1T/CACCXXXX—XXXX車用芯片技術(shù)旋變角轉(zhuǎn)換芯片技術(shù)要求及試驗(yàn)方法本文件規(guī)定了旋變角轉(zhuǎn)換芯片的技術(shù)要求及試驗(yàn)方法。本文件適用于旋變角轉(zhuǎn)換芯片的研制、使用和試驗(yàn)。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件。不注日期的引用文件，其最新版本適用于本文件。GJB548C-2021微電子器件試驗(yàn)方法和程序GJB597/3-2023半導(dǎo)體集成電路軸角型內(nèi)置參考式解算-數(shù)字轉(zhuǎn)換電路詳細(xì)規(guī)范GB/T4937.4-2012半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第4部分：強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)（HAST）GB/T4937.12-2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第12部分：掃頻振動(dòng)GB/T4937.26半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第26部分：靜電放電（ESD）敏感度測試人體模型（HBM）GB/T34590.2-2022道路車輛功能安全第2部分：功能安全管理GB/T36479-2018集成電路焊柱陣列試驗(yàn)方法GB/T42968.1-2023集成電路電磁抗擾度測量第1部分：通用條件和定義AEC-Q100Rev-J:FailureMechanismBasedStressTestQualificationForIntegratedCircuitsANSI/ESDA/JEDECJS-002ChargedDeviceModel(CDM)DeviceLevelIEC60749-3半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第3部分外觀檢查（SemiconductorDevices-MechanicalandClimaticTestMethods-Part3:ExternalVisualExamination）IEC60749-10半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第10部分：機(jī)械沖擊（SemiconductorDevices-MechanicalandClimaticTestMethods-Part10:MechanicalShock-DeviceandSubassembly）IEC62373-1半導(dǎo)體器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFETs）的偏置溫度不穩(wěn)定性試驗(yàn)第1部分：MOSFETs的快速偏置溫度不穩(wěn)定性試驗(yàn)（SemiconductorDevices-Bias-TemperatureStabilityTestforMetal-Oxide,Semiconductor,Field-EffectTransistors(MOSFET)-Part1:FastBTITestforMOSFET）IEC62374半導(dǎo)體器件柵介質(zhì)層的時(shí)間相關(guān)介電擊穿（TDDB）試驗(yàn)（SemiconductorDevices-TimeDependentDielectricBreakdown(TDDB)TestforGateDielectricFilms）IEC62374-1半導(dǎo)體器件內(nèi)部金屬層間的時(shí)間相關(guān)介電擊穿（TDDB）試驗(yàn)（SemiconductorDevices-Part1:Time-DependentDielectricBreakdown(TDDB)TestforInter-MetalLayers）IEC62415半導(dǎo)體器件恒流電遷移試驗(yàn)（Semiconductordevices-ConstantCurrentElectromigrationTest）IEC62416半導(dǎo)體器件金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管的熱載流子試驗(yàn)（SemiconductorDevices-HotCarrierTestonMOSTransistors）IEC62880-1半導(dǎo)體器件應(yīng)力遷移試驗(yàn)第1部分：銅應(yīng)力遷移試驗(yàn)（SemiconductorDevices-StressMigrationTestStandard-Part1:CopperStressMigrationTestStandard）JEDECJ-STD-020濕度敏感等級分類（MoistureSensitivityLevels(MSL)）JESD22-A101穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命（Steady-StateTemperature-HμmidityBiasLifeTest）2T/CACCXXXX—XXXXJESD22-A103高溫貯存壽命（HighTemperatureStorageLife）JESD22-A104溫度循環(huán)（TemperatureCycling）JESD22-A105上電溫循（PowerAndTemperatureCycling）JESD22-A110高加速溫濕度應(yīng)力試驗(yàn)（HighlyAcceleratedTemperatureAndHμmidityStressTest(Hast)）JESD22-A113塑封表貼器件可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理（Pre-ConditionofPlasticSurfaceMountDeviceSpriortoReliabilityTesting）JESD22-A118加速水汽抵抗性——無偏壓HAST（AcceleratedMoistureResistance-UnbiasedHast）JESD22-A108半導(dǎo)體器件高溫工作壽命試驗(yàn)（SemiconductorDevices-HighTemperatureOperatingLifeTest）JESD22-A119半導(dǎo)體器件非易失性存儲器的耐久性、數(shù)據(jù)保持和工作壽命試驗(yàn)（SemiconductorDevices-Non-VolatileMemoryEndurance,DataRetention,andOperatingLifeTest）JESD74A半導(dǎo)體器件早期壽命失效率試驗(yàn)（SemiconductorDevices-EarlyLifeFailureRateTest）JESD78F.02ICLatch-UpTest3術(shù)語、定義和縮略語下列術(shù)語、定義和縮略語適用于本文件。3.1術(shù)語3.1.1旋變角轉(zhuǎn)換芯片resolvertodigitalconversionICs，RDC通過將旋轉(zhuǎn)變壓器（resolver）輸出的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，來監(jiān)控系統(tǒng)角度、角速度的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換芯片。3.1.2積分非線性IntegralNonlinearity，INL指實(shí)際轉(zhuǎn)換曲線同理想轉(zhuǎn)換曲線在縱軸方向的差值，單位是LSB，即最低有效位。它表示實(shí)際轉(zhuǎn)換曲線偏離理想轉(zhuǎn)換曲線的程度。3.1.3差分非線性DifferentialNonlinearity,DNL指實(shí)際量化臺階與對應(yīng)于1LSB的理想值之間的差異，單位是LSB，即最低有效位。它表示理想刻度與實(shí)際刻度的偏差值。3.2縮略語下列縮略語適用于本文件。CDM：帶電器件模型（ChargedDeviceModel）Cpk：過程能力K指數(shù)（ProcessCapabilityIndex）EOS：過電應(yīng)力（ElectricalOverstress）ESD：靜電放電（ElectrostaticDischarge）HBM：人體模型（Human-BodyModel）MSL：潮濕敏感度等級（MoistureSensitivityLevel）T/CACCXXXX—XXXX3Ppk：過程性能K指數(shù)（ProcessPerformanceIndex）4技術(shù)要求4.1功能要求4.1.1旋變角轉(zhuǎn)換芯片通過接收旋轉(zhuǎn)變壓器輸出，實(shí)現(xiàn)對系統(tǒng)角度、角速度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控的作用。4.1.2旋變角轉(zhuǎn)換芯片一般由輸入信號處理、Type-II跟蹤環(huán)、寄存器、邏輯電路等組成。4.1.3旋轉(zhuǎn)變壓器產(chǎn)生的正弦、余弦角度輸入到旋變角轉(zhuǎn)換芯片中，然后通過Type-II跟蹤環(huán)實(shí)現(xiàn)角度跟蹤，將跟蹤的角度和速度結(jié)果存儲到寄存器，通過I/O接口讀出上述結(jié)果。4.1.4旋變角轉(zhuǎn)換芯片能夠直接從端口讀取轉(zhuǎn)動(dòng)方向，數(shù)字輸出高電平表示正向轉(zhuǎn)動(dòng)，數(shù)字輸出低電平表示反向轉(zhuǎn)動(dòng)。4.1.5旋變角轉(zhuǎn)換芯片的功能框圖如圖1所示。圖1旋變角轉(zhuǎn)換芯片功能框圖4.2絕對最大額定值a）電源電壓（VCC≤（產(chǎn)品正常工作電源電壓+2Vb）模擬輸入電壓范圍（VIN0.3V~VCC＋0.3V；c）貯存溫度范圍（TS65℃~150℃;T/CACCXXXX—XXXX4d）結(jié)溫（TJ150℃;e）引線耐焊接溫度（TM260℃（10s）。4.3電性能要求按照本文件5.2的試驗(yàn)方法，表1電特性中的特性參數(shù)達(dá)到滿足使用需求的極限值要求。其中應(yīng)規(guī)定電源電壓、工作電流、角度精度、速度精度、最大跟蹤速率，其他參數(shù)指標(biāo)可根據(jù)不同應(yīng)用場景增加。12ICC345AOUT6789IIHIIL/4.4輸入信號要求表2輸入信號要求24.5環(huán)境可靠性要求4.5.1使用要求等級4.5.1.1產(chǎn)品溫度等級旋變角轉(zhuǎn)換芯片產(chǎn)品溫度等級應(yīng)至少滿足表A.1溫度等級2級要求。T/CACCXXXX—XXXX54.5.1.2潮濕敏感度等級旋變角轉(zhuǎn)換芯片產(chǎn)品潮濕敏感度等級應(yīng)至少滿足表A.2MSL3要求。4.5.2加速環(huán)境應(yīng)力試驗(yàn)要求4.5.2.1預(yù)處理按照A.2.1的方法進(jìn)行試驗(yàn)，試驗(yàn)前后樣品外觀應(yīng)滿足IEC60749-3的要求，電性參數(shù)、功能和性能應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求。