156.2025年納米材料掃描電鏡三維重構(gòu)聚焦離子束表征技術(shù)考試試卷156.2025年納米材料掃描電鏡三維重構(gòu)聚焦離子束表征技術(shù)考試試卷一、單項(xiàng)選擇題（每題1分，共30題）1.掃描電鏡（SEM）主要用于觀察材料的什么特征？A.元素組成B.形貌結(jié)構(gòu)C.化學(xué)鍵合D.電磁場分布2.納米材料的掃描電鏡三維重構(gòu)技術(shù)主要基于什么原理？A.電子衍射B.信號(hào)強(qiáng)度變化C.原子力顯微鏡原理D.X射線光電子能譜3.聚焦離子束（FIB）技術(shù)中，常用的離子是？A.電子B.質(zhì)子C.氬離子D.鈾離子4.FIB技術(shù)在納米材料表征中的作用是什么？A.成像B.切割C.衍射D.譜學(xué)分析5.SEM和FIB技術(shù)結(jié)合的最大優(yōu)勢是什么？A.提高分辨率B.降低成本C.增加樣品量D.提高樣品導(dǎo)電性6.納米材料的三維重構(gòu)中，常用的軟件是？A.OriginB.MATLABC.AvizoD.AutoCAD7.FIB技術(shù)中，樣品的損傷主要來自哪里？A.電子束轟擊B.離子轟擊C.X射線輻射D.熱效應(yīng)8.SEM成像中，背散射電子（BSE）模式主要用于什么分析？A.形貌觀察B.元素分布C.晶體結(jié)構(gòu)D.表面粗糙度9.納米材料的FIB切割精度可以達(dá)到多少？A.微米級(jí)B.納米級(jí)C.毫米級(jí)D.皮米級(jí)10.SEM的三維重構(gòu)主要依賴于什么信號(hào)？A.二次電子B.背散射電子C.特征X射線D.透射電子11.FIB技術(shù)中，常用的加速電壓是多少？A.1kVB.10kVC.100kVD.1MV12.納米材料的三維重構(gòu)中，常用的濾波方法是？A.中值濾波B.高斯濾波C.形態(tài)學(xué)濾波D.小波變換13.SEM成像中，二次電子（SE）信號(hào)主要來自哪里？A.樣品表面B.樣品內(nèi)部C.真空環(huán)境D.電子槍14.FIB技術(shù)中，常用的樣品制備方法是？A.超聲波清洗B.離子濺射C.真空蒸發(fā)D.離子束刻蝕15.納米材料的SEM三維重構(gòu)中，常用的插值方法是？A.最近鄰插值B.雙線性插值C.三次樣條插值D.Kriging插值16.FIB技術(shù)中，樣品的損傷控制方法是什么？A.降低加速電壓B.增加樣品厚度C.使用低能離子D.以上都是17.SEM成像中，高分辨率模式通常需要什么條件？A.高真空環(huán)境B.高加速電壓C.高倍率D.以上都是18.納米材料的FIB切割中，常用的掩膜材料是？A.金屬箔B.聚合物膜C.陶瓷膜D.玻璃膜19.SEM的三維重構(gòu)中，常用的配準(zhǔn)方法是？A.相似性變換B.最小二乘法C.光流法D.以上都是20.FIB技術(shù)中，樣品的刻蝕速率主要受什么影響？A.離子能量B.離子流量C.樣品材質(zhì)D.以上都是21.納米材料的SEM成像中，常用的加速電壓是多少？A.1kVB.10kVC.100kVD.1MV22.FIB技術(shù)中，常用的離子束能量是多少？A.1keVB.10keVC.100keVD.1MeV23.SEM的三維重構(gòu)中，常用的表面提取方法是？A.均值曲率B.主曲率C.高斯曲率D.以上都是24.FIB技術(shù)中，樣品的刻蝕深度控制方法是什么？A.時(shí)間控制B.電流控制C.加速電壓控制D.以上都是25.納米材料的SEM成像中，常用的探測器是？A.二次電子探測器B.背散射電子探測器C.能量色散X射線探測器D.以上都是26.FIB技術(shù)中，常用的離子束直徑是多少？A.1nmB.10nmC.100nmD.1μm27.SEM的三維重構(gòu)中，常用的渲染方法是？A.光照渲染B.線框渲染C.著色渲染D.以上都是28.FIB技術(shù)中，樣品的損傷評(píng)估方法是什么？A.透射電鏡觀察B.Raman光譜分析C.X射線衍射分析D.以上都是29.納米材料的SEM成像中，常用的放大倍數(shù)是多少？A.10倍B.100倍C.1000倍D.10000倍30.FIB技術(shù)中，常用的樣品固定方法是？A.離子濺射鍍膜B.真空蒸發(fā)鍍膜C.超聲波清洗D.乙醇清洗二、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共20題）1.SEM的主要功能包括哪些？A.形貌觀察B.元素分析C.晶體結(jié)構(gòu)分析D.三維重構(gòu)2.FIB技術(shù)的應(yīng)用包括哪些？A.樣品制備B.元素分析C.切割D.三維重構(gòu)3.