鈣鈦礦光伏材料研發(fā)工程師崗位招聘考試試卷及答案一、填空題（共10題，每題1分）1.鈣鈦礦光伏材料的典型結(jié)構(gòu)通式為______（A為有機(jī)/無機(jī)陽離子，B為金屬陽離子，X為鹵素陰離子）。2.常見的A位無機(jī)陽離子為______（與MA、FA搭配）。3.鈣鈦礦B位常用金屬陽離子為______（鉛基為主）。4.X位常見鹵素陰離子包括碘、溴和______。5.MAPbI3的禁帶寬度約為______eV，與太陽光譜匹配度高。6.鈣鈦礦前驅(qū)體常用溶劑有DMF、DMSO和______。7.鈣鈦礦薄膜退火常用溫度范圍約為______℃。8.鈣鈦礦主要載流子類型為______和空穴。9.鉛空位屬于鈣鈦礦的______缺陷。10.鈣鈦礦電池核心結(jié)構(gòu)含導(dǎo)電基底、電子傳輸層、吸收層、空穴傳輸層和______。二、單項選擇題（共10題，每題2分）1.實驗室鈣鈦礦單結(jié)電池最高認(rèn)證效率約為（）A.20%B.23%C.26%D.29%2.提高鈣鈦礦穩(wěn)定性的A位摻雜常用元素是（）A.CsB.FeC.CuD.Zn3.部分替代Pb降低毒性的B位元素是（）A.SnB.AlC.AgD.Au4.揮發(fā)速率最慢的溶劑是（）A.DMFB.DMSOC.乙腈D.乙醇5.鈣鈦礦退火常用氛圍是（）A.空氣B.氧氣C.氮氣D.氫氣6.常用空穴傳輸層材料是（）A.TiO2B.SnO2C.PTAAD.ZnO7.鈣鈦礦不突出的穩(wěn)定性問題是（）A.熱穩(wěn)定性B.濕度穩(wěn)定性C.光穩(wěn)定性D.耐酸性8.鈣鈦礦-硅疊層中鈣鈦礦作為（）A.頂電池B.底電池C.中間層D.保護(hù)層9.加劇載流子復(fù)合的缺陷是（）A.碘間隙B.鉛空位C.碳雜質(zhì)D.以上都是10.鈣鈦礦薄膜制備不常用的方法是（）A.旋涂B.蒸鍍C.噴墨打印D.磁控濺射三、多項選擇題（共10題，每題2分）1.鈣鈦礦缺陷類型包括（）A.空位（A/B/X）B.間隙（A/B/X）C.反位缺陷D.雜質(zhì)缺陷2.提高穩(wěn)定性的方法有（）A.界面修飾B.元素?fù)诫sC.封裝D.無機(jī)A位替代3.前驅(qū)體溶液制備步驟含（）A.稱量B.攪拌溶解C.過濾D.超聲4.常用電子傳輸層材料有（）A.TiO2B.SnO2C.ZnOD.Spiro-OMeTAD5.常用空穴傳輸層材料有（）A.PTAAB.Spiro-OMeTADC.CuID.石墨烯6.影響載流子壽命的因素有（）A.晶粒尺寸B.缺陷濃度C.摻雜D.退火時間7.鈣鈦礦優(yōu)勢包括（）A.高吸收系數(shù)B.可調(diào)帶隙C.低成本D.長期高穩(wěn)定8.常見封裝技術(shù)有（）A.玻璃-玻璃B.玻璃-塑料C.金屬封裝D.無封裝9.B位可替換陽離子有（）A.PbB.SnC.GeD.Cu10.A位有機(jī)陽離子有（）A.MAB.FAC.CsD.乙胺四、判斷題（共10題，每題2分）1.MAPbI3禁帶寬度約1.55eV，光譜匹配良好。（）2.FA基鈣鈦礦比MA基更穩(wěn)定。（）3.Sn替代Pb降低毒性，但減少載流子壽命。（）4.DMSO揮發(fā)速率比DMF快。（）5.退火需空氣氛圍促進(jìn)結(jié)晶。（）6.鈣鈦礦單結(jié)效率超硅單結(jié)最高效率。（）7.空穴傳輸層只能用有機(jī)材料。（）8.TiO2電子傳輸層常用溶膠-凝膠法制備。（）9.鈣鈦礦可見光吸收系數(shù)高于硅。（）10.鈣鈦礦-硅疊層突破單結(jié)Shockley-Queisser極限。（）五、簡答題（共4題，每題5分）1.簡述鈣鈦礦結(jié)構(gòu)通式及各位置元素作用。2.鈣鈦礦前驅(qū)體溶液制備的關(guān)鍵步驟及注意事項。3.鈣鈦礦常見缺陷類型及對性能的影響。4.提高鈣鈦礦電池穩(wěn)定性的常用方法。六、討論題（共2題，每題5分）1.鈣鈦礦光伏面臨的主要挑戰(zhàn)及解決思路。2.鈣鈦礦-硅疊層電池的優(yōu)勢及研發(fā)難點。---答案部分一、填空題答案1.ABX32.銫（Cs）3.鉛（Pb）4.氯（Cl）5.1.556.γ-丁內(nèi)酯（GBL）7.100-1508.電子9.本征10.金屬電極二、單項選擇題答案1.C2.A3.A4.B5.C6.C7.D8.A9.D10.D三、多項選擇題答案1.ABCD2.ABCD3.ABCD4.ABC5.ABCD6.ABCD7.ABC8.AB9.ABC10.ABD四、判斷題答案1.√2.√3.√4.×5.×6.×7.×8.√9.√10.√五、簡答題答案1.結(jié)構(gòu)通式ABX3：A（有機(jī)/無機(jī)陽離子）平衡電荷、調(diào)控晶格；B（金屬陽離子）決定價帶電子結(jié)構(gòu)；X（鹵素）形成框架、影響帶隙。2.步驟：稱量前驅(qū)體→DMF/DMSO溶解攪拌→0.22μm濾膜過濾→超聲。注意：濕度<30%防水解，攪拌12h以上確保溶解。3.缺陷類型：空位、間隙、反位、雜質(zhì)。影響：作為復(fù)合中心降低Voc/Jsc，晶格畸變減少載流子遷移率，加速穩(wěn)定性降解。4.方法：A位Cs摻雜、B位Sn摻雜；界面修飾（TiO2表面Al2O3）；玻璃-玻璃封裝；無機(jī)A位替代有機(jī)MA/FA；無鉛鈣鈦礦研發(fā)。六、討論題答案1.挑戰(zhàn)：長期穩(wěn)定性差（水氧/熱/光降解）、鉛毒性、大面積效率下降、復(fù)合率高。思路：界面修飾+封裝隔絕水氧；Sn/Ge基無鉛鈣鈦礦；噴墨打印制備大