4.5.2.2穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)和強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)應(yīng)任選一個(gè)項(xiàng)目進(jìn)行試驗(yàn)，若選擇穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)，應(yīng)按照A.2.2的方法進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)前后樣品外觀應(yīng)滿足IEC60749-3的要求，電性參數(shù)、功能和性能應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求。4.5.2.3強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)和強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)應(yīng)任選一個(gè)項(xiàng)目進(jìn)行試驗(yàn)，若選擇強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)，應(yīng)按照A.2.3的方法進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)前后樣品外觀應(yīng)滿足IEC60749-3的要求，電性參數(shù)、功能和性能應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求。4.5.2.4加速耐濕無偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)加速耐濕無偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)和溫濕度貯存試驗(yàn)應(yīng)任選一個(gè)項(xiàng)目進(jìn)行試驗(yàn)，若選擇加速耐濕無偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)，應(yīng)按照A.2.4的方法進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后樣品外觀應(yīng)滿足IEC60749-3的要求，電性參數(shù)、功能和性能應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求。4.5.2.5溫濕度貯存試驗(yàn)加速耐濕無偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)和溫濕度貯存試驗(yàn)應(yīng)任選一個(gè)項(xiàng)目進(jìn)行試驗(yàn)，若選擇溫濕度貯存試驗(yàn)，應(yīng)按照A.2.5的方法進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后樣品外觀應(yīng)滿足IEC60749-3的要求，電性參數(shù)、功能和性能應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求。4.5.2.6溫度循環(huán)試驗(yàn)按照A.2.6的方法進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后樣品外觀應(yīng)滿足IEC60749-3的要求，電性參數(shù)、功能和性能應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求。4.5.2.7功率溫度循環(huán)試驗(yàn)按照A.2.7的方法進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后樣品外觀應(yīng)滿足IEC60749-3的要求，電性參數(shù)、功能和性能應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求。4.5.2.8高溫貯存壽命試驗(yàn)按照A.2.8的方法進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后樣品外觀應(yīng)滿足IEC60749-3的要求，電性參數(shù)、功能和性能應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求。4.5.3加速壽命模擬試驗(yàn)要求T/CACCXXXX—XXXX64.5.3.1高溫工作壽命試驗(yàn)按照A.3.1的方法進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)中不應(yīng)發(fā)生熱關(guān)機(jī)現(xiàn)象，試驗(yàn)中和試驗(yàn)后樣品外觀應(yīng)滿足IEC60749-3的要求，功能和性能應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求。4.5.3.2早期壽命失效率試驗(yàn)按照A.3.2的方法進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)中不應(yīng)發(fā)生熱關(guān)機(jī)現(xiàn)象，試驗(yàn)中和試驗(yàn)后樣品外觀應(yīng)滿足IEC60749-3的要求，功能和性能應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求。4.5.3.3非易失性存儲器耐久性、數(shù)據(jù)保持和工作壽命試驗(yàn)若旋變角轉(zhuǎn)換芯片集成非易失性存儲器，按照A.3.3的方法進(jìn)行試驗(yàn)。實(shí)際單次編程/擦除循環(huán)用時(shí)不應(yīng)超出指定的單次循環(huán)最大時(shí)間，循環(huán)完成后內(nèi)存數(shù)組中的數(shù)據(jù)模式應(yīng)與預(yù)期的數(shù)據(jù)模式保持一致。試驗(yàn)前后樣品外觀應(yīng)滿足IEC60749-3的要求，電參數(shù)、功能和性能應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求。4.5.4封裝完整性試驗(yàn)要求4.5.4.1鍵合點(diǎn)剪切強(qiáng)度實(shí)驗(yàn)若旋變角轉(zhuǎn)換芯片采用打線鍵合（wirebond）封裝，按照A.4.1的方法進(jìn)行試驗(yàn)。不同鍵合直徑對應(yīng)的剪切力和平均剪切力不應(yīng)低于表3的要求。鍵合點(diǎn)分離模式應(yīng)為1、2、3或6；分離模式不應(yīng)為4或5。將測得剪切力的結(jié)果匯總正態(tài)分布，應(yīng)滿足Cpk＞1.67。開封過程不應(yīng)影響鍵合剪切強(qiáng)度或鍵合拉力。表3鍵合點(diǎn)剪切最小剪切力要求μmgfgf4.5.4.2破壞性鍵合拉力試驗(yàn)T/CACCXXXX—XXXX7若旋變角轉(zhuǎn)換芯片采用打線鍵合封裝，按照A.4.2的方法進(jìn)行試驗(yàn)。溫度循環(huán)試驗(yàn)（A.2.6）后，鍵合線線徑不小于25.4μm時(shí)，溫度循環(huán)試驗(yàn)后樣品金線的最小拉力不應(yīng)低于3gf；鍵合線線徑小于25.4μm時(shí)，不同鍵合線直徑對應(yīng)的最小拉力不應(yīng)低于表4的要求。將測得拉力的結(jié)果匯總形成正態(tài)分布，應(yīng)滿足Cpk＞1.67。表4最小拉力要求μmgf4.5.4.3可焊性試驗(yàn)按照A.4.3的方法進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后樣品的焊接區(qū)域應(yīng)呈現(xiàn)連續(xù)的焊料層，單個(gè)端子的焊料層應(yīng)大于該端子總面積的95%。4.5.4.4物理尺寸量測試驗(yàn)按照A.4.4的方法進(jìn)行試驗(yàn)。樣品的物理尺寸及共面度應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求，若無共面度要求，共面度不應(yīng)超過150μm，應(yīng)滿足Cpk＞1.67。4.5.4.5錫球剪切試驗(yàn)按照A.4.5的方法進(jìn)行試驗(yàn)。不同錫球直徑對應(yīng)的最小剪切力不應(yīng)低于表5的要求，超過或未定義的球徑，最小剪切力不應(yīng)低于3200gf/mm2。錫球分離模式應(yīng)為1、2或4，當(dāng)分離模式為2時(shí)錫球分離模式不應(yīng)超過總面積的5%且剩余面積應(yīng)為模式1和/或4；分離模式不應(yīng)為3或5。將測得剪切力的結(jié)果匯總正態(tài)分布，應(yīng)滿足Cpk＞1.67。表5錫球剪切最小剪切力要求gf4.5.4.6凸塊剪切試驗(yàn)若采用凸塊（BumP）封裝，按照A.4.6的方法進(jìn)行試驗(yàn)。將測得剪切力的結(jié)果匯總形成正態(tài)分布，應(yīng)滿足Cpk＞1.67。4.5.5晶圓工藝可靠性試驗(yàn)要求T/CACCXXXX—XXXX84.5.5.1電遷移試驗(yàn)按照A.5.1的方法進(jìn)行試驗(yàn)，結(jié)果由供需雙方協(xié)商確定。4.5.5.2電介質(zhì)擊穿試驗(yàn)按照A.5.2的方法進(jìn)行試驗(yàn)，結(jié)果由供需雙方協(xié)商確定。4.5.5.3熱載流子注入效應(yīng)試驗(yàn)按照A.5.3的方法進(jìn)行試驗(yàn)，結(jié)果由供需雙方協(xié)商確定。4.5.5.4負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定試驗(yàn)按照A.5.4的方法進(jìn)行試驗(yàn)，結(jié)果由供需雙方協(xié)商確定。4.5.5.5應(yīng)力遷移試驗(yàn)按照A.5.5的方法進(jìn)行試驗(yàn)，結(jié)果由供需雙方協(xié)商確定。4.5.6電性能驗(yàn)證試驗(yàn)要求4.5.6.1功能/電氣參數(shù)試驗(yàn)按照A.6.1的方法進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)結(jié)果符合產(chǎn)品規(guī)格書或使用說明規(guī)格書的要求。4.5.6.2人體模型靜電放電試驗(yàn)按照A.6.2的方法進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后樣品外觀應(yīng)滿足IEC60749-3的要求，電性參數(shù)、功能和性能應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求，靜電放電（ESD）失效閾值應(yīng)至少達(dá)到2級或由供需雙方協(xié)商確定。（具體等級應(yīng)與公司交流）4.5.6.3帶電器件模型靜電放電試驗(yàn)按照A.6.3的方法進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后樣品外觀應(yīng)滿足IEC60749-3的要求，功能和電氣參數(shù)應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求，ESD失效閾值應(yīng)至少達(dá)到C2a級或由供需雙方協(xié)商確定。