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文檔簡介
物質(zhì)結(jié)構(gòu)重點(diǎn)知識(shí)總結(jié)
一、焰色試驗(yàn)
1、一種有儲(chǔ)氫功能的銅合金晶體,該晶體儲(chǔ)氫后的化學(xué)式為CU3AUH以銅與其他許多金屬及其化合物都可以發(fā)生
焰色反應(yīng),其原因是:一在火焰上灼燒時(shí),原子中的電子吸收了能量,從能量較低的軌道躍遷到能量較高的軌道,
但處于能量較高軌道上的電子是不穩(wěn)定的,很快躍遷回能量較低的軌道,這時(shí)就將多余的能量以光的形式放出。而
放出的光的波長在可見光范圍內(nèi)(波長為400nm~760nm),因而能使火焰呈現(xiàn)顏色一
2、原子光譜解釋
(1)吸收光譜:原子吸收光源中部分波長的光形成吸收光譜,為暗淡條紋;
(2)發(fā)射光譜:發(fā)射光子時(shí)則形成發(fā)射光譜,為明亮彩色條紋
3、物質(zhì)顯色原因
當(dāng)物質(zhì)(分子或離子)吸收了相當(dāng)可見光能量的電磁波后,就會(huì)表現(xiàn)出被人眼所能覺察到的顏色物質(zhì)之所以具有
不同的顏色,這是因?yàn)樗鼘?duì)不同的波長的可見光具有選擇性吸收的結(jié)果
物質(zhì)呈現(xiàn)的顏色與它吸收的光的顏色有一定關(guān)系.如當(dāng)白光通過硫酸銅溶液時(shí),銅離子選擇性地吸收了部分黃色
光,使透射光中的藍(lán)色光不能完全互補(bǔ),于是硫酸銅溶液就呈現(xiàn)出藍(lán)色.由于透射光中其它顏色的光仍然兩兩互補(bǔ)為白
色,所以物質(zhì)呈現(xiàn)出的顏色恰恰就是它所吸收的光的互補(bǔ)色.
若物質(zhì)對(duì)白光中所有顏色的光全部吸收,它就呈現(xiàn)出黑色;若反射所有顏色的光很I」呈現(xiàn)出白色若透過所有顏色
的光則為無色.
1
二、??蓟瘜W(xué)用語
1、電子排布式、電子排布圖【軌道表示式】、結(jié)構(gòu)示意圖、價(jià)電子排布式【排布圖】
微粒鐵亞鐵離子
電子排布式[Ar]3d64s②[Ar]3d6
價(jià)電子排布式3d64s23d6
價(jià)電子排布圖
ntTTTnTTTT
3d4s3d
結(jié)構(gòu)示意圖
微粒亞銅離子銅離子
電子排布式[Ar]3d10[Ar]3d9
價(jià)電子排布式3d103d9
價(jià)電子排布圖
TITXTXT1TXTXTiT1TXT
3d3d
結(jié)構(gòu)示意圖
微粒
銘原子鏤原子
電子排布式
價(jià)電子排布式
價(jià)電子排布圖
結(jié)構(gòu)示意圖
2
2、電子式書寫
原子單電子數(shù)孤對(duì)電子數(shù)成鍵特點(diǎn)
H10一個(gè)單鍵H-
Be20兩個(gè)單鍵-Be-
B30三個(gè)單鍵
C40四個(gè)單鍵兩個(gè)雙鍵一雙二單一三一單
一個(gè)三鍵一單一雙
N31三個(gè)單鍵
N三-N=
022兩個(gè)單鍵一個(gè)雙鍵
F13一個(gè)單鍵
鞏固練習(xí)
物質(zhì)電子式
H2O2
HCN
HSCN
N2H4
CH2O
C3H4
C02
3
陽離子電子式陰離子電子式
鈉離子氯離子
鎂離子氧離子
鋁離子氮離子
錢根氫氧根
過氧根
鞏固練習(xí)
物質(zhì)電子式
NaOH
Na2O2
CaC2
NH4CI
Na3N
Mg3N2
KSCN
MgCb
4
3、元素周期表分區(qū)問題
列12345
族序IAIIAIIIBIVBVB
價(jià)電子ns1ns2(n-l)d'ns2(n-l)d2ns2(n-1)d3ns2
分區(qū)S區(qū)d區(qū)
列89101112
