注：不含主觀題第1題單選題(1分)沒有經(jīng)過(guò)封裝的芯片被稱為（）。AwaferBchipCdieDsilicon第2題單選題(1分)目前市面上出現(xiàn)的晶圓尺寸主要有6英寸、8英寸和12英寸，其中12英寸的晶圓其直徑大約為（）。A150mmB200mmC250mmD300mm第3題單選題(1分)以下那種材料是目前芯片生產(chǎn)所使用的主要的半導(dǎo)體材料（）。A硅B鋁C磷D硼第4題單選題(1分)頭發(fā)絲的直徑大約為75（）。AnmBumCmmDcm第5題單選題(1分)以下對(duì)電子器件出現(xiàn)的先后順序描述正確的是（）。A晶體管-電子管-集成電路-超大規(guī)模集成電路B集成電路-晶體管-電子管-超大規(guī)模集成電路C集成電路-晶體管-電子管-超大規(guī)模集成電路D電子管-晶體管-集成電路-超大規(guī)模集成電路第6題判斷題(1分)模擬電路能夠處理的是連續(xù)變化的信號(hào)。第7題判斷題(1分)數(shù)字信號(hào)的1和0都是指信號(hào)取值的某個(gè)范圍。第8題判斷題(1分)雙極型器件和單極型器件的區(qū)別是看參與有源器件導(dǎo)電的是一種極性的載流子還是兩種極性的載流子。第9題單選題(1分)集成（）個(gè)以上電子元件的集成電路被稱為超大規(guī)模集成電路。A100B1000C10000D100000第10題判斷題(1分)雙極型數(shù)字集成電路的典型代表是TTL電路。1.3.2作業(yè)：數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)流程與設(shè)計(jì)方法第1題單選題(1分)以下對(duì)集成電路設(shè)計(jì)制造流程描述正確的是（）。A系統(tǒng)設(shè)計(jì)-電路設(shè)計(jì)-版圖設(shè)計(jì)-生產(chǎn)制造-成品測(cè)試B電路設(shè)計(jì)-版圖設(shè)計(jì)-系統(tǒng)設(shè)計(jì)-生產(chǎn)制造-成品測(cè)試C版圖設(shè)計(jì)-電路設(shè)計(jì)-系統(tǒng)設(shè)計(jì)-生產(chǎn)制造-成品測(cè)試D系統(tǒng)設(shè)計(jì)-版圖設(shè)計(jì)-電路設(shè)計(jì)-生產(chǎn)制造-成品測(cè)試第2題單選題(1分)以下哪一級(jí)描述位于數(shù)字集成電路描述的最底層（）。A系統(tǒng)級(jí)B功能塊級(jí)C門級(jí)D開關(guān)級(jí)第3題判斷題(1分)異步電路的特點(diǎn)是整個(gè)電路由統(tǒng)一的全局時(shí)鐘觸發(fā)，時(shí)鐘嚴(yán)格控制各個(gè)存儲(chǔ)狀態(tài)的改變。第4題判斷題(1分)“自上而下”的設(shè)計(jì)方法的特點(diǎn)是：進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)從系統(tǒng)設(shè)計(jì)開始，經(jīng)過(guò)邏輯級(jí)和電路級(jí)的設(shè)計(jì)，最終完成版圖的設(shè)計(jì)。第5題單選題(1分)集成電路中的IP核分為軟核、固核和硬核。其中，用硬件描述語(yǔ)言Verilog或VHDL描述的功能塊屬于（）。A軟核B硬核C固核第6題單選題(1分)以下EDA工具中，可以實(shí)現(xiàn)邏輯仿真的是（）。ASOCEncounterBNC-VerilogCPearlDAstro第7題判斷題(1分)綜合工具將HDL描述的設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為具體門級(jí)電路網(wǎng)表。第8題單選題(1分)SPECTRE仿真工具屬于以下哪家公司的產(chǎn)品？（）ASynopsysBMentorGraphicsCCadenceD華大九天第9題判斷題(1分)數(shù)字電路系統(tǒng)的開關(guān)級(jí)描述主要關(guān)注用晶體管搭建電路。第10題判斷題(1分)IP核的復(fù)用增加了集成電路的設(shè)計(jì)難度。1.4.3作業(yè)：數(shù)字電路基礎(chǔ)知識(shí)回顧第1題單選題(1分)與以下邏輯表達(dá)式對(duì)應(yīng)的電路符號(hào)圖是（）。ABCD第2題單選題(1分)將以下邏輯門的輸入端做適當(dāng)連接，能夠?qū)崿F(xiàn)邏輯非的連接方法是以下哪個(gè)選項(xiàng)（）。AA=0,B=0;BA=0,B=B;CA=1,B=B;DA=1,B=1;第3題單選題(1分)二進(jìn)制數(shù)（10111010110.100101）2

轉(zhuǎn)換成十六進(jìn)制數(shù)是（）A（5D6.94）16B（5D6.25）16

C（BAC.25）16DA.

