2026年衛(wèi)生專業(yè)技術(shù)資格考試[神經(jīng)電生理（腦電圖）技術(shù)]訓(xùn)練題及答案解析一、單項選擇題（共20題，每題1分，每題僅有一個正確選項）1.國際10-20系統(tǒng)中，F(xiàn)z電極的定位依據(jù)是A.鼻根與枕外隆凸連線的前20%處B.左右耳屏前連線的中點C.額極中點與枕外隆凸連線的前10%處D.中央前回對應(yīng)頭皮投影區(qū)答案：C解析：國際10-20系統(tǒng)以鼻根（Nasion）至枕外隆凸（Inion）為前后正中線，左右耳屏前（Preauricularpoint）為左右側(cè)連線。Fz（額中點）位于前后正中線的前10%處，Cz（中央中點）位于50%處，Pz（頂中點）位于后10%處，Oz（枕中點）位于后20%處。2.正常成人清醒閉目狀態(tài)下，枕區(qū)優(yōu)勢節(jié)律的頻率范圍是A.4-7HzB.8-12HzC.13-25HzD.26-30Hz答案：B解析：正常成人清醒閉目時，枕區(qū)以α節(jié)律為主，頻率8-12Hz，波幅20-100μV，睜眼時抑制。4-7Hz為θ波（兒童及困倦期常見），13-25Hz為β波（清醒、緊張或服用鎮(zhèn)靜劑時出現(xiàn)）。3.以下哪種偽差表現(xiàn)為與呼吸周期同步的慢波活動？A.肌電偽差B.眼動偽差C.心電偽差D.呼吸偽差答案：D解析：呼吸偽差多因胸腹部呼吸運(yùn)動導(dǎo)致電極線牽拉或頭部輕微擺動，表現(xiàn)為與呼吸頻率（12-20次/分）同步的慢波（0.5-3Hz），波幅較低，常出現(xiàn)在額區(qū)或顳區(qū)。肌電偽差為高頻（20-200Hz）、不規(guī)則棘波；眼動偽差為額區(qū)高幅、單向或雙向尖波；心電偽差為與心率同步的尖波（1-3Hz）。4.常規(guī)腦電圖記錄時，參考電極的最佳選擇是A.單側(cè)耳垂B.雙側(cè)耳垂串聯(lián)C.同側(cè)乳突D.平均參考電極答案：D解析：平均參考電極通過將所有頭皮電極的信號平均后作為參考，可減少單側(cè)參考電極（如耳垂、乳突）可能引入的偽差，更利于雙側(cè)腦區(qū)活動的對比分析。臨床中若使用單側(cè)參考，需注明參考位置。5.兒童失神癲癇的典型腦電圖表現(xiàn)是A.雙側(cè)對稱同步3Hz棘慢波綜合B.多灶性棘波發(fā)放C.顳區(qū)周期性尖波D.廣泛性θ節(jié)律答案：A解析：兒童失神癲癇（CAE）的特征為突發(fā)突止的意識障礙，同步腦電圖顯示雙側(cè)對稱、同步的3Hz棘慢波綜合（SWC），持續(xù)數(shù)秒至數(shù)十秒，過度換氣易誘發(fā)。多灶性棘波多見于局灶性癲癇，顳區(qū)周期性尖波可見于Rasmussen腦炎，廣泛性θ節(jié)律為非特異性慢波。6.腦電圖記錄中，電極阻抗的理想范圍是A.0-1kΩB.1-5kΩC.6-10kΩD.11-15kΩ答案：B解析：電極阻抗過高（>5kΩ）會導(dǎo)致信號衰減、噪聲增加；過低（<1kΩ）可能因電極與皮膚接觸過緊或電解質(zhì)過多引發(fā)極化電位干擾。理想阻抗為1-5kΩ，需在記錄前通過阻抗檢測確保各電極達(dá)標(biāo)。7.以下哪種刺激方法常用于誘發(fā)癲癇樣放電？A.閃光刺激（PHS）B.過度換氣（HV）C.睡眠剝奪（SD）D.