族序VIIIIBIIB
價(jià)電子(n-l)d6ns2(n-l)d7ns2(n-l)d8ns2(n-Od'%s1(n-l)d,ons2
分區(qū)d區(qū)ds區(qū)
列131415161718
族序IIIAIVAVAVIAVIIA0
價(jià)電子ns2npins2np2ns2np3ns,2npQ4ns2np5nsz2np°6
分區(qū)p區(qū)
三、雜化軌道理論、價(jià)層電子對(duì)互斥理論
(一)雜化類型判斷【思維模板】
方法一:價(jià)層電子對(duì)互斥理論
1、首先確定中心原子,
2、求中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)【價(jià)層電子對(duì)數(shù)=孤電子對(duì)數(shù)+。鍵個(gè)數(shù)】
3、價(jià)層電子對(duì)數(shù)=雜化軌道數(shù),對(duì)應(yīng)發(fā)出雜化類型。
雜化軌道數(shù):sp雜化:2條sp?雜化:3條sp3雜化:4條sp3di:5條sp3d?:6條
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方法二:利用成鍵特點(diǎn)判斷
Be:兩個(gè)單鍵,sp雜化
B:三個(gè)單鍵,sp2雜化四個(gè)單鍵,sp3雜化
C:四個(gè)單鍵:Sp3雜化一個(gè)雙鍵兩個(gè)單鍵:Sp?雜化一個(gè)三鍵一個(gè)單鍵:SP雜化
O:兩個(gè)單鍵,sp3雜化
N:三個(gè)單鍵,sp3雜化
注意出現(xiàn)大兀鍵時(shí),參與形成的中心原子均采用sp2雜化。雙原子分子以及大分子中邊緣原子一般不考察雜化。
雜化理論主要解釋分子構(gòu)型,利用VSEPR模型,借助雜化理論推測出分子構(gòu)型以及鍵角大小。
【典型例題】
1、鍵角對(duì)比及解釋:影響因素【雜化類型、孤電子又檄、中心原子電負(fù)性】
(1)水、氨氣、甲烷
(2)甲醛HCHO、光氣COCL
(3)NHs、PH3、ASH3
2、AS2O3(砒霜)是兩性氧化物(分子結(jié)構(gòu)如圖所示),與鹽酸反應(yīng)能生成AsCh,As。,和LiAlHj反應(yīng)的產(chǎn)物之
一為AsH,。下列說法正確的是()
A.Asq,分子中As原子的雜化方式為sp'B.LiAIH4為共價(jià)化合物
C.AsCl、的空間構(gòu)型為平面正三角形D.ASH3分子的鍵角小于109°28
3、NH、?BH3分子中,N-B化學(xué)鍵稱為—鍵,其電子對(duì)由一提供。
三、電離能、電負(fù)性
(-)第一電離能:87564231【半滿、全滿;半徑、質(zhì)子數(shù)】
對(duì)比以下元素第一電離能并解釋
1、碳、氫、氧
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2、鈉、鎂、鋁
3、氧、硫
4、(2020年新課標(biāo)I)Li及其周期表中相鄰元素的第一電離能出)如表所示。h(Li)>h(Na),原因是____________
Ii(Be)>Ii(B)>Ii(Li),原因是__________o
(二)各級(jí)電離能
同種原子:逐級(jí)電離能越來越大(即ISl2<l3…,并且會(huì)發(fā)生一個(gè)突變。如果In\?ln,對(duì)主族元素而言,最外層
有〃個(gè)電子,最高化合價(jià)為+〃
1、硼
I|<l2<l3?14<15【說明最外層電子數(shù)為3]
2、CuO在高溫時(shí)分解為O?和Cu2O,請從陽離子的結(jié)構(gòu)來說明在高溫時(shí),Cu2O比CuO更穩(wěn)定的原因是
