集成電路制造工藝 課件 4.1 刻蝕的基本概念_第1頁
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集成電路制造工藝

--刻蝕的基本概念單位：江蘇信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院微電子教研室濕法刻蝕第四章刻蝕干法刻蝕去膠刻蝕的基本概念本章要點濕法刻蝕第四章刻蝕干法刻蝕去膠刻蝕的基本概念本章要點刻蝕，是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料，從而把光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到薄膜上的過程?！?.1刻蝕的基本概念一、刻蝕的目的二、刻蝕的主要參數(shù)刻蝕速率是測量刻蝕物質(zhì)被移除的速率，通常用表示。通過測量刻蝕前后的薄膜的厚度，將差值除以刻蝕時間就能計算出刻蝕速率?？涛g速率=（刻蝕前厚度-刻蝕后厚度）/刻蝕時間=Δh/t1.刻蝕速率薄膜在縱向被腐蝕的同時也存在著橫向被腐蝕，造成實際窗口的尺寸大于設(shè)計尺寸，使刻蝕的分辨率下降。刻蝕因子F定義為：當(dāng)刻蝕線條時，刻蝕的深度V與一邊的橫向增加量ΔX的比值。F=V/ΔX2.刻蝕因子被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料（如光刻膠或襯底）的刻蝕速率的比。高選擇比意味著只對想要去除的薄膜進行刻蝕，而光刻膠和襯底受到的刻蝕很小，或者說速率十分緩慢。Ef襯底SiO2光刻膠ErSiO23.選擇比片內(nèi)均勻性、批內(nèi)均勻性和批間均勻性。非均勻性刻蝕會帶來額外的過度刻蝕，影響刻蝕質(zhì)量。均勻性由測量刻蝕前后晶圓的特定點厚度，并計算這些點的刻蝕速率得出。點的選取一般為在一批中隨機抽取3～5片晶圓，在每片晶圓上選擇5～9個點。（a）五點選取（b）九點選取4.均勻性

刻蝕過程中主要的污染包括殘留物、聚合物及顆粒沾污。殘留物是刻蝕以后留在硅片表面不想要的材料。聚合物的形成有時是有意的，是為了在刻蝕圖形的側(cè)壁上形成抗腐蝕膜從而防止橫向刻蝕，形成高的各向異性圖形。這些聚合物必須在刻蝕完成后去除，否則器件的成品率和可靠性都會受到影響。等離子體產(chǎn)生的顆粒沾污會給硅片帶來損傷，重金屬沾污在接觸孔上會造成漏電。5.刻蝕潔凈度根據(jù)以上的刻蝕工藝參數(shù)，刻蝕的一般要求有：刻蝕均勻性好。圖形的保真度好。刻蝕選擇比高?？涛g的潔凈度

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