ICS11.080.99CCSC501404長治市市場監(jiān)督管理局發(fā)布DB1404/T19—2021 1 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語與定義 13.1基本術(shù)語 13.2消毒應(yīng)用 43.3LED產(chǎn)品 6參考文獻(xiàn) 中文索引 英文索引 DB1404/T19—20211本文件按照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起本文件由長治市工業(yè)和信息化局提出并監(jiān)督實施。本文件由長治市紫外LED標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口。本文件起草單位：山西中科潞安紫外光電科技有限公司、山西中科潞安半導(dǎo)體技術(shù)研究院有限公司、長治市疾病預(yù)防控制中心、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、無錫華兆泓光電科技有限公司、廈門光莆電子股份有限公司、山西華微紫外半導(dǎo)體科技有限公司、山西深紫外智能科技有限公司、山西智興華科半導(dǎo)體科技有限公司等。本文件主要起草人：李彩霞、馬麗軍、馬俊峰、常保延、林瑞梅、楊斌、田曉祿、易正廣、李晉閩、賈和平、閆建昌、王兵、張童、王建瑞、張維民。DB1404/T19—20211消毒用UVCLED術(shù)語與定義本文件界定了消毒用UVCLED的術(shù)語與定義。本文件適用于使用UVCLED進(jìn)行消毒操作的應(yīng)用領(lǐng)域。2規(guī)范性引用文件本文件沒有規(guī)范性引用文件。3術(shù)語與定義3.1基本術(shù)語3.1.1消毒用UVCLEDUVCLEDfordisinfection峰值波長范圍為260nm~280nm的面向消毒應(yīng)用的發(fā)光二極管。3.1.2光學(xué)輻射opticalradiation波長在向X射線過渡區(qū)(λ≈1nm）和向無線電波過渡區(qū)(λ≈1mm）之間的電磁輻射。[來源：GB2900.65-2004，845-01-02]3.1.3紫外輻射ultravioletradiation波長小于可見輻射波長的光學(xué)輻射。UVA315···············400UVB280···············31注2：由于100nm~200nm的紫外輻射在空氣中被強(qiáng)烈吸收，因此對于UVC波段，僅考慮200nm~280nm波長范[來源：GB2900.65-2004，845-01-05，有修改]2DB1404/T19—20213.1.4紫外線ultravioletUV波長在100nm~400nm的電磁波。[來源：GB/T32092-2015，2.1]3.1.5波長wavelengthλ在周期波的傳播方向上，相位相同的相鄰兩點間的距離。單位：m注1：媒質(zhì)中波長等于真空中波長除以媒質(zhì)的折射率。除另有說明外，波長值通常是在[來源：GB2900.65-2004,845-01-14]3.1.6峰值波長peakwavelengthλp在光譜分布中最高強(qiáng)度的輻射所對應(yīng)的波長。[來源：CIE127-2007，7.2.1，有修改]3.1.7光譜分布（輻射量、光度量或光子量X(λ)的）spectraldistribution（ofradiant，luminousorphotonquantityX(λ)）Xλ在波長λ處，包含λ的波長間隔dλ內(nèi)的輻射量或光度量或光子量dX(λ)與該波長間隔之商。[來源：GB2900.65-2004，845-01-17，有修改]3.1.8相對光譜分布relativespectraldistribution（ofradiant，luminousorphotonquantityX(λ)）S(λ)量X(λ)的光譜分布Xλ(λ)對某一確定參考值R之比，R可以是該分布的平均值、最大值或任意選定DB1404/T19—20213[來源：GB2900.65-2004，845-01-18]3.1.9半波寬fullwidthathalfmaximum光譜半寬spectrumwidthofhalfvalueΔλ光譜曲線峰值的一半處的總寬度。單位：nm。[來源：SJ/T11395—2009，3.6.31，有修改]3.1.10輻（射）通量radiantflux輻射功率radiantpower以輻射的形式發(fā)射、傳播和接收的功率。單位：W[來源：GB2900.65-2004，845-01-24]3.1.11輻射能量radiantenergyQe；Q在給定的持續(xù)時間Δt內(nèi)，輻射通量Фe的時間積分。單位：J=WS。[來源：GB2900.65-2004，845-01-27]3.1.12輻射效率（輻射源的）radiantefficiency（ofasourceofradiation）ηe；η輻射源發(fā)出的輻射通量與其消耗的功率之比。注：必須說明輻射源所耗功率中是否包括輔助裝[來源：GB2900.65-2004,845-01-54]3.1.13輻（射）照度（面上一點的）irradiance(atapointofasurface)Ee；E投射到包含該點的面元上的輻射通量dΦe除以該面元面積dA。等效定義：沿著由給定點所見半球?qū)Ρ磉_(dá)式Le·cosθ·dΩ的積分，式中Le是立體角為dΩ的不同方向入射的輻射束元對著給定點的輻射亮度，θ是任一輻射束元與給定處的表面法線之間的夾角。DB1404/T19—20214[來源：GB2900.65-2004,845-01-37]3.1.14輻射強(qiáng)度（輻射源在給定方向上的）radiantintensity(ofasource；inagivendirection)Ie；I離開輻射源的、在包含給定方向的立體角元dΩ內(nèi)傳播的輻射通量dΦe，除以該立體角元。[來源：GB2900.65-2004,845-01-30]3.1.15測量距離（對于輻射測量）testdistance（forradiantmeasurement）輻射中心至探測器表面的距離。