2026年衛(wèi)生專業(yè)技術(shù)資格考試（神經(jīng)電生理（腦電圖）技術(shù)初級(jí)師）模擬練習(xí)題及答案解析嘉峪關(guān)1.單選題（每題1分，共30題）1.1腦電圖記錄中，當(dāng)國(guó)際10-20系統(tǒng)定位C4電極時(shí)，其解剖參考點(diǎn)位于A.右耳前點(diǎn)與鼻根連線50%處再向右旁開10%B.右耳前點(diǎn)與枕外粗隆連線50%處再向右旁開10%C.右耳前點(diǎn)與鼻根連線50%處再向左旁開10%D.右耳前點(diǎn)與枕外粗隆連線中點(diǎn)向右旁開20%答案：B解析：C4位于中央?yún)^(qū)右側(cè)，按10-20規(guī)則，先取耳前點(diǎn)與枕外粗隆連線中點(diǎn)，再向右旁開10%頭圍距離。1.2新生兒睡眠周期中，最早出現(xiàn)的圖形標(biāo)志是A.交替圖（tracealternant）B.連續(xù)慢波睡眠C.睡眠紡錘D.頂部尖波答案：A解析：足月新生兒安靜睡眠期即出現(xiàn)tracealternant，為交替高幅慢波與低平段，是睡眠結(jié)構(gòu)成熟的早期標(biāo)志。1.3腦電放大器輸入阻抗降低會(huì)導(dǎo)致A.共模抑制比升高B.信號(hào)高頻衰減C.電極偽差減少D.交流阻抗偽差增加答案：D解析：輸入阻抗降低后，電極-皮膚接觸電阻分壓作用凸顯，50Hz交流偽差增大。1.4在1.0μV/mm靈敏度下，測(cè)得某棘波波幅5mm，其實(shí)際電壓為A.1μVB.5μVC.10μVD.50μV答案：B解析：5mm×1μV/mm=5μV。1.5對(duì)光驅(qū)動(dòng)反應(yīng)最敏感的頻段是A.1-3HzB.8-10HzC.15-20HzD.30-50Hz答案：B解析：α頻段（8-10Hz）閃光刺激最易誘發(fā)光驅(qū)動(dòng)，因接近靜息α節(jié)律。1.6腦死亡確認(rèn)試驗(yàn)中，所需最短觀察時(shí)間無偽差EEG記錄為A.10分鐘B.20分鐘C.30分鐘D.60分鐘答案：C解析：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)要求30分鐘等電位記錄，且增益≥2μV/mm。1.7下列哪項(xiàng)不是良性Rolandic癲癇的腦電圖特征A.中央-顳區(qū)棘慢波B.睡眠期活化C.光敏性D.水平偶極子答案：C解析：良性Rolandic癲癇極少出現(xiàn)光敏性。1.8使用盤狀電極時(shí)，降低阻抗最有效的方法是A.增加導(dǎo)電膏用量B.輕壓電極5秒C.皮膚輕微abrasionD.改用針電極答案：C解析：輕度去角質(zhì)可顯著降低角質(zhì)層電阻，阻抗可降至<5kΩ。1.9腦電高頻振蕩（HFO）界定下限頻率為A.20HzB.40HzC.80HzD.200Hz答案：C解析：>80Hz為γ高頻振蕩，<200Hz為ripples，>200Hz為fastripples。1.10在睡眠分期中，K復(fù)合波最少出現(xiàn)的期是A.N1B.N2C.N3D.REM答案：D解析：REM期肌電消失，K復(fù)合波幾乎缺如。1.11腦電采樣頻率1024Hz時(shí)，根據(jù)奈奎斯特定理可記錄的最高頻率為A.256HzB.512HzC.1024HzD.2048Hz答案：B解析：可記錄≤采樣頻率一半，即512Hz。1.12關(guān)于參考電極活化，正確的是A.僅影響參考導(dǎo)聯(lián)B.平均參考可完全消除C.可表現(xiàn)為“假局灶”慢波D.雙極導(dǎo)聯(lián)不受影響答案：C解析：參考電極活化可在各導(dǎo)聯(lián)產(chǎn)生貌似局灶的慢波，雙極導(dǎo)聯(lián)亦可通過電場(chǎng)擴(kuò)散受影響。