（具體等級應(yīng)與公司交流）4.5.6.4閂鎖效應(yīng)試驗(yàn)按照E.6.3的方法進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后樣品外觀應(yīng)滿足IEC60749-3的要求，功能和性能應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求。試驗(yàn)后電源引腳的電流值Ipose應(yīng)符合如下要求：a)若|Inor|≤25mA，則|Ipose|≤|Inor|+10mA；b)若|Inor|＞25mA，則|Ipose|≤1.4×|Inor|。4.5.6.5電性參數(shù)分布按照A.6.5的方法進(jìn)行試驗(yàn)。Cpk如果適用，則可相應(yīng)的增加試驗(yàn)樣本量，Cpk＞1.33或/和Ppk>1.67。4.5.6.6故障分級按照A.6.6的方法進(jìn)行試驗(yàn)。測試覆蓋率應(yīng)滿足下列要求：a)模擬電路或混合模式電路的模擬電路塊：100%；T/CACCXXXX—XXXX9b)數(shù)字電路或混合模式電路的數(shù)字電路塊邏輯翻轉(zhuǎn)故障模型測試覆蓋率：不低于98%；c)具有IDDQ或ISSQ的數(shù)字電路或數(shù)字電路塊輯翻轉(zhuǎn)故障模型測試覆蓋率：不低于97%；d)利用掃描設(shè)計(jì)的數(shù)字電路或數(shù)字電路塊的轉(zhuǎn)換延遲故障覆蓋率：不低于80%；e)在IDDQ故障覆蓋范圍內(nèi)使用偽固定的數(shù)字電路或數(shù)字電路塊：不低于70%。不滿足以上測試覆蓋率的技術(shù)要求時(shí)，由供需雙方協(xié)商確定測試覆蓋率要求并說明。注1：I為電源靜態(tài)電流。注2：I為電源輸入/輸出電流。4.5.6.7電特性表征按照A.6.7的方法進(jìn)行試驗(yàn)，結(jié)果由供需雙方協(xié)商確定。4.5.7缺陷篩選試驗(yàn)要求4.5.7.1參數(shù)分布平均測試按照A.7.1的方法進(jìn)行試驗(yàn)，結(jié)果由供需雙方協(xié)商確定。4.5.7.2統(tǒng)計(jì)良率分析按照A.7.2的方法進(jìn)行試驗(yàn)，結(jié)果由供需雙方協(xié)商確定。4.5.8腔體封裝完整性試驗(yàn)要求4.5.8.1機(jī)械沖擊試驗(yàn)按照A.7.1的方法進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)前后樣品外觀應(yīng)滿足IEC60749-3的要求，功能和性能應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求。4.5.8.2變頻振動(dòng)試驗(yàn)按照A.7.2的方法進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)前后樣品外觀應(yīng)滿足IEC60749-3的要求，功能和性能應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求。4.6功能安全等級要求根據(jù)GB/T34590.2-2022的要求，芯片功能安全等級應(yīng)滿足ASIL-B等級要求。4.6.1功能安全機(jī)制4.6.1.1正弦/余弦輸入削波如果任一旋變輸入引腳(SIN、SINLO、COS或COSLO)對RDC的電源軌或接地軌削波，RDC將指示已發(fā)生削波錯(cuò)誤。如果輸入幅度小于0.15V或大于VDD?0.2V并持續(xù)4μs以上，它將指示削波故障。4.6.1.2正弦/余弦輸入低于LOS閾值任一旋變輸入(正弦或余弦)降至指定的LOS正弦/余弦閾值以下。此閾值由用戶定義，通過寫入內(nèi)部寄存器進(jìn)行設(shè)置。4.6.1.3正弦/余弦輸入超過DOS超量程閾值T/CACCXXXX—XXXX任一旋變輸入(正弦或余弦)超過指定的DOS正弦/余弦閾值。此閾值由用戶定義，通過寫入內(nèi)部寄存器進(jìn)行設(shè)置。4.6.1.4正弦/余弦輸入超過DOS失配閾值正弦與余弦輸入信號的幅度失配超過指定的DOS正弦/余弦失配閾值。此閾值由用戶定義，通過寫入內(nèi)部寄存器進(jìn)行設(shè)置。4.6.1.5跟蹤誤差超過LOT閾值RDC的內(nèi)部誤差信號已超過指定的角度閾值。此閾值由用戶定義，通過寫入內(nèi)部寄存器進(jìn)行設(shè)置。4.6.1.6速度超過最大跟蹤速率輸入信號超過最大跟蹤速率。最大跟蹤速率取決于用戶定義的分辨率和CLKIN頻率。4.6.1.7相位誤差超過鎖相范圍如果激勵(lì)頻率的相位與正弦和余弦信號的相位二者之差超過指定的鎖相范圍，RDC將指示已發(fā)生鎖相錯(cuò)誤。4.6.1.8配置奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤RDC內(nèi)包括多個(gè)用戶可編程寄存器，允許用戶對該器件進(jìn)行配置。RDC的各讀/寫寄存器由用戶利用7位信息進(jìn)行編程。第8位是保留的奇偶校驗(yàn)位。如果這些寄存器中的數(shù)據(jù)被破壞，RDC將指示已發(fā)生配置奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤。4.7貯存要求4.7.1溫濕度控制集成電路應(yīng)存放在干燥、通風(fēng)、無腐蝕性氣體的環(huán)境中，推薦的存儲溫度為15°C至30°C，相對濕度在40%至60%之間。4.7.2防靜電和電磁干擾采取措施防止靜電的產(chǎn)生和積累，可以使用防靜電包裝材料，并遠(yuǎn)離強(qiáng)電磁場。4.7.3定期檢查長期存儲的集成電路應(yīng)定期進(jìn)行外觀檢查及性能測試，確保無受潮、氧化等現(xiàn)象。4.7.4真空或氮?dú)夥庋b對于特別敏感的集成電路，可采用真空包裝或氮?dú)馓畛浒b，進(jìn)一步隔絕氧氣和濕氣。4.7.5溫度管理倉庫中設(shè)置恒溫恒濕系統(tǒng)，確保長期存放環(huán)境穩(wěn)定，避免極端溫度變化引起的材料老化。4.8運(yùn)輸要求T/CACCXXXX—XXXX4.8.1防震包裝在運(yùn)輸過程中，應(yīng)使用防震材料包裹集成電路，以防止運(yùn)輸中的顛簸和震動(dòng)對集成電路造成損壞。4.8.2穩(wěn)固固定確保集成電路在運(yùn)輸箱內(nèi)穩(wěn)固固定，避免相互碰撞或滑動(dòng)，可以使用泡沫包裝和紙箱等材料進(jìn)行固4.8.3溫濕度監(jiān)控長途運(yùn)輸尤其是跨國或跨地區(qū)運(yùn)輸時(shí)，需特別關(guān)注運(yùn)輸途中的溫濕度變化，必要時(shí)可采用帶有溫濕度記錄功能的包裝箱。4.8.4防潮防濕加強(qiáng)防潮措施，如使用雙層或多層防潮包裝，確保集成電路在潮濕環(huán)境中不受影響。4.8.5緊急應(yīng)對計(jì)劃制定運(yùn)輸過程中的緊急應(yīng)對計(jì)劃，包括應(yīng)對惡劣天氣、交通事故等突發(fā)情況的措施。5試驗(yàn)方法5.1總則測試環(huán)境應(yīng)符合旋變角轉(zhuǎn)換芯片工作狀態(tài)下的電磁環(huán)境模型。測試項(xiàng)中如有涉及溫度工作條件的，所采用的溫度范圍應(yīng)該與對應(yīng)的可靠性測試報(bào)告內(nèi)標(biāo)稱值一致。5.2儀器設(shè)備的要求5.2.1校準(zhǔn)要求測試設(shè)備應(yīng)按GJB548C-2021中4.5.1的規(guī)定進(jìn)行校準(zhǔn)。5.2.2準(zhǔn)確度測試設(shè)備的準(zhǔn)確度符合GJB548C-2021中4.5.2的規(guī)定。5.2.3設(shè)備的能力測試設(shè)備的能力應(yīng)符合GJB548C-2021中4.5.3的規(guī)定。5.2.4測試方法和試驗(yàn)路線除另有規(guī)定外，給出的試驗(yàn)方法和路線應(yīng)作為基本測試方法，不是應(yīng)采用的唯一試驗(yàn)方法，但承制方應(yīng)向使用方證明，采用的其他方法和線路與本方法給出的是等效的，且測試結(jié)果在希望的測試準(zhǔn)確度之內(nèi)。5.3電性能試驗(yàn)方法5.3.1電源電壓VCCT/CACCXXXX—XXXX按照圖B.1連接測試電路，根據(jù)B.1.3的測試條件和B.1.4的測試程序進(jìn)行測試。按照圖B.1連接測試電路，根據(jù)B.2.3的測試條件和B.2.4的測試程序進(jìn)行測試。5.3.3微分非線性誤差DNL按照圖B.2連接測試電路，根據(jù)B.3.3的測試條件和B.3.4的測試程序進(jìn)行測試。5.3.4積分非線性誤差I(lǐng)NL，角度精度AOUT按照圖B.2連接測試電路，根據(jù)B.4.3的測試條件和B.4.4的測試程序進(jìn)行測試。5.3.5速度精度VA按照圖B.3連接測試電路，根據(jù)B.5.3的測試條件和B.5.4的測試程序進(jìn)行測試。5.3.6最大跟蹤速率TR按照圖B.3連接測試電路，根據(jù)B.6.3的測試條件和B.6.4的測試程序進(jìn)行測試。5.3.7激磁信號輸出電壓EV，激磁信號輸出中心電壓ECV，激磁信號輸出交流失配EAM，激磁信號輸出直流失配ECM按照圖B.4連接測試電路，根據(jù)B.7.3的測試條件和B.7.4的測試程序進(jìn)行測試。5.3.8輸入高電平電流IIH，輸入低電平電流IIL按照圖B.5連接測試電路，根據(jù)B.8.3的測試條件和B.8.4的測試程序進(jìn)行測試。5.3.9輸出高電平電壓VOH，輸出低電平電壓VOL按照圖B.6連接測試電路，根據(jù)B.9.3的測試條件和B.9.4的測試程序進(jìn)行測試。5.3.10串行/并行接口功能按照圖B.2連接測試電路，根據(jù)B.10.3的測試條件和B.10.4的測試程序進(jìn)行測試。5.4環(huán)境可靠性試驗(yàn)方法潮濕敏感度分級試驗(yàn)方法按照J(rèn)EDECJ-STD-020的要求進(jìn)行?？煽啃栽囼?yàn)應(yīng)符合AEC-Q100Rev-J文件規(guī)定的采樣要求，按照芯片對應(yīng)品類規(guī)定的試驗(yàn)分組和流程，完成全部試驗(yàn)項(xiàng)目并提交完整的試驗(yàn)報(bào)告。當(dāng)芯片的構(gòu)成要素發(fā)生變更時(shí)，應(yīng)符合AEC-Q100Rev-J的要求實(shí)施再驗(yàn)證。T/CACCXXXX—XXXX（規(guī)范性）環(huán)境及可靠性試驗(yàn)方法A.1使用要求等級A.1.1產(chǎn)品溫度等級擇適用的環(huán)境工作溫度范圍，允許供需雙方協(xié)商工作溫度范圍和試驗(yàn)條件，但最低工作溫度不應(yīng)高于－40℃,最高工作溫度不應(yīng)低于85℃。對于適用于多個(gè)溫度等級的芯片，應(yīng)使用推薦的最嚴(yán)溫度等級進(jìn)行試驗(yàn)。表A.1環(huán)境工作溫度等級-40℃~150℃-40℃~125℃-40℃~105℃-40℃~85℃A.1.2潮濕敏感度等級按照表A.2選擇適用的潮濕敏感度等級，允許供需雙方協(xié)商工作潮濕度范圍和試驗(yàn)條件，對于適用于多個(gè)潮濕敏感度等級的芯片，應(yīng)使用推薦的最嚴(yán)潮濕敏感度等級進(jìn)行試驗(yàn)。