行業(yè)研究行業(yè)深度報告證券研究報告 滬深30070%60%50%40%30%20%0%-10%-20%存市場數(shù)據(jù)顯示，2025Q3全球存儲市場規(guī)模創(chuàng)造季度歷史新高，且已滬深30070%60%50%40%30%20%0%-10%-20%升升NAND市場方面，QLCNAND技術(shù)逐步成熟，兼力士、美光等廠商穩(wěn)居前列。國產(chǎn)DRAM龍頭廠商長鑫存儲已實現(xiàn)升資本開支，上游半導(dǎo)體設(shè)備有望受益。萬聯(lián)證券研究所 投資建議：AI浪潮持續(xù)推進，云廠商資本開支加速，服模組廠商盈利能力有望改善，關(guān)注模組廠商業(yè)績轉(zhuǎn)暖的投資機遇。3）萬聯(lián)證券研究所 5 5 6 7 82.1云廠商資本開支加速，服務(wù)器存儲需求 82.2人工智能+消費終端加速滲透，端側(cè)存儲有望持續(xù)擴容 2.4供給端調(diào)控產(chǎn)能致DDR4等供不應(yīng)求，產(chǎn) 173.1存儲市場集中度較高，國產(chǎn)存儲技術(shù)突破有望提 3.2存儲原廠資本開支有望擴張，上游半導(dǎo)體設(shè) 21 22 22 23 5 5 6 7 7 8 9 9 圖表22:DRAM部分規(guī)格產(chǎn)品現(xiàn)貨平均價走勢情況（單位：美元） 萬聯(lián)證券研究所 20 20 21 21 22 22 22萬聯(lián)證券研究所 1存儲市場規(guī)模較大，有望迎來以AI驅(qū)動的新一輪景氣周期便在需要時能夠快速訪問和處理。存儲芯片可分為隨機存取存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）兩種，RAM為易失性存儲器，ROM為非易失性存儲器。其中，易失性存儲易失性存儲芯片斷電后也能保存數(shù)據(jù)，但只能讀取事先所存數(shù)據(jù)的存儲，可分為OTPROM、FlashMemory等，其中FlashMemory包括NORFlash和NANDFlash。動態(tài)隨機存儲器（DRAM，包括DDR、LFLASHMEMORY（包括NORFLAS2025年三季度全球DRAM市場規(guī)模環(huán)比增長24.7%至400.37億美元，NAND市場規(guī)模環(huán)比增長16.8%至184.22億美元，三季度全球存儲市場規(guī)模連續(xù)兩季度成長至584.59億美據(jù)存儲市場大部分份額，其他類型如NorFlash則占比較低。的主流產(chǎn)品包括DRAM、NANDFlash與NORFlash三類，其中DRAM具備集成度高、價格萬聯(lián)證券研究所 NANDFlash兩大品類，其中NORFlash則在讀取速度、可靠性及擦除速度上表現(xiàn)相對心特征，廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)所采用的芯片級磁盤（DOC）及閃盤等設(shè)備，相較于NANDFLASHNORFLASH讀取速度慢中快擦除速度極快（無擦除）大中高低中主要用途手機、PC及服務(wù)商內(nèi)存模組產(chǎn)品的設(shè)計、制造和封測環(huán)節(jié),以及存儲模組產(chǎn)品集成；下游包括人工智能、消費電子、云計算與數(shù)據(jù)中心、工業(yè)控制與汽車電子等。1）消服務(wù)器+SSD存儲陣列，其中AI服務(wù)器需搭配高帶寬內(nèi)存（HBM）以提升算力效率；大數(shù)緩存，直接影響AI算力釋放效率。3）工業(yè)控制與汽車電子，工業(yè)場景依賴MRAM、萬聯(lián)證券研究所 設(shè)計工具(IP核、EDA等)半導(dǎo)體設(shè)備(光刻機、刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、清洗設(shè)備、涂膠顯半導(dǎo)體材料(半導(dǎo)體硅片、光刻膠、靶材、電子特氣、封裝材料、存儲芯片設(shè)計封裝測試存儲模組集成1.3存儲市場規(guī)模較大，有望迎來以AI驅(qū)動的新一輪景氣周期市場重回上行周期；2025年全球存儲芯片市場規(guī)模有望達到1894.07億美近十年存儲行業(yè)經(jīng)歷三輪周期，前兩輪主要由產(chǎn)品迭代和下游消費終端需求驅(qū)動。