匯報人：XX先進封裝技術目錄封裝技術概述01先進封裝技術分類02封裝技術的優(yōu)勢03封裝技術的挑戰(zhàn)04封裝技術的創(chuàng)新05封裝技術的未來展望0601封裝技術概述封裝技術定義將芯片用材料封裝，實現(xiàn)保護、連接與功能擴展封裝技術內(nèi)涵發(fā)展歷程簡述從TO到DIP，金屬外殼向塑料轉(zhuǎn)型，實現(xiàn)基礎保護與引腳擴展。傳統(tǒng)封裝階段倒裝芯片、晶圓級封裝、3D堆疊等技術突破，推動系統(tǒng)性能躍升。先進封裝崛起當前市場趨勢01先進封裝崛起2025年全球先進封裝銷售額預計首超傳統(tǒng)封裝，市場規(guī)模持續(xù)擴張。02技術驅(qū)動增長AI、高性能計算等需求推動，先進封裝成為提升芯片性能關鍵路徑。03國產(chǎn)化加速國內(nèi)企業(yè)技術突破，在MLCC離型膜、載體銅箔等領域打破海外壟斷。02先進封裝技術分類球柵陣列封裝封裝類型包括PBGA、CBGA、TBGA、MBGA等，按氣密性分氣密與非氣密兩類。技術優(yōu)勢高引腳密度、低電阻、自對準焊接，提升信號完整性與散熱性能。堆疊芯片封裝堆疊已測試封裝體，良率高，但尺寸大、信號路徑長封裝堆疊特點垂直堆疊芯片，縮短信號路徑，提升集成度與性能芯片堆疊類型系統(tǒng)級封裝技術將多芯片及無源元件集成于單一封裝體內(nèi)封裝定義實現(xiàn)系統(tǒng)級集成，縮短開發(fā)周期，提高良率封裝優(yōu)勢03封裝技術的優(yōu)勢性能提升分析信號傳輸增強縮短互連距離，減少信號延遲，提高傳輸效率。集成度優(yōu)化先進封裝實現(xiàn)芯片高密度集成，提升系統(tǒng)整體性能。0102成本效益對比高端計算領域追求性能，愿付溢價；消費電子更關注成本控制，選擇適配方案。市場選擇邏輯先進封裝初始成本高，但系統(tǒng)級效益顯著，如能效提升節(jié)省長期運營成本。成本結(jié)構差異應用領域拓展先進封裝助力智能手機等設備實現(xiàn)高性能與小型化。消費電子革新提升車載系統(tǒng)性能與可靠性，滿足智能化需求。汽車電子升級04封裝技術的挑戰(zhàn)制造工藝難題激光加工效率低、成本高，刻蝕工藝垂直度難控，影響金屬化質(zhì)量。高深寬比通孔機械脆弱易碎，翹曲控制難，臨時鍵合/解鍵合風險高。超薄玻璃加工μm級精度要求高，玻璃透明性使光刻對準標記識別困難。多層堆疊對準熱管理問題多層芯片疊加致下層芯片熱量積聚，形成“熱島效應”。熱堆積效應填充樹脂等材料熱導率低，熱量擴散困難，增加過熱風險。材料熱性能限制可靠性與測試遵循JEDEC、MIL-STD等國際標準，確保產(chǎn)品可靠性達標。測試標準嚴苛涵蓋環(huán)境、機械、壽命加速測試，全面評估封裝性能。測試項目多樣05封裝技術的創(chuàng)新新材料應用玻璃基板突破低熱膨脹系數(shù)與高平整度，支撐高密度封裝與Chiplet互連納米涂層提升石墨烯散熱層與MXene電磁屏蔽，增強高頻射頻封裝可靠性設備與工具進步普萊信智能Loong系列TCB設備精度達±1μm，效率提升25%。國產(chǎn)設備突破北方華創(chuàng)12英寸電鍍設備實現(xiàn)TSV銅填充，支持2.5D/3D封裝。高精度工具迭代研究與開發(fā)趨勢采用TSV/TGV技術實現(xiàn)多芯片垂直堆疊與橫向互聯(lián)，提升集成度與帶寬。3D/2.5D集成優(yōu)化再布線層設計，實現(xiàn)更高I/O密度與更小封裝尺寸。晶圓級與扇出封裝通過小芯片模塊化設計，結(jié)合先進封裝實現(xiàn)高性能系統(tǒng)級集成。Chiplet異構集成01020306封裝技術的未來展望行業(yè)發(fā)展趨勢預測先進封裝向三維集成、光電融合發(fā)展，推動芯片性能突破。技術迭代加速全球先進封裝市場預計2028年達786億美元，中國增速領先。市場規(guī)模擴大材料、設備國產(chǎn)化率提升，本土企業(yè)競爭力增強。國產(chǎn)化進程提速技術創(chuàng)新方向融合不同材料與工藝，實現(xiàn)多芯片異構集成，滿足復雜需求異質(zhì)集成創(chuàng)新通過TSV、3D堆疊實現(xiàn)芯片垂直互聯(lián)，提升集成度與性能三維集成突破潛在市場機遇AI服務器、數(shù)據(jù)中心擴容推動2.5D/3D封裝需求，預計2025年市場規(guī)模達150億美元AI與HPC驅(qū)動0102