表A.2潮濕敏感度等級A.2加速環(huán)境應(yīng)力試驗(yàn)要求A.2.1預(yù)處理本試驗(yàn)適用于非密封表面貼裝器件。對于非密封表面貼裝器件，應(yīng)在恒定溫濕度偏壓應(yīng)力/高加速溫濕度應(yīng)力、高壓蒸煮/無偏壓高加速溫濕度應(yīng)力、溫度循環(huán)和功率溫度循環(huán)應(yīng)力測試之前進(jìn)行預(yù)處理試驗(yàn)。A.2.1.1設(shè)備本測試方法需要使用以下設(shè)備1.濕度箱溫度具備在85℃/85%RH、85℃/60%RH和30℃/60%RH條件下運(yùn)行的濕度室。在室內(nèi)的工作區(qū)域內(nèi)，溫度容差必須為±2℃,濕度容差必須為±3%RH。具備60℃/60%RH能力的濕度室是加速浸漬條件的可選配置。2.焊錫回流設(shè)備a)(優(yōu)選)具有完全對流回流焊功能的系統(tǒng)，能夠維持本文件要求的回流曲線。T/CACCXXXX—XXXXb)紅外/對流焊回流設(shè)備，能夠維持本文件所要求的回流參數(shù)。該設(shè)備必須使用紅外技術(shù)僅加熱空氣，而不會直接觸及待測的SMD封裝/器件。注：濕敏性分類試驗(yàn)結(jié)果取決于包件的體溫(而不是回流運(yùn)輸3.光學(xué)顯微鏡(用于外部視覺檢查的40倍)4.電氣測試設(shè)備能夠進(jìn)行室溫直流和功能測試的電氣測試設(shè)備。5.烘烤爐烤箱能夠以1255℃的溫度運(yùn)行。6.溫度循環(huán)室10℃至6010℃的范圍內(nèi)運(yùn)行。A.2.1.2測試流程使用3個(gè)不連續(xù)批次（同時(shí)滿足不連續(xù)的晶圓批次、不連續(xù)的封裝批次，無法滿足時(shí)由供需雙方協(xié)商確定）的樣品，試驗(yàn)樣品數(shù)量不應(yīng)少于需要進(jìn)行預(yù)處理試驗(yàn)項(xiàng)目樣品數(shù)量的總和，按照下列步驟進(jìn)行試驗(yàn)：按照A.6.1的方法在室溫下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，替換不合格樣品；在不低于40倍光學(xué)放大倍率下進(jìn)行外部目視檢查，替換不合格樣品；每個(gè)批次選取3顆樣品進(jìn)行超聲波掃描分層試驗(yàn)；a)按照A.2.7的方法以不高于－40℃的最低溫度和不低于60℃的最高溫度進(jìn)行5次溫度循環(huán)（可選步驟）；b)在125℃+5℃條件下保持24h；可根據(jù)器件特性視情況調(diào)整試驗(yàn)時(shí)間和溫度，以確保去除所有水分。c)在步驟e）完成后2h內(nèi)，按照表A.2的濕度敏感性等級選取相應(yīng)的條件進(jìn)行試驗(yàn)；d)在步驟f）完成后15min～4h的時(shí)間內(nèi)，按照圖A.1的示意圖和表A.3、表A.4的試驗(yàn)條件，完成3次再流焊試驗(yàn)，每次循環(huán)間隔時(shí)應(yīng)將樣品冷卻至室溫，間隔時(shí)間為5min～60min；e)在不低于40倍光學(xué)放大倍率下進(jìn)行外部目視檢查；f)按照B.X.1的方法在室溫下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查；g)每個(gè)批次選取3顆樣品進(jìn)行超聲波掃描分層試驗(yàn)。表A.3回流焊試驗(yàn)參數(shù)預(yù)熱最低溫度（Tsmin）在指定分類溫度（TC）5℃以內(nèi)的保持時(shí)表A.4封裝溫度分類TcT/CACCXXXX—XXXXV＜350mm3V＞2000mm3<1.6mm>2.5mm注：V表示體積，體積包括封裝體的外部尺寸，不包括外部端子圖A.1回流焊試驗(yàn)示意圖A.2.2穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)A.2.2.1裝置該測試需要一個(gè)具備持續(xù)保持特定溫度和相對濕度功能的溫度濕度測試箱，同時(shí)要能為待測設(shè)備提供特定偏置配置下的電氣連接。1.溫度和相對濕度該試驗(yàn)室必須能夠在升至和降至指定測試條件的過程中，提供穩(wěn)定的溫度和相對濕度環(huán)境。注意：務(wù)必確保測試箱（干球溫度）的溫度始終高于濕球溫度。2.處于壓力狀態(tài)下的設(shè)備處于壓力狀態(tài)下的設(shè)備必須放置得當(dāng)，以盡量減少溫度梯度的差異。注意：應(yīng)采取措施盡量減少設(shè)備之間的相對濕度差異，并最大限度地提高設(shè)備之間的空氣流通量。3.減少污染物的排放在選擇板件和插座的材料時(shí)必須格外謹(jǐn)慎，以盡量減少污染物的釋放，并盡量減少因腐蝕及其他因素導(dǎo)致的材料劣化。4.離子污染測試設(shè)備（例如卡架、測試板、插座、布線、存儲容器等）所產(chǎn)生的離子污染應(yīng)得到控制，以避免產(chǎn)生測試誤差。5.去離子水應(yīng)使用在室溫下電阻率不低于1MΩ·cm的去離子水。A.2.2.2試驗(yàn)流程對于表面貼裝器件，試驗(yàn)前應(yīng)先按照A.2.1進(jìn)行預(yù)處理試驗(yàn)。按照表A.5的條件進(jìn)行試驗(yàn)，按照GB/T4937.4-2012中4.2的偏壓準(zhǔn)則施加偏壓。使用3個(gè)不連續(xù)批次的樣品，每批次樣品數(shù)量不應(yīng)少于77片。應(yīng)在3h內(nèi)達(dá)到穩(wěn)定溫度和相對濕度。1.溫度、相對濕度和持續(xù)時(shí)間表A.5穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)條件T/CACCXXXX—XXXX8氣壓為參考試驗(yàn)條件。試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。功能檢查應(yīng)在試驗(yàn)結(jié)束后48h內(nèi)完成。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但中期測量期間可中斷。允許試驗(yàn)過程中在室溫下對樣品進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，中斷時(shí)間不宜超過96h。可通過將樣品放置在密封的防潮袋中（非真空包裝、無氮?dú)獗Ｗo(hù)、不使用干燥劑）降低樣品的潮氣釋放速率。當(dāng)樣品放置于密封袋中時(shí)，可在144h內(nèi)進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，中斷時(shí)間可以延長至288h。2.偏置根據(jù)以下指南采用兩種偏置方法中的任意一種：a)盡可能減少功率損耗。b)盡可能交替對引腳進(jìn)行偏置。c)盡可能將電位差分布在芯片金屬化層上。d)在工作范圍內(nèi)盡可能增大電壓。e)可以使用兩種偏置方法中的任意一種來滿足這些指南，以更嚴(yán)酷的為準(zhǔn)：1)持續(xù)偏壓：直流偏壓應(yīng)被持續(xù)施加。當(dāng)芯片溫度比腔室環(huán)境溫度高出≤10℃時(shí)，持續(xù)偏壓的嚴(yán)苛程度高于循環(huán)偏壓。如果芯片溫度未知，且被測設(shè)備的散熱量小于200mW。如果DUT的散熱量超過200mW，則應(yīng)計(jì)算芯片溫度。如果芯片溫度比腔室環(huán)境溫度高出的幅度超過5℃,則應(yīng)將芯片溫度相對于腔室環(huán)境的升高部分納入測試結(jié)果報(bào)告中，因?yàn)檫@會影響到加速失效機(jī)理的影響。2)循環(huán)偏壓：施加到被測器件上的直流電壓應(yīng)通過適當(dāng)?shù)念l率和占空比進(jìn)行周期性中斷。如果偏壓配置導(dǎo)致器件溫度升高超過腔室環(huán)境溫度ΔTja，且升高幅度超過10℃,那么針對特定器件類型進(jìn)行優(yōu)化的循環(huán)偏壓，其影響將比連續(xù)偏壓更為顯著。由于功率耗散導(dǎo)致的加熱效應(yīng)傾向于將水分驅(qū)離芯片，從而阻礙與水分相關(guān)的故障機(jī)制。循環(huán)偏壓使得在設(shè)備功率耗散不存在的非工作時(shí)段內(nèi)，芯片表面能夠保留水分。對于大多數(shù)塑料封裝的微電路而言，讓DUT的偏壓有1小時(shí)的接通和1小時(shí)的斷開時(shí)間是最優(yōu)的。根據(jù)已知的熱阻抗和耗散率計(jì)算出的芯片溫度，如果超過腔室環(huán)境溫度5℃或以上，則應(yīng)在報(bào)告中注明這一信息。A.2.3強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)A.2.3.1設(shè)備該測試要求有一個(gè)壓力室，能夠持續(xù)維持特定的溫度和相對濕度，同時(shí)以指定的偏壓配置提供與待測設(shè)備的電氣連接。1.控制條件該腔室必須能夠在升溫和降溫過程中提供受控的壓力、溫度和相對濕度條件，以達(dá)到指定的測試條件。校準(zhǔn)記錄應(yīng)證實(shí)設(shè)備在最大熱質(zhì)量負(fù)載和最小(零)被測設(shè)備功率損耗的升溫和降溫過程中，不會使被測設(shè)備表面溫度高于50℃,從而避免冷凝現(xiàn)象。校準(zhǔn)記錄還應(yīng)證實(shí)，在穩(wěn)定狀態(tài)條件和最大熱質(zhì)量負(fù)載下，測試條件保持在3.1中規(guī)定的公差范圍內(nèi)。2.溫度曲線建議對每個(gè)測試周期的溫度分布進(jìn)行永久記錄，以便驗(yàn)證應(yīng)力的有效性。3.應(yīng)力下的設(shè)備T/CACCXXXX—XXXX處于應(yīng)力狀態(tài)下的設(shè)備必須在物理上被妥善安置，以最小化溫度梯度。處于應(yīng)力狀態(tài)下的設(shè)備與內(nèi)腔壁面的距離不應(yīng)少于3cm，且不得受到來自加熱器的直接輻射熱影響安裝設(shè)備的板面應(yīng)被定向，以盡量減少對蒸汽循環(huán)的干擾。4.最小化污染釋放在選擇電路板和插座材料時(shí)必須格外小心，以最大限度地減少污染物的釋放，并盡可能降低因腐蝕和其他機(jī)制導(dǎo)致的性能退化。5.離子污染應(yīng)控制測試儀器(卡箱、測試板、插件箱、接線盒等)的離子污染，以避免測試偽影。6.去離子水應(yīng)使用室溫下最小電阻率為1MΩ·cm的去離子水。A.2.3.2試驗(yàn)流程對于表面貼裝器件，試驗(yàn)前應(yīng)先按照A.2.1進(jìn)行預(yù)處理試驗(yàn)。按照GB/T4937.4的方法進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。功能檢查應(yīng)在樣品恢復(fù)室溫后48h內(nèi)完成。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但中期測量期間可中斷。允許試驗(yàn)過程中在室溫下對樣品進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，中斷時(shí)間不宜超過96h。可通過將樣品放置在密封的防潮袋中（非真空包裝、無氮?dú)獗Ｗo(hù)、不使用干燥劑）降低樣品的潮氣釋放速率。當(dāng)樣品放置于密封袋中時(shí)，可在144h內(nèi)完成功能檢查，中斷時(shí)間可以延長至288h。