萬聯(lián)證券研究所 根據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，Google上調(diào)2025年資本支出至910-930億美元，MetaMicrosoft雖未披露完整年度數(shù)據(jù)但預(yù)期2026財年支出將高于2025年。根據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)測，2025年全球八大CSPs資本支出總額年增率預(yù)計為65%，并40%。資本支出的持續(xù)擴張有望全面帶動AI服務(wù)器需求升溫，進而拉動GPU/ASI儲器、封裝材料等上游供應(yīng)鏈，以及液冷散熱模塊、電源供應(yīng)、ODM組裝等下游系統(tǒng)環(huán)節(jié)同步擴張，推動AI硬件生態(tài)鏈進入新一輪結(jié)構(gòu)性成長周期。萬聯(lián)證券研究所 正反饋，而AI服務(wù)器也已成為驅(qū)動全球存儲市場增長的重要引擎之一。據(jù)CFM數(shù)據(jù)，基本持平，AI服務(wù)器臺數(shù)則有望達到180萬臺、同比增長29%。服務(wù)器存儲占比有望進一步提升。大型云服務(wù)商積極投資AI基礎(chǔ)設(shè)施以部署存算力對PCIe5.0eSSD需求有望增加，32TB及以上QLC器平臺滲透率提升、搭載AI加速芯片的AI服務(wù)器出貨放量，服務(wù)器DDR5及HBM需求快在64GB及以上DDR5及HBM3e出貨增長帶動下，2025年服務(wù)器存儲位元需求同比增長將 近兩年服務(wù)器存儲需求增幅領(lǐng)漲各下游應(yīng)用市場，存儲原廠將新增產(chǎn)能和資本支出AI服務(wù)器單機存儲容量提升。AI服務(wù)器的單機存儲容量呈現(xiàn)提升的態(tài)勢，以英偉達合計容量（GB）8DDR582AI手機加速滲透，智能手機存儲容量持續(xù)提升。AI手機正逐步成為更智能的私人助2026年有望升至50%。2024年以來手機廠商紛紛開發(fā)端側(cè)大模型，但將大模型內(nèi)置手年智能手機單機NAND容量有望超220GB，DRAM有望超8GB。 AMD、英特爾等的新一代處理器也陸續(xù)發(fā)布，推動聯(lián)想、惠普、蘋果、華為等各大PC廠商加速布局全新的AIPC形態(tài)，據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)，預(yù)計2025年全球AIPC的滲透率將達到35%。相較于傳統(tǒng)PC，AIPC采用CPU+GPU+NPU的異構(gòu)方案，新增的NPU存儲容量次每秒以上的NPU，內(nèi)存至少為16GBDDR5或LPDDR5X，存儲容量驍龍AI元啟AI硬盤容量AdrenoGPUAMDRadeonApple核顯量散熱系統(tǒng)管板// 二是添加顯示屏推進AR功能迭代，通過GUI（圖像交互界面）以顯示、觸控、語音及式增強了人們對現(xiàn)實世界的掌控感，構(gòu)建出全新生活方式。在配置方面，AI/AR眼鏡預(yù)計未來會有更多廠商選擇搭載；軟件系統(tǒng)除自研方案外（如StarVView內(nèi)置魅族適配大模型運行與AI應(yīng)用，128GB/256GB的超薄定制化ePOP方案也將迎來發(fā)展。存儲驍龍AR1驍龍AR1/驍龍AR1//4999元驍龍AR1/2499元//2499元////AI工作負載對存儲的需求持續(xù)提升，AI訓(xùn)練階段需要存儲系統(tǒng)具備高速讀寫能力與（如GPT-175B的Checkpoint可達數(shù)百GB甚至數(shù)TB且訓(xùn)練中常并發(fā)多個Checkpoint，存儲的性能、容量與可擴展性提出了更高要求。