2026年EMI測(cè)試技術(shù)員面試技巧與要點(diǎn)一、單選題（每題2分，共20題）1.EMI測(cè)試中，屏蔽效能(SER)主要取決于以下哪個(gè)因素？A.材料的導(dǎo)電性B.屏蔽體的幾何形狀C.頻率D.以上都是2.在EMI測(cè)試中，輻射發(fā)射測(cè)試與傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的主要區(qū)別在于？A.測(cè)試頻段不同B.測(cè)試設(shè)備不同C.信號(hào)耦合方式不同D.測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)不同3.EMI測(cè)試中，天線的高度通常設(shè)置為多少米進(jìn)行開闊場(chǎng)測(cè)試？A.1米B.3.5米C.10米D.15米4.根據(jù)國際標(biāo)準(zhǔn)，CISPR22標(biāo)準(zhǔn)適用于哪種設(shè)備的EMI測(cè)試？A.信息技術(shù)設(shè)備B.電動(dòng)工具C.通信設(shè)備D.以上都是5.EMI測(cè)試中，輻射發(fā)射測(cè)試的典型頻率范圍是多少？A.150kHz-30MHzB.30MHz-1GHzC.150kHz-1GHzD.9kHz-1GHz6.EMI測(cè)試中，傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的典型頻率范圍是多少？A.150kHz-30MHzB.30MHz-1GHzC.150kHz-1GHzD.9kHz-1GHz7.EMI測(cè)試中，輻射發(fā)射測(cè)試的典型距離是多少？A.3米B.10米C.30米D.100米8.EMI測(cè)試中，傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的典型耦合方式有哪些？A.線路耦合、場(chǎng)耦合B.空氣耦合、電容耦合C.磁耦合、電耦合D.以上都是9.EMI測(cè)試中，屏蔽效能(SER)的單位是什么？A.dBB.dBmC.AD.V10.EMI測(cè)試中，哪些設(shè)備需要通過傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試？A.電源適配器B.通信設(shè)備C.電機(jī)D.以上都是二、多選題（每題3分，共10題）1.EMI測(cè)試中，常見的輻射發(fā)射干擾源有哪些？A.微波爐B.無線電發(fā)射設(shè)備C.電機(jī)D.LED燈2.EMI測(cè)試中，傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的典型測(cè)試點(diǎn)有哪些？A.電源線B.接地線C.數(shù)據(jù)線D.信號(hào)線3.EMI測(cè)試中，哪些因素會(huì)影響屏蔽效能？A.材料的導(dǎo)電性B.屏蔽體的幾何形狀C.頻率D.屏蔽體的厚度4.EMI測(cè)試中，哪些設(shè)備需要通過輻射發(fā)射測(cè)試？A.電視B.電腦C.手機(jī)D.無線通信設(shè)備5.EMI測(cè)試中，哪些測(cè)試環(huán)境要求較高？A.開闊場(chǎng)B.半自由場(chǎng)C.電磁屏蔽室D.阻塞場(chǎng)6.EMI測(cè)試中，哪些標(biāo)準(zhǔn)適用于消費(fèi)電子設(shè)備的EMI測(cè)試？A.CISPR22B.FCCPart15C.IEC61000D.ISO114527.EMI測(cè)試中，哪些措施可以降低傳導(dǎo)發(fā)射？A.使用濾波器B.屏蔽電纜C.降低工作頻率D.減少接地環(huán)路8.EMI測(cè)試中，哪些設(shè)備需要通過輻射發(fā)射測(cè)試？A.電視B.電腦C.手機(jī)D.無線通信設(shè)備9.EMI測(cè)試中，哪些因素會(huì)影響屏蔽效能？A.材料的導(dǎo)電性B.屏蔽體的幾何形狀C.頻率D.屏蔽體的厚度10.EMI測(cè)試中，哪些測(cè)試環(huán)境要求較高？A.開闊場(chǎng)B.半自由場(chǎng)C.電磁屏蔽室D.