納米材料的三維重構(gòu)中，常用的信號(hào)包括哪些？A.二次電子B.背散射電子C.特征X射線D.透射電子4.SEM成像中，常用的模式包括哪些？A.二次電子模式B.背散射電子模式C.特征X射線模式D.透射電子模式5.FIB技術(shù)中，常用的離子包括哪些？A.氬離子B.氦離子C.鈾離子D.氧離子6.納米材料的SEM三維重構(gòu)中，常用的濾波方法包括哪些？A.中值濾波B.高斯濾波C.形態(tài)學(xué)濾波D.小波變換7.FIB技術(shù)中，樣品的損傷控制方法包括哪些？A.降低加速電壓B.增加樣品厚度C.使用低能離子D.以上都是8.SEM成像中，高分辨率模式通常需要哪些條件？A.高真空環(huán)境B.高加速電壓C.高倍率D.以上都是9.納米材料的FIB切割中，常用的掩膜材料包括哪些？A.金屬箔B.聚合物膜C.陶瓷膜D.玻璃膜10.SEM的三維重構(gòu)中，常用的配準(zhǔn)方法包括哪些？A.相似性變換B.最小二乘法C.光流法D.以上都是11.FIB技術(shù)中，樣品的刻蝕速率主要受哪些因素影響？A.離子能量B.離子流量C.樣品材質(zhì)D.以上都是12.納米材料的SEM成像中，常用的加速電壓包括哪些？A.1kVB.10kVC.100kVD.1MV13.FIB技術(shù)中，常用的離子束能量包括哪些？A.1keVB.10keVC.100keVD.1MeV14.SEM的三維重構(gòu)中，常用的表面提取方法包括哪些？A.均值曲率B.主曲率C.高斯曲率D.以上都是15.FIB技術(shù)中，樣品的刻蝕深度控制方法包括哪些？A.時(shí)間控制B.電流控制C.加速電壓控制D.以上都是16.納米材料的SEM成像中，常用的探測器包括哪些？A.二次電子探測器B.背散射電子探測器C.能量色散X射線探測器D.以上都是17.FIB技術(shù)中，常用的離子束直徑包括哪些？A.1nmB.10nmC.100nmD.1μm18.SEM的三維重構(gòu)中，常用的渲染方法包括哪些？A.光照渲染B.線框渲染C.著色渲染D.以上都是19.FIB技術(shù)中，樣品的損傷評(píng)估方法包括哪些？A.透射電鏡觀察B.Raman光譜分析C.X射線衍射分析D.以上都是20.納米材料的SEM成像中，常用的放大倍數(shù)包括哪些？A.10倍B.100倍C.1000倍D.10000倍三、判斷題（每題1分，共20題）1.SEM主要用于觀察材料的形貌結(jié)構(gòu)。2.納米材料的掃描電鏡三維重構(gòu)技術(shù)基于信號(hào)強(qiáng)度變化。3.FIB技術(shù)中常用的離子是質(zhì)子。4.SEM和FIB技術(shù)結(jié)合可以提高樣品制備效率。5.納米材料的三維重構(gòu)中，常用的軟件是MATLAB。6.FIB技術(shù)中，樣品的損傷主要來自離子轟擊。7.SEM成像中，背散射電子（BSE）模式主要用于元素分布分析。8.納米材料的FIB切割精度可以達(dá)到納米級(jí)。9.SEM的三維重構(gòu)主要依賴于二次電子信號(hào)。10.FIB技術(shù)中，常用的加速電壓是100kV。11.納米材料的三維重構(gòu)中，常用的濾波方法是中值濾波。12.SEM成像中，二次電子（SE）信號(hào)主要來自樣品表面。13.FIB技術(shù)中，常用的樣品制備方法是超聲波清洗。14.納米材料的SEM三維重構(gòu)中，常用的插值方法是雙線性插值。15.FIB技術(shù)中，樣品的損傷控制方法是降低加速電壓。16.SEM成像中，高分辨率模式通常需要高真空環(huán)境。17.納米材料的FIB切割中，常用的掩膜材料是金屬箔。18.SEM的三維重構(gòu)中，常用的配準(zhǔn)方法是相似性變換。19.FIB技術(shù)中，樣品的刻蝕速率主要受離子能量影響。20.納米材料的SEM成像中，常用的放大倍數(shù)是10000倍。四、簡答題（每題5分，共2題）1.簡述SEM和FIB技術(shù)結(jié)合在納米材料表征中的優(yōu)勢。2.如何控制FIB技術(shù)在樣品制備中的損傷？附標(biāo)準(zhǔn)答案：一、單項(xiàng)選擇題1.B2.B3.C4.B5.A6.C7.B8.B9.B10.A11.B12.D13.A14.D15.B16.D17.D18.A19.D20.D21.B22.C23.D24.D25.D26.B27.D28.D29.D30.B二、多項(xiàng)選擇題1.ABD2.ACD3.ABC4.ABCD5.AB6.ABCD7.ABCD8.ABCD9.ABCD10.ACD11.ABCD12.ABC13.BCD14.ABCD15.ABCD16.ABC17.BCD18.ACD19.ABC20.BCD三、判斷題1.√2.√3.