因?yàn)殂~的價(jià)電子是3中。45】,在高溫時(shí),容易失去外層4sl上的一個(gè)電子,形成3d1。的電子結(jié)構(gòu),根據(jù)洪特規(guī)則,
軌道全滿半滿和空的時(shí)候能量低,所以高溫時(shí)+1價(jià)銅比+2價(jià)銅穩(wěn)定
(三)電負(fù)性【7654321,注意稀有元素不參與對(duì)比】
1、強(qiáng)弱對(duì)比:F>O>N
2、與電負(fù)性相關(guān)問題:
【鍵角解釋】NH3、AsHj
【鍵的極性】HF、HC1
【供電子基、吸電子基】烷煌基為供電子基,竣基、硝基為吸電子基
【化學(xué)犍判斷】電負(fù)性差>1.7為離子鍵;電負(fù)性差<1.7為共價(jià)鍵;
【化合物元素化合價(jià)定性判斷】NC13、CH』、SiH』、NaBH4
四、微粒間作用力【化學(xué)鍵】的類型及判斷:稀有氣體沒有化學(xué)鍵
(一)分類
1、離子鍵【強(qiáng)弱對(duì)比方法:晶格能,離子半徑,電荷數(shù)】
【典型例題】
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I、對(duì)比氧化鎂與氧化鈉熔點(diǎn):氧化鎂的離子半徑比較小(或陰、陽離子半徑之和比較小),離子所帶的電荷大、鍵能
【晶格能】強(qiáng),所以它的熔、沸點(diǎn)就比較高。
II、ZnO與ZnS結(jié)構(gòu)相似ZnO的熔點(diǎn)為1975cZnS的熔點(diǎn)約為1700C.ZnO熔點(diǎn)比ZnS高的原因是_____________
2、共價(jià)鍵
(I)分類:
。鍵,兀鍵,大兀鍵:單鍵為。鍵;雙鍵或三鍵,其中一個(gè)為o鍵,其余為兀鍵。平面分子才有大兀鍵
極性鍵A-B非極性鍵:A-A
【拓展知識(shí):離域TI鍵,大TT鍵】
I、形成條件:三原子及以上共面【重點(diǎn)掌握】,參與形成離域派鍵的原子均采用sp2或者spl雜化,球形【了解】
H、判斷:成鍵中心原子數(shù),電子數(shù)
A、原理:
原子價(jià)電子去向有三:
一參與形成。鍵【可數(shù)出】,一為孤電子對(duì)【可計(jì)算】,前兩個(gè)所占有的為雜化軌道;
剩余均參與形成兀鍵【剩余電子所在軌道不參與雜化】
R、方法:結(jié)構(gòu)式【路易斯】書寫觀察法,在同一平面的所有節(jié)點(diǎn)原子【除氫外】都參與形成大TT鍵
【書寫路易斯結(jié)構(gòu)式時(shí),未參與成。鍵的電子盡可能分布在剩余位置】
規(guī)律:參與原子首先提供單電子參與成大n鍵,無單電子提供孤對(duì)電子。兩者均沒有,則空軌道參與。
(2)強(qiáng)度對(duì)比:鍵能、鍵長,鍵角
同種類型的【組成結(jié)構(gòu)相同的】,鍵長越短,鍵能越高,越穩(wěn)定
(3)相關(guān)性質(zhì):
【穩(wěn)定性對(duì)比】HF、HC1:氣態(tài)氫化物穩(wěn)定性是判斷非金屬性的重要表現(xiàn)
【酸性對(duì)比】HF、HC1:組成結(jié)構(gòu)相似,鍵長越長越容易斷裂,酸性越強(qiáng)
【原子晶體熔點(diǎn)】金剛石、晶體硅、碳化硅
【溶解性【分子極性】相似相溶原理】CCh、SO2在水中溶解性
【分子晶體熔沸點(diǎn)【化學(xué)鍵極性】】AgF、AgCi
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3、金屬鍵【強(qiáng)度:金屬陽離子價(jià)電子數(shù),離子半徑】
【解釋的問題】分解溫度【產(chǎn)物中金屬氧化物的晶格能】
(?)碳酸鈣、碳酸鎂:
鎂離子半徑小于鈣離子半徑,與氧離子形成的離子鍵更強(qiáng),晶格能更大,因此碳酸鎂的熱分解溫度低。