1.13癲癇灶定位中，相位反轉(zhuǎn)法最常用于A.平均參考B.耳參考C.雙極縱聯(lián)D.源成像答案：C解析：雙極縱聯(lián)鏈中，棘波相位反轉(zhuǎn)點(diǎn)提示灶區(qū)最大負(fù)相場(chǎng)。1.14閃光刺激誘發(fā)陣發(fā)性枕葉放電，最常見于A.Jeavons綜合征B.Dravet綜合征C.嬰兒痙攣D.晚發(fā)局灶性癲癇答案：A解析：Jeavons綜合征特征為眼瞼肌陣攣+光敏+失神，閃光易誘發(fā)枕區(qū)棘波。1.15腦電報(bào)告書寫時(shí)，對(duì)節(jié)律性θ活動(dòng)描述應(yīng)優(yōu)先使用的術(shù)語是A.慢波B.節(jié)律C.爆發(fā)D.活動(dòng)答案：B解析：持續(xù)≥0.5s的周期性θ應(yīng)稱“節(jié)律”，強(qiáng)調(diào)其規(guī)則重復(fù)性。1.16新生兒校正胎齡<34周，出現(xiàn)δ刷的腦區(qū)主要是A.額區(qū)B.中央?yún)^(qū)C.顳區(qū)D.枕區(qū)答案：D解析：早產(chǎn)兒δ刷最早見于枕區(qū)，34周后前移。1.17下列偽差中，頻率最恒定的是A.心電B.咀嚼C.出汗D.電極跳線答案：A解析：心電偽差頻率與心率一致，短時(shí)變異最小。1.18睡眠梭形波主要產(chǎn)生于A.丘腦網(wǎng)狀核B.海馬CA3C.下丘腦D.蒼白球答案：A解析：丘腦網(wǎng)狀核GABA能神經(jīng)元12-14Hz簇狀放電驅(qū)動(dòng)皮層產(chǎn)生梭形。1.19腦電圖紙速30mm/s時(shí)，1mm橫向距離對(duì)應(yīng)時(shí)間A.10msB.20msC.33.3msD.50ms答案：C解析：30mm/s即1mm=1/30s≈33.3ms。1.20局灶性癲癇發(fā)作期圖形最先出現(xiàn)的變化通常是A.節(jié)律性α-θ活動(dòng)B.電壓衰減C.多棘波D.高幅δ慢波答案：B解析：發(fā)作起始常見“電極crement”即電壓衰減，反映神經(jīng)元去極化阻滯。1.21腦電放大器差分輸入的主要目的是A.提高增益B.抑制共模干擾C.擴(kuò)展頻響D.降低功耗答案：B解析：差分放大對(duì)共模信號(hào)（如50Hz）抑制，CMRR>80dB。1.22關(guān)于α節(jié)律，正確的是A.睜眼立即消失B.振幅成人常>100μVC.頻率與智商正相關(guān)D.老年人頻率可減慢至8Hz仍屬正常答案：D解析：健康老人α可8Hz；睜眼僅減弱非立即消失；成人振幅通常30-50μV；頻率與智商無顯著線性相關(guān)。1.23腦電監(jiān)測(cè)中，使用帶通0.5-70Hz比1-35Hz更易觀察到A.睡眠梭形B.α節(jié)律C.高頻振蕩D.眼動(dòng)答案：C解析：0.5-70Hz保留>35Hz成分，利于HFO記錄。1.24癲癇外科評(píng)估，慢性顱內(nèi)電極阻抗安全上限一般設(shè)定為A.1kΩB.5kΩC.50kΩD.200kΩ答案：C解析：>50kΩ熱噪聲及信號(hào)衰減顯著，需更換電極。1.25腦電報(bào)告“彌漫性θ活動(dòng)”是指θ占比A.>10%B.>20%C.>50%D.>80%答案：C解析：>50%導(dǎo)聯(lián)時(shí)段出現(xiàn)θ方可稱彌漫性。1.26下列藥物對(duì)腦電β活動(dòng)增強(qiáng)最顯著的是A.苯巴比妥B.丙泊酚C.苯二氮?D.卡馬西平答案：C解析：苯二氮?增加GABA能傳遞，致前頭部β>20Hz顯著。