（5D6.25）16第4題單選題(1分)卡諾圖化簡(jiǎn)時(shí)，一個(gè)圈里有4個(gè)邏輯相鄰最小項(xiàng)，則能夠消掉的變量個(gè)數(shù)是（)A1B2C3D4第5題判斷題(1分)N變量的卡諾圖對(duì)應(yīng)2N個(gè)小方格。（）第6題判斷題(1分)卡諾圖中幾何相鄰的兩項(xiàng)必是邏輯相鄰。（）第7題判斷題(1分)邏輯表達(dá)式化成最簡(jiǎn)式的表示形式是唯一的。（）第8題判斷題(1分)利用摩根定律求函數(shù)的反函數(shù)時(shí)，對(duì)跨越兩個(gè)或兩個(gè)以上變量的“非號(hào)”要保留不變。（

）第9題判斷題(1分)任何一個(gè)含有變量A的等式，如果將所有出現(xiàn)

A的位置都用同一個(gè)邏輯函數(shù)G來(lái)替換，則等式仍然成立。（

）第10題判斷題(1分)邏輯表達(dá)式Y(jié)=AB+AC+BC與Y=(A+B)(B+C)(A+C)實(shí)現(xiàn)的邏輯相等。（）2.1.2作業(yè)：半導(dǎo)體材料第1題單選題(1分)下圖所示是（）。A摻了受主雜質(zhì)的P型半導(dǎo)體B摻了施主雜質(zhì)的N型半導(dǎo)體C摻了受主雜質(zhì)的N型半導(dǎo)體D摻了施主雜質(zhì)的P型半導(dǎo)體第2題判斷題(1分)對(duì)半導(dǎo)體摻雜所用的施主雜質(zhì)通常是三價(jià)元素，如硼（B）、鋁（Al）和銦（In）。（）第3題判斷題(1分)N型半導(dǎo)體中的多子是空穴。（）第4題判斷題(1分)摻了施主雜質(zhì)的N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。（）第5題判斷題(1分)摻了受主雜質(zhì)的P型半導(dǎo)體帶正電。（）第6題單選題(1分)含有施主雜質(zhì)濃度為6×1015cm?3，受主雜質(zhì)濃度為2×1014cm?3的硅的凈雜質(zhì)濃度為。（）A6×1015cm?3B2×1014cm?3C6.2×1015cm?3D5.8×1015cm?3第7題判斷題(1分)含有施主雜質(zhì)濃度為6×1015cm?3，受主雜質(zhì)濃度為2×1014cm?3的硅的導(dǎo)電類型為P型。（）第8題多選題(2分)以下選項(xiàng)中屬于常用的半導(dǎo)體材料的是（）。A硅B鍺C砷化鎵D磷化銦正確答案：ABCD第9題判斷題(1分)本征半導(dǎo)體中的自由電子和空穴的數(shù)量總是相等的。（）第10題判斷題(1分)施主雜質(zhì)通常是3價(jià)元素。2.2.2作業(yè)：半導(dǎo)體二極管第1題單選題(1分)下圖電路中，二極管的作用是（）。A整流B開關(guān)C鉗位D穩(wěn)壓第2題單選題(1分)在結(jié)構(gòu)上，PN結(jié)二極管的正極對(duì)應(yīng)的是（）。A摻有受主雜質(zhì)的N型硅B摻有施主雜質(zhì)的N型硅C摻有受主雜質(zhì)的P型硅D摻有施主雜質(zhì)的P型硅第3題單選題(1分)理想二極管正向?qū)〞r(shí)，其電阻為（）。A無(wú)窮大B接近0C無(wú)法確定第4題單選題(1分)二極管兩端加正向電壓時(shí)（）。A立即導(dǎo)通B超過(guò)二極管的閾值電壓才能導(dǎo)通C超過(guò)二極管的擊穿電壓會(huì)導(dǎo)通D需要加反向電壓才導(dǎo)通第5題判斷題(1分)二極管最重要的特性之一就是具有單向?qū)щ娦浴５?題判斷題(1分)在PN結(jié)二極管兩端加正向電壓時(shí)，內(nèi)建場(chǎng)和外加電場(chǎng)方向相同。第7題判斷題(1分)在PN結(jié)二極管外加正向電壓，PN結(jié)內(nèi)的耗盡區(qū)會(huì)變窄。（）第8題判斷題(1分)理想模型二極管處于正向偏置時(shí)，二極管相當(dāng)于短路，處于反向偏置時(shí)二極管相當(dāng)于開路。（