(2)【金屬熔點(diǎn)、硬度】鎂、鋁
鋁的高子半徑比鎂小,價(jià)電子數(shù)比鎂多一個(gè),因此鋁的金屬鍵較強(qiáng),硬度較大,所以鋁的熔沸點(diǎn)比鎂高
(3)【導(dǎo)電性】金屬導(dǎo)電性的解釋在金屬晶體中,充滿著帶負(fù)電的“電子氣",這些電子氣的運(yùn)動(dòng)是沒有一定方
向的,但在外加電場的條件下電子氣就會(huì)發(fā)生定向移動(dòng),因而形成電流,所以金屬容易導(dǎo)電。
(4)【導(dǎo)熱性】金屬容易導(dǎo)熱,是由于電子氣中的自由電子在熱的作用下與金屬原子頻繁碰撞從而把能量從溫度
高的部分傳到溫度低的部分,從而使整塊金屬達(dá)到相同的溫度。
(5)【金屬光澤】由于金屬原子以最緊密堆積狀態(tài)排列,內(nèi)部存在自由電子,所以當(dāng)光線投射到它的表面上時(shí)啟由電
子吸收所有頻率的光,然后很快放出各種頻率的光,這就使絕大多數(shù)金屬呈現(xiàn)鋼灰色以至銀白色光澤。此外金顯黃色,
銅顯赤紅色,錨為談紅色,鉗為淡黃色以及鉛是灰藍(lán)色,這是因?yàn)樗鼈冚^易吸收某一些頻率的光之故
(6)【延展性】當(dāng)金屬受到外力,如鍛壓或捶打,晶體的各層就會(huì)發(fā)生相對(duì)滑動(dòng),但不會(huì)改變原來的排列方式,
所以在各原子之間發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)以后,仍可保持這種相互作用而不易斷裂。因此金屬都有良好的延展性。
4、配位鍵
(1)【尋找方法】
NH3
2+
[H3N-—NH3]SO|
NHH3,
內(nèi)
界
J不
r(N
L—H3
clu)1J
配
配
中
位
位
心
體
數(shù)
原
子
注意配位數(shù)與配位鍵個(gè)數(shù)是兩個(gè)概念
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(2)簡單配合物的成鍵情況
配合物中心原子(離子)配位體配位數(shù)配位離子的書寫
[CU(NH3)4](OH)2
[Ag(NH3)2]OH
K4[Fe(CN)6l
Na3[AlF6]
ICO(NH3)5C1|CI2
【典型例題】
氣態(tài)氯化鋁()是具有配位鍵的化合物,分子中原子間成鍵的關(guān)系如下圖所示.請將圖中,你認(rèn)為是配位鍵
AI2CI6
的斜線上加上箭頭.指出中心原子的配位鍵個(gè)數(shù)以及配位數(shù)
(3)配位鍵的穩(wěn)定性【配合物穩(wěn)定性】
I、內(nèi)軌型〉外軌型【了解】
?中心離子的電子構(gòu)型?配位原子電負(fù)性
—
離子的電形成配合物類型實(shí)椀——
電負(fù)性易形成配合實(shí)例
m構(gòu)型物類型
10
d外軌型Cu+、A威大外軌型
d8大多數(shù)為內(nèi)軌型Pt?.
2界4*內(nèi)軌型
(|4?d,內(nèi)軌型、外軌型1
①配位原子的電負(fù)性很大(如X、0等),不易給出孤電子對(duì),使中心離子的結(jié)構(gòu)不發(fā)生變化,即中心采取nsnpnd
雜化,形成的配合物稱為外軌型配合物
②若配位原子的電負(fù)性較小,如CN-,CO,N02-,較易給出孤電子對(duì),對(duì)中心離子的影響較大,使其(n-l)d軌
道上的成單電子被強(qiáng)行配對(duì),空出內(nèi)層能量較低的(n-l)d軌道與ns,np雜化,形成的配合物稱為內(nèi)軌型配合物。
I、強(qiáng)配體〉弱配體
①能使中心的價(jià)電子發(fā)生重排的配體,稱為強(qiáng)配體。常見的有CO、CN,NO2-.
