2026秋招：工藝整合筆試題及答案

一、單項選擇題（每題2分，共10題）1.以下哪種不是常見的光刻技術(shù)？A.紫外光刻B.電子束光刻C.微波光刻D.極紫外光刻2.淺溝槽隔離（STI）工藝主要用于？A.降低電流損耗B.隔離不同器件C.提高載流子遷移率D.增加芯片散熱3.化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）的目的是？A.去除光刻膠B.使表面平整C.形成氧化層D.擴(kuò)散雜質(zhì)4.工藝整合中，最先進(jìn)行的工藝通常是？A.光刻B.離子注入C.氧化D.金屬化5.以下哪種氣體常用于等離子體刻蝕？A.氧氣B.氮氣C.氬氣D.氯氣6.多晶硅在集成電路中常作為？A.絕緣層B.導(dǎo)電層C.散熱層D.保護(hù)層7.氧化工藝生成的二氧化硅主要作用是？A.增加芯片硬度B.作為絕緣介質(zhì)C.提升導(dǎo)電性D.降低功耗8.離子注入過程中，控制注入深度的主要參數(shù)是？A.注入能量B.注入時間C.注入劑量D.離子種類9.光刻工藝的關(guān)鍵步驟順序是？A.涂膠-曝光-顯影-刻蝕B.曝光-涂膠-顯影-刻蝕C.涂膠-顯影-曝光-刻蝕D.刻蝕-涂膠-曝光-顯影10.以下哪種薄膜沉積技術(shù)精度較高？A.物理氣相沉積（PVD）B.化學(xué)氣相沉積（CVD）C.磁控濺射鍍膜D.蒸發(fā)鍍膜答案：1.C2.B3.B4.C5.D6.B7.B8.A9.A10.B二、多項選擇題（每題2分，共10題）1.工藝整合中涉及的關(guān)鍵工藝有？A.光刻B.刻蝕C.薄膜沉積D.離子注入2.光刻工藝的主要組成部分包括？A.光刻膠B.掩膜版C.光刻機(jī)D.顯影液3.以下屬于干法刻蝕優(yōu)點的是？A.刻蝕精度高B.均勻性好C.對基板損傷小D.設(shè)備成本低4.影響化學(xué)機(jī)械拋光效果的因素有？A.壓力B.相對速度C.拋光墊性質(zhì)D.拋光液成分5.離子注入的優(yōu)點有？A.精確控制雜質(zhì)分布B.低溫工藝C.可注入多種離子D.設(shè)備簡單6.用于半導(dǎo)體制造的氧化工藝有？A.干氧化B.濕氧化C.化學(xué)氧化D.等離子體氧化7.薄膜沉積方法中的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）優(yōu)點是？A.沉積溫度低B.沉積速率高C.薄膜質(zhì)量高D.可大面積沉積8.工藝整合工程師需要考慮的因素有？A.成本B.工藝兼容性C.產(chǎn)品良率D.生產(chǎn)效率9.常見的光刻膠分類有？A.正性光刻膠B.負(fù)性光刻膠C.中性光刻膠D.酸性光刻膠10.半導(dǎo)體制造中，清洗工藝的作用是？A.去除雜質(zhì)B.去除光刻膠C.保持表面清潔D.改善表面粗糙度答案：1.ABCD2.ABCD3.ABC4.ABCD5.ABC6.AB7.ABD8.ABCD9.AB10.ABC三、判斷題（每題2分，共10題）1.光刻工藝只能用于集成電路制造。（）2.化學(xué)機(jī)械拋光過程中，拋光液的作用只是潤滑。（）3.離子注入后不需要進(jìn)行退火處理。（）4.氧化工藝可以提高硅表面的耐腐蝕性。（）5.等離子體刻蝕是一種濕法刻蝕技術(shù)。（）6.光刻膠的感光度越高，曝光時間越短。（）7.淺溝槽隔離（STI）工藝可以完全消除閂鎖效應(yīng)。（）8.多晶硅的導(dǎo)電性比單晶硅好。（）9.工藝整合的目標(biāo)是將各個單元工藝有機(jī)結(jié)合，實現(xiàn)芯片性能優(yōu)化。（）10.薄膜沉積過程中，沉積速率越大越好。（）答案：1.×2.×3.×4.√5.×6.√7.×8.×9.√10.×四、簡答題（每題5分，共4題）1.簡述光刻工藝的基本原理。利用光刻機(jī)將掩膜版上的圖形通過曝光轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的硅片上，光刻膠經(jīng)曝光發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，顯影后留下所需圖形，后續(xù)可進(jìn)行刻蝕等工藝。2.化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）在工藝整合中的重要性體現(xiàn)在哪些方面？CMP可使芯片表面全局平整，保證后續(xù)光刻等工藝精度，減少元件高度差對性能的影響，提高芯片集成度和可靠性，是多層布線工藝中必不可少的環(huán)節(jié)。3.離子注入為何要進(jìn)行退火處理？離子注入會損傷硅晶格。退火能修復(fù)晶格損傷，使注入離子激活，恢復(fù)硅的電學(xué)性能；還可消除注入產(chǎn)生的缺陷，確保雜質(zhì)正確分布，提高器件性能和穩(wěn)定性。4.氧化工藝生成的二氧化硅有哪些應(yīng)用場景？可作絕緣介質(zhì)，隔離不同器件或布線層；作為柵極氧化物，控制晶體管開啟和關(guān)斷；在摻雜過程中作掩蔽層；保護(hù)硅表面，防止雜質(zhì)擴(kuò)散和外界侵蝕。五、討論題（每題5分，共4題）1.工藝整合中如何平衡成本和性能？可選用性價比高的設(shè)備和材料，在保證性能前提下降低材料損耗；優(yōu)化工藝流程，提高生產(chǎn)效率；研發(fā)新技術(shù)簡化工藝步驟，降低成本的同時提升性能。2.光刻技術(shù)發(fā)展對工藝整合產(chǎn)生了哪些影響？高精度光刻技術(shù)使芯片特征尺寸縮小，提高集成度和性能；光刻分辨率提升促使其他工藝精度要求提高，促進(jìn)工藝協(xié)同優(yōu)化；新光刻技術(shù)出現(xiàn)改變整體工藝流程和布局。3.談?wù)勲x子注入和擴(kuò)散工藝在雜質(zhì)摻雜方面的優(yōu)劣。離子注入優(yōu)點是精確控制摻雜，低溫工藝對器件影響小，可注入多元素；缺點是損傷晶格，需退火。擴(kuò)散工藝優(yōu)點是設(shè)