A.2.4加速耐濕無偏置強(qiáng)加速試驗(yàn)A.2.4.1設(shè)備該測試要求有一個(gè)壓力室，能夠在升溫和降溫過程中保持指定的溫度和相對濕度，直至達(dá)到或脫離指定的測試條件。建議為每個(gè)測試周期建立溫度分布的永久記錄，以便驗(yàn)證應(yīng)力條件。校準(zhǔn)記錄應(yīng)證實(shí)設(shè)備在最大熱質(zhì)量負(fù)載條件下，在升溫和降溫過程中不會使被測設(shè)備(DUT)表面溫度高于50℃,從而避免冷凝。校準(zhǔn)記錄還應(yīng)證實(shí)，在穩(wěn)定狀態(tài)和最大熱質(zhì)量負(fù)載條件下，測試條件保持在表1中規(guī)定的公差范圍內(nèi)。2.壓力下的設(shè)備處于應(yīng)力狀態(tài)下的設(shè)備必須以最小化溫度梯度放置在試驗(yàn)箱內(nèi)。處于應(yīng)力狀態(tài)下的設(shè)備與內(nèi)部試驗(yàn)箱壁面的距離不應(yīng)少于3cm，且不得受到來自加熱器的直接輻射熱影響。如果設(shè)備被安裝在板上，則應(yīng)調(diào)整板的方向，以盡量減少對蒸汽循環(huán)的干擾。3.離子污染引入試驗(yàn)室的任何材料應(yīng)最大限度地減少污染物的釋放，并最大程度地降低因腐蝕等機(jī)制導(dǎo)致的退化。應(yīng)控制試驗(yàn)設(shè)備的離子污染，以避免人為因素導(dǎo)致的試驗(yàn)結(jié)果偏差。4.蒸餾水或去離子水應(yīng)使用蒸餾或去離子水，其在室溫下的最小電阻率為1MΩ·cm。A.2.4.2試驗(yàn)流程對于表面貼裝器件，試驗(yàn)前應(yīng)先按照A.2.1進(jìn)行預(yù)處理試驗(yàn)。從表A.6中選擇合適的條件進(jìn)行試驗(yàn)，使用3個(gè)不連續(xù)批次的樣品，每批次樣品數(shù)量不應(yīng)少于77片。應(yīng)在3h內(nèi)達(dá)到穩(wěn)定溫度和相對濕度。對于塑料封裝的樣品，試驗(yàn)溫度不應(yīng)高于有效玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。T/CACCXXXX—XXXX表A.6加速耐濕無偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)條件12試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，并按照A.6.1的方法在室溫下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。功能檢查應(yīng)在試驗(yàn)結(jié)束后48h內(nèi)完成。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但中期測量期間可中斷。允許在試驗(yàn)過程中對樣品進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，中斷時(shí)間不宜超過96h?？赏ㄟ^將樣品放置在密封的防潮袋中（非真空包裝、無氮?dú)獗Ｗo(hù)、不使用干燥劑）降低樣品的潮氣釋放速率。當(dāng)樣品放置于密封袋中時(shí)，可在144h內(nèi)進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，中斷時(shí)間可以延長至288h。A.2.5溫濕度貯存試驗(yàn)對于表面貼裝器件，試驗(yàn)前應(yīng)先按照A.2.1進(jìn)行預(yù)處理試驗(yàn)。按照表A.7的條件進(jìn)行試驗(yàn)，使用3個(gè)不連續(xù)批次的樣品，每批次樣品數(shù)量不應(yīng)少于77片。應(yīng)在3h內(nèi)達(dá)到穩(wěn)定溫度和相對濕度。表A.7溫濕度貯存試驗(yàn)條件8試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法在室溫下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。功能檢查應(yīng)在試驗(yàn)結(jié)束后48h內(nèi)完成。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但中期測量期間可中斷。允許在試驗(yàn)過程中對樣品進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，中斷時(shí)間不宜超過96h?？赏ㄟ^將樣品放置在密封的防潮袋中（非真空包裝、無氮?dú)獗Ｗo(hù)、不使用干燥劑）降低樣品的潮氣釋放速率。當(dāng)樣品放置于密封袋中時(shí)，可在144h內(nèi)進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，中斷時(shí)間可以延長至288h。A.2.6溫度循環(huán)試驗(yàn)A.2.6.1設(shè)備所使用的腔室應(yīng)能夠在腔室滿載時(shí)提供并控制工作區(qū)域內(nèi)的指定溫度和循環(huán)時(shí)序。應(yīng)盡量減少對樣品的熱直接傳導(dǎo)。應(yīng)通過以下一種或兩種方法中的任一種驗(yàn)證每個(gè)腔室達(dá)到樣品溫度要求的能力：a)使用配備儀器的部件和最大負(fù)載進(jìn)行定期校準(zhǔn)，并在每次測試期間持續(xù)監(jiān)測此類固定工具熱電偶的溫度測量，以確保測試結(jié)果的重復(fù)性。b)在每次測試期間，持續(xù)監(jiān)測置于最不利溫度位置(例如載荷的角部和中部)的已安裝儀器的部件。A.2.6.2試驗(yàn)流程對于表面貼裝器件，試驗(yàn)前應(yīng)先按照A.2.1進(jìn)行預(yù)處理試驗(yàn)。按照表A.8的要求進(jìn)行試驗(yàn)，使用3個(gè)不連續(xù)批次的樣品，每批次樣品數(shù)量不應(yīng)少于77片。使用熱電偶或其他溫度測量裝置監(jiān)控樣品的溫度和保持時(shí)間。允許在試驗(yàn)過程中中斷，但中斷總次數(shù)不應(yīng)超過總循環(huán)數(shù)的10%。注：如果使用熱電偶測量溫度，宜使用導(dǎo)熱膠或鋁箔膠帶，試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。功能檢查應(yīng)在恢復(fù)室溫后96h內(nèi)完成。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但中期測量期間可中斷。T/CACCXXXX—XXXX允許在試驗(yàn)過程中對樣品進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，中斷時(shí)間不宜超過96h。試驗(yàn)后，每批樣品隨機(jī)抽取3顆對晶粒粘接和鍵合區(qū)域進(jìn)行分層掃描；從一批樣品中取出五個(gè)樣品進(jìn)行開封，對每個(gè)樣品的角鍵（每個(gè)角2個(gè)鍵）和每側(cè)一個(gè)中間鍵按照A.4.2的方法進(jìn)行鍵合點(diǎn)拉力試驗(yàn)。表A.8溫度循環(huán)試驗(yàn)條件0212223度，從而引發(fā)在設(shè)計(jì)應(yīng)用條件下通常不會見到的失效機(jī)制，2)應(yīng)避免被測設(shè)備(DUT)之間以及它們與測試板之間的巨大熱梯度，以保持測試數(shù)據(jù)的完整性，3)在測試條件溫度范圍內(nèi)，熱膨脹系數(shù)的差異可能導(dǎo)致測試板上的電鍍通孔過早失每小時(shí)循環(huán)次數(shù)可參考如下文件：1.組件循環(huán)速率典型的元件級溫度循環(huán)速率在每小時(shí)1至3個(gè)循環(huán)(cph)之間。典型的失效機(jī)制包括但不限于疲勞(如金屬電路疲勞)和分層。對于某些失效機(jī)制，如球焊點(diǎn)完整性，如果溫度循環(huán)箱能夠符合特定測試條件下的TS標(biāo)稱值和浸泡要求，則可采用更高的循環(huán)速率，即>3cph。2.焊接互連循環(huán)速率典型的焊接互連循環(huán)速率較慢，通常在1cph到2cph之間，在進(jìn)行焊點(diǎn)疲勞評估時(shí)適用。這包括倒裝芯片、球柵陣列和堆疊封裝中的焊點(diǎn)互連。循環(huán)頻率和浸泡時(shí)間對焊點(diǎn)互連的影響更為顯著。A.2.7功率溫度循環(huán)試驗(yàn)A.2.7.1設(shè)備進(jìn)行此項(xiàng)測試所需的設(shè)備應(yīng)包括一個(gè)可控溫室，該溫室能夠在規(guī)定的轉(zhuǎn)換時(shí)間內(nèi)達(dá)到指定的溫度。在溫室內(nèi)應(yīng)配備插座或其他安裝裝置，以便能夠按照規(guī)定的電路配置可靠地實(shí)現(xiàn)與設(shè)備端子的電連接。電源和偏壓網(wǎng)絡(luò)應(yīng)能夠在整個(gè)測試期間維持規(guī)定的運(yùn)行條件，而不會受到線路電壓或環(huán)境溫度的正常變化影響。測試電路的設(shè)計(jì)還應(yīng)確保即使存在異常或故障設(shè)備，也不會影響其他待測單元的指定條件。應(yīng)特別注意避免瞬態(tài)電壓尖峰或其他可能導(dǎo)致電氣、熱或機(jī)械過載的條件造成的潛在損害。A.2.7.2試驗(yàn)流程對于表面貼裝器件，試驗(yàn)前應(yīng)先按照A.2.1進(jìn)行預(yù)處理試驗(yàn)。按照表A.9的試驗(yàn)條件和GB/T4937.34的方法進(jìn)行試驗(yàn)，使用1個(gè)批次的樣品，樣品數(shù)量不應(yīng)少于45片。使用熱電偶或其他溫度測量裝置監(jiān)控樣品的溫度。試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法進(jìn)依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。T/CACCXXXX—XXXX表A.9功率溫度循環(huán)試驗(yàn)條件0-40°C21-40°C22-40°C2~33-40°C2~3可任選一個(gè)條件進(jìn)行試驗(yàn)。*注：由于某些器件的殼溫和接合點(diǎn)溫度可能顯著高于環(huán)境溫度，因此電路的設(shè)計(jì)應(yīng)確保不會超過最大額定殼溫或測試設(shè)置應(yīng)在測試周期的初始階段和結(jié)束階段進(jìn)行監(jiān)控，以確保所有設(shè)備都按要求承受了應(yīng)力的考驗(yàn)。在繼續(xù)循環(huán)測試之前，必須糾正任何偏差，以確保資質(zhì)數(shù)據(jù)的有效性。采用焊料互連的器件，其循環(huán)速率通常在<1cph到2cph之間。這包括倒裝芯片、球柵陣列以及帶有焊料互連的堆疊封裝。循環(huán)斜坡率和浸泡時(shí)間對于焊料互連更為關(guān)鍵。在測試這些器件時(shí)，重要的是要避免測試樣品中的瞬時(shí)熱梯度。熱質(zhì)量大且熱傳遞效率低的樣品，需要斜坡速率足夠慢，以補(bǔ)償熱質(zhì)量的影響。在溫度斜坡期間，樣品的溫度應(yīng)保持在比環(huán)境溫度低幾度以內(nèi)。在這種情況下，典型的升溫速率應(yīng)為每分鐘15℃或更低，適用于循環(huán)過程中的任何階段。