②不能使中心的價(jià)電子發(fā)生重排的配體,稱為弱配體。大多數(shù)都為弱配體,如F-、WO、C2O42-等。
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③NH3、en等為中強(qiáng)配體。配體的強(qiáng)度是相對(duì)的,對(duì)于不同的中心,相同的配體其強(qiáng)度可能是不同的。
II、中心離子的周期數(shù)越大,其d軌道較伸展,配合物穩(wěn)定。
HI、中心離子電荷數(shù)越高越穩(wěn)定
IV、多配位數(shù)〉少配位數(shù)
V、多齒配體〉單齒配體
VI、螯合環(huán)越多越穩(wěn)定
vn、相同金屬離子和相同配體組成的配離子,穩(wěn)定性JII頁序:平面四邊形〉八面體>四面體
【針對(duì)練習(xí)】
I.(1)Q>3+在水中易被還原成c02+,而在氨水中可穩(wěn)定存在,其原因?yàn)閛
(2)[CO(NO3)4]2-+C02+的配位數(shù)為4,配體中N的雜化方式為該配離子中各元素h由小到大的順序?yàn)?/p>
(填元素符號(hào)),1mol該配離子中含。犍數(shù)目為為阿伏加德羅常數(shù)的值)。
(3)八面體配合物CoCbSN%的結(jié)構(gòu)有種,屬于極性分子的有種。
ILCu、Ni、V為制造合金及合成催化劑的重要元素。請回答:
(1)LCU(NH3)4JSO4是一種重要的配合物。與SO3-互為等電子體的分子的化學(xué)式為(任寫一種)。NH3與CH4
的VSEPR構(gòu)型相同,其中NH3的鍵角較小,原因是____________________________Ni(C0)4中。鍵和兀鍵的數(shù)目
之比為_________
—
(2)饑的某種配合物有增強(qiáng)胰島素和降情作用,其分子結(jié)構(gòu)如圖所示
①該物質(zhì)的晶體中除配位鍵外,所含微粒間作用力的類型還有_____oo
a.金屬鍵B.極性鍵c.非極性鍵D.范德華力e.氫鍵
②1mol分子中含有配位鍵的數(shù)目是________(必為阿伏加德羅常數(shù)的值),,分子中采取sp2雜化的原子有_________
5、氫鍵
(1)CuSO4?5H2O失去結(jié)晶水溫度差異【氫鍵影響部分物質(zhì)穩(wěn)定性】
第一個(gè)水失去需要較低溫度:破壞氫鍵
后面水失去耗能高:破壞配位鍵
(2)含有氫鍵的物質(zhì)【形成條件】:X-HY【X、Y為N、H、0]
(3)氫鍵強(qiáng)度:控制變量
N-HY[Y的電負(fù)性越大,鍵的強(qiáng)度越大】:N-H-N<0-H0<F-HF
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(4)氫鍵類型:分子內(nèi)氫鍵;分子間氫健
(5)能解釋問題
I、氫鍵對(duì)酸性的影響
【典型例題】
(I)鄰羥基苯甲酸的酸性(pKa=2.98)強(qiáng)于鄰甲氧基苯甲酸(pKa=4.09)【間羥基苯甲酸】
(II)水楊酸的酸性比3-羥基本甲酸和4-羥基本甲酸都要強(qiáng)
[IV]鄰苯二甲酸的酸性(pka,=2.76)比間位異構(gòu)體(pka,=3.7)和對(duì)位異構(gòu)體(pka尸3.5)都更強(qiáng)
【思維模板】A=電離=B+H+
C與A結(jié)構(gòu)相似;若A能形成分子內(nèi)氫鍵,則酸性C>A
若B能形成分子內(nèi)氫鍵,則酸性C<A
【經(jīng)典例題】鄰羥基苯甲酸【兩級(jí)電離】、苯甲酸、苯酚
H、氫鍵影響分子晶體熔沸點(diǎn)
(1)含有氫鍵使物質(zhì)熔沸點(diǎn)升高:氣鍵強(qiáng)度;氫鍵個(gè)數(shù);分子內(nèi)、分子間氫鍵
例題:解釋以下物質(zhì)溶解性并解釋
A、鄰羥基苯甲醛、對(duì)羥基苯甲醛【鄰硝基苯酚、對(duì)硝基苯酚】
B、氨氣、氟化氫
C、水、氟化氫【水、乙醇】
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in、溶解性
