半導(dǎo)體光刻膠研發(fā)工程師崗位招聘考試試卷及答案一、填空題（共10題，每題1分，共10分）1.光刻膠按曝光波長(zhǎng)可分為G線（436nm）、I線（365nm）、______（248nm）、ArF（193nm）及EUV（13.5nm）等。2.光刻膠的主要組成成分包括樹脂、______、溶劑和添加劑。3.顯影分為正性顯影（TMAH為主）和______顯影（有機(jī)溶劑為主）兩類。4.光刻分辨率公式R=k1λ/NA中，λ代表______。5.底部抗反射層（BARC）的主要作用是減少______。6.正膠曝光后，曝光區(qū)域發(fā)生______反應(yīng)，可溶于顯影液。7.負(fù)膠曝光后，曝光區(qū)域發(fā)生______反應(yīng)，不溶于顯影液。8.旋涂工藝中，光刻膠膜厚主要由______和旋涂轉(zhuǎn)速?zèng)Q定。9.刻蝕時(shí)，光刻膠與下層材料的______比是關(guān)鍵參數(shù)。10.用于光刻的掩模主要分為______掩模和相移掩模（PSM）。二、單項(xiàng)選擇題（共10題，每題2分，共20分）1.正膠顯影后得到的圖形與掩模的關(guān)系是（）A.正像B.負(fù)像C.無(wú)關(guān)D.隨機(jī)2.負(fù)膠的主要溶解特性是（）A.曝光區(qū)溶解B.未曝光區(qū)溶解C.全溶解D.全不溶3.光刻分辨率與曝光波長(zhǎng)的關(guān)系是（）A.成正比B.成反比C.無(wú)關(guān)D.不確定4.數(shù)值孔徑（NA）的含義是（）A.鏡頭接收光線的能力B.光刻膠的厚度C.曝光時(shí)間D.顯影速度5.光刻膠曝光后的核心化學(xué)反應(yīng)是（）A.氧化B.還原C.光化學(xué)反應(yīng)D.分解6.正膠常用的顯影液是（）A.丙酮B.TMAH水溶液C.鹽酸D.酒精7.深紫外光刻膠（DUV）的波長(zhǎng)范圍是（）A.365nm-436nmB.248nm-193nmC.13.5nmD.10nm以下8.EUV光刻的波長(zhǎng)是（）A.193nmB.248nmC.13.5nmD.365nm9.光刻膠的Tg（玻璃化轉(zhuǎn)變溫度）是指（）A.膜厚變化溫度B.樹脂從玻璃態(tài)到橡膠態(tài)的轉(zhuǎn)變溫度C.曝光閾值溫度D.顯影溫度10.光刻后去除光刻膠的工藝是（）A.刻蝕B.去膠C.沉積D.摻雜三、多項(xiàng)選擇題（共10題，每題2分，共20分）1.光刻膠的組成成分包括（）A.樹脂B.光敏劑C.溶劑D.添加劑2.正膠的主要特點(diǎn)有（）A.曝光區(qū)可溶B.圖形與掩模一致C.多用于邏輯器件D.分辨率較高3.負(fù)膠的主要特點(diǎn)有（）A.曝光區(qū)交聯(lián)不溶B.圖形與掩模相反C.多用于MEMSD.耐刻蝕性好4.光刻工藝的關(guān)鍵步驟包括（）A.涂膠B.軟烘C.曝光D.顯影5.影響光刻分辨率的因素有（）A.曝光波長(zhǎng)λB.數(shù)值孔徑NAC.k1因子D.顯影時(shí)間6.EUV光刻膠的技術(shù)挑戰(zhàn)包括（）A.靈敏度不足B.缺陷密度高C.穩(wěn)定性差D.成本高7.光刻膠添加劑的作用包括（）A.增感B.流平C.增強(qiáng)粘附D.調(diào)節(jié)粘度8.顯影的類型包括（）A.濕法顯影B.干法顯影C.化學(xué)顯影D.物理顯影9.抗反射層的類型包括（）A.底部抗反射層（BARC）B.頂部抗反射層（TARC）C.中間抗反射層D.無(wú)抗反射層10.光刻膠的評(píng)價(jià)指標(biāo)包括（）A.分辨率B.靈敏度C.對(duì)比度D.缺陷密度四、判斷題（共10題，每題2分，共20分）1.