1.27新生兒aEEG（振幅整合）上界對(duì)應(yīng)原始腦電A.5-10μVB.10-25μVC.25-50μVD.50-100μV答案：B解析：aEEG上界為10-25μV壓縮值，反映不連續(xù)背景高幅段。1.28腦電導(dǎo)聯(lián)編排中，縱聯(lián)方向指A.左-右B.前-后C.對(duì)側(cè)D.耳-頂答案：B解析：縱聯(lián)沿矢狀線前后排列，如Fp1-F3、F3-C3。1.29腦電高頻濾波設(shè)定為70Hz主要消除A.心電B.肌電C.眼電D.呼吸答案：B解析：肌電頻譜50-200Hz，70Hz低通可部分抑制。1.30腦電記錄過程中，患者突發(fā)強(qiáng)直-陣攣發(fā)作，技術(shù)員首要操作是A.立即終止記錄B.降低靈敏度C.呼叫醫(yī)護(hù)人員并保護(hù)患者D.更換電極答案：C解析：患者安全優(yōu)先，記錄可后續(xù)補(bǔ)回。2.共用題干單選題（每題1分，共10題）【題干】患者男，28歲，發(fā)作性愣神3年。VEEG示雙額為主的3Hz棘慢波爆發(fā)，持續(xù)6秒，同期患者數(shù)數(shù)中斷。2.1最可能診斷為A.青少年肌陣攣癲癇B.兒童失神癲癇C.青少年失神癲癇D.額葉癲癇答案：C解析：青少年期起病、3Hz規(guī)則棘慢、愣神，符合青少年失神。2.2首選治療藥物A.丙戊酸B.卡馬西平C.拉莫三嗪D.苯妥英答案：A解析：丙戊酸對(duì)失神療效最確切。2.3若患者合并多囊卵巢，應(yīng)避免長(zhǎng)期使用A.丙戊酸B.乙琥胺C.左乙拉西坦D.托吡酯答案：A解析：丙戊酸增加雄激素，加重多囊卵巢綜合征。2.4隨訪EEG發(fā)現(xiàn)光刺激誘發(fā)雙額3Hz棘慢，提示A.可停用藥物B.需加用光敏藥物C.避免閃爍環(huán)境D.考慮手術(shù)答案：C解析：光敏陽性患者需避免閃爍，藥物不減停。2.5若患者發(fā)作控制2年，腦電恢復(fù)正常，減停藥原則為A.立即停藥B.3個(gè)月內(nèi)減完C.6-12個(gè)月逐步減停D.終身服藥答案：C解析：指南建議6-12個(gè)月緩慢減量，防止復(fù)發(fā)。3.多選題（每題2分，共10題，每題至少2個(gè)正確答案，多選少選均不得分）3.1下列屬于腦電“六無”技術(shù)準(zhǔn)備的是A.無汗B.無眠C.無油D.無發(fā)E.無妝答案：ACE解析：無汗、無油、無妝降低阻抗；無需剃發(fā)；睡眠剝奪僅在特定試驗(yàn)。3.2睡眠N3期腦電特征包括A.≥75μVδ占≥20%B.睡眠梭形可能持續(xù)C.K復(fù)合波后可繼發(fā)δ刷D.無眼動(dòng)E.肌電顯著升高答案：ABD解析：N3δ比例≥20%，梭形可混入，肌電低平，眼動(dòng)消失。3.3腦電高頻振蕩（80-250Hz）臨床意義A.提示癲癇灶B.與認(rèn)知功能相關(guān)C.可被丙泊酚抑制D.需≥1000Hz采樣E.可用常規(guī)耳參考識(shí)別答案：ABD解析：HFO定位價(jià)值高；認(rèn)知γ同步；采樣需≥2000Hz；常規(guī)參考難識(shí)別。3.4關(guān)于腦電電極材料，正確的是A.銀-氯化銀可逆電極B.金電極極化電壓高C.不銹鋼適合MRID.錫電極需加導(dǎo)電膏E.針電極阻抗<1kΩ答案：AD解析：Ag-AgCl為可逆電極；錫電極需膏；金極化低；不銹鋼MRI不安全；針電極阻抗仍2-5kΩ。3.5新生兒腦電安全操作A.使用一次性電極B.電極距離囟門≥1cmC.禁用火源D.記錄時(shí)間≤30分鐘E.護(hù)士全程陪同答案：ABCE解析：時(shí)間無硬性≤30分鐘，按需而定。4.