(i)碳酸鈉、碳酸氫鈉
(2)氨氣在水中溶解度大【乙醇與水互溶】
IV、水的密度隨溫度變化規(guī)律及解釋
溫度升高,氫鍵破壞,密度增大;溫度升高,熱運(yùn)動(dòng)加快,密度減小。在4C達(dá)到平衡。
L范德華力
(1)分類:取向力、誘導(dǎo)力、色散力【相對(duì)分子質(zhì)量越大,色散力越大】
(2)強(qiáng)度對(duì)比:
【首先對(duì)比分子量】氯氣、氮?dú)?/p>
【其次分子量相同,對(duì)比分子極性】氮?dú)?、一氧化?/p>
【有機(jī):碳原子數(shù)越多越大,支鏈越多越小】正戊烷、異戊烷、新戊烷
6、化學(xué)式中的
(I)NH3*H2O:氫鍵
(2)BF3*NH3:配位鍵
(3)CUSO4-5H2O:氫鍵、配位鍵
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7、物質(zhì)熔、沸點(diǎn)高低比較規(guī)律
一般情況下,原子晶體〉離子晶體)分子晶體,如:金岡!1石>NaCl>C12;金屬晶體〉分子晶體,如:Na>Cho
半徑r
,、鍵能越大f熔沸點(diǎn)越高,
原子晶體I
鍵.越.如:金剛石,石英〉晶體硅
一般地說,陰陽離子的電荷數(shù)越多,離子半徑越小,離子鍵越強(qiáng),晶格能越大,熔沸點(diǎn)就越高,
離子晶體
如:MgO>MgCh,NaCl>CsCl
金屬離子半徑越小,離子所帶電荷數(shù)越多,其形成的金屬鍵越強(qiáng),金屬單質(zhì)的熔沸點(diǎn)就越高,
金屬晶休
如:Al>Mg>Na
a.分子間作用力越大,物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高;具有分子間氫鍵的分子晶體熔沸點(diǎn)反常地高:H20>
H21b>H2Se>H2SO
b.組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔沸點(diǎn)越高:SnH4>GeH4>SiH4>CH4.
c.組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)(相對(duì)分子質(zhì)量接近),分子的極性越大,其熔沸點(diǎn)越高:CO>N2O
d.在同分異構(gòu)體中,一般支鏈越多,熔沸點(diǎn)越低,如:正戊烷>異戊烷>新戊烷
分子晶體熔點(diǎn)判斷方法【思維模板】
是否含有氫鍵
分子晶體
(1)有氫鍵:分子間氫鍵、分子內(nèi)氫鍵、氫鍵強(qiáng)弱、氫鍵個(gè)數(shù)
(2)無氫鍵:分子量、極性【正戊烷〉異戊烷〉新戊烷;鄰二甲苯〉對(duì)二甲苯】
【例題】對(duì)比下面幾組物質(zhì)熔沸點(diǎn)
1、氯氣、氧氣
2、氫氣、氮?dú)?/p>
3、鄰羥基苯甲醛、對(duì)羥基苯甲醛
在元素周期表中的應(yīng)用:同主族金屬單質(zhì)自上而下熔點(diǎn)降低;非金屬單質(zhì)熔點(diǎn)升高
【經(jīng)典練習(xí)】1、現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)數(shù)據(jù):
A組B組C組D組
金剛石:3550℃Li:181℃HF:-83℃NaCl:801℃
硅晶體:1410℃Na:98℃HC1:-115℃KCI:776℃
硼晶體:2300℃K:64℃HBr:?89℃RbCl:718℃
二氧化硅:1723℃Rb:39℃HI:-51℃CsCl:645℃
據(jù)比回答下列問題:
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(DA組屬于晶體,其熔化時(shí)克服的微粒間的作用力是_________
(2)B組晶體共同的物理性質(zhì)是________(填序號(hào))。
①有金屬光澤②導(dǎo)電性③導(dǎo)熱性④延展性
(3)C組中HF熔點(diǎn)反常是由于__________________________________