）第9題判斷題(1分)PN結(jié)二極管內(nèi)漂移電流和擴(kuò)散電流的方向相同。（）第10題判斷題(1分)在MOS數(shù)字集成電路中，通常利用二極管的單向?qū)щ娦詠?lái)保護(hù)集成電路的輸入器件。（）第11題單選題(1分)P型半導(dǎo)體導(dǎo)電主要依靠（）。A電子B空穴C帶正電的離子D帶負(fù)電的離子2.3.4作業(yè)：MOS晶體管第1題單選題(1分)MOS晶體管中的M代表（）。A金屬B氧化物C半導(dǎo)體D場(chǎng)效應(yīng)晶體管第2題單選題(1分)PMOS晶體管主要依靠（）導(dǎo)電。A電子B空穴C正離子D負(fù)離子第3題單選題(1分)MOS晶體管的G指的是（）。A源極B漏極C柵極D襯底第4題單選題(1分)MOS晶體管屬于（）控制型器件。A電流B電壓C電子D空穴第5題單選題(1分)下圖所示為（）的符號(hào)。A增強(qiáng)型PMOSB增強(qiáng)型NMOSC耗盡型PMOSD耗盡型NMOS第6題判斷題(1分)MOS晶體管屬于雙極型器件（）。第7題判斷題(1分)MOS晶體管的結(jié)構(gòu)決定了在其內(nèi)部有寄生的二極管。第8題判斷題(1分)MOS晶體管具有輸入阻抗高、導(dǎo)通電阻低的優(yōu)點(diǎn)。第9題判斷題(1分)PMOS晶體管中的P是指晶體管的溝道類型是P型的（）。第10題判斷題(1分)MOS晶體管的柵極大多數(shù)是由多晶硅來(lái)制作的，在工作的時(shí)候要有低電阻率，所以需要對(duì)其進(jìn)行重?fù)诫s（）。2.4.2小測(cè)：集成電路中的互連線第1題單選題(1分)芯片上有一條由金屬鋁布成的長(zhǎng)20um，寬2um，厚度為0.18um的互連線，已知鋁的電阻率ρ為2.7×10-8Ω?m，則其薄層電阻值大小為。A0.15Ω/sq

B0.085Ω/sqC0.65Ω/sq

D0.065Ω/sq第2題單選題(1分)由金屬鋁布成長(zhǎng)10um，寬0.23um，厚度為0.45um連線，假設(shè)第一層鋁線與襯底形成的平板電容的單位電容值為30aF/um2，邊緣電容的單位電容值為40aF/um，則其總電容為（）aF。A69B800C869D731第3題單選題(1分)假設(shè)只考慮連線的寄生電容對(duì)驅(qū)動(dòng)門的影響，對(duì)下圖連線建立集總電容模型，假設(shè)導(dǎo)線總的集總電容C的大小為1pF，將驅(qū)動(dòng)門等效成一個(gè)理想電壓源和一個(gè)阻值為20KΩ的電阻Rd相串聯(lián)，當(dāng)給Vin一個(gè)階躍電壓（從0到V）時(shí)，則Vout的上升時(shí)間（Vout由10%V上升到90%V所需要的時(shí)間）是（）ns。A22B44C2.2D4.4第4題單選題(1分)分布式電阻-電容的通用模型是如下圖所示的樹形結(jié)構(gòu)，該電路不包含有任何電阻回路（這使它成為樹型結(jié)構(gòu)），這使得在源節(jié)點(diǎn)0和該電路的任何葉子節(jié)點(diǎn)i之間存在著一條唯一的電阻路徑，沿這條路徑的總電阻稱為路徑電阻Rii，則在源節(jié)點(diǎn)0和葉子節(jié)點(diǎn)4之間的路徑電阻為（

）。AR1+R2+R3+R4BR1+R3+R4CR4DR1+R4第5題判斷題(1分)平板電容的電容值大小與其面積成反比。（）第6題判斷題(1分)對(duì)導(dǎo)線寄生參數(shù)進(jìn)行簡(jiǎn)化，如果外加信號(hào)的上升和下降時(shí)間很長(zhǎng)，那么寄生電感的影響可以忽略。（