[來源：GB/T2900.65-2004，845-09-65]3.1.16劑量率fluencerate從各個方向進(jìn)入被照射點周圍的無限小的球的總?cè)肷涔β食赃@個無限小的球的截面積。3.1.17紫外線劑量UVdose單位面積上接收到的紫外線輻射能量，常用單位為mJ/cm2或者J/m2。[來源：GB/T32092—2015，2.12，有修改]3.1.18紫外線穿透率UVtransmittance;-UVT特定波長的紫外線在通過1cm比色皿水樣后的紫外線強(qiáng)度與通過前的紫外線強(qiáng)度之比。[修改：GB/T32092—2015，2.10]3.2消毒應(yīng)用3.2.1滅菌sterilization殺滅或清除醫(yī)療器材等媒介上的一切微生物的處理。[來源：GB15982—2012，3.3，有修改]3.2.2消毒disinfection殺滅或清除傳播媒介上病原微生物，使其達(dá)到無害化的處理。[來源：國家衛(wèi)生部《消毒技術(shù)規(guī)范》（2002）]DB1404/T19—202153.2.3紫外線消毒ultravioletdisinfection利用病原微生物吸收波長在200～280nm間的紫外線能量后，其遺傳物質(zhì)（核酸）發(fā)生突變導(dǎo)致細(xì)胞不再分裂繁殖，達(dá)到滅活病原微生物目的的消毒方式。[來源：GB/T32092—2015，2.2]3.2.4殺滅率killingrate在微生物殺滅試驗中，用百分率表示微生物數(shù)量減少的值。3.2.5殺滅對數(shù)值killinglogvalue當(dāng)微生物的數(shù)量以對數(shù)值表示時，消毒前后微生物減少的對數(shù)值。3.2.6消亡率extinctionrate空氣中細(xì)菌自然衰亡和經(jīng)消毒處理殺菌總和的百分率。[來源：WS/T648-2019，3.2]3.2.7生物驗證bioassay/biodosimetry用生物測試方法確定紫外線消毒設(shè)備RED劑量的過程。注：生物驗證過程包括測試紫外線消毒設(shè)備對受試微生物的滅活特性，并與這種微生物已知的紫外線劑量-反應(yīng)曲[來源：GB/T32092—2015，2.6]3.2.8受試微生物challengemicrooragnism用于紫外線消毒設(shè)備劑量驗證測試的無致病性的微生物，如大腸桿菌噬菌體MS2、大腸桿菌噬菌體T1等。[來源：GB/T32092—2015，2.7]3.2.9紫外線劑量-滅活率曲線UVdose-responsecurve通過實驗室準(zhǔn)平行光實驗得到的某種微生物的滅活率與其接受到的紫外線劑量之間的關(guān)系。[來源：GB/T32092—2015，2.14]3.2.10微生物修復(fù)microbialrepair微生物體內(nèi)的酶通過外源光能（光修復(fù)）或者化學(xué)能（暗修復(fù)）的刺激，自我修復(fù)被紫外線破壞的脫氧核糖核酸（DNA）的過程。[來源：GB/T32092—2015，2.31]3.2.11DB1404/T19—20216菌落總數(shù)aerobicplatecount檢樣經(jīng)過處理，在一定條件下(如培養(yǎng)基、培養(yǎng)溫度和培養(yǎng)時間等)培養(yǎng)后，所得每g(mL)檢樣中形成的微生物菌落總數(shù)。[來源：GB4789.2-2016，2.1，有修改]3.2.12菌落形成單位colony-formingunitsCFU能培養(yǎng)出的微生物數(shù)量的表述單位。[來源：YY/T0506.3-2005，3.1]3.2.13消毒時間disinfectiontime紫外線消毒器在標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的工作條件下，進(jìn)行消毒處理的時間。常用單位為s或者min。[來源：GB28235—2020，3.11，有修改]3.2.14消毒周期disinfectioncycle紫外線消毒器實施一次消毒操作處理達(dá)到消毒要求的全過程。常用單位為s或者min。[來源：GB28235—2020，3.10，有修改]3.2.15表面消毒surfacedisinfection殺滅物體表面上的病原微生物，并達(dá)到消毒要求的處理。3.2.16空氣消毒airdisinfection殺滅密閉空間內(nèi)空氣中懸浮的病原微生物，使其達(dá)到無害化的處理。[來源：GB27948—2020，3.1，有修改]3.2.17水消毒waterdisinfection殺滅水中病原微生物，并達(dá)到消毒要求的處理。3.2.18循環(huán)風(fēng)量cyclewindvolume在標(biāo)準(zhǔn)空氣狀態(tài)下每小時通過紫外線空氣消毒器內(nèi)循環(huán)的空氣體積流量。[來源：GB28235—2020，3.13]3.2.19紫外線泄露量ultravioletleakage在規(guī)定的距離，紫外消毒器具對外的輻射照度。3.3LED產(chǎn)品DB1404/T19—202173.3.1[半導(dǎo)體]發(fā)光二極管[semiconductor]lightemittingdiodeLED當(dāng)被電流激發(fā)時通過傳導(dǎo)電子和空穴的再復(fù)合，在PN結(jié)處產(chǎn)生自發(fā)輻射而發(fā)出非相干光的一種半導(dǎo)體二極管。[來源：GB/T37031-2018，2.1.3，增加注]3.3.2內(nèi)量子效率internalquantumefficiency單位時間內(nèi)有源區(qū)產(chǎn)生的光子數(shù)與所注入有源區(qū)的電子-空穴對數(shù)之比。[來源：GB/T37031-2018，2.5.1，有修改]3.3.3出光效率lightextractionefficiency逸出LED結(jié)構(gòu)的光子數(shù)與有源區(qū)產(chǎn)生的光子數(shù)之比。[來源：GB/T37031-2018，2.5.2]3.3.4注入效率injectionefficiency注入LED的電子-空穴對數(shù)與注入有源區(qū)的電子-空穴對數(shù)之比。