2026年重慶衛(wèi)生專業(yè)技術(shù)資格考試（神經(jīng)電生理（腦電圖）技術(shù)初級(jí)師）模擬練習(xí)題及答案解析1.單選題（每題1分，共30題）1.1腦電圖記錄中，當(dāng)國(guó)際10-20系統(tǒng)定位C3電極時(shí)，其解剖參考點(diǎn)位于A.左耳前點(diǎn)與Cz連線中點(diǎn)B.鼻根至枕外隆凸連線50%處向左旁開10%C.左中央前回手運(yùn)動(dòng)區(qū)皮層上方D.左中央溝與冠狀縫交點(diǎn)上方答案：B解析：10-20系統(tǒng)以鼻根-枕外隆凸及左右耳前點(diǎn)作基準(zhǔn)，C3位于50%矢狀線向左旁開10%處，對(duì)應(yīng)左中央?yún)^(qū)。1.2新生兒爆發(fā)抑制圖形中，最常見的電壓下限標(biāo)準(zhǔn)為A.<5μVB.<10μVC.<15μVD.<25μV答案：B解析：國(guó)際新生兒腦電共識(shí)將爆發(fā)間期電壓<10μV定義為抑制段。1.3在腦電高頻振蕩（HFO）分析中，γ頻段上限通常界定為A.30HzB.60HzC.80HzD.250Hz答案：C解析：γ頻段為30-80Hz，80Hz以上進(jìn)入漣波（ripple）與快漣波（FR）范疇。1.4使用盤狀電極時(shí)，降低阻抗最優(yōu)先的步驟是A.增加導(dǎo)電膏量B.用酒精棉球輕擦皮膚C.更換電極線D.降低采樣率答案：B解析：輕擦可去除角質(zhì)層與皮脂，阻抗下降最快；導(dǎo)電膏過多反而易短路。1.5腦電放大器輸入阻抗的理想值應(yīng)A.≥10MΩB.≥100MΩC.≥1GΩD.≥10GΩ答案：C解析：高輸入阻抗可減少電極-皮膚界面分壓效應(yīng)，現(xiàn)代放大器≥1GΩ。1.6下列哪項(xiàng)不是腦電偽差A(yù).心電偽差B.咀嚼肌電位C.額區(qū)δ刷D.電極線擺動(dòng)答案：C解析：δ刷為早產(chǎn)兒正常一過性圖形，其余均為偽差。1.7睡眠腦電中，K復(fù)合波最低可識(shí)別電壓為A.50μVB.75μVC.100μVD.150μV答案：C解析：AASM判讀規(guī)則規(guī)定K復(fù)合波負(fù)相峰值≥100μV。1.8對(duì)光驅(qū)動(dòng)反應(yīng)最敏感的枕區(qū)頻率在成人通常為A.8HzB.12HzC.18HzD.24Hz答案：C解析：18Hz閃光最易誘發(fā)枕區(qū)諧波驅(qū)動(dòng)，兒童可低至12Hz。1.9腦電采樣定理要求最低采樣率應(yīng)為最高關(guān)注頻率的A.1.5倍B.2倍C.2.5倍D.3倍答案：D解析：為兼顧濾波器滾降與高頻相位保真，臨床建議≥3倍。1.10在腦電報(bào)告書寫中，"節(jié)律性"一詞描述的是A.波形形態(tài)一致B.頻率穩(wěn)定>2sC.電壓逐漸升高D.空間分布廣泛答案：B解析：節(jié)律性強(qiáng)調(diào)頻率恒定，持續(xù)≥2s；形態(tài)一致稱"單形性"。1.11腦電背景α節(jié)律衰減（αdropout）通常指電壓下降A(chǔ).≥20%B.≥30%C.≥50%D.≥70%答案：C解析：≥50%電壓下降方具臨床意義，提示警覺度降低。1.12對(duì)癲癇患者行剝奪睡眠誘發(fā)時(shí)，成人推薦剝奪時(shí)間為A.12hB.18hC.24hD.36h答案：C解析：24h剝奪可使活化率提高至50%以上，再長(zhǎng)獲益有限且風(fēng)險(xiǎn)增加。