電光調(diào)制技術(shù)有限公司匯報人：XX目錄第一章電光調(diào)制技術(shù)概述第二章電光調(diào)制器的分類第四章電光調(diào)制技術(shù)應(yīng)用第三章電光調(diào)制技術(shù)原理第五章電光調(diào)制技術(shù)挑戰(zhàn)與前景第六章電光調(diào)制技術(shù)研究進(jìn)展電光調(diào)制技術(shù)概述第一章技術(shù)定義與原理利用電光效應(yīng)，通過外電場改變晶體折射率實現(xiàn)光信號調(diào)控。電光調(diào)制定義基于線性電光效應(yīng)，電場致折射率變化，影響光波傳播特性。電光調(diào)制原理應(yīng)用領(lǐng)域用于高速數(shù)據(jù)傳輸，實現(xiàn)電子信號到光信號轉(zhuǎn)換，支撐40Gbps高速傳輸。光通信領(lǐng)域01實現(xiàn)激光調(diào)Q、光閘功能，用于量子態(tài)編碼及光孤子通信。激光與量子技術(shù)02雷達(dá)信號調(diào)制解調(diào)，醫(yī)療成像治療，提升信號處理精度與成像質(zhì)量。技術(shù)測量與醫(yī)療03發(fā)展歷程19世紀(jì)末機(jī)械快門調(diào)制，20世紀(jì)初電光效應(yīng)發(fā)現(xiàn)，開啟電光調(diào)制技術(shù)新紀(jì)元。早期探索20世紀(jì)后半葉全光調(diào)制技術(shù)興起，21世紀(jì)集成光子學(xué)推動微型化發(fā)展。技術(shù)突破電光調(diào)制器的分類第二章基于材料的分類薄膜鈮酸鋰調(diào)制器尺寸小、帶寬大，適配800G高速率光模塊場景。鈮酸鋰調(diào)制器01硅基調(diào)制器速率約60-90Gbaud，磷化銦調(diào)制器可達(dá)130Gbaud。硅基與磷化銦調(diào)制器02基于結(jié)構(gòu)的分類波導(dǎo)調(diào)制器體積小，功耗低，便于集成體調(diào)制器體積大，功耗高，調(diào)制電壓大0102基于調(diào)制方式的分類相位調(diào)制器強(qiáng)度調(diào)制器01通過電場改變光波相位，實現(xiàn)相位編碼和多路復(fù)用，適用于相干光通信。02利用電場控制光強(qiáng)，如馬赫-曾德爾型，通過折射率變化實現(xiàn)光強(qiáng)調(diào)制，用于高速數(shù)據(jù)傳輸。電光調(diào)制技術(shù)原理第三章電光效應(yīng)基礎(chǔ)分線性與非線性，普克爾效應(yīng)與克爾效應(yīng)為代表電光效應(yīng)分類外加電場致材料折射率變化，改變光學(xué)特性電光效應(yīng)定義調(diào)制器工作原理01電光效應(yīng)基礎(chǔ)外加電場改變晶體折射率，實現(xiàn)光信號調(diào)制02調(diào)制器結(jié)構(gòu)由電光晶體、電極、波導(dǎo)等構(gòu)成，實現(xiàn)光信號控制03調(diào)制方式包括強(qiáng)度、相位、偏振調(diào)制，滿足不同應(yīng)用需求關(guān)鍵性能參數(shù)01半波電壓使調(diào)制器輸出變化π弧度所需電壓，Vπ越小效率越高02調(diào)制帶寬調(diào)制器正常工作的最高頻率，帶寬越高性能越優(yōu)03消光比輸出光功率最大與最小值比，ER越大信號質(zhì)量越好電光調(diào)制技術(shù)應(yīng)用第四章光纖通信電光調(diào)制器實現(xiàn)1550nm波段160GHz帶寬，支撐單通道40Gbps高速傳輸。