對于不受熱質(zhì)量約束的樣品，升溫速率可以更快。A.2.8高溫貯存壽命試驗(yàn)A.2.8.1設(shè)備1.高溫存儲室進(jìn)行此項(xiàng)測試所需的設(shè)備應(yīng)包括一個(gè)可控溫箱，能夠在整個(gè)待測樣品組中維持指定的溫度。2.電氣測試設(shè)備能夠進(jìn)行所測試設(shè)備相應(yīng)測量的電氣設(shè)備，包括寫入并驗(yàn)證非易失性存儲器所需的保留數(shù)據(jù)模元。A.2.8.2試驗(yàn)流程按照表A.10的要求進(jìn)行試驗(yàn)，使用1個(gè)批次的樣品，樣品數(shù)量不應(yīng)少于45片。使用熱電偶或其他溫度測量裝置監(jiān)控樣品的溫度。表A.10高溫貯存壽命試驗(yàn)條件01T/CACCXXXX—XXXX0~3試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法進(jìn)依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，功能檢查應(yīng)在恢復(fù)室溫后48h內(nèi)完成。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但中期測量期間可中斷。允許在試驗(yàn)過程中對樣品進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，中斷時(shí)間不宜超過168h。超出的中斷時(shí)間應(yīng)在繼續(xù)試驗(yàn)時(shí)增加相同的時(shí)間進(jìn)行補(bǔ)償。注：在選擇加速測試條件時(shí)需格外謹(jǐn)慎，因?yàn)槭褂玫募铀贉囟瓤赡艹鲈O(shè)至少應(yīng)考慮以下幾點(diǎn)：a)金屬的熔點(diǎn)，特別是焊料。包括冶金界面在內(nèi)的金屬降解。b)封裝退化。例如：任何聚合物材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和熱穩(wěn)定性(在空氣中)c)封裝的濕度等級。d)硅器件的溫度限制。例如:非易失性存儲器中的電荷損失。e)應(yīng)選擇適當(dāng)?shù)臏y試條件(溫度、時(shí)間)，以涵蓋相應(yīng)故障機(jī)制的加速過程以及該設(shè)備的預(yù)期壽命(運(yùn)行時(shí)間)。對于非易失性存儲器，如果其編程擦除耐久性，數(shù)據(jù)保留和使用壽命試驗(yàn)（EDR）試驗(yàn)選擇的溫度不低于本試驗(yàn)溫度，可不進(jìn)行本試驗(yàn)。A.3加速壽命模擬試驗(yàn)要求A.3.1高溫工作壽命試驗(yàn)A.3.1.1試驗(yàn)要求按照表A.11的要求進(jìn)行試驗(yàn)，使用3個(gè)不連續(xù)批次的樣品,每批次樣品數(shù)量不應(yīng)少于77片。使用熱電偶或其他溫度測量裝置監(jiān)控樣品的溫度。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但允許在中期測量期間中斷，中斷總時(shí)間不應(yīng)超過總試驗(yàn)時(shí)間的10%。應(yīng)在樣品冷卻至55℃或更低時(shí)切斷電壓。宜在試驗(yàn)過程中（如試驗(yàn)的168h和500h時(shí)）對樣品進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。0123T/CACCXXXX—XXXX試驗(yàn)時(shí)，樣品應(yīng)處于運(yùn)行狀態(tài)，且試驗(yàn)中不應(yīng)發(fā)生熱關(guān)機(jī)現(xiàn)象。宜通過調(diào)整輸入?yún)?shù)（例如：電源電之后再進(jìn)行本試驗(yàn)。最低工作溫度和表A.1規(guī)定的最高工作溫度條件下測試，或依次在在室溫、表A.1規(guī)定的最高工作溫度和表A.1規(guī)定的最低工作溫度條件下測試。如果適用，宜對試驗(yàn)后的關(guān)鍵性能和可靠性相關(guān)電氣參數(shù)進(jìn)行漂移分析。高壓器件（加電電壓大于10V的樣品）功能檢查的時(shí)間不宜超過96h，其他器件功能檢查的時(shí)間不宜超過168h。超出的時(shí)間應(yīng)按照表A.12的要求進(jìn)行補(bǔ)償。表A.12功能檢查的時(shí)間超過規(guī)定時(shí)長的補(bǔ)償方式A.3.2早期壽命失效試驗(yàn)A.3.2.1試驗(yàn)要求按照表A.15的要求進(jìn)行試驗(yàn)，使用3個(gè)不連續(xù)批次的樣品,每批次樣品數(shù)量不應(yīng)少于800片。使用熱電偶或其他溫度測量裝置監(jiān)控樣品的溫度。表A.15早期壽命失效試驗(yàn)條件c0123T/CACCXXXX—XXXX試驗(yàn)時(shí)，樣品應(yīng)處于運(yùn)行狀態(tài)，且試驗(yàn)中不應(yīng)發(fā)生熱關(guān)機(jī)現(xiàn)象。宜通過壓、時(shí)鐘頻率、輸入信號等）來控制內(nèi)部功耗。在試驗(yàn)前和試驗(yàn)后48h內(nèi)，按照A.6.1的方法進(jìn)依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。通過本試驗(yàn)后合格的樣品，可用于開展其他應(yīng)力試驗(yàn)。A.3.3非易失性存儲器耐久性、數(shù)據(jù)保持和工作壽命試驗(yàn)A.3.3.1一般規(guī)定本試驗(yàn)適用于非易失性存儲器（NVM）或帶有非易失性存儲器模塊的芯片（如微處理器閃存），對于一次性可編程（OTP）非易失性存儲器或內(nèi)部存儲單元，本試驗(yàn)中的部分方法不適用，可由供需雙方協(xié)商。a)第1組：高溫編程/擦除耐久性試驗(yàn)，高溫?cái)?shù)據(jù)保持試驗(yàn)（HTDR）；b)第2組：高溫編程/擦除耐久性試驗(yàn)，高溫偏壓壽命試驗(yàn)（HTOL）；c)第3組：低溫編程/擦除耐久性試驗(yàn)，低溫?cái)?shù)據(jù)保留試驗(yàn)（LTDR）。A.3.3.2編程/擦除耐久性試驗(yàn)按照GB/T35003-2018中5.2的方法在不低于85℃的溫度條件下進(jìn)行高溫編程/擦除耐久性試驗(yàn)，在不超過55℃的溫度條件下進(jìn)行低溫編程/擦除耐久性試驗(yàn)，試驗(yàn)時(shí)長按照GB/T35003-2018中公式（1）計(jì)算。試驗(yàn)前和試驗(yàn)后，依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。試驗(yàn)后，應(yīng)在96h內(nèi)完成檢查并進(jìn)行編程。A.3.3.3高溫?cái)?shù)據(jù)保持試驗(yàn)按照表A.1的溫度要求和A.2.8的方法進(jìn)行1000h高溫壽命存儲試驗(yàn)。試驗(yàn)后96h內(nèi)，依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但中期測量期間可中斷。允許在試驗(yàn)中對樣品進(jìn)行讀取功能檢查，但不應(yīng)對樣品進(jìn)行編程、擦除且中斷時(shí)間不應(yīng)超過96h。A.3.3.4高溫工作壽命試驗(yàn)按照A.3.1的方法進(jìn)行高溫工作壽命試驗(yàn)。試驗(yàn)后168h內(nèi)，依次在室溫、表A.1規(guī)定的最低工作溫度和最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但中期測量期間可中斷。允許在試驗(yàn)中對樣品進(jìn)行讀取功能檢查，但不應(yīng)對樣品進(jìn)行編程、擦除且中斷時(shí)間不應(yīng)超過168h。A.3.3.5低溫?cái)?shù)據(jù)保留試驗(yàn)在不高于55℃的條件下進(jìn)行1000h試驗(yàn)。使用熱電偶或其他溫度測量裝置監(jiān)控樣品的溫度。試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法進(jìn)依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行讀取、編程、擦除等功能檢查，功能檢查應(yīng)在恢復(fù)室溫后96h內(nèi)完成。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但中期測量期間可中斷。允許在試驗(yàn)過程中（如500h時(shí)）對樣品進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，但不應(yīng)對樣品進(jìn)行編程、擦除且中斷時(shí)間不宜超過168h，超出的中斷時(shí)間應(yīng)在繼續(xù)試驗(yàn)時(shí)增加相同的時(shí)間進(jìn)行補(bǔ)償。A.4封裝完整性試驗(yàn)A.4.1鍵合剪切強(qiáng)度試驗(yàn)本試驗(yàn)適用于鍵合球高度不低于31.75μm的樣品，示意圖見圖A.2。試驗(yàn)樣品數(shù)量不應(yīng)少于5片，每片T/CACCXXXX—XXXX樣品選擇不少于6個(gè)位置在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)行試驗(yàn)，開封過程不應(yīng)影響鍵合剪切強(qiáng)度或鍵合拉力。推刀抬高高度應(yīng)在焊盤上方2.54μm處至待測鍵合球高度的1/2處范圍內(nèi)選取，剪切速度應(yīng)在280～500μm/s范圍內(nèi)選取，同時(shí)測量每個(gè)選定位置的剪切力。試驗(yàn)后使用不低于30倍光學(xué)放大倍率的顯微鏡進(jìn)行分離模式的判定，分離模式見表A.16。圖A.2鍵合球剪切試驗(yàn)示意圖表A.16分離模式12T/CACCXXXX—XXXX3456A.4.2破壞性鍵合拉力試驗(yàn)試驗(yàn)樣品數(shù)量不應(yīng)少于5片，每片樣品選擇不少于6個(gè)位置進(jìn)行試驗(yàn)。從下列兩個(gè)試驗(yàn)方法中任選一個(gè)進(jìn)行試驗(yàn)。單鍵合點(diǎn)鍵合線拉力試驗(yàn)：切斷連接芯片或基板與框架上的引線，使兩端鍵合點(diǎn)都能進(jìn)行拉力試驗(yàn)。對引線施加垂直于芯片表面的拉力，使引線斷裂并記錄分離模式與拉力大小，分離模式見圖A.3。雙鍵合點(diǎn)鍵合線拉力試驗(yàn)：當(dāng)鍵合線線徑不小于25.4μm時(shí)，在引線中跨和頂部之間插入鉤針施加拉力，見圖A.4；當(dāng)鍵合線線徑小于25.4μm時(shí)，在鍵合球上方插入鉤針施加拉力；當(dāng)鍵合線線徑大于127μm且鉤針不適用時(shí)，可使用適當(dāng)?shù)膴A子代替鉤針。對引線施加垂直于芯片表面的拉力，使引線斷裂并記錄分離模式與拉力大小。T/CACCXXXX—XXXX圖A.3鍵合點(diǎn)拉力試驗(yàn)分離模式圖a)將鉤針置于中跨與頂點(diǎn)之間b)將鉤針置于中跨附近c(diǎn))將鉤針置于中跨附近d)如果中跨與頂點(diǎn)所在位置大致相同，則將鉤針放在中跨附件。如位置不同，則將鉤針放在中跨與頂端之間的近似中點(diǎn)處。