）第7題判斷題(1分)互連線的寄生效應(yīng)對(duì)其速度、功耗和可靠性等都有著顯著影響。（）第8題判斷題(1分)集成電路中的互連線只能使用金屬材料。（

）第9題判斷題(1分)導(dǎo)線電阻與其電阻率及長(zhǎng)度成正比，與其橫截面積成反比。()第10題判斷題(1分)金屬鋁的電阻率比金屬銅高，因此當(dāng)前芯片中的金屬互連線已經(jīng)全部使用銅來(lái)代替鋁。（）3.1.2作業(yè)：CMOS反相器簡(jiǎn)介第1題單選題(1分)互補(bǔ)型CMOS反相器中，（）位于上拉網(wǎng)絡(luò)連接VDD，從而可以在輸出得到無(wú)損輸出的VDD。ANMOSBPMOSCNMO或PMOS第2題單選題(1分)CMOS反相器中的PMOS襯底需要接（)。AvddBgndC懸空第3題單選題(1分)假設(shè)NMOS晶體管的閾值電壓為0.5V，當(dāng)晶體管導(dǎo)通時(shí)，在S/D端加一個(gè)3.5V的電壓，則傳送的另一端后電壓值為（）V。A3.5B3C4第4題單選題(1分)CMOS工藝下，PMOS所在的襯底類型是（）。AN型BP型CN型或P型第5題判斷題(1分)CMOS反相器中晶體管的襯底要連接到高電平或低電平，以消除器件體效應(yīng)。（）第6題判斷題(1分)MOS晶體管可以看作一個(gè)具有無(wú)限大的關(guān)斷電阻和較小導(dǎo)通電阻的壓控開關(guān)。（

）第7題判斷題(1分)靜態(tài)下，構(gòu)成CMOS反相器的PMOS和NMOS不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通，因此反相器具有沒有靜態(tài)功耗的優(yōu)點(diǎn)。（

）第8題判斷題(1分)只要負(fù)載電阻RL的阻值合理，以下電路能夠?qū)崿F(xiàn)反向功能。（

）第9題判斷題(1分)CMOS技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)把NMOS晶體管和PMOS晶體管做在同一個(gè)襯底上。（）第10題判斷題(1分)CMOS反相器中的晶體管導(dǎo)通時(shí)，可以看作一個(gè)具有一定阻值的電阻。（）3.2.2作業(yè)CMOS反相器的特性第1題單選題(1分)PMOS晶體管在導(dǎo)通時(shí)，溝道內(nèi)電流方向是（）。A從源極流向漏極B從漏極流向源極C從柵極流向漏極D從柵極流向源極第2題單選題(1分)當(dāng)CMOS反相器處于開關(guān)閾值VM的時(shí)候，PMOS晶體管和NMOS晶體管的狀態(tài)分別為（）。APMOS飽和，NMOS線性BPMOS線性，NMOS飽和CPMOS線性，NMOS線性DPMOS飽和，NMOS飽和第3題單選題(1分)CMOS反相器的中點(diǎn)電壓增大，直流轉(zhuǎn)移特性曲線將向右平移，此時(shí)（）。A低電平噪聲容限增大，高電平噪聲容限減小B低電平噪聲容限減小，高電平噪聲容限減小C低電平噪聲容限增大，高電平噪聲容限增大D低電平噪聲容限減小，高電平噪聲容限增大第4題單選題(1分)以下關(guān)于電子和空穴的遷移率正確的是（）A電子的遷移率大約為空穴遷移率的2-3倍B空穴的遷移率大約為電子遷移率的2-3倍C電子的遷移率和空穴遷移率基本相同D空穴的遷移率遠(yuǎn)大于電子的遷移率第5題單選題(1分)為了使CMOS反相器的中值電壓接近電源電壓的一半，從而使反相器的噪聲容限最大，通常PMOS晶體管的寬長(zhǎng)比和NMOS晶體管的寬長(zhǎng)比設(shè)計(jì)為大約（）。A1：2B2：1C1：5D5：1第6題判斷題(1分)在CMOS反相器中，盡管隨著輸入電壓的變化，加到PMOS晶體管和NMOS晶體管柵極上的電壓不斷變化，晶體管所處的工作區(qū)保持不變。（）第7題判斷題(1分)CMOS反相器的開關(guān)閾值電壓也稱為中點(diǎn)電壓VM，是Vout=Vin時(shí)的輸入電壓值。（）第8題判斷題(1分)在CMOS反相器中，當(dāng)輸入電壓為高（VDD）時(shí)，PMOS晶體管導(dǎo)通，NMOS晶體管截止，輸出與電源形成通路，輸出為高電平；當(dāng)輸入電壓為低（GND）時(shí)，NMOS晶體管導(dǎo)通，PMOS晶體管截止，輸出與地之間形成通路，輸出為低電平。（）第9題判斷題(1分)反相器的直流電壓傳輸特性曲線描述的是輸出隨輸入的不同取值所表現(xiàn)出來(lái)的相關(guān)特性。（