1.13腦電電極發(fā)生極化現(xiàn)象時(shí)，最可能出現(xiàn)A.基線漂移B.50Hz陷波失效C.高頻噪聲增加D.增益下降答案：A解析：極化形成直流偏移，表現(xiàn)為緩慢基線漂移。1.14腦電濾波設(shè)置中，高通0.5Hz主要消除A.心電偽差B.呼吸基線漂移C.肌電干擾D.電極跳線答案：B解析：0.5Hz高通可去除<0.5Hz的呼吸、出汗慢漂移。1.15新生兒睡眠中，跡形交替（TA）圖形的周期長(zhǎng)度為A.2-5sB.4-10sC.10-20sD.20-30s答案：B解析：TA周期4-10s，為足月兒安靜睡眠標(biāo)志。1.16腦電定量分析中，用FFT計(jì)算功率譜時(shí)，窗函數(shù)選擇Hamming窗的主要目的是A.提高頻率分辨率B.減少頻譜泄漏C.降低運(yùn)算量D.增加動(dòng)態(tài)范圍答案：B解析：Hamming窗抑制旁瓣，減少泄漏，代價(jià)為主瓣展寬。1.17腦電誘發(fā)試驗(yàn)中，過度換氣正常反應(yīng)為A.全面性3Hz棘慢波發(fā)放B.枕區(qū)α頻率加快C.前頭部θ活動(dòng)增多D.廣泛性電壓衰減答案：C解析：正常兒童/青少年可見前頭部θ增多，成人可不明顯。1.18腦電記錄中，若Fp1呈持續(xù)負(fù)相直流偏移，最可能A.眼動(dòng)偽差B.額部出汗C.電極脫位D.高頻電刀干擾答案：A解析：眼向上看時(shí)角膜正電位使Fp1負(fù)相偏移，呈斜坡狀。1.19腦電報(bào)告術(shù)語"三相波"最典型的周期為A.0.5-1sB.1-1.5sC.1.5-2.5sD.2.5-3.5s答案：C解析：典型三相波周期1.5-2.5s，對(duì)應(yīng)0.4-0.7Hz。1.20腦電監(jiān)測(cè)中，若出現(xiàn)50Hz正弦波且所有導(dǎo)聯(lián)同相，應(yīng)首先A.檢查接地電極B.開啟陷波器C.降低增益D.更換電腦答案：A解析：同相50Hz提示參考電極脫落或接地不良，陷波治標(biāo)不治本。1.21腦電高頻漣波（80-250Hz）最主要的臨床價(jià)值在于A.判斷睡眠深度B.定位癲癇灶C.評(píng)估腦血流D.監(jiān)測(cè)麻醉深度答案：B解析：漣波與癲癇灶高度相關(guān)，是術(shù)前評(píng)估生物標(biāo)志。1.22腦電電極安放時(shí)，測(cè)量顱圍的基準(zhǔn)線為A.眉弓上緣-枕外隆凸B.眶上緣-枕外隆凸C.眉弓上緣-枕骨大孔D.眶下緣-乳突尖答案：B解析：國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)以眶上緣-枕外隆凸水平測(cè)顱圍。1.23腦電記錄中，若T3呈尖波樣電位且與心跳同步，應(yīng)首先A.考慮顳葉癲癇B.檢查電極阻抗C.同步心電導(dǎo)聯(lián)D.給予鎮(zhèn)靜劑答案：C解析：同步心電可鑒別T3電極靠近顳淺動(dòng)脈產(chǎn)生血管搏動(dòng)偽差。1.24腦電α節(jié)律的調(diào)幅現(xiàn)象主要反映A.視覺通路完整性B.腦干網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)功能C.