• 現(xiàn)行
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  • 2025-12-23 頒布
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【正版授權(quán)-英/法語版】 IEC 60749-26:2025 EN-FR Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 26: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Human body model (HBM)_第1頁
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基本信息：

  • 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：IEC 60749-26:2025 EN-FR
  • 標(biāo)準(zhǔn)名稱：半導(dǎo)體器件-機(jī)械和氣候測(cè)試方法-第26部分：靜電放電(ESD)靈敏度測(cè)試-人體模型(HBM)
  • 英文名稱：Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 26: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Human body model (HBM)
  • 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
  • 發(fā)布日期：2025-12-23

文檔簡(jiǎn)介

靜電放電（ESD）敏感度測(cè)試是半導(dǎo)體器件的一項(xiàng)重要測(cè)試，它用于評(píng)估半導(dǎo)體器件在受到靜電放電時(shí)的反應(yīng)。IEC60749-26:2025EN-FR標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了靜電放電敏感度測(cè)試的方法和要求，包括測(cè)試設(shè)備、測(cè)試環(huán)境、測(cè)試步驟和測(cè)試結(jié)果評(píng)估等。

該標(biāo)準(zhǔn)中涉及到的人體模型（HBM）測(cè)試方法是其中一種常用的測(cè)試方法。人體模型測(cè)試方法是通過模擬人體帶電狀態(tài)和接觸半導(dǎo)體器件的方式，來評(píng)估半導(dǎo)體器件的靜電放電敏感度。在實(shí)際測(cè)試中，需要模擬人體在接觸半導(dǎo)體器件時(shí)可能產(chǎn)生的各種帶電狀態(tài)，如不同的人體電阻、不同的接觸面積和接觸壓力等。

在進(jìn)行人體模型測(cè)試時(shí)，需要將半導(dǎo)體器件放置在特定的測(cè)試環(huán)境中，并確保測(cè)試環(huán)境的溫度、濕度、氣壓等參數(shù)符合標(biāo)準(zhǔn)要求。同時(shí)，還需要使用專門的測(cè)試設(shè)備來產(chǎn)生模擬靜電放電的電流和電壓，并測(cè)量半導(dǎo)體器件的反應(yīng)。

測(cè)試結(jié)果評(píng)估包括對(duì)半導(dǎo)體器件在靜電放電下的電壓變化、電流泄漏、熱效應(yīng)等方面的評(píng)估。根據(jù)測(cè)試結(jié)果，可以確定半導(dǎo)體器件的靜電放電敏感度等級(jí)，從而為產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)提供參考。

IEC60749-26:2025EN-FR標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了靜電放電敏感度測(cè)試的方法和要求，包括人體模型測(cè)試方法等。

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