存儲需求優(yōu)化存儲意味著數(shù)據(jù)輸入過程更加快速序?qū)懭胪掏铝績?yōu)化存儲意味著在模型訓(xùn)練過程中能提供更多的數(shù)據(jù)，使模型準確性提升模型訓(xùn)練優(yōu)化隨機讀取；適用于檢查點寫入的高順序?qū)懭胄阅軆?yōu)化存儲可以提升昂貴訓(xùn)練資源（GPU,TPU,CPU）利用率模型部署 入存檔瓶頸已阻礙服務(wù)器性能提升，為此各大廠商推出了非易失性存儲、存算一體、CXL、高帶寬、多I/O數(shù)量、低功耗等特性，隨著AI技術(shù)發(fā)展與應(yīng)用對存力和算力的要求提模達到160億美元，同比增長256%，約占整體DRAM市場的16%；預(yù)計2025年HBM市場規(guī)模有望達到300億美元，約占全球DRAM市場的28%。圖表16:2022-2026年DRAM與NANDFlash產(chǎn)業(yè)資本支出及預(yù)測JEDEC已陸續(xù)公布了HBM4的多項核心參數(shù)，HBM4內(nèi)存采用4Hi、8Hi、12Hi及16Hi的堆規(guī)定其速率為6.4GT/s，同時預(yù)留了最高10GT/s的支持空間，使得每個HBM4內(nèi)存堆疊率 路線雖仍存在博弈，但在高帶寬內(nèi)存的選擇上，HBM幾乎是各技術(shù)路線的一致選項。據(jù)CFM統(tǒng)計，HBM3/2E是目前主流AI芯片采用的型號。隨著英偉達GB300、AMDMI325X供應(yīng)商應(yīng)用領(lǐng)域存儲搭配量AI訓(xùn)練AI訓(xùn)練AI訓(xùn)練AI訓(xùn)練A100AI訓(xùn)練A800A30AI訓(xùn)練AI訓(xùn)練UltraScale+HBM列ASICGaudi系列與32Gb規(guī)格的DDR5出貨占比也有望大幅提升。目前三大存儲原廠均已推出32GbDDR5 還能幫助企業(yè)提升存儲性能、降低成本。在NANDFlash的結(jié)構(gòu)中，每個Plane包含多擦除Block前需遷移Page中的有效數(shù)據(jù)，會觸發(fā)垃圾回收與寫放大；NAND的擦寫循環(huán)NAND的P/ECycles可達4000次，媲美TLC。2024年起，兼顧大容量、低功耗、高性能的QLCSSD成為企業(yè)級存儲新星，推動SSD進入100TB級超高容量時代，Solidigm推出西部數(shù)據(jù)也在推進超大容量QLCSSD布局。此外，QLCSSD兼具HDD的大容量特性，還NAND停止服務(wù)出貨。美光將DDR4產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5和HBM市場，以滿足AI服務(wù)器和高性能計算的需求。 子NAND過10%。此外，華城工廠12號和17號三星率先宣布將開始逐步停止生產(chǎn)DDR4計劃將DDR4DRAM產(chǎn)量削減至DRAM總產(chǎn)NAND鎧俠NAND據(jù)NAND利潤空間的DDR5和HBM產(chǎn)品中，DRAM原廠自2024年第三季度以來相繼宣布減產(chǎn)/轉(zhuǎn)產(chǎn)LPDDR4X，2025年4月初原廠部分停產(chǎn)DDR4，使得現(xiàn)貨市場相應(yīng)LPDDR4X產(chǎn)品出現(xiàn)供應(yīng)趨緊現(xiàn)象,存儲現(xiàn)貨市場服務(wù)器DDR4、行業(yè)內(nèi)存條、渠道內(nèi)存條報價均大幅上揚，甚貨價均有不同程度的上漲。同容量的MLCNANDFlash普遍價格大幅上漲，而256G 其中，DRAM產(chǎn)業(yè)的資本支出在2025年預(yù)計將達到537億美元，預(yù)計在2026年進一步成長至613億美元，年增率達14%。NANDFlash部分，資本支出在2025年預(yù)計為211億美元，2026年預(yù)計小幅增長至222億美元，年增約5%。但我們認為目前資本支出對存儲產(chǎn)出增長的拉動作用相對有限，當前DRAM與NANDFlash產(chǎn)業(yè)的投資重心正從傳統(tǒng)的產(chǎn)能擴張，逐步轉(zhuǎn)向制程技術(shù)迭代、高層數(shù)堆棧工藝升級、混合鍵合技術(shù)應(yīng)用及HBM年Q4繼續(xù)上漲30%，并可能在明年初再上升約20位：億美元） 銷售收入89.84億美元，環(huán)比增長27.1%，市場份額22.4%，排名第三；南亞科技三季排名第二；鎧俠三季度銷售收入達30.46億美元，環(huán)比增長28.1%，以16.5%的市場份環(huán)比增長4.5%，市場份額12.2%，排名第五。