標準解讀
《GB/T 46699-2025 電子級四甲基硅烷》是一項國家標準,專門針對用于電子工業(yè)中的四甲基硅烷制定了詳細的技術(shù)要求和測試方法。該標準旨在確保產(chǎn)品質(zhì)量符合特定的純度級別及性能指標,以滿足微電子制造過程的需求。
在內(nèi)容上,此標準涵蓋了四甲基硅烷的物理化學性質(zhì)、純度標準、雜質(zhì)限量以及相應(yīng)的分析檢測手段。其中,對于純度的要求尤為嚴格,因為高純度是保證半導體材料質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一。此外,還規(guī)定了產(chǎn)品標簽、包裝、運輸與儲存條件等方面的具體要求,確保從生產(chǎn)到使用全鏈條的安全性和可靠性。
該標準適用于電子行業(yè)中作為氣相沉積源或蝕刻氣體使用的四甲基硅烷產(chǎn)品的生產(chǎn)和檢驗。通過遵循這些規(guī)范,可以有效提高國內(nèi)相關(guān)企業(yè)的技術(shù)水平和國際競爭力,同時也為監(jiān)管部門提供了科學依據(jù),有助于維護市場秩序,促進產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。
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- 即將實施
- 暫未開始實施
- 2025-10-31 頒布
- 2026-05-01 實施
文檔簡介
ICS31.030
CCSL90
中華人民共和國國家標準
GB/T46699—2025
電子級四甲基硅烷
Electronicgradetetramethylsilane
2025?10?31發(fā)布2026?05?01實施
國家市場監(jiān)督管理總局
國家標準化管理委員會發(fā)布
GB/T46699—2025
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分:標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)
定起草。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任。
本文件由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會(SAC/TC203)提出并歸口。
本文件起草單位:南大光電半導體材料有限公司、蘇州實驗室、中國電子技術(shù)標準化研究院、江蘇
南大光電材料股份有限公司、廣州賽西標準檢測研究院有限公司、長江存儲科技有限責任公司、上海市
計量測試技術(shù)研究院、中芯國際集成電路制造(北京)有限公司、洛陽中硅高科技有限公司、全椒南大光
電材料有限公司、寧波南大光電材料有限公司、南大光電(烏蘭察布)有限公司、浙江中寧硅業(yè)股份有限
公司、金宏氣體股份有限公司、艾生科(江蘇)化工科技有限公司、南大光電(淄博)有限公司。
本文件主要起草人:陳德義、徐文濤、曹可慰、茅炳榮、史澤遠、陳功鋒、張汝志、馬瑞、孫明璐、李春華、
孫鵬、張婷、趙俊莎、張健、魯錚、李雪、高周、吳怡然、萬燁、郝萍、郭威、魏良杰、毛國玉、汪晨、栗廣奉、
劉見華、劉立偉、張寶帥、孫麗麗、趙斌、曹益寧、陸平、張鵬、彭元兵、許勝霞、劉能巧、周禮、孟慶典、王藝潼、
孫建、高朋、張佳瑤、錢瑤。
Ⅰ
GB/T46699—2025
電子級四甲基硅烷
1范圍
本文件規(guī)定了半導體行業(yè)用電子級四甲基硅烷的技術(shù)要求、檢驗規(guī)則、包裝、標志、隨貨資料、運
輸、貯存及安全警告的要求,描述了相應(yīng)的檢測方法。
本文件適用于沉積氧化硅、碳化硅等硅基薄膜的電子級四甲基硅烷,作為集成電路的刻蝕硬掩層、
介電層等功能層;也適用于高純電子清洗劑和標準試劑的電子級四甲基硅烷。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中,注日期的引用文
件,僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于
本文件。
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SJ/T11637電子化學品電感耦合等離子體質(zhì)譜法通則
SJ/T11638電子化學品中顆粒的測試方法
3術(shù)語和定義
本文件沒有需要界定的術(shù)語和定義。
4技術(shù)要求
電子級四甲基硅烷應(yīng)
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