丘腦皮層環(huán)路節(jié)律D.海馬θ振蕩答案：C解析：α調(diào)幅與丘腦皮層反饋環(huán)路周期性興奮有關(guān)。1.25腦電報(bào)告書寫中，"長(zhǎng)程"通常指持續(xù)時(shí)間A.≥1sB.≥3sC.≥5sD.≥10s答案：C解析：≥5s的持續(xù)放電稱"長(zhǎng)程"，<5s稱"短程"。1.26腦電監(jiān)測(cè)中，若出現(xiàn)"平坦"圖形，電壓需低于A.2μVB.5μVC.10μVD.20μV答案：B解析：國(guó)際腦死亡標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定靈敏度2μV/mm、增益≥0.5μV/mm時(shí)<5μV持續(xù)30min。1.27腦電電極材料中，最能減少極化電位的是A.銀-氯化銀B.不銹鋼C.金D.鉑答案：A解析：Ag/AgCl電極可逆氯離子交換，極化電位最低。1.28腦電誘發(fā)試驗(yàn)中，閃光刺激器與患者眼距應(yīng)A.10-20cmB.20-30cmC.30-40cmD.40-50cm答案：C解析：30-40cm可覆蓋全視野，減少周邊視網(wǎng)膜適應(yīng)。1.29腦電記錄中，若出現(xiàn)"梳子樣"圖形，頻率在6-11Hz，中央?yún)^(qū)最著，應(yīng)考慮A.μ節(jié)律B.中央βC.睡眠紡錘D.藥物快波答案：A解析：μ節(jié)律呈梳子狀，中央?yún)^(qū)明顯，睜眼不抑制。1.30腦電報(bào)告術(shù)語"多形性δ"主要強(qiáng)調(diào)A.頻率<4HzB.波形形態(tài)多變C.空間分布廣泛D.電壓>200μV答案：B解析：多形性指波形、頻率、電壓均不規(guī)則，提示器質(zhì)性病變。2.共用題干單選題（每題1分，共10題）【題干】患者男，28歲，發(fā)作性愣神3年。VEEG監(jiān)測(cè)示：清醒閉目枕區(qū)9Hzα節(jié)律，過度換氣3min時(shí)突然出現(xiàn)廣泛性3.5Hz棘慢波，持續(xù)4s，患者輕微點(diǎn)頭。2.1該圖形最可能診斷為A.典型失神發(fā)作B.肌陣攣失神C.眼瞼肌陣攣D.精神性非癲癇發(fā)作答案：A解析：3.5Hz廣泛棘慢波伴輕微運(yùn)動(dòng)抑制為典型失神。2.2若需定量分析棘慢波發(fā)放頻率，最佳工具為A.人工計(jì)數(shù)B.短時(shí)傅里葉變換C.模板匹配自動(dòng)檢測(cè)D.小波熵答案：C解析：模板匹配可自動(dòng)識(shí)別棘慢波形態(tài)，誤差<5%。2.3該患者后續(xù)行MRI陰性，下一步建議A.停用抗癲癇藥物復(fù)查B.行睡眠剝奪EEGC.直接術(shù)前評(píng)估D.給予苯巴比妥答案：B解析：睡眠剝奪可提高間歇期放電檢出，指導(dǎo)藥物治療。2.4若監(jiān)測(cè)中閃光刺激誘發(fā)14Hz泛化棘慢波，提示A.光敏性特征B.睡眠誘發(fā)C.過度換氣正常反應(yīng)D.電極偽差答案：A解析：閃光誘發(fā)廣泛放電為光敏性，需避免閃爍游戲。2.5該患者首選抗癲癇藥物為A.丙戊酸鈉B.卡馬西平C.加巴噴丁D.苯妥英鈉答案：A解析：丙戊酸對(duì)失神療效最佳，卡馬西平可加重失神。3.多選題（每題2分，共10題，每題至少2個(gè)正確答案，多選少選均不得分）3.1下列哪些因素可降低腦電電極阻抗A.