[來源：GB/T37031-2018，2.5.3]3.3.5外量子效率externalquantumefficiency逸出LED結(jié)構(gòu)的光子數(shù)與注入LED的電子-空穴對數(shù)之比，等于內(nèi)量子效率與出光效率和注入效率的乘積。[來源：GB/T37031-2018，2.5.4]3.3.6電光轉(zhuǎn)換效率wall-plugefficiency在規(guī)定的輸入條件下，光源的輸出光功率與輸入電功率的比值（百分?jǐn)?shù)）。[來源：GB/T37031-2018，2.5.5]3.3.7襯底substrate半導(dǎo)體工藝中的襯底，在半導(dǎo)體器件和電路制造中作為后續(xù)工藝加工操作的基底。[來源：GB/T14264-2009，定義3.242]3.3.8DB1404/T19—20218外延片epitaxialwafer用氣相、液相、分子束等方法在基質(zhì)襯底上生長半導(dǎo)體單晶薄層的晶片。[來源：GB/T37031-2018，2.2.1.1]3.3.9LED圓片LEDchiponwafer在LED外延片上完成電極制作等芯片工藝的圓片。[來源：GB/T37031-2018，2.2.1.2]3.3.10LED芯片LEDchip具有PN結(jié)結(jié)構(gòu)、有獨立正負(fù)電極、加電后可輻射發(fā)光的芯片。[來源：GB/T37031-2018，2.2.1.3]3.3.11LED器件LEDdeviceLED封裝LEDpackage由一個或多個LED芯片組成的發(fā)光單元，可包括電接口、機(jī)械接口、光學(xué)接口、散熱部件等。[來源：GB/T37031-2018，2.2.1.4]3.3.12封裝package將LED芯片或其他元器件包封的過程，以提供電連接、出光和散熱通道、機(jī)械和環(huán)境保護(hù)。[來源：GB/T37031-2018，2.2.1.9]3.3.13熱沉heatsink一種與封裝外殼分離或與其為一體的零件，用來耗散封裝內(nèi)產(chǎn)生的熱。[來源：GB/T37031-2018，2.2.1.10]3.3.14結(jié)溫junctiontemperatureTjPN結(jié)的溫度。[來源：GB/T37031-2018，2.5.9]3.3.15熱阻thermalresistance器件的有效溫度與外部規(guī)定參考點溫度之差除以器件中的穩(wěn)態(tài)功率耗散所得的商。[來源：GB/T2900.66-2004，521-05013]3.3.16環(huán)境溫度ambienttemperatureDB1404/T19—20219測試中產(chǎn)品臨近區(qū)域的空氣或其他介質(zhì)的溫度。[來源：GB/T24826-2016，3.38.1]3.3.17傳熱溫度heattransfertemperaturetd在額定電壓/電流/功率或者相應(yīng)額定范圍最大值的正常燃點條件下，向燈頭或燈具其他部件傳熱的LED模塊的相關(guān)部件上（指定標(biāo)記位置上）(或者任何傳熱過程中作為插入物與模塊連接的導(dǎo)熱箔或膏)的溫度。注1：指定點上所測得這一溫度給出了要傳遞到燈具界面上熱量的溫度信息。設(shè)計不合理的LED模塊不能將應(yīng)當(dāng)傳遞到燈具的熱量傳遞到表面。作為結(jié)果，tc將不會低于其最大[來源：GB/T24826-2016，3.38.4]3.3.18LED模塊LEDmodule未裝燈頭的LED光源，包含一個或多個裝在印刷電路板上的LED封裝，并可能包括一個或多個組件，比如電子、光學(xué)、機(jī)械、熱組件、接口和控制裝置等。[來源：GB/T24826-2016，3.19，有修改]3.3.19LED模塊的控制裝置controlgearforLEDmoduleLED控制裝置LEDcontrolgear置于供電電源和一個或多個LED模塊之間，為LED模塊提供額定電壓或者額定電流的單元。此單元可以由一個或者多個獨立的部件組成，并且可能具有調(diào)光、校正功率因數(shù)、抑制無線電干擾，以及其他控制功能。[來源：GB/T24826-2016，3.6.1]3.3.20供電電壓supplyvoltageDB1404/T19—2021施加到LED光源或者LED燈具整體單元上的電壓。[來源：GB/T24826-2016，3.37]3.3.21輸入功率inputpower消毒裝置，包括其預(yù)設(shè)功能必需的所有電器元件工作時在主電源上消耗的電功率。3.3.22初始值initialvaluesLED模塊經(jīng)過規(guī)定時間老化，使參數(shù)穩(wěn)定后所測得的輻射度和電學(xué)參數(shù)值。3.3.23額定值ratedvalue用于規(guī)范目的的特征值，該值是由生產(chǎn)者或責(zé)任銷售商宣稱的標(biāo)準(zhǔn)測試條件下建立的。[來源：GB/T24826-2016，3.33]3.3.24輻射通量維持率radiantfluxmaintenancefactor輻射源在規(guī)定條件下燃點，在壽命期間內(nèi)一特定時間輻射源所發(fā)出的輻射通量與初始輻射通量的比值。注2：輻射源的輻射通量維持率由LED封裝的輻射通量輸出減少所導(dǎo)致，若輻射源由多個LED封裝組成，輻射源3.3.25光束角beamangle在光束軸線所在平面上，經(jīng)過燈正面的中心點和輻射強(qiáng)度為中心光強(qiáng)50%的各點的兩條虛擬直線間的夾角。[來源：GB/T24826-2016，3.4，有修改]3.3.26有效壽命effectivelife產(chǎn)品紫外線強(qiáng)度值降低到初始值的70%的累計點燃時間。3.3.27額定壽命ratedlife一組LED光源提供不低于所宣稱的光通量維持百分比，同時失效率不超過最大宣稱Fy的時間長度，該值由生產(chǎn)者或責(zé)任銷售商宣稱。