）第10題判斷題(1分)CMOS反相器具有輸入電阻低的特點(diǎn)。4.1.7作業(yè)：互補(bǔ)CMOS邏輯門第1題單選題(1分)如果要使用互補(bǔ)型的CMOS邏輯電路實(shí)現(xiàn)4輸入與非門，則需要使用的晶體管的數(shù)量是（）。A2B4C8D16第2題單選題(1分)在互補(bǔ)型CMOS邏輯電路中，上拉網(wǎng)絡(luò)導(dǎo)通后，輸出的值為（）。A0B1CZDX第3題單選題(1分)以下電路圖對(duì)應(yīng)的表達(dá)式為：（）。ABCD第4題單選題(1分)在下圖電路中當(dāng)電路的輸入端都變?yōu)楦唠娖?，下拉網(wǎng)絡(luò)導(dǎo)通，輸出端通過(guò)下拉網(wǎng)絡(luò)對(duì)地放電，假設(shè)晶體管導(dǎo)通后都有相同的等效電阻RN，則Elmore延時(shí)模型公式計(jì)算傳輸延遲TPHL的大小為（）。A0.69RNCLB0.69RN（C1+C2+CL）C0.69RN（C1+2C2+2CL）D0.69RN（C1+2C2+3CL）第5題判斷題(1分)互補(bǔ)CMOS邏輯電路的輸出阻抗小，因此有較好的抗噪聲性能。（）第6題判斷題(1分)互補(bǔ)CMOS邏輯電路的上拉網(wǎng)絡(luò)和下拉網(wǎng)絡(luò)接不同的輸入信號(hào)。（）第7題判斷題(1分)在設(shè)計(jì)靜態(tài)CMOS電路的時(shí)候，如果希望噪聲容限最大，并得到對(duì)稱的特性，則PMOS晶體管的寬度應(yīng)該比NMOS晶體管的寬度大，以均衡晶體管的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。()第8題判斷題(1分)互補(bǔ)CMOS邏輯電路的輸入阻抗很大，理論上扇出系數(shù)無(wú)窮大。（）4.2.2作業(yè)：CMOS傳輸門的結(jié)構(gòu)及應(yīng)用第1題單選題(1分)在傳輸門中，為了使使襯底與漏極和源極之間的PN結(jié)任何時(shí)刻都處于反偏狀態(tài)，應(yīng)將PMOS晶體管的襯底連接到（）。A電源B地CZDX第2題單選題(1分)在下圖所示的電路中，當(dāng)C為（）時(shí)傳輸門導(dǎo)通。A0B1CZDX第3題單選題(1分)假設(shè)NMOS導(dǎo)通的等效電阻為RN，PMOS導(dǎo)通的等效電阻為RP，則下圖所示的傳輸門的導(dǎo)通等效電阻為（）。ARN+RPBRNRPRN+RPCRNDRP第4題單選題(1分)在以下電路中，當(dāng)s=0時(shí)，輸出F的值是（）。AABBCABDA+B第5題單選題(1分)利用傳輸門來(lái)構(gòu)建選擇器，選擇器的數(shù)據(jù)輸入位數(shù)N和選擇器的選擇信號(hào)位數(shù)m應(yīng)滿足以下關(guān)系（

）：A2m≥N

B2m≤NCm=N

D2N≥m第6題單選題(1分)判斷下列電路F與AB的邏輯關(guān)系為：F=A（）B：A與B或C異或D同或第7題單選題(1分)判斷下列電路F與AB的邏輯關(guān)系為：F=A（）BA與B或C異或D同或第8題單選題(1分)判斷下列電路F與AB的邏輯關(guān)系為：F=A（）B：A與B或C異或D同或第9題判斷題(1分)傳輸門本質(zhì)上是一種開關(guān)。（