以上均是答案：D解析：閃光刺激可誘發(fā)光敏性癲癇的光陣發(fā)性反應(yīng)（PPR）；過度換氣通過降低血碳酸水平（堿中毒）增加大腦興奮性，誘發(fā)失神或局灶性放電；睡眠剝奪（尤其是24小時內(nèi)睡眠<4小時）可提高癲癇樣放電的檢出率。三者均為常規(guī)誘發(fā)方法。8.新生兒腦電圖中，“交替性睡眠”（ActiveSleep）的特征是A.高波幅慢波與低波幅快波交替出現(xiàn)B.持續(xù)性δ節(jié)律（1-3Hz，50-200μV）C.廣泛同步的θ節(jié)律D.爆發(fā)-抑制模式答案：A解析：新生兒睡眠分為安靜睡眠（QuietSleep）和交替性睡眠（ActiveSleep）。交替性睡眠表現(xiàn)為高波幅慢波（δ波）與低波幅快波（β波）交替出現(xiàn)，伴眼球快速運(yùn)動；安靜睡眠為持續(xù)性高波幅δ節(jié)律。爆發(fā)-抑制多見于嚴(yán)重腦損傷。9.以下哪項不屬于腦電圖的技術(shù)參數(shù)設(shè)置內(nèi)容？A.濾波范圍（Filter）B.靈敏度（Sensitivity）C.走紙速度（PaperSpeed）D.患者姓名答案：D解析：技術(shù)參數(shù)包括濾波（如高頻濾波35Hz、低頻濾波0.5Hz）、靈敏度（通常7-15μV/mm）、走紙速度（常規(guī)30mm/s），用于控制信號的顯示質(zhì)量。患者姓名屬于記錄標(biāo)識信息，非技術(shù)參數(shù)。10.癲癇持續(xù)狀態(tài)（SE）的腦電圖核心特征是A.廣泛性低電壓（<20μV）B.持續(xù)≥30分鐘的癲癇樣放電或反復(fù)放電無間期C.周期性一側(cè)性癲癇樣放電（PLEDs）D.三相波答案：B解析：癲癇持續(xù)狀態(tài)的定義為臨床發(fā)作持續(xù)≥5分鐘或2次發(fā)作間意識未恢復(fù)，腦電圖表現(xiàn)為持續(xù)≥30分鐘的癲癇樣放電（如棘慢波、尖慢波）或反復(fù)放電無明顯間期（即“電持續(xù)狀態(tài)”）。PLEDs多見于局灶性腦損傷，三相波常見于代謝性腦病。11.腦電圖中“頂尖波”（VertexWave）出現(xiàn)于A.清醒期α節(jié)律B.N1期睡眠（淺睡期）C.N2期睡眠（中睡期）D.N3期睡眠（深睡期）答案：B解析：頂尖波是N1期（入睡期）的特征性波形，表現(xiàn)為中央-頂區(qū)（Cz-Pz）高幅（50-150μV）、雙向（先負(fù)后正）的尖波，常單個或成對出現(xiàn)，伴θ節(jié)律增多。N2期出現(xiàn)睡眠紡錘（12-14Hz，0.5-2秒）和K-綜合波；N3期以δ波（>75μV，占比>20%）為主。12.以下哪種疾病的腦電圖可見“周期性復(fù)合波”（PeriodicComplexes）？A.阿爾茨海默?。ˋD）B.克雅?。–JD）C.偏頭痛D.良性兒童癲癇伴中央顳區(qū)棘波（BECT）答案：B解析：克雅?。–JD）的典型腦電圖為周期性同步放電（PSD），表現(xiàn)為每0.5-2秒出現(xiàn)一次的高幅（100-200μV）尖慢波或三相波，背景為低波幅慢波。AD以彌漫性慢波為主；BECT為中央顳區(qū)棘波；偏頭痛發(fā)作期可能有局灶性慢波。13.腦電圖記錄時，“耳電極”（A1/A2）的定位是A.左側(cè)耳屏前1cm，右側(cè)耳屏前1cmB.左側(cè)耳垂中點，右側(cè)耳垂中點C.左側(cè)乳突尖，右側(cè)乳突尖D.