(4)D組晶體可能具有的性質(zhì)是__________(填序號(hào))。
①硬度小②水溶液能導(dǎo)電③固體能導(dǎo)電④熔融狀態(tài)能導(dǎo)電
(5)D組晶體的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)镹aCI>KCI>RbCI>CsCl,其原因?yàn)?/p>
2、(2020年新課標(biāo)n)Ti的四鹵化物熔點(diǎn)如下表所示,TiF4熔點(diǎn)高于其他三種鹵化物,自TiCh至Tih熔點(diǎn)依次升
局,原因是
化合物
TiF4TiCkTiBr4Tih
熔點(diǎn)”377-24.1238.3155
3、C戶能與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)形成配離子如圖:J?ZHN^CU2VNHZJH]
,該配離子中含有的
化學(xué)鍵類型有(填字母序號(hào))。
A.配位鍵B.極性鍵C.離子鍵D.非極性腱
4、段基鐵[Fe(COM可用作催化劑、汽油抗暴劑等。lmolFe(CO)s分子中含_________mol。鍵moE鍵。
含有mol配位鍵。與CO互為等電子體的離子是___________(填化學(xué)式,寫一種)。
5、在[Zn(NH3)4]SO4晶體中存在的作用力有
A.離子鍵B.極性共價(jià)鍵C.氫鍵D.配位鍵E.范德華力F.金屬鍵
6、在[CUSO4?5H2O晶體中存在的作用力有
A.離子鍵B.極性共價(jià)鍵C.氫鍵D.配位鍵E.范德華力F.金屬鍵
7、36a可以形成GaCL-xNG(x=3、4、5、6)等一系列配位數(shù)為6的配合物,向上述某物質(zhì)的溶液中加入足量AgNOs
溶液,有沉淀生成;過濾后,充分加熱濾液有氨氣逸出,且又有沉淀生成,兩次沉淀的物質(zhì)的量之比為1:2。則
該溶液中溶質(zhì)的化學(xué)式為。
五、電子數(shù)【電子排布規(guī)律:能力最低原理(構(gòu)造原理、能級(jí)交錯(cuò)),洪特規(guī)則,特例】
(-)電子排布中單電子數(shù)
單價(jià)電子排布族序數(shù)前四周期價(jià)電子排布族序數(shù)前四匿期
15
2,’6
0nsIIA族0族BeMgCaHensFp0族NeArKr
1
1nsIA族ns2npiHIA族
2
Wnp'VHA族(n-l)d'nsIHB族
04
2ns2np2IVA族nsFpVIA族
2282
(n-l)dnsWB族(n-l)dnsVIII族
32
3ns2np3VA族(n-l)dnsVB族
72
(n-l)dnsvni族
62
4(n-l)dnsvin族
52
5(n-l)dnsVHB族
5
6(n-l)dns,VIB族
【典型例題】
成對(duì)電子數(shù)=單電子數(shù)的2倍:
成對(duì)電子數(shù)=單電子數(shù)的3倍:
成對(duì)電子對(duì)數(shù)二單電子數(shù):
兩種形狀的軌道上的電子總數(shù)相同:
【總結(jié)】I、原子序數(shù)二單電子數(shù)十成龍電子數(shù)
II、單目子數(shù)+成對(duì)電子的對(duì)數(shù)二占有軌道數(shù)
(二)各能層(能級(jí)、軌道)電子數(shù)關(guān)系【根據(jù)描述,按照電子排布原則畫出電子排布式、原子結(jié)構(gòu)示意圖】
I、最外層電子=內(nèi)層電子總數(shù)的一半
2、最外層電子數(shù)二次外層電子數(shù)一半
3、兩種形狀軌道,且電子數(shù)相同
(三)等電子體的確定
1、常見的等電子體及空間構(gòu)型
等電子類型常見等電子體空間構(gòu)型
2原子10電子N?、CN,C>、CO直線形
16
原子電子、、、直線形
316CO?N2OXCNO-N3,NOTSCN-
3原子18電子O3、SO2、NO2V形
4原子8電子NH3、PH3、CH3,HQ+三角錐形
原子電子平面三角形
424S03(g)、COT、NO3,POM、BF3
4原
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