e)將鉤針置于中跨附近f)將鉤針置于所有中跨附近圖A.4鍵合點(diǎn)拉力試驗(yàn)示意圖T/CACCXXXX—XXXXA.4.3可焊性試驗(yàn)本試驗(yàn)使用1個(gè)批次的樣品，樣品數(shù)量不應(yīng)少于15片進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)前應(yīng)從表A.17中選擇適當(dāng)?shù)臈l件進(jìn)行預(yù)處理，預(yù)處理后應(yīng)在2h內(nèi)進(jìn)行試驗(yàn)或?qū)⑵骷娣庞诘獨(dú)庀渲?，并?2h內(nèi)進(jìn)行試驗(yàn)。對于使用蒸汽老化預(yù)處理的樣品，當(dāng)試驗(yàn)樣品從蒸汽老化設(shè)備中移出時(shí),可以按照下述方法之一干燥樣品：a)在干燥環(huán)境中(推薦用干燥氮?dú)?，最高100℃烘焙不超過1h；b)在室溫環(huán)境下的空氣中干燥至少15min。表A.17預(yù)處理?xiàng)l件ABCDE表A.18蒸汽溫度試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)使用Sn96.5Ag3.0Cu0.5（SAC305）焊料，允許Ag含量在3.0wt%～4.0wt%之間、Cu0.5wt%~1.0wt%之間變化；助焊劑成分應(yīng)符合表A.19的規(guī)定。對于不同類型的樣品，使用下列不同的方法進(jìn)行試驗(yàn)。有引線元器件焊料槽浸焊觀察試驗(yàn)：先將樣品以20°~45°的角度浸入助焊劑中，待樣品表面浸沒在助焊劑中保持5s～10s后，將樣品引線與焊料面呈90°方向，以（25±6）mm/s的速度浸入焊料槽，并在焊料面與樣品本體在距離1.27mm以內(nèi)停止，在（245±5）℃條件下保持50—0.5s。將樣品取出冷卻5s以上后，在不低于30倍光學(xué)放大倍率下進(jìn)行觀察焊料層細(xì)節(jié)。T/CACCXXXX—XXXX無引線元器件焊料槽浸焊觀察試驗(yàn)：先將樣品以20°~45°的角度浸入助焊劑中，待器件表面浸沒在助焊劑中保持5s～10s后，將樣品與焊料面呈20°~45°方向，以（25±6）mm/s的速度浸入焊料槽，在（245±5）℃條件下保持50—0.5s。將樣品取出冷卻5s以上后，在不低于30倍光學(xué)放大倍率下進(jìn)行觀察焊料層細(xì)節(jié)。焊球、柱陣列封裝器件表面貼裝工藝模擬試驗(yàn)：使用開模絲網(wǎng)將錫膏印至試驗(yàn)基板，取下絲網(wǎng)后將樣品置于印刷好的基板上，在確認(rèn)樣品位置無誤后進(jìn)行再流焊接，待冷卻后將樣品從基板上取下，在不低于30倍光學(xué)放大倍率下進(jìn)行觀察焊料層細(xì)節(jié)。表A.19助焊劑成分A.4.4物理尺寸量測試驗(yàn)本試驗(yàn)包括物理尺寸量測和共面性測量兩個(gè)部分。使用3個(gè)不連續(xù)批次的樣品，每批次樣品數(shù)量不應(yīng)少于10片。使用千分尺、卡尺、量規(guī)、輪廓投影儀或其他能夠確定實(shí)際設(shè)備尺寸的測量設(shè)備對樣品進(jìn)行尺寸量測。對于焊柱陣列（CGA）封裝產(chǎn)品按照GB/T36479-2018中5.1的方法對樣品進(jìn)行共面度測量。對于焊球陣列（BGA）封裝產(chǎn)品采用基準(zhǔn)平面法測量，具體步驟如下：a)應(yīng)小心處置器件，確保不會損傷焊球。b)器件水平放置，焊球朝上，如圖A.5所示。c)測量時(shí)，不允許對器件施加外力。d)測量每一個(gè)焊球頂點(diǎn)。e)測定三個(gè)具有到植球面最大的垂直距離的焊球頂點(diǎn)，這三個(gè)點(diǎn)形成基準(zhǔn)平面，如圖A.5所示。f)由焊球形成的三角形基準(zhǔn)平面應(yīng)包括器件重心。如果構(gòu)建的基準(zhǔn)平面不包括器件重心，則使用下一個(gè)和植球面具有最大的垂直距離的焊球來構(gòu)建有效的基準(zhǔn)平面。如果基準(zhǔn)平面三角形包括了器件重心，則認(rèn)為此基準(zhǔn)平面是有效的。但也可能存在多個(gè)基準(zhǔn)平面。如果存在多個(gè)基準(zhǔn)平面，應(yīng)使用能產(chǎn)生最壞測量結(jié)果的基準(zhǔn)平面來進(jìn)行共面度測量。g)測量每個(gè)焊球頂點(diǎn)和基準(zhǔn)平面之間的距離，其最大測量差值就是共面度，如圖A.6所示。T/CACCXXXX—XXXX圖A.5基準(zhǔn)平面圖A.6BGA共平面A.4.5錫球剪切試驗(yàn)使用3個(gè)不連續(xù)批次的樣品，每批次樣品數(shù)量不應(yīng)少于10片，每片樣品選擇不少于5個(gè)位置進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)前應(yīng)先按照A.2.1步驟g）的方法進(jìn)行兩次封裝體峰值溫度（rP）為220℃的再流焊試驗(yàn)，待樣品冷卻恢復(fù)常溫后進(jìn)行試驗(yàn)。本試驗(yàn)的示意圖見圖A.7。推刀抬高高度為待測焊球的1/3處，剪切速度在280μm/s～500μm/s范圍內(nèi)選取，試驗(yàn)后在不低于40倍光學(xué)放大倍率下進(jìn)行分離模式的判定，分離模式見表A.20。T/CACCXXXX—XXXX圖A.7錫球剪切試驗(yàn)示意圖表A.20分離模式123T/CACCXXXX—XXXX45A.4.6凸塊剪切試驗(yàn)本試驗(yàn)使用1個(gè)批次的樣品，樣品數(shù)量不應(yīng)少于5片，每片樣品選擇不少于4個(gè)凸塊進(jìn)行試驗(yàn)，按照A.4.5錫球剪切試驗(yàn)的方法進(jìn)行試驗(yàn)，測試有效載荷由供需雙方協(xié)商確定，試驗(yàn)前后測量樣品Cpk參數(shù)。A.5晶圓可靠性試驗(yàn)A.5.1電遷移試驗(yàn)參考IEC62415的方法進(jìn)行試驗(yàn)。A.5.2電介質(zhì)擊穿試驗(yàn)參考IEC62374、IEC62374-1的方法進(jìn)行試驗(yàn)。A.5.3熱載流子注入效應(yīng)試驗(yàn)參考IEC62416的方法進(jìn)行試驗(yàn)。A.5.4負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定試驗(yàn)參考IEC62373-1的方法進(jìn)行試驗(yàn)。A.5.5應(yīng)力遷移試驗(yàn)參考IEC62880-1的方法進(jìn)行試驗(yàn)。A.6電性能驗(yàn)證試驗(yàn)A.6.1功能/電氣參數(shù)試驗(yàn)使用足夠精度的硬件測試板對樣品的功能/電氣參數(shù)進(jìn)行檢測。硬件測試板測試程序應(yīng)參考供應(yīng)商數(shù)據(jù)手冊或者用戶規(guī)格說明書編制。（具體參數(shù)應(yīng)與公司溝通）A.6.2人體模型靜電放電試驗(yàn)T/CACCXXXX—XXXX依據(jù)GB/T4937.26第5節(jié)的方法對HBM測試儀器進(jìn)行認(rèn)證。認(rèn)證完成后引腳可按照GB/T4937.26中6.3節(jié)與6.4節(jié)部分進(jìn)行分類與分組。測試電壓點(diǎn)的選擇應(yīng)從500V開始，通過后繼續(xù)進(jìn)行下一等級的電壓點(diǎn)測試，不允許跳過某個(gè)電壓點(diǎn)，若500V的測試未通過則應(yīng)進(jìn)行250V的測試，若是250V的測試未通過則應(yīng)進(jìn)行125V的測試，若此時(shí)依然未通過125V的測試，則將該器件的HBMESD等級設(shè)為0A級。每個(gè)電壓點(diǎn)至少使用3個(gè)樣品進(jìn)行試驗(yàn)。不同引腳組合同一電壓可使用同一個(gè)樣品進(jìn)行試驗(yàn)。按照GB/T4937.26第6節(jié)的方法進(jìn)行試驗(yàn)，且應(yīng)當(dāng)按照表A.21的引腳連接順序進(jìn)行測試。特別的，若是使用低寄生測試儀進(jìn)行HBM試驗(yàn)應(yīng)當(dāng)驗(yàn)證每個(gè)引腳組合的連接性且必須測試相鄰非電源引腳，但是此時(shí)允許采用表A.22進(jìn)行簡化測試。試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法進(jìn)依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，功能檢查應(yīng)在試驗(yàn)結(jié)束后96h內(nèi)進(jìn)行。驗(yàn)證通過后按照表A.23進(jìn)行HBMESD等級分類。表A.21傳統(tǒng)引腳組合集12………NN+1表A.22簡化引腳組合集12………NN+1表A.23HBMESD等級分類表電壓范圍(V)<50T/CACCXXXX—XXXX2A.6.3人體模型靜電放電試驗(yàn)應(yīng)對CDM測試中的各個(gè)儀器和部件進(jìn)行按照J(rèn)S-002中第6節(jié)的要求進(jìn)行認(rèn)證，保證CDM測試的輸出波形滿足要求。應(yīng)當(dāng)準(zhǔn)備全新待測器件，并在測試前對設(shè)備和待測器件進(jìn)行清潔與ESD防護(hù)避免非測試流程中的意外靜電事件。應(yīng)依據(jù)JS-002中的測試步驟對所有引腳進(jìn)行試驗(yàn)，測試電壓點(diǎn)的選擇應(yīng)從250V開始，依次為±250V、±500V、±750V，不允許跳級測試，也可由供需雙方協(xié)商確定試驗(yàn)電壓，若250V的測試未通過則應(yīng)進(jìn)行125V的測試，若此時(shí)依然未通過125V的測試，則將該器件的CDMESD等級設(shè)為C0a級。每個(gè)引腳至少進(jìn)行3次正電壓和3次負(fù)電壓的試驗(yàn)，施加電壓的時(shí)間間隔不應(yīng)少于0.3s。每個(gè)電壓點(diǎn)至少使用3個(gè)樣品進(jìn)行試驗(yàn)，不同電壓可使用同一個(gè)樣品進(jìn)行試驗(yàn)。器件ESD失效閾值等級見表A.24。特別的，若C2b(750V)失敗但C2(500V)通過，那么可對角引腳進(jìn)行750V測試，若測試通過CDMESD等級設(shè)為C2a級。（有沒有角引腳應(yīng)與公司溝通）。試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法進(jìn)依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，功能檢查應(yīng)在試驗(yàn)結(jié)束后96h內(nèi)進(jìn)行。表A.24帶電器件模型靜電放電試驗(yàn)條件電壓范圍UT/CACCXXXX—XXXXA.6.4閂鎖效應(yīng)試驗(yàn)進(jìn)行測試前應(yīng)將引腳進(jìn)行分類，根據(jù)引腳特性分為電源引腳、信號引腳和特殊引腳（是否有特殊引腳應(yīng)向公司確認(rèn)信號引腳又可分為輸入引腳和輸出引腳。使用1個(gè)批次的3個(gè)樣品進(jìn)行試驗(yàn)。本試驗(yàn)可采用電流試驗(yàn)或電壓試驗(yàn)，由于可以避免EOS失效干擾，推薦使用電壓試驗(yàn)。在表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行試驗(yàn)，同時(shí)設(shè)定最大電流Ilimit避免EOS失效引起對閂鎖測試的誤判。