左側(cè)顳淺動脈搏動處，右側(cè)顳淺動脈搏動處答案：C解析：國際10-20系統(tǒng)中，A1（左參考電極）和A2（右參考電極）通常置于左側(cè)和右側(cè)乳突尖（MastoidProcess），而非耳垂或耳屏前，以減少運(yùn)動偽差。14.正常成人腦電圖中，β波的主要分布區(qū)域是A.枕區(qū)B.額區(qū)C.頂區(qū)D.顳區(qū)答案：B解析：β波（13-25Hz）多見于額區(qū)和中央?yún)^(qū)，與大腦皮層激活狀態(tài)相關(guān)，如清醒、思考或服用苯二氮?類藥物時。枕區(qū)以α波為主，顳區(qū)在睡眠期可見θ波。15.以下哪種偽差可通過調(diào)整電極位置或使用肌電濾波（35Hz）改善？A.交流電干擾（60Hz）B.眼動偽差C.肌電偽差D.心電偽差答案：C解析：肌電偽差為高頻（>20Hz）信號，通過設(shè)置高頻濾波（如35Hz）可濾除部分高頻成分；調(diào)整電極位置（避免靠近顳肌、咬?。┗蜃尰颊叻潘杉∪庖部蓽p少。交流電干擾需檢查接地或更換電源；眼動偽差需指導(dǎo)患者減少眨眼；心電偽差可通過導(dǎo)聯(lián)切換或軟件標(biāo)記。16.新生兒腦電圖“不成熟模式”的表現(xiàn)不包括A.缺乏正常的睡眠-覺醒周期B.持續(xù)低電壓（<10μV）C.廣泛同步的δ節(jié)律D.爆發(fā)-抑制答案：C解析：足月兒出生后2周應(yīng)逐漸建立睡眠-覺醒周期，腦電圖從“不成熟模式”（如爆發(fā)-抑制、持續(xù)低電壓、無周期）過渡到“成熟模式”（交替性睡眠與安靜睡眠區(qū)分明確）。廣泛同步的δ節(jié)律是安靜睡眠的正常表現(xiàn)，不屬于不成熟模式。17.癲癇樣放電中，“多棘慢波”（Polyspike-Wave）的典型臨床關(guān)聯(lián)是A.失神發(fā)作B.肌陣攣發(fā)作C.復(fù)雜部分性發(fā)作D.強(qiáng)直-陣攣發(fā)作答案：B解析：多棘慢波由2個或以上棘波緊隨一個慢波組成，常見于肌陣攣癲癇（如青少年肌陣攣癲癇JME），對應(yīng)肌陣攣發(fā)作（快速肌肉抽動）。失神發(fā)作多為3Hz棘慢波，復(fù)雜部分性發(fā)作可見局灶性棘波，強(qiáng)直-陣攣發(fā)作間期可能有散在棘波。18.腦電圖記錄中，“靈敏度”設(shè)置為7μV/mm時，1個高幅尖波（140μV）在圖紙上的高度為A.10mmB.15mmC.20mmD.25mm答案：C解析：靈敏度=電壓/高度，故高度=電壓/靈敏度=140μV/7μV/mm=20mm。靈敏度越低（如7μV/mm），相同電壓的波形顯示越高；靈敏度越高（如15μV/mm），波形顯示越矮。19.以下哪種情況會導(dǎo)致腦電圖出現(xiàn)“電極接觸不良偽差”？A.患者出汗導(dǎo)致電極膏稀釋B.閃光刺激頻率過高C.過度換氣時間過長D.睡眠剝奪未達(dá)標(biāo)準(zhǔn)答案：A解析：電極接觸不良多因電極膏干燥、出汗稀釋或電極松動，表現(xiàn)為突發(fā)性高幅尖波、基線漂移或信號中斷。閃光刺激、過度換氣、睡眠剝奪屬于誘發(fā)方法，不會直接導(dǎo)致接觸不良偽差。20.昏迷患者腦電圖“α昏迷”的特征是A.枕區(qū)8-12Hzα波，對刺激無反應(yīng)B.廣泛θ波（4-7Hz）C.爆發(fā)-抑制模式D.