DB1404/T19—2021[來源：GB/T24826-2016，3.32]DB1404/T19—2021參考文獻(xiàn)[1]GB/T2900.65-2004電工術(shù)語照明[2]GB4789.2-2016食品微生物菌落總數(shù)的測定[3]GB/T14264-2009半導(dǎo)體材料術(shù)語[4]GB15982-2012醫(yī)院消毒衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)[5]GB/T24826-2016普通照明用LED產(chǎn)品和相關(guān)設(shè)備術(shù)語和定義[6]GB27948—2020空氣消毒劑通用要求[7]GB28235-2020紫外線消毒器衛(wèi)生要求[8]GB/T32092-2015紫外線消毒技術(shù)術(shù)語[9]GB/T37031-2018半導(dǎo)體照明術(shù)語[10]CIE127:2007MeasurementofLEDs[11]國家衛(wèi)生部《消毒技術(shù)規(guī)范》（2002）[12]YY/T0506.3-2005病人、醫(yī)護(hù)人員和器械用手術(shù)單、手術(shù)衣和潔凈服第3部分：試驗方法DB1404/T19—2021中文索引LED封裝...........................................................3.3.11LED控制裝置..................................................3.3.19LED模塊..........................................................3.3.18LED模塊的控制裝置......................................3.3.19LED器件..........................................................3.3.11LED芯片........................................................3.3.10LED圓片...........................................................3.3.9B半波寬3.1.9[半導(dǎo)體]發(fā)光二極管3.3.1表面消毒3.2.15波長3.1.5C測量距離（對于輻射測量）3.1.15襯底3.3.7傳熱溫度3.3.17出光效率3.3.3初始值3.3.22D電光轉(zhuǎn)換效率3.3.6E額定壽命3.3.27額定值3.3.23F峰值波長3.1.6封裝3.3.12輻射功率3.1.10輻射能量3.1.11輻射強(qiáng)度（輻射源在給定方向上的）3.1.14輻射通量維持率3.3.24輻射效率（輻射源的）3.1.12輻（射）通量3.1.10輻（射）照度（面上一點的）3.1.13G供電電壓3.3.20光譜半寬3.1.9光譜分布（輻射量、光度量或光子量X(分)的） 3.1.7光學(xué)輻射3.1.2光束角3.3.25H環(huán)境溫度3.3.16J劑量率3.1.16結(jié)溫3.3.14菌落總數(shù)3.2.11菌落形成單位3.2.12K空氣消毒3.2.16M滅活當(dāng)量劑量3.2.8滅菌3.2.1N內(nèi)量子效率3.3.2R熱沉3.3.13熱阻3.3.15SDB1404/T19—2021殺滅對數(shù)值3.2.5殺滅率3.2.4生物驗證3.2.7受試微生物3.2.8輸入功率3.3.21水消毒3.2.17W微生物修復(fù)3.2.10外量子效率3.3.5外延片3.3.8X消毒用UVCLED3.1.1相對光譜分布3.1.8消毒3.2.2消亡率3.2.6消毒時間3.2.13消毒周期3.2.14循環(huán)風(fēng)量3.2.18Z紫外輻射3.1.3紫外線3.1.4紫外線劑量3.1.17紫外線穿透率3.1.18紫外線消毒3.2.3紫外線劑量-滅活率曲線3.2.9紫外線泄露量3.2.19DB1404/T19—2021英文索引Aaerobicplatecount........................................................................................................................................3.2.11airdisinfection3.2.16ambienttemperature.....................................................................................................................................3.3.16Bbeamangle.....................................................................................................................................................3.3.25bioassay/biodosimetry.....................................................................................................................................3.2.7Cchallengemicrooragnism................................................................................................................................3.2.8colony-formingunits....................................................................................................................................3.2.12controlgearforLEDmodule/controlgear..................................................................................................3.3.19cyclewindvolume.........................................................................................................................................3.2.18Ddisinfection3.2.2disinfectioncycle...........................................................................................................................................3.2.14disinfectiontime3.2.13Eeffectivelife3.3.26epitaxialwafer.................................................................................................................................................3.3.8externalquantumefficiency...........................................................................................................................3.3.5extinctionrate3.2.6Ffluencerate3.1.16fullwidthathalfmaximum3.1.9Hheatsink3.3.13heattransfertemperature.............................................................................................................................3.3.17Iinitialvalues.................................................................................................................................................3.3.22injectionefficiency.........................................................................................................................................3.3.4inputpower..................................................................................................................................................3.3.21internalquantumefficiency............................................................................................................................3.3.2irradiance(atapointofasurface)............................................................................................................3.1.13Jjunctiontemperature..................................................................................................................................3.3.14DB1404/T19—2021Kkillinglogvalue..............................................................................................................................................3.2.5killingrate......................................................................................................................................................3.2.4LLEDchip.......................................................................................................................................................3.3.10LEDchiponwafer........................................................................................................................................3.3.9LEDdevice...................................................................................................................................................3.3.11LEDpackage................................................................................................................................................3.3.11lightemittingdiode........................................................................................................................................3.3.1lightextractionefficiency..............................................................................................................................3.3.3Mmicrobialrepair...........................................................................................................................................3.2.10Oopticalradiation.............................................................................................................................................3.1.2Ppackage.........................................................................................................................................................3.3.12peakwavelength............................................................................................................................................3.1.6Rradiantefficiency（ofasourceofradiation）...........................................................................................3.1.12radiantenergy..............................................................................................................................................3.1.11radiantflux3.1.10radiantfluxmaintenancefactor3.3.24radiantintensity(ofasource；inagivendirection).................................................................................3.1.14radiantpower...............................................................................................................................................3.1.10ratedlife3.3.27ratedvalue3.3.23reductionequivalentdose.............................................................................................................................3.2.8relativespectraldistribution........................................................................................................................3.1.8Sspectraldistribution......................................................................................................................................3.1.7spectrumwidthofhalfvalue........................................................................................................................3.1.9sterilization3.2.1surfacedisinfection3.2.15substrate3.3.7supplyvoltage...............................................................................