對樣品施加產(chǎn)品規(guī)定的最大工作電壓，測量樣品電源引腳的電流初始值（Inor），按照表A.25與JESD78X中5.6與5.7節(jié)的要求對信號引腳與電源引腳按順序進(jìn)行連接與測試，測試完成后測量施加電壓或電流后電源引腳的電流值是否滿足4.3.6.4中的要求。試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法進(jìn)依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。表A.25閂鎖試驗(yàn)條件A.6.5電性參數(shù)分布從正常生產(chǎn)批次中隨機(jī)抽取樣品，若需跟蹤個(gè)體參數(shù)漂移，需對每個(gè)樣品編號。測量的電參數(shù)和通過準(zhǔn)則由供需雙方協(xié)商確定。關(guān)鍵參數(shù)可根據(jù)技術(shù)、工藝、設(shè)計(jì)和實(shí)際應(yīng)用等信息確定。在不同溫度（室溫、表A.1規(guī)定的最高環(huán)境工作溫度和最低環(huán)境工作溫度）、頻率和/或電壓的組合下的進(jìn)行測量，測量數(shù)據(jù)宜包括參數(shù)、單位、平均值、文件差、最小值和最大值、最小和最大規(guī)格限值、Cpk/Ppk（如果適用，則可相應(yīng)的增加試驗(yàn)樣本量）。若某參數(shù)不符合器件規(guī)格要求或未達(dá)到用戶與供應(yīng)商約定的統(tǒng)計(jì)驗(yàn)收文件，供應(yīng)商應(yīng)提供資質(zhì)總結(jié)報(bào)告進(jìn)行說明。A.6.6故障分級參考下列流程進(jìn)行故障分級：a)確定使用的設(shè)備仿真模型；b)參考下述故障模型和故障種類進(jìn)行故障注入與仿真；c)故障檢測，若無故障模型與故障模型的邏輯輸出存在差異則表示故障被檢測到；d)故障列表記錄；e)明確模擬器/測試儀的差異；f)指定可以模塊化的設(shè)計(jì)。g)覆蓋率根據(jù)以下公式計(jì)算：覆蓋率(%)=檢測到的故障數(shù)/(所有可能故障數(shù)-不可檢測故障數(shù))×100%………（1）T/CACCXXXX—XXXX其中所有可能故障數(shù)=2×(門電路輸入數(shù)+門電路輸出數(shù))……（2）h)依據(jù)文件進(jìn)行驗(yàn)收。故障模型主要包括：a)隨機(jī)邏輯故障（邏輯翻轉(zhuǎn)故障、功能故障、偽邏輯翻轉(zhuǎn)故障、轉(zhuǎn)換和延遲故障b)存儲故障。故障種類：c)無法檢測的故障：1)種類1（冗余故障、并接故障、未使用的故障、阻塞故障）;2)種類2（推挽配置、存儲配置、線接線配置、CMOS傳輸門故障）;d)通過間接方式檢測到的故障（隱含故障、控制線路故障、過渡活躍故障）;e)可檢測的故障：1)隨機(jī)邏輯故障（邏輯翻轉(zhuǎn)故障、功能故障、偽邏輯翻轉(zhuǎn)故障、轉(zhuǎn)換和延遲故障）;2)存儲故障。A.6.7電特性表征適用于新產(chǎn)品、新芯片布置或?qū)ΜF(xiàn)有產(chǎn)品變更、新單元結(jié)構(gòu)、新工藝方法或材料、新工作偏壓條件等情況。特性表征流程包括：對特性表征檢查清單評審，確定特性表征法，建立參數(shù)和條件，形成特性表征計(jì)劃；執(zhí)行特性表征計(jì)劃，形成特性表征報(bào)告（主要包括特性表征方法、參數(shù)和條件、數(shù)據(jù)分析和結(jié)論、仿真結(jié)果、器件薄弱點(diǎn)和可靠性分析）。A.7缺陷篩選試驗(yàn)A.7.1參數(shù)分布平均測試A.7.1.1一般規(guī)定可按照靜態(tài)或動(dòng)態(tài)方式設(shè)置測試限值。靜態(tài)限值根據(jù)一定量可用的測試數(shù)據(jù)確定，并在一段時(shí)間內(nèi)不晶片）測試不斷修改。當(dāng)晶圓級設(shè)計(jì)變更、制程微縮或工藝變更時(shí)，應(yīng)確定新的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)測試限值。A.7.1.2靜態(tài)零件平均測試從已通過產(chǎn)品規(guī)范規(guī)定的測試限值的至少六個(gè)批次中收集測試數(shù)據(jù)。從每個(gè)批次的至少30個(gè)產(chǎn)品中隨機(jī)選擇測試數(shù)據(jù)，確定每個(gè)測試的魯棒平均值和文件差。測試數(shù)據(jù)是晶圓級數(shù)據(jù)時(shí)，至少從5個(gè)位于晶片的不同區(qū)域裸片中選擇數(shù)據(jù)（每批至少30個(gè)裸片）。在生產(chǎn)的早期，當(dāng)不夠六個(gè)批次的數(shù)據(jù)時(shí)，可使用特性批次的數(shù)據(jù)。一旦生產(chǎn)批次的數(shù)據(jù)可用，應(yīng)立即更新數(shù)據(jù)。靜態(tài)零件平均測試限值＝魯棒平均值±6×魯棒文件差靜態(tài)零件平均測試限值應(yīng)在生產(chǎn)的前6個(gè)月或至少8個(gè)晶圓批次（以先發(fā)生的條件為準(zhǔn)）期間根據(jù)需要T/CACCXXXX—XXXX并根據(jù)需要進(jìn)行更新。A.7.1.3動(dòng)態(tài)零件平均測試由于參考樣本與正在測試的零件相同，動(dòng)態(tài)零件平均測試限值通常優(yōu)于靜態(tài)零件平均測試限值。動(dòng)態(tài)零件平均測試可提供更嚴(yán)格的限值，避免正常零件誤剔除，因?yàn)樗恍枰紤]作為靜態(tài)零件平均測試限值批次間的變化。動(dòng)態(tài)零件平均測試限值以與靜態(tài)零件平均測試限值相同的方式確定，但當(dāng)新批次（或晶片）的零件數(shù)據(jù)已通過測試時(shí)，動(dòng)態(tài)零件平均測試限值應(yīng)使用新批次（或晶片）的零件數(shù)據(jù)重新計(jì)算。這些限值通過對測試數(shù)據(jù)的進(jìn)一步統(tǒng)計(jì)分析定義，為特定批次（或晶片）建立了新的更嚴(yán)格的測試限值，并剔除其他的異常值。動(dòng)態(tài)零件平均測試限值＝魯棒平均值±6×魯棒文件差對于在最后階段無法保持可追溯性的零件，使用動(dòng)態(tài)零件平均測試應(yīng)對已通過的零件重新測試。A.7.2統(tǒng)計(jì)良率分析從至少六個(gè)批次收集統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)。在零件生產(chǎn)的早期，當(dāng)不夠六個(gè)批次的數(shù)據(jù)時(shí)，可使用（晶圓）特性化/矩陣批次的數(shù)據(jù)（類似于現(xiàn)有產(chǎn)品和設(shè)計(jì)仿真）設(shè)定初始限值。一旦當(dāng)前生產(chǎn)批次的數(shù)據(jù)可用，應(yīng)立即更新初始限值。應(yīng)在生產(chǎn)的前6個(gè)月使用當(dāng)前生產(chǎn)數(shù)據(jù)定期進(jìn)行檢查和更新。初始限值更新頻率應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品量產(chǎn)提升率的實(shí)際情況進(jìn)行，例如每2個(gè)擴(kuò)散批次后或每30天進(jìn)行。當(dāng)前使用的數(shù)據(jù)應(yīng)包括最近一次更新后的數(shù)據(jù)或至少最近個(gè)8批次的數(shù)據(jù)，不應(yīng)使用舊數(shù)據(jù)。在生產(chǎn)開始的6個(gè)月后，限值應(yīng)至少每年更新兩次，或按照供需雙方協(xié)商進(jìn)行更新。這些數(shù)據(jù)決定的統(tǒng)計(jì)良率限值和統(tǒng)計(jì)倉限值（基于晶片、晶圓批次和封裝批次）如下：統(tǒng)計(jì)良率上、下限值＝平均值±3×文件差統(tǒng)計(jì)倉上、下限值＝平均值±4×文件差如果統(tǒng)計(jì)結(jié)果符合正態(tài)分布，確定每批通過的零件百分比的平均值和文件差，以及每批次（指每個(gè)晶片、一個(gè)晶圓批次或一個(gè)封裝批次）失效裸片的百分比。如果統(tǒng)計(jì)結(jié)果不符合正態(tài)分布，可使用數(shù)學(xué)轉(zhuǎn)換等替代方法使正態(tài)分布適用，或?qū)?shù)據(jù)擬合到另一個(gè)合適的分布（威布爾分布、伽瑪分布、泊松分布等），并建立統(tǒng)計(jì)良率限值，實(shí)現(xiàn)與正態(tài)分布在統(tǒng)計(jì)良率或統(tǒng)計(jì)倉相同的風(fēng)險(xiǎn)概率。A.8腔體封裝完整性試驗(yàn)A.8.1機(jī)械沖擊試驗(yàn)A.8.1.1自由狀態(tài)測試半導(dǎo)體器件或子組件需在三個(gè)正交軸向上各進(jìn)行30次沖擊測試（5次/方向測試等級分為A-H共8個(gè)服務(wù)條件，如表A.21所示。表A.26沖擊測試等級T/CACCXXXX—XXXXA.8.1.2裝配狀態(tài)測試子組件需模擬實(shí)際使用條件進(jìn)行12次沖擊測試（2次/方向采用1-14級服務(wù)條件，典型參數(shù)包括：a）脈沖持續(xù)時(shí)間：5.0ms～8.0msb）速度變化：1.00m/s～5.44m/sc）推薦使用JEDEC文件熱測試卡作為測試載體A.8.1.3關(guān)鍵設(shè)備要求沖擊測試裝置必須滿足以下技術(shù)指標(biāo)：a）峰值加速度：≤29,000m/s2b）加速度波形：半正弦波（偏差≤±10%）c）傳感器自然頻率5倍沖擊脈沖頻率d）測試前需進(jìn)行設(shè)備校準(zhǔn)驗(yàn)證文件特別強(qiáng)調(diào)測試夾具的設(shè)計(jì)要求：自由狀態(tài)測試需剛性固定，裝配狀態(tài)測試需允許適度彎曲以模擬實(shí)際使用條件。A.8.1.4失效判據(jù)與實(shí)施建議典型失效模式：a）密封性失效（適用氣密封裝器件）b）電氣參數(shù)超出規(guī)范限值c）功能性失效d）芯片開裂、引腳斷裂等機(jī)械損傷e）焊點(diǎn)脫落或PCB連接失效（裝配狀態(tài)）A.8.1.5實(shí)施建議a）優(yōu)先采用實(shí)際應(yīng)用板卡而非文件測試板b）測試前應(yīng)施加預(yù)處理應(yīng)力（如回流焊、老化等）c）記錄組件最低共振頻率等動(dòng)態(tài)特性d）建立黃金樣品組用于設(shè)備校準(zhǔn)A8.1.6文件應(yīng)用價(jià)值本文件為半導(dǎo)體器件制造商和終端用戶提供了統(tǒng)一的機(jī)械沖擊可靠性評估方法，特別適用于：a）汽車電子元件資格認(rèn)證b）工業(yè)設(shè)備抗沖擊設(shè)計(jì)驗(yàn)證c）運(yùn)輸包裝方案優(yōu)化A.8.1.7機(jī)械沖擊試驗(yàn)使用1個(gè)批次不少于15個(gè)樣品，將樣品安裝在夾具上，按照IEC60749-10的方法進(jìn)行試驗(yàn)。僅在Y1方向（芯片方向示意圖見圖A.8）進(jìn)行5次沖擊，加速度峰值為1500g，脈沖時(shí)間為0.5ms。試驗(yàn)前后進(jìn)行外T/CACCXXXX—XXXX觀檢查，按照附錄B的方法進(jìn)在室溫下進(jìn)行性能試驗(yàn)。圖A