三相波答案：A解析：α昏迷是一種特殊的昏迷腦電圖模式，表現(xiàn)為枕區(qū)或額區(qū)持續(xù)8-12Hzα波，但缺乏正常α波的睜眼抑制反應(yīng)，常見于腦干上部或丘腦損傷。廣泛θ波為輕度昏迷；爆發(fā)-抑制為重度腦損傷；三相波見于代謝性腦病（如肝性腦?。?。二、多項選擇題（共10題，每題2分，每題有2-5個正確選項，少選、錯選均不得分）1.國際10-20系統(tǒng)電極命名規(guī)則包括A.字母代表腦區(qū)（F=額，T=顳，C=中央，P=頂，O=枕）B.數(shù)字奇數(shù)代表左側(cè)，偶數(shù)代表右側(cè)（如T3左顳，T4右顳）C.字母后加“z”代表中線電極（如Cz中央中線）D.耳電極標(biāo)記為A1（左）、A2（右）答案：ABCD解析：國際10-20系統(tǒng)中，F(xiàn)（額）、T（顳）、C（中央）、P（頂）、O（枕）代表腦區(qū)；數(shù)字奇數(shù)（1,3,5…）為左側(cè)，偶數(shù)（2,4,6…）為右側(cè)；“z”（Zero）表示中線；耳參考電極通常標(biāo)記為A1（左乳突）、A2（右乳突）。2.腦電圖記錄中，常見的生理偽差包括A.眼動偽差（EOG）B.心電偽差（ECG）C.肌電偽差（EMG）D.交流電干擾（60Hz）答案：ABC解析：生理偽差由人體自身活動引起，包括眼動（眨眼、眼球轉(zhuǎn)動）、心電（心跳）、肌電（肌肉收縮）。交流電干擾屬于環(huán)境偽差，由電源或設(shè)備漏電導(dǎo)致。3.兒童良性癲癇伴中央顳區(qū)棘波（BECT）的腦電圖特征包括A.中央顳區(qū)（T3/C3-T4/C4）高幅棘波B.睡眠期放電增多（尤其NREM睡眠）C.棘波后常伴隨慢波（棘慢波綜合）D.廣泛同步的3Hz棘慢波答案：ABC解析：BECT的典型表現(xiàn)為單側(cè)或雙側(cè)中央顳區(qū)高幅棘波（常為負(fù)相），睡眠期（尤其N2、N3期）放電顯著增多，棘波后多伴慢波，清醒期放電較少。廣泛3Hz棘慢波見于兒童失神癲癇。4.腦電圖技術(shù)操作中，正確的電極放置步驟包括A.清潔頭皮（酒精或磨砂膏去除油脂）B.標(biāo)記電極位置（使用量角器或定位帶）C.涂抹電極膏（確保電極與皮膚充分接觸）D.連接電極線后立即開始記錄（無需檢測阻抗）答案：ABC解析：電極放置需先清潔頭皮（減少阻抗），標(biāo)記位置（確保準(zhǔn)確性），涂抹電極膏（降低阻抗），連接后必須檢測阻抗（1-5kΩ），確認(rèn)達(dá)標(biāo)后再開始記錄。5.以下哪些腦電圖表現(xiàn)提示腦功能嚴(yán)重?fù)p傷？A.爆發(fā)-抑制（Burst-Suppression）B.低電壓（<20μV持續(xù)>30分鐘）C.α昏迷（α波無反應(yīng)性）D.正常睡眠-覺醒周期答案：ABC解析：爆發(fā)-抑制（爆發(fā)性高波幅活動與抑制期交替）、持續(xù)低電壓（<20μV）、α昏迷（α波無刺激反應(yīng)）均提示嚴(yán)重腦損傷（如缺氧缺血性腦病、腦死亡）。正常睡眠-覺醒周期為腦功能保留的標(biāo)志。6.閃光刺激（PHS）的臨床應(yīng)用包括A.診斷光敏性癲癇B.鑒別癲癇與非癲癇性發(fā)作C.評估視覺通路功能D.