正膠曝光后發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，不溶于顯影液。（）2.光刻分辨率與曝光波長(zhǎng)成正比。（）3.數(shù)值孔徑（NA）越大，光刻分辨率越高。（）4.EUV光刻的波長(zhǎng)是13.5nm。（）5.軟烘的主要目的是去除光刻膠中的溶劑。（）6.硬烘的主要目的是增強(qiáng)光刻膠圖形的穩(wěn)定性。（）7.負(fù)膠顯影后得到的圖形是掩模的負(fù)像。（）8.光刻膠中的溶劑僅起溶解樹脂的作用。（）9.k1因子越小，光刻分辨率越高。（）10.濕法顯影的分辨率比干法顯影高。（）五、簡(jiǎn)答題（共4題，每題5分，共20分）1.簡(jiǎn)述正膠與負(fù)膠的核心區(qū)別。2.光刻工藝中軟烘和硬烘的作用差異是什么？3.影響光刻膠分辨率的關(guān)鍵因素及原理是什么？4.EUV光刻膠的主要技術(shù)挑戰(zhàn)有哪些？六、討論題（共2題，每題5分，共20分）1.如何平衡光刻膠的靈敏度與分辨率？2.針對(duì)半導(dǎo)體器件小型化趨勢(shì)，光刻膠研發(fā)需重點(diǎn)關(guān)注哪些方向？---答案部分一、填空題答案1.KrF2.光敏劑3.負(fù)性4.曝光波長(zhǎng)5.反射光干涉（駐波效應(yīng)）6.光致分解7.光致交聯(lián)8.旋涂前膠量9.選擇10.二元二、單項(xiàng)選擇題答案1.A2.B3.B4.A5.C6.B7.B8.C9.B10.B三、多項(xiàng)選擇題答案1.ABCD2.ABCD3.ABCD4.ABCD5.ABC6.ABCD7.ABCD8.AB9.AB10.ABCD四、判斷題答案1.×2.×3.√4.√5.√6.√7.√8.×9.√10.×五、簡(jiǎn)答題答案1.正膠與負(fù)膠核心區(qū)別：①曝光反應(yīng)：正膠曝光區(qū)光致分解（可溶），負(fù)膠曝光區(qū)光致交聯(lián)（不溶）；②圖形關(guān)系：正膠顯影后為掩模正像，負(fù)膠為負(fù)像；③應(yīng)用：正膠適配高分辨率邏輯器件，負(fù)膠適配MEMS厚膠工藝；④分辨率：正膠分辨率更高，負(fù)膠耐刻蝕性更好。2.軟烘與硬烘差異：①時(shí)機(jī)：軟烘（涂膠后→曝光前），硬烘（顯影后→刻蝕前）；②目的：軟烘去除溶劑（減少顯影缺陷），硬烘增強(qiáng)膠膜粘附性與耐刻蝕性；③溫度：軟烘（80-120℃），硬烘（100-150℃），避免膠膜變形。3.關(guān)鍵因素及原理：①曝光波長(zhǎng)λ：λ越小，衍射效應(yīng)越弱（R=k1λ/NA）；②數(shù)值孔徑NA：NA越大，鏡頭收光能力越強(qiáng)；③k1因子：與工藝（相移掩模、浸沒式）相關(guān)，k1越小分辨率越高；④對(duì)比度：曝光區(qū)與未曝光區(qū)溶解差異越大，分辨率越高。4.EUV光刻膠挑戰(zhàn)：①靈敏度：需平衡靈敏度與缺陷（高靈敏度易引入缺陷）；②缺陷密度：EUV對(duì)缺陷極敏感，需降低顆粒/金屬離子缺陷；③穩(wěn)定性：真空/高能光子環(huán)境下膠膜易降解；④成本：適配EUV設(shè)備的量產(chǎn)成本控制。六、討論題答案1.靈敏度與分辨率平衡：①化學(xué)改性：優(yōu)化光敏劑結(jié)構(gòu)（增感同時(shí)減少擴(kuò)散）；②配方調(diào)整：添加流平劑優(yōu)化均勻性，調(diào)整溶劑揮發(fā)速率；③工藝配合：采用浸沒式光刻提升NA，結(jié)合相移掩模減少衍射；④正交實(shí)驗(yàn)：通過(guò)多參數(shù)匹配找到最優(yōu)平衡點(diǎn)，兼顧效率與精度。2.小型化