答案：C21.用Ir192透照20mm鋼件，若曝光時間為2min，則對40mm鋼件所需時間約為A.4min??B.6min??C.8min??D.10min答案：C22.在射線照相中，若焦距減小，則幾何不清晰度將A.增大??B.減小??C.不變??D.先增后減答案：A23.用Co60透照100mm鋼件，若底片黑度為2.5，則其散射比n約為A.2??B.3??C.4??D.5答案：C24.在射線實時成像中，為提高信噪比，可采取A.增加幀頻??B.降低射線能量??C.圖像疊加??D.減小像素尺寸答案：C25.用X射線透照5mm鈦合金，若管電壓為80kV，則其近似對比度系數(shù)為A.1.5??B.2.0??C.2.5??D.3.0答案：B26.在射線照相中，若顯影溫度升高5℃，則顯影時間應(yīng)A.增加10%??B.減少20%??C.不變??D.增加20%答案：B27.用Se75透照50mm鋼件，若曝光系數(shù)為0.8，則所需曝光時間約為A.40min??B.60min??C.80min??D.100min答案：B28.在射線照相中，若底片出現(xiàn)黃色污漬，最可能的原因是A.定影不足??B.水洗不足??C.顯影過度??D.膠片過期答案：B29.用雙膠片技術(shù)透照變截面工件，若高厚度區(qū)黑度為1.5，則低厚度區(qū)黑度約為A.2.0??B.2.5??C.3.0??D.3.5答案：C30.在射線照相中，若像質(zhì)計放在膠片側(cè)，則靈敏度評定值應(yīng)A.加10%??B.減10%??C.不變??D.加20%答案：A二、判斷題（每題1分，共10分）31.射線能量越高，膠片梯度越大。??答案：×32.用Co60透照鋁件時，散射比通常小于鋼件。??答案：√33.底片黑度越大，對比度越高。??答案：×34.在射線照相中，增感屏可提高靈敏度。??答案：√35.用Ir192透照鈦合金時，所需曝光時間比鋼件短。??答案：√36.射線實時成像的分辨率與射線能量無關(guān)。??答案：×37.用雙壁單影透照時，搭接標記必須放在射線源側(cè)。??答案：√38.底片出現(xiàn)白色條紋一定是由于定影不足。??答案：×39.在射線照相中，焦距越大，曝光時間越長。??答案：√40.用Se75透照厚鋼件時，需考慮康普頓效應(yīng)為主。??答案：√三、填空題（每空1分，共20分）41.射線照相的三大質(zhì)量指標是________、________、________。答案：靈敏度、黑度、對比度42.用Ir192透照鋼件時，其半值層約為________mm。答案：1243.當射線能量為1MeV時，與物質(zhì)相互作用的主要形式是________。答案：康普頓效應(yīng)44.在射線照相中，若焦距為800mm，焦點尺寸為3mm，工件厚度為20mm，則幾何不清晰度為________mm。答案：0.07545.用Co60透照60mm鋼件，若曝光時間為60min，則對120mm鋼件所需時間約為________min。答案：24046.底片黑度D與透過率T的關(guān)系式為________。答案：D=lg(1/T)47.用X射線透照鋁件時，其對比度系數(shù)約為鋼的________倍。答案：2.548.在射線照相中，若散射比n=4，則底片對比度降低至原來的________。答案：1/549.用雙膠片技術(shù)時，兩膠片黑度差應(yīng)控制在________以內(nèi)。答案：0.550.射線實時成像的圖像灰階一般為________bit。答案：12四、簡答題（每題10分，共40分）51.簡述射線照相中散射線的來源及控制措施。答案：散射線主要來源于工件內(nèi)部、工件邊緣、地面、墻壁等?？刂拼胧┌ǎ菏褂脺手逼飨拗普丈湟?；在工件與膠片間加鉛板屏蔽；在工件背后加鉛襯板；使用濾波板減少低能散射；采用鉛箔增感屏吸收散射；選擇合理射線能量；使用鉛遮板遮擋非檢區(qū)；控制焦距減少散射角；采用格柵或濾線柵；對厚大工件采用多角度透照減少散射疊加。52.計算：用Ir192透照25mm鋼件，焦距700mm，焦點3mm，求幾何不清晰度Ug，并判斷是否滿足JB/T4730AB級要求。答案：Ug=d·t/F=3×25/700=0.107mm。JB/T4730AB級規(guī)定Ug≤0.2mm，0.107mm<0.2mm，滿足要求。53.說明雙壁單影透照環(huán)焊縫時，如何確定有效評定長度及搭接長度。答案：有效評定長度L按公式L=π·D·cosθ/3計算，其中D為外徑，θ為透照角度，一般取θ≤15°。搭接長度ΔL=2·T·tanθ，T為壁厚。實際透照時，在底片上放置搭接標記，兩次透照重疊區(qū)應(yīng)包含搭接標記影像，確保無漏檢。對Φ60×5mm管，θ=12°時，L≈60mm，ΔL≈20mm，故每次有效長度約40mm，搭接20mm。54.敘述底片黑度不均勻的原因及糾正方法。答案：原因：射線能量選擇不當；散射比過大；濾波板厚度不足；顯影溫度或時間不均；膠片與增感屏接觸不良；工件厚度變化大；焦距選擇不當；曝光量分布不均；暗室處理操作不當。糾正：重新計算曝光量；增加濾波板；使用鉛遮板；調(diào)整顯影溫度時間；壓緊膠片；采用雙膠片技術(shù)；分段曝光；優(yōu)化透照幾何；加強暗室工藝控制；使用階梯楔板補償。五、綜合應(yīng)用題（共50分）55.某現(xiàn)場需對Φ508×16mm環(huán)焊縫進行100%射線檢測，材質(zhì)Q345R，采用Se75，現(xiàn)源活度80Ci，焦距600mm，焦點3×3mm，要求靈敏度22T，AB級，像質(zhì)計放源側(cè)。請完成：（1）計算所需曝光時間；（10分）（2）驗證幾何不清晰度是否滿足AB級；（5分）（3）確定透照次數(shù)并畫出示意圖；（10分）（4）寫出完整工藝卡（含設(shè)備、器材、參數(shù)、像質(zhì)計、標記、評定長度、搭接長度、安全措施）。（25分）答案：（1）Se75對16mm鋼半值層約9mm，需穿透厚度16mm，查曝光曲線得曝光系數(shù)約1.1Ci·min/mm，總曝光量E=1.1×16=17.6Ci·min，源活度80Ci，時間t=17.6/80=0.22min≈13s?？紤]散射余量，取t=15s。（2）Ug=3×16/600=0.08mm<0.2mm，滿足AB級。（3）透照次數(shù)：按JB/T4730，T/D=16/508=0.031<0.12，透照次數(shù)N=3，間隔120°。示意圖：畫圓周三等分，源置外壁中心，膠片貼內(nèi)壁，搭接標記置源側(cè)。（4）工藝卡：設(shè)備：Se75γ射線探傷機，型號SENTINEL8