誘發(fā)局灶性癲癇放電答案：ABC解析：閃光刺激通過不同頻率（1-60Hz）的閃光誘發(fā)光陣發(fā)性反應(yīng)（PPR），用于診斷光敏性癲癇（如青少年肌陣攣癲癇），鑒別發(fā)作類型（癲癇發(fā)作可能伴PPR，非癲癇發(fā)作無），并可評估視覺皮層功能。局灶性癲癇放電更易被過度換氣或睡眠剝奪誘發(fā)。7.腦電圖中“K-綜合波”（K-Complex）的特征包括A.出現(xiàn)于N2期睡眠B.由一個負(fù)相尖波和一個正相慢波組成C.常伴隨睡眠紡錘（12-14Hz）D.清醒期可見答案：ABC解析：K-綜合波是N2期睡眠的特征性波形，表現(xiàn)為高幅（>100μV）、先負(fù)后正的復(fù)合波，常與睡眠紡錘（12-14Hz，0.5-2秒）伴發(fā)，清醒期無此波形。8.以下哪些因素會影響腦電圖的波形特征？A.年齡（兒童vs成人）B.藥物（抗癲癇藥vs鎮(zhèn)靜劑）C.代謝狀態(tài)（低血糖vs高血氨）D.記錄環(huán)境（安靜vs嘈雜）答案：ABCD解析：年齡影響腦電發(fā)育（如兒童以θ波為主，成人以α波為主）；藥物（如苯二氮?類增加β波，丙戊酸減少癲癇樣放電）；代謝異常（如肝性腦病出現(xiàn)三相波）；環(huán)境（嘈雜環(huán)境增加肌電偽差）均會影響波形。9.癲癇發(fā)作期腦電圖的常見表現(xiàn)包括A.節(jié)律性棘波/尖波（10-20Hz）B.廣泛性電壓抑制（低平期）C.慢波頻率進(jìn)行性減慢（從θ到δ）D.棘慢波頻率逐漸降低（如從5Hz到2Hz）答案：ABCD解析：發(fā)作期腦電圖可表現(xiàn)為起始的節(jié)律性棘波/尖波（如強(qiáng)直期10-20Hz快節(jié)律），隨后電壓抑制（如強(qiáng)直期向陣攣期過渡），慢波頻率減慢（陣攣期），或棘慢波頻率逐漸降低（如失神發(fā)作從3Hz減慢至停止）。10.新生兒腦電圖“正常成熟模式”的特征包括A.建立明確的睡眠-覺醒周期B.交替性睡眠（ActiveSleep）與安靜睡眠（QuietSleep）區(qū)分明顯C.背景活動以δ波為主（50-200μV）D.無爆發(fā)-抑制或持續(xù)低電壓答案：ABCD解析：足月兒出生后2-4周腦電圖逐漸成熟，表現(xiàn)為睡眠-覺醒周期明確，交替性睡眠（高-低波幅交替）與安靜睡眠（持續(xù)性高幅δ波）區(qū)分明顯，背景活動無爆發(fā)-抑制或持續(xù)低電壓（<10μV）。三、案例分析題（共2題，每題15分，需結(jié)合臨床與腦電圖知識分析）案例1：患兒，男，6歲，因“反復(fù)短暫意識喪失2月”就診。發(fā)作時突然凝視、呼之不應(yīng)，手中物品掉落，持續(xù)約5-10秒，每日發(fā)作10余次，發(fā)作后立即恢復(fù)正常。既往無熱性驚厥史，智力發(fā)育正常。腦電圖記錄（覺醒期）：過度換氣3分鐘后，雙側(cè)額-中央?yún)^(qū)出現(xiàn)同步、對稱的3Hz棘慢波綜合，持續(xù)8秒，同期患兒出現(xiàn)意識喪失、凝視。問題：1.該患兒最可能的診斷是什么？依據(jù)是什么？2.需與哪些疾病鑒別？鑒別要點是什么？3.腦電圖中過度換氣的作用是什么？答案解析：1.最可能的診斷是兒童失神癲癇（CAE）。依據(jù)：①臨床特征：兒童期起病（4-8歲高峰），短暫意識喪失（5-10秒），每日多次發(fā)作，無發(fā)作后癥狀；②腦電圖：過度換氣誘發(fā)雙側(cè)同步3Hz棘慢波綜合，與臨床發(fā)作同步。2.需鑒別