阻塞場(chǎng)三、判斷題（每題1分，共20題）1.EMI測(cè)試中，屏蔽效能越高，EMI干擾越強(qiáng)。（×）2.EMI測(cè)試中，輻射發(fā)射測(cè)試需要在開闊場(chǎng)進(jìn)行。（√）3.EMI測(cè)試中，傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試需要在屏蔽室進(jìn)行。（√）4.EMI測(cè)試中，屏蔽效能的單位是dB。（√）5.EMI測(cè)試中，輻射發(fā)射測(cè)試的典型頻率范圍是150kHz-1GHz。（√）6.EMI測(cè)試中，傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的典型頻率范圍是150kHz-1GHz。（×）7.EMI測(cè)試中，輻射發(fā)射測(cè)試的典型距離是3米。（×）8.EMI測(cè)試中，傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的典型測(cè)試點(diǎn)是電源線和數(shù)據(jù)線。（√）9.EMI測(cè)試中，屏蔽效能主要取決于材料的導(dǎo)電性。（√）10.EMI測(cè)試中，輻射發(fā)射測(cè)試和傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的測(cè)試方法相同。（×）11.EMI測(cè)試中，屏蔽效能的單位是dB。（√）12.EMI測(cè)試中，輻射發(fā)射測(cè)試需要在開闊場(chǎng)進(jìn)行。（√）13.EMI測(cè)試中，傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試需要在屏蔽室進(jìn)行。（√）14.EMI測(cè)試中，屏蔽效能越高，EMI干擾越強(qiáng)。（×）15.EMI測(cè)試中，輻射發(fā)射測(cè)試的典型頻率范圍是150kHz-1GHz。（√）16.EMI測(cè)試中，傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的典型頻率范圍是150kHz-1GHz。（×）17.EMI測(cè)試中，輻射發(fā)射測(cè)試的典型距離是3米。（×）18.EMI測(cè)試中，傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的典型測(cè)試點(diǎn)是電源線和數(shù)據(jù)線。（√）19.EMI測(cè)試中，屏蔽效能主要取決于材料的導(dǎo)電性。（√）20.EMI測(cè)試中，輻射發(fā)射測(cè)試和傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的測(cè)試方法相同。（×）四、簡答題（每題5分，共5題）1.簡述EMI測(cè)試的基本流程。2.簡述屏蔽效能的影響因素。3.簡述傳導(dǎo)發(fā)射的測(cè)試方法。4.簡述輻射發(fā)射的測(cè)試方法。5.簡述EMI測(cè)試中常見的屏蔽措施。五、計(jì)算題（每題10分，共2題）1.某設(shè)備在頻率100MHz時(shí)，輻射發(fā)射為30dBμV/m，在頻率200MHz時(shí)，輻射發(fā)射為25dBμV/m。求該設(shè)備在100MHz和200MHz時(shí)的屏蔽效能。2.某設(shè)備在電源線上傳導(dǎo)發(fā)射為60dBμV，在接地線上傳導(dǎo)發(fā)射為50dBμV。求該設(shè)備的總傳導(dǎo)發(fā)射。答案與解析一、單選題1.D解析：屏蔽效能(SER)主要取決于材料的導(dǎo)電性、屏蔽體的幾何形狀和頻率。這三者共同決定了屏蔽體的屏蔽效果。2.C解析：輻射發(fā)射測(cè)試和傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的主要區(qū)別在于信號(hào)耦合方式不同，前者通過空間傳播，后者通過線路傳播。3.B解析：根據(jù)國際標(biāo)準(zhǔn)，開闊場(chǎng)測(cè)試的天線高度通常設(shè)置為3.5米，以保證測(cè)試的準(zhǔn)確性。