2026春招：工藝整合試題及答案

單項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.以下哪種工藝常用于半導(dǎo)體表面平整化？A.光刻B.化學(xué)機(jī)械拋光C.蝕刻D.離子注入2.光刻工藝的關(guān)鍵設(shè)備是？A.光刻機(jī)B.刻蝕機(jī)C.清洗機(jī)D.擴(kuò)散爐3.離子注入的主要目的是？A.改變材料表面顏色B.改變材料電學(xué)性能C.增加材料硬度D.提高材料透明度4.化學(xué)氣相沉積（CVD）主要用于？A.去除雜質(zhì)B.沉積薄膜C.表面清洗D.圖形轉(zhuǎn)移5.以下哪種氣體常用于等離子體蝕刻？A.氧氣B.氮?dú)釩.氯氣D.氫氣6.擴(kuò)散工藝中，雜質(zhì)擴(kuò)散的驅(qū)動力是？A.溫度差B.濃度差C.壓力差D.電場力7.濕法蝕刻與干法蝕刻相比，優(yōu)點(diǎn)是？A.蝕刻精度高B.污染小C.成本低D.各向異性好8.光刻工藝中，光刻膠的作用是？A.保護(hù)硅片B.形成圖形C.提高導(dǎo)電性D.增加反射率9.物理氣相沉積（PVD）不包括以下哪種方法？A.濺射B.蒸發(fā)C.化學(xué)鍍D.離子鍍10.工藝整合的核心目標(biāo)是？A.降低成本B.提高產(chǎn)量C.優(yōu)化工藝流程D.以上都是多項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.工藝整合中需要考慮的因素有？A.工藝兼容性B.設(shè)備利用率C.成本控制D.產(chǎn)品良率2.光刻工藝的主要步驟包括？A.涂膠B.曝光C.顯影D.刻蝕3.化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）的作用有？A.表面平整化B.去除雜質(zhì)C.改善表面粗糙度D.調(diào)整膜厚4.離子注入工藝的特點(diǎn)有？A.精確控制雜質(zhì)濃度B.低溫工藝C.可實(shí)現(xiàn)選擇性摻雜D.對材料損傷小5.以下屬于干法蝕刻的有？A.等離子體蝕刻B.反應(yīng)離子蝕刻C.濺射蝕刻D.濕法化學(xué)蝕刻6.化學(xué)氣相沉積（CVD）的優(yōu)點(diǎn)有？A.沉積速率快B.薄膜質(zhì)量好C.可實(shí)現(xiàn)大面積沉積D.設(shè)備簡單7.擴(kuò)散工藝的影響因素有？A.溫度B.時(shí)間C.雜質(zhì)種類D.硅片晶向8.光刻工藝中，光刻膠的性能指標(biāo)包括？A.感光度B.分辨率C.對比度D.粘附性9.物理氣相沉積（PVD）的優(yōu)點(diǎn)有？A.薄膜純度高B.附著力強(qiáng)C.可沉積多種材料D.成本低10.工藝整合過程中，可能遇到的問題有？A.工藝沖突B.設(shè)備故障C.人員操作失誤D.原材料質(zhì)量不穩(wěn)定判斷題（每題2分，共10題）1.工藝整合就是將不同的工藝簡單組合在一起。（）2.光刻工藝是半導(dǎo)體制造中最關(guān)鍵的工藝之一。（）3.離子注入會對材料造成一定的損傷。（）4.化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）只能用于表面平整化。（）5.干法蝕刻比濕法蝕刻的蝕刻精度高。（）6.化學(xué)氣相沉積（CVD）只能沉積單一材料的薄膜。（）7.擴(kuò)散工藝中，溫度越高，雜質(zhì)擴(kuò)散速度越快。（）8.光刻膠的感光度越高，曝光時(shí)間越短。（）9.物理氣相沉積（PVD）不需要使用化學(xué)試劑。（）10.工藝整合的最終目的是提高產(chǎn)品的市場競爭力。（）簡答題（每題5分，共4題）1.簡述工藝整合的主要流程。先進(jìn)行工藝規(guī)劃，確定目標(biāo)與方案；接著開展工藝開發(fā)與優(yōu)化；之后進(jìn)行工藝驗(yàn)證，確?？尚行?；最后實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并持續(xù)監(jiān)控改進(jìn)。2.光刻工藝中，曝光的作用是什么？曝光是利用光刻設(shè)備使光刻膠在特定波長光線照射下發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，為后續(xù)顯影和刻蝕等步驟做準(zhǔn)備。3.化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）與傳統(tǒng)拋光方法相比，有哪些優(yōu)勢？CMP能實(shí)現(xiàn)全局平整化，可精確控制去除量，對不同材料有選擇性去除能力，且能處理復(fù)雜表面，提高表面質(zhì)量和器件性能。4.離子注入工藝中，為什么需要進(jìn)行退火處理？離子注入會使材料晶格受損，退火可修復(fù)晶格損傷，激活注入雜質(zhì)，使其成為有效載流子，提高材料電學(xué)性能。討論題（每題5分，共4題）1.討論工藝整合在半導(dǎo)體制造中的重要性。工藝整合可優(yōu)化流程、提高效率、降低成本、保證產(chǎn)品一致性和良率，使各工藝協(xié)同發(fā)揮最佳效果，提升企業(yè)競爭力，推動半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展。2.分析光刻工藝中可能出現(xiàn)的問題及解決方案?？赡艹霈F(xiàn)圖形失真、光刻膠殘留等問題?？赏ㄟ^優(yōu)化光刻設(shè)備參數(shù)、提高掩膜版質(zhì)量、改進(jìn)光刻膠性能和工藝條件，以及加強(qiáng)工藝監(jiān)控和檢測來解決。3.探討化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝對環(huán)境的影響及應(yīng)對措施。CMP使用的拋光液等會造成水污染和廢棄物排放?？刹捎铆h(huán)保型拋光液，優(yōu)化工藝減少用量，建立廢棄物處理系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)資源回收利用。4.談?wù)劰に囌线^程中，如何平衡成本和質(zhì)量的關(guān)系。要進(jìn)行成本核算和質(zhì)量評估，優(yōu)化工藝路線，選擇性價(jià)比高的設(shè)備和原材料，加強(qiáng)過程控制和質(zhì)量檢測，在保證質(zhì)量前提下降低成本，實(shí)現(xiàn)兩者平衡。答案單項(xiàng)選擇題答案1.B2.A3.B4.B5.C6.B7.C8.B9.C10.D多項(xiàng)選擇題答案1.ABCD