高速數(shù)據(jù)傳輸光纖低損耗特性結(jié)合電光調(diào)制，實現(xiàn)百萬公里級穩(wěn)定傳輸。長距離通信光學(xué)測量基于波長調(diào)制型SPR傳感技術(shù)，通過共振波長與介質(zhì)折射率的關(guān)系，實現(xiàn)高靈敏度折射率檢測。折射率測量0304利用波面干涉技術(shù)，通過折射率與形變分布分析，實現(xiàn)表面粗糙度及形變的高精度測量。表面形變檢測0102光學(xué)測量應(yīng)用光學(xué)傳感電光調(diào)制器結(jié)合光纖傳感，可實時監(jiān)測空氣污染物濃度、水質(zhì)參數(shù)，助力環(huán)保。環(huán)境監(jiān)測電光調(diào)制器用于激光雷達(dá)、機(jī)器視覺系統(tǒng)，實現(xiàn)物體識別、定位及精密加工檢測。工業(yè)檢測在光學(xué)相干斷層掃描等醫(yī)學(xué)成像中，電光調(diào)制技術(shù)實現(xiàn)高精度成像，輔助疾病診斷。醫(yī)療成像010203電光調(diào)制技術(shù)挑戰(zhàn)與前景第五章當(dāng)前技術(shù)挑戰(zhàn)高頻測試設(shè)備帶寬不足，校準(zhǔn)難度隨頻率提升而增大調(diào)制帶寬限制800nm器件功率提升導(dǎo)致調(diào)制速率受限，需優(yōu)化設(shè)計功率與速率矛盾硅基調(diào)制器低損耗與高線性度不足，鈮酸鋰成本較高材料與工藝瓶頸技術(shù)發(fā)展趨勢AI算法優(yōu)化調(diào)制參數(shù)，實現(xiàn)動態(tài)補(bǔ)償溫漂與非線性失真智能化升級01向太赫茲頻段演進(jìn)，支撐6G空天地一體化網(wǎng)絡(luò)高頻化突破02可植入式器件助力光遺傳學(xué)，實現(xiàn)神經(jīng)元精準(zhǔn)調(diào)控微型化創(chuàng)新03未來應(yīng)用展望高速調(diào)制器推動800G/1.6T收發(fā)器發(fā)展，滿足AI計算需求人工智能與數(shù)據(jù)中心01薄膜鈮酸鋰調(diào)制器助力量子態(tài)編碼，實現(xiàn)超導(dǎo)線路接口量子信息處理02低功耗調(diào)制器加速FMCW激光雷達(dá)及微波光子技術(shù)應(yīng)用激光雷達(dá)與微波光子03電光調(diào)制技術(shù)研究進(jìn)展第六章最新研究成果PLZT調(diào)制器在200GBd速率下性能卓越，電光系數(shù)高達(dá)195pm/V，帶寬超70GHz。PLZT調(diào)制器全球首個110GHz純硅調(diào)制器，基于慢光效應(yīng)，CMOS兼容，適用于高速數(shù)據(jù)中心。硅基調(diào)制器實現(xiàn)1.1THz電光帶寬，3-dB帶寬997GHz，適用于太赫茲通信與傳感。等離子體調(diào)制器研究機(jī)構(gòu)與團(tuán)隊中科院、上海交大、北大等機(jī)構(gòu)及中興、武漢光迅等企業(yè)開展研究并取得成果國內(nèi)研究力量之江實驗室、上海微系統(tǒng)所等團(tuán)隊在調(diào)制器性能提升與集成技術(shù)上取得突破創(chuàng)新團(tuán)隊突破諾基亞貝爾實驗室、康奈爾大學(xué)等國際機(jī)構(gòu)持續(xù)創(chuàng)新，推動技術(shù)實用化國際研究前沿研究成果應(yīng)用案例國產(chǎn)化110GHz電光強(qiáng)度調(diào)制器實現(xiàn)C/L波段超高速傳輸，帶寬達(dá)國際先進(jìn)水平。高速光通信突破諧振型電光相