4.A解析：CISPR22標(biāo)準(zhǔn)適用于信息技術(shù)設(shè)備的EMI測(cè)試，包括電腦、顯示器等。5.C解析：輻射發(fā)射測(cè)試的典型頻率范圍是150kHz-1GHz，覆蓋了大部分的電磁干擾頻率。6.A解析：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的典型頻率范圍是150kHz-30MHz，主要測(cè)試通過電源線、信號(hào)線傳播的電磁干擾。7.B解析：輻射發(fā)射測(cè)試的典型距離是10米，以保證測(cè)試的準(zhǔn)確性。8.D解析：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的典型耦合方式包括線路耦合、場(chǎng)耦合、磁耦合和電耦合。9.A解析：屏蔽效能(SER)的單位是dB，表示屏蔽體對(duì)電磁波的衰減能力。10.D解析：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試適用于電源適配器、通信設(shè)備、電機(jī)等多種設(shè)備，需要測(cè)試其通過線路傳播的電磁干擾。二、多選題1.A、B、D解析：微波爐、無線電發(fā)射設(shè)備和LED燈都是常見的輻射發(fā)射干擾源。2.A、B、C、D解析：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的典型測(cè)試點(diǎn)包括電源線、接地線、數(shù)據(jù)線和信號(hào)線。3.A、B、C、D解析：屏蔽效能的影響因素包括材料的導(dǎo)電性、屏蔽體的幾何形狀、頻率和屏蔽體的厚度。4.A、B、C、D解析：輻射發(fā)射測(cè)試適用于電視、電腦、手機(jī)和無線通信設(shè)備等多種設(shè)備。5.A、C解析：開闊場(chǎng)和電磁屏蔽室是EMI測(cè)試中要求較高的測(cè)試環(huán)境。6.A、B解析：CISPR22和FCCPart15標(biāo)準(zhǔn)適用于消費(fèi)電子設(shè)備的EMI測(cè)試。7.A、B、D解析：降低傳導(dǎo)發(fā)射的措施包括使用濾波器、屏蔽電纜和減少接地環(huán)路。8.A、B、C、D解析：輻射發(fā)射測(cè)試適用于電視、電腦、手機(jī)和無線通信設(shè)備等多種設(shè)備。9.A、B、C、D解析：屏蔽效能的影響因素包括材料的導(dǎo)電性、屏蔽體的幾何形狀、頻率和屏蔽體的厚度。10.A、C解析：開闊場(chǎng)和電磁屏蔽室是EMI測(cè)試中要求較高的測(cè)試環(huán)境。三、判斷題1.×解析：屏蔽效能越高，EMI干擾越弱。2.√解析：輻射發(fā)射測(cè)試需要在開闊場(chǎng)進(jìn)行，以保證測(cè)試的準(zhǔn)確性。3.√解析：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試需要在屏蔽室進(jìn)行，以避免外部干擾。4.√解析：屏蔽效能的單位是dB。5.√解析：輻射發(fā)射測(cè)試的典型頻率范圍是150kHz-1GHz。6.×解析：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的典型頻率范圍是150kHz-30MHz。7.×解析：輻射發(fā)射測(cè)試的典型距離是10米。8.√解析：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的典型測(cè)試點(diǎn)是電源線和數(shù)據(jù)線。9.√解析：屏蔽效能主要取決于材料的導(dǎo)電性。10.×解析：輻射發(fā)射測(cè)試和傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的測(cè)試方法不同。11.√解析：屏蔽效能的單位是dB。12.√解析：輻射發(fā)射測(cè)試需要在開闊場(chǎng)進(jìn)行。13.√解析：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試需要在屏蔽室進(jìn)行。14.×解析：屏蔽效能越高，EMI干擾越弱。15.√解析：輻射發(fā)射測(cè)試的典型頻率范圍是150kHz-1GHz。