2025Q3各原廠DRAM營收排名RankRankSalesofRankRankSalesof11NAND223244Nanya3545產(chǎn)品功耗較DDR4降低20%。DDR5內(nèi)存芯片加入片內(nèi)錯誤檢查與自糾錯機制以及更強的存儲動力。2）LPDDR5產(chǎn)品方面，通容LPDDR5，功耗則比LPDDR5降低了30%，滿足移動旗艦手機更輕更薄的需求，以超強 貨量將同比增長50%，其在整體DRAM市場的出貨份額預(yù)計將從第一季度的6%增至第四到出貨量上，即DDR5/LPDDR5的市場份額有望從一季度的1%左右分別提升到7 儲目前已可提供基于晶棧?Xtacking?4.0技術(shù)的第五代QLC、TLC等多款閃存顆粒產(chǎn)品，具備行業(yè)優(yōu)異的存儲密度、I/O傳輸速度及更優(yōu)化的產(chǎn)品功耗，可廣泛應(yīng)用于企以便從其第10代NANDFlash產(chǎn)品（430層）開始使用該專利技術(shù)來進行制造，此為我國內(nèi)存儲廠商有望充分受益于存儲景氣周期。隨著科研積累的不斷加深和研發(fā)團隊多的本土企業(yè)開始具備自主設(shè)計和生產(chǎn)高端存儲芯片的能力，有望突破海外技術(shù)的 存儲器方面，公司為大陸存儲芯片龍頭生產(chǎn)商，產(chǎn)品線Nor+NAND+DRAM全覆蓋，其中車載存儲龍頭生產(chǎn)商之一，有高速低功耗SRAM，低中密度DRAM，NO嵌入式FlashpFusion，及eMMc等芯片產(chǎn)品。其收購的北京矽成(控股美國ISSI存儲)在汽車DRAM領(lǐng)域，美光占據(jù)45%居全球第一，北京矽成占據(jù)15%居全球第二。提供存儲、模擬和混合信號集成電路產(chǎn)品并提供應(yīng)用解決方案和技術(shù)支持服務(wù)。公司目前公司存儲器芯片業(yè)務(wù)由參股子公司紫光國芯承擔。紫光國芯主要從事存儲器設(shè)計開發(fā)、自有品牌存儲器芯片產(chǎn)品銷售，以及集成電路設(shè)計開發(fā)、測試服務(wù)，建設(shè)了完整先進的DRAM存儲器測試分析工程中心。復(fù)旦微電的存儲芯片產(chǎn)品線可提供多種接口、各型封裝、全面容量、高公司主要產(chǎn)品包括NORFlash和EEPROM兩大類非易失性存儲器芯片制程滲透與TSV設(shè)備建置；SK海力士支出預(yù)計為205億美元，年增17%，用于HBM4產(chǎn)能41%；美光擬小幅增加NAND產(chǎn)能，專注G9制程與企業(yè)級SSD業(yè)務(wù)，資本支出年增63%；三星、SK海力士等則縮減或限制NAND支出，優(yōu)先將投資轉(zhuǎn)向HBM與DRAM領(lǐng)域。DRAM方面，2026年資本支出預(yù)計達135億美元，年增23%，主要專注于1gamma制程滲TSV設(shè)備建置。NANDFlash方面，2026年目標是微幅增加NANDFlash產(chǎn)能并專和EnterpriseSSD業(yè)務(wù)，預(yù)計資本支出年增幅達632026年資本支出預(yù)計為205億美元，年增17%，以應(yīng)對M15x的HBM4產(chǎn)能擴張。預(yù)計將縮2026年預(yù)計投入200億美元，年增11%，用于HBM的1C制程滲透及小幅增加鎧俠/閃迪預(yù)計投入45億美元，年增41%，加速BiCS8生產(chǎn)并投資BiCS9研發(fā)。計于2025年實現(xiàn)增長，并在2026年延續(xù)增長態(tài)勢，主要得益于3DNAND堆疊技術(shù)的持續(xù)迭代與產(chǎn)能擴張的雙重驅(qū)動，NAND設(shè)備市場在2023年經(jīng)歷大幅下滑后逐步復(fù)蘇，年已同比增長40.2%至195億美元，為支撐人工智能部署對高帶寬存儲器（HBM）的投 18%。在存儲芯片漲價的景氣周期下，存儲模組價格有望跟隨上漲，疊加下端產(chǎn)品需求平穩(wěn)復(fù)蘇，國內(nèi)模組廠商盈利能力有望進一AI浪潮持續(xù)推進，云廠商資本開支加速，服務(wù)器存儲需求旺盛；同時AI+消費終端等 體設(shè)備行業(yè)需求，建議關(guān)注設(shè)備領(lǐng)域龍頭廠商。 增持：未來6個月內(nèi)公司相對大盤漲幅5％至15%;觀望：未