輕擦皮膚B.使用導(dǎo)電膏C.增加電極面積D.降低放大器輸入阻抗E.使用Ag/AgCl電極答案：ABCE解析：放大器輸入阻抗應(yīng)提高而非降低，其余均可降阻抗。3.2腦電高頻振蕩（HFO）判讀時(shí)，需排除A.咀嚼肌電B.心電偽差C.電極刮擦D.采樣率不足導(dǎo)致的混疊E.睡眠紡錘答案：ABCD解析：紡錘為正常<14Hz活動(dòng)，與HFO無關(guān)。3.3新生兒腦電背景評(píng)估需關(guān)注A.受孕齡B.睡眠狀態(tài)C.藥物鎮(zhèn)靜D.體溫E.血糖答案：ABCDE解析：上述因素均顯著影響新生兒背景。3.4腦電報(bào)告書寫中，"局灶性"一詞可描述A.僅涉及一側(cè)半球B.僅涉及一個(gè)腦葉C.僅涉及一個(gè)電極D.同步累及雙側(cè)鏡像區(qū)E.電壓>200μV答案：ABC解析：局灶性強(qiáng)調(diào)空間局限，鏡像區(qū)同步為雙側(cè)。3.5腦電監(jiān)測(cè)中，下列哪些屬于"激活試驗(yàn)"A.過度換氣B.閃光刺激C.睡眠剝奪D.睜閉眼試驗(yàn)E.靜脈注射安定答案：ABCD解析：安定為治療非激活試驗(yàn)。3.6腦電濾波參數(shù)設(shè)置正確的是A.高通0.5HzB.低通70HzC.陷波50HzD.采樣率256HzE.帶通1-35Hz用于睡眠紡錘分析答案：ABCE解析：256Hz采樣率對(duì)>80HzHFO不足，需≥1000Hz。3.7腦電電極消毒方法包括A.2%戊二醛浸泡B.75%乙醇擦拭C.環(huán)氧乙烷滅菌D.高壓蒸汽E.紫外線照射答案：ABC解析：Ag/AgCl電極不耐高壓與紫外。3.8腦電定量分析中，可用來評(píng)估非線性復(fù)雜度的指標(biāo)有A.近似熵B.樣本熵C.Lempel-Ziv復(fù)雜度D.頻帶功率E.相干性答案：ABC解析：功率與相干性為線性指標(biāo)。3.9腦電監(jiān)測(cè)中，若出現(xiàn)"電靜息"需滿足A.靈敏度2μV/mmB.增益≥0.5μV/mmC.電壓<5μVD.持續(xù)30minE.無心臟搏動(dòng)偽差答案：ABCD解析：心臟搏動(dòng)偽差必須消失方可判讀。3.10腦電報(bào)告審核流程應(yīng)包括A.技師自查B.上級(jí)技師復(fù)核C.醫(yī)師終審D.患者簽字E.電子簽名時(shí)間戳答案：ABCE解析：患者無需簽字，但需知情同意。4.判斷題（每題1分，共10題，正確寫"T"，錯(cuò)誤寫"F"）4.1腦電α節(jié)律頻率與智商呈正相關(guān)。答案：F解析：α頻率主要與年齡、警覺度相關(guān)，與智商無顯著線性關(guān)系。4.2新生兒腦電可用圓盤電極替代針電極。答案：T解析：圓盤電極安全無痛，足月兒阻抗可降至5kΩ以下。4.3腦電高頻濾波設(shè)置越高，越能減少肌電偽差。答案：F解析：高頻濾波升高會(huì)保留更多肌電，應(yīng)降低或采用獨(dú)立成分分析。4.4腦電報(bào)告中"彌漫性"與"普遍性"可互換使用。答案：F解析：彌漫性指雙側(cè)廣泛但可不對(duì)稱，普遍性強(qiáng)調(diào)雙側(cè)對(duì)稱。4.5腦電監(jiān)測(cè)時(shí)，參考電極脫落可導(dǎo)致所有導(dǎo)聯(lián)呈同相偽差。答案：T解析：參考脫落后所有通道共模信號(hào)相同，呈現(xiàn)同相。