16.×解析：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的典型頻率范圍是150kHz-30MHz。17.×解析：輻射發(fā)射測(cè)試的典型距離是10米。18.√解析：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的典型測(cè)試點(diǎn)是電源線和數(shù)據(jù)線。19.√解析：屏蔽效能主要取決于材料的導(dǎo)電性。20.×解析：輻射發(fā)射測(cè)試和傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的測(cè)試方法不同。四、簡答題1.簡述EMI測(cè)試的基本流程。EMI測(cè)試的基本流程包括：①測(cè)試準(zhǔn)備（選擇測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、準(zhǔn)備測(cè)試設(shè)備）；②測(cè)試環(huán)境搭建（選擇測(cè)試場(chǎng)地、搭建屏蔽室）；③設(shè)備校準(zhǔn)（校準(zhǔn)測(cè)試設(shè)備）；④測(cè)試實(shí)施（進(jìn)行輻射發(fā)射和傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試）；⑤數(shù)據(jù)分析（分析測(cè)試結(jié)果）；⑥整改措施（根據(jù)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行整改）；⑦復(fù)測(cè)驗(yàn)證（進(jìn)行復(fù)測(cè)驗(yàn)證）。2.簡述屏蔽效能的影響因素。屏蔽效能的影響因素包括：①材料的導(dǎo)電性（導(dǎo)電性越好，屏蔽效果越好）；②屏蔽體的幾何形狀（屏蔽體的幾何形狀越復(fù)雜，屏蔽效果越差）；③頻率（頻率越高，屏蔽效果越差）；④屏蔽體的厚度（厚度越大，屏蔽效果越好）。3.簡述傳導(dǎo)發(fā)射的測(cè)試方法。傳導(dǎo)發(fā)射的測(cè)試方法包括：①選擇測(cè)試頻段（150kHz-30MHz）；②選擇測(cè)試設(shè)備（頻譜分析儀、線路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)）；③選擇測(cè)試點(diǎn)（電源線、數(shù)據(jù)線）；④進(jìn)行測(cè)試（測(cè)量傳導(dǎo)發(fā)射水平）；⑤分析結(jié)果（與標(biāo)準(zhǔn)限值比較）。4.簡述輻射發(fā)射的測(cè)試方法。輻射發(fā)射的測(cè)試方法包括：①選擇測(cè)試頻段（150kHz-1GHz）；②選擇測(cè)試設(shè)備（頻譜分析儀、天線）；③選擇測(cè)試距離（10米）；④進(jìn)行測(cè)試（測(cè)量輻射發(fā)射水平）；⑤分析結(jié)果（與標(biāo)準(zhǔn)限值比較）。5.簡述EMI測(cè)試中常見的屏蔽措施。EMI測(cè)試中常見的屏蔽措施包括：①使用屏蔽材料（如金屬屏蔽罩）；②使用濾波器（如電源濾波器）；③使用接地技術(shù)（如單點(diǎn)接地）；④使用屏蔽電纜（如屏蔽電纜）；⑤優(yōu)化電路設(shè)計(jì)（如減小環(huán)路面積）。五、計(jì)算題1.某設(shè)備在頻率100MHz時(shí)，輻射發(fā)射為30dBμV/m，在頻率200MHz時(shí)，輻射發(fā)射為25dBμV/m。求該設(shè)備在100MHz和200MHz時(shí)的屏蔽效能。解：屏蔽效能(SER)=輻射發(fā)射限值-實(shí)際輻射發(fā)射在100MHz時(shí)，輻射發(fā)射限值為60dBμV/m（假設(shè)標(biāo)準(zhǔn)限值為60dBμV/m），屏蔽效能=60dBμV/m-30dBμV/m=30dB在200MHz時(shí)，輻射發(fā)射限值為60dBμV/m（假設(shè)標(biāo)準(zhǔn)限值為60dBμV/m），屏蔽效能=60dBμV/m-25dBμV/m=35dB2.某設(shè)備在電源線上傳導(dǎo)發(fā)射