判斷題（每題1分，共10題，正確寫“T”，錯(cuò)誤寫“F”）4.1腦電放大器共模抑制比越高，對(duì)50Hz干擾越敏感。答案：F解析：CMRR越高，抑制共模干擾能力越強(qiáng)。4.2睡眠梭形頻率與體溫呈負(fù)相關(guān)。答案：T解析：體溫升高，梭形頻率可增0.3-0.5Hz。4.3腦電報(bào)告可縮寫“PDR”表示后優(yōu)勢(shì)α節(jié)律。答案：T解析：PDR=posteriordominantrhythm。4.4腦電圖紙速60mm/s時(shí)，1cm橫向=100ms。答案：T解析：60mm/s→10mm=1/6s≈166.7ms，原題錯(cuò)誤，應(yīng)為F；更正：答案F。4.5新生兒aEEG下界<5μV持續(xù)>24h提示預(yù)后不良。答案：T解析：持續(xù)極低電壓與嚴(yán)重腦損傷相關(guān)。4.6腦電高頻濾波設(shè)置越低，肌電偽差越明顯。答案：F解析：低通越低，肌電被抑制。4.7腦電記錄時(shí)患者深呼吸3分鐘可誘發(fā)3Hz棘慢波。答案：F解析：過度換氣誘發(fā)失神棘慢，但非“深呼吸3分鐘”標(biāo)準(zhǔn)，需1-3分鐘均勻過度換氣。4.8腦電電極阻抗測(cè)試頻率常用30Hz交流微電流。答案：T解析：30Hz避免極化且與腦電頻帶錯(cuò)開。4.9腦電雙極縱聯(lián)出現(xiàn)相位反轉(zhuǎn)可確定病灶側(cè)。答案：T解析：負(fù)相場(chǎng)最大反轉(zhuǎn)點(diǎn)提示灶區(qū)。4.10腦電報(bào)告“borderline”表示正常變異。答案：F解析：borderline為臨界，非變異。5.填空題（每空1分，共10空）5.1國(guó)際10-20系統(tǒng)中，T5電極位于________與________連線10%處。答案：O1、T3解析：后顳T5位于O1-T3連線近O1端10%。5.2腦電采樣定理要求采樣頻率≥信號(hào)最高頻率的________倍。答案：2解析：奈奎斯特最低2倍。5.3新生兒睡眠活躍期對(duì)應(yīng)________期，安靜期對(duì)應(yīng)________期。答案：REM、NREM解析：新生兒睡眠先分活躍與安靜，再細(xì)化為R、N。5.4腦電高頻振蕩ripple頻段________-________Hz。答案：80、200解析：ripple80-200Hz，fastripple>200-500Hz。5.5腦電報(bào)告描述頻率使用________制，振幅使用________制。答案：赫茲、微伏解析：Hz與μV為國(guó)際單位。6.簡(jiǎn)答題（每題10分，共3題）6.1簡(jiǎn)述腦電記錄中參考電極活化的識(shí)別與處理策略。答案：參考活化表現(xiàn)為所有導(dǎo)聯(lián)同步出現(xiàn)類似波形，常見于心電、出汗或參考電極接觸不良。識(shí)別：①所有導(dǎo)聯(lián)同相；②雙極導(dǎo)聯(lián)亦可見；③參考電極阻抗異常升高；④移動(dòng)參考電極位置波形變化。處理：①檢查并降低參考電極阻抗；②改用平均參考或源成像；③增加高通濾波抑制慢成分；④必要時(shí)重新放置參考電極至低活動(dòng)區(qū)（如乳突、胸骨柄）。6.2試述新生兒aEEG圖形分類及對(duì)應(yīng)原始腦電特征。答案：aEEG分四類：①連續(xù)正常電壓（CNV）：上界10-25μV，下界>5μV，對(duì)應(yīng)原始腦電連續(xù)θδ混合；②不連續(xù)（DC）：下界<5μV，高幅段≥10μV，原始為爆發(fā)-抑制但抑制期<10秒；③連續(xù)極低電壓（CLV）：全程<5μV，原始為持續(xù)低電壓；④爆發(fā)-抑制（B