4.6腦電功率譜中，θ功率升高一定提示癲癇。答案：F解析：θ增多可見于嗜睡、藥物、代謝紊亂等。4.7腦電電極安放后，可用萬用表測(cè)量直流偏移>200mV需重放。答案：T解析：>200mV提示極化嚴(yán)重，可致放大器飽和。4.8腦電誘發(fā)試驗(yàn)中，閃光刺激頻率>60Hz不會(huì)誘發(fā)光驅(qū)動(dòng)。答案：F解析：部分個(gè)體在>60Hz仍可誘發(fā)諧波驅(qū)動(dòng)。4.9腦電監(jiān)測(cè)時(shí)，若出現(xiàn)"白噪聲"樣圖形，應(yīng)首先檢查電極線斷裂。答案：T解析：線斷導(dǎo)致高阻抗，放大器拾取環(huán)境電磁噪聲。4.10腦電報(bào)告可僅含圖形截圖，無需文字描述。答案：F解析：規(guī)范報(bào)告必須含文字描述、結(jié)論及技師簽名。5.填空題（每空1分，共10空）5.1國(guó)際10-20系統(tǒng)共有________個(gè)記錄電極和________個(gè)參考電極位置。答案：21，2（含A1A2）5.2腦電放大器的共模抑制比（CMRR）理想值應(yīng)≥________dB。答案：805.3新生兒安靜睡眠腦電可見________圖形，周期________s。答案：跡形交替（TA），4-105.4腦電高頻振蕩分析時(shí)，常用________算法進(jìn)行偽差剔除。答案：獨(dú)立成分分析（ICA）5.5腦電報(bào)告書寫中，"陣發(fā)"指突然起始并終止，持續(xù)________s以上。答案：25.6腦電監(jiān)測(cè)中，若出現(xiàn)"梳子樣"μ節(jié)律，其頻率范圍________Hz。答案：7-115.7腦電電極消毒后，需用________沖洗以去除戊二醛殘留。答案：無菌蒸餾水5.8腦電功率譜分析中，頻率分辨率Δf與epoch長(zhǎng)度T關(guān)系為Δf=________。答案：1/T5.9腦電監(jiān)測(cè)時(shí)，若發(fā)現(xiàn)50Hz干擾呈"梳狀"諧波，提示干擾源為________。答案：節(jié)能燈或LED調(diào)光5.10腦電定量分析中，用________指標(biāo)可評(píng)估兩側(cè)半球?qū)ΨQ性。答案：相干性或?qū)ΨQ指數(shù)6.簡(jiǎn)答題（每題5分，共4題）6.1簡(jiǎn)述新生兒腦電"爆發(fā)抑制"與"爆發(fā)交替"區(qū)別。答案：爆發(fā)抑制指抑制段電壓<10μV且持續(xù)≥2s，爆發(fā)段≥2s，周期無規(guī)律；爆發(fā)交替（TA）為足月兒安靜睡眠正常圖形，抑制段電壓10-25μV，周期4-10s，呈規(guī)律交替。前者提示嚴(yán)重腦病，后者為發(fā)育未成熟表現(xiàn)。6.2說明腦電高頻振蕩（HFO）采集的技術(shù)要點(diǎn)。答案：采樣率≥2000Hz，低通濾波≥500Hz，電極阻抗<5kΩ，使用Ag/AgCl電極，屏蔽室環(huán)境，ICA去除肌電，人工復(fù)核偽差，采用寬頻放大器，避免50Hz陷波，同步視頻監(jiān)測(cè)。6.3列舉降低腦電肌電偽差的五種方法。答案：1.讓患者放松下頜，避免咬牙；2.使用枕頭支撐頸部；3.降低高頻濾波至70Hz；4.采用雙極導(dǎo)聯(lián)或ICA算法；5.調(diào)整電極位置