2026電子職稱考試題庫(kù)及答案一、單項(xiàng)選擇題（每題1分，共40分）1.在數(shù)字電路中，觸發(fā)器的基本功能是A.放大信號(hào)B.存儲(chǔ)1位二進(jìn)制信息C.進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換D.實(shí)現(xiàn)邏輯運(yùn)算答案：B2.下列關(guān)于CMOS電路功耗的描述，正確的是A.靜態(tài)功耗遠(yuǎn)大于動(dòng)態(tài)功耗B.動(dòng)態(tài)功耗與頻率無(wú)關(guān)C.動(dòng)態(tài)功耗與電源電壓平方成正比D.靜態(tài)功耗與溫度無(wú)關(guān)答案：C3.在VerilogHDL中，阻塞賦值符號(hào)是A.<=B.=C.:=D.<答案：B4.某8位ADC的參考電壓為5V，其量化步長(zhǎng)為A.19.53mVB.39.06mVC.9.77mVD.78.13mV答案：A5.在I2C總線中，起始條件的定義是A.SCL高電平時(shí)SDA出現(xiàn)下降沿B.SCL低電平時(shí)SDA出現(xiàn)下降沿C.SCL高電平時(shí)SDA出現(xiàn)上升沿D.SDA保持低電平超過(guò)9個(gè)時(shí)鐘周期答案：A6.下列關(guān)于PCB微帶線特性阻抗的說(shuō)法，錯(cuò)誤的是A.與介質(zhì)厚度成正比B.與線寬成反比C.與介電常數(shù)平方根成反比D.與銅箔厚度無(wú)關(guān)答案：D7.在EMC測(cè)試中，輻射發(fā)射的常用天線是A.環(huán)形天線B.雙錐天線C.對(duì)數(shù)周期天線D.喇叭天線答案：C8.某運(yùn)放增益帶寬積為10MHz，閉環(huán)增益為20dB，則其-3dB帶寬約為A.1MHzB.0.5MHzC.2MHzD.10MHz答案：A9.在STM32中，配置GPIO為開漏輸出應(yīng)設(shè)置的寄存器位是A.MODERB.OTYPERC.OSPEEDRD.PUPDR答案：B10.下列關(guān)于鋰電池保護(hù)IC的功能，不包括A.過(guò)充保護(hù)B.過(guò)放保護(hù)C.短路保護(hù)D.升壓轉(zhuǎn)換答案：D11.在CAN總線中，標(biāo)識(shí)符11位標(biāo)準(zhǔn)幀的優(yōu)先級(jí)由A.標(biāo)識(shí)符數(shù)值越小優(yōu)先級(jí)越高B.標(biāo)識(shí)符數(shù)值越大優(yōu)先級(jí)越高C.RTR位決定D.IDE位決定答案：A12.某濾波器傳遞函數(shù)為H(s)=1/(s2+2s+1)，其阻尼系數(shù)為A.0.5B.1C.2D.0.707答案：B13.在射頻功率放大器中，提高PAE的主要措施是A.提高靜態(tài)電流B.降低輸出匹配損耗C.增加級(jí)數(shù)D.降低電源電壓答案：B14.下列關(guān)于DDR4SDRAM的說(shuō)法，正確的是A.預(yù)取深度為8nB.工作電壓為1.8VC.采用SSTL_18電平D.最高速率3200MT/s答案：A15.在Python中，將字符串“0xFF”轉(zhuǎn)換為整數(shù)應(yīng)使用A.int("0xFF")B.int("0xFF",16)C.str.toInt("0xFF")D.hex.toInt("0xFF")答案：B16.下列關(guān)于SiCMOSFET的特點(diǎn)，錯(cuò)誤的是A.導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)為正B.體二極管反向恢復(fù)時(shí)間短C.驅(qū)動(dòng)電壓與硅MOSFET相同D.可工作于200℃結(jié)溫答案：C17.在FPGA中，實(shí)現(xiàn)高速串行收發(fā)器的專用模塊簡(jiǎn)稱A.PLLB.SERDESC.DSPD.BRAM答案：B18.某Buck轉(zhuǎn)換器輸入12V，輸出5V，負(fù)載2A，效率90%，輸入電流約為A.0.93AB.1.11AC.0.83AD.1.25A答案：B19.在電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2中，接觸放電最高等級(jí)為A.4kVB.6kVC.8kVD.15kV答案：C20.下列關(guān)于LTspice的描述，正確的是A.僅支持線性分析B.采用蒙特卡洛分析需外掛PythonC.支持第三方MOSFET模型D.不支持參數(shù)掃描答案：C21.在藍(lán)牙5.2協(xié)議中，新增的功能是A.2MPHYB.LE長(zhǎng)距離C.LE音頻D.廣播擴(kuò)展答案：C22.某單片機(jī)內(nèi)部RC振蕩器溫漂為±2%，若工作溫度范圍-40~85℃，則最大頻偏約為A.±1%B.±2%C.±3%D.±4%答案：B23.在以太網(wǎng)PHY芯片中，MDI接口指的是A.管理數(shù)據(jù)接口B.介質(zhì)相關(guān)接口C.串行管理接口D.媒體獨(dú)立接口答案：B24.下列關(guān)于TVS二極管的選型，正確的是A.反向關(guān)斷電壓應(yīng)小于被保護(hù)器件最大工作電壓B.鉗位電壓越低越好C.峰值脈沖功率應(yīng)大于預(yù)期浪涌能量D.結(jié)電容越大越好答案：C25.在AltiumDesigner中，實(shí)現(xiàn)差分對(duì)走線快捷鍵是A.P+LB.P+IC.P+MD.P+T答案：B26.某運(yùn)放輸入失調(diào)電壓為1mV，閉環(huán)增益為40dB，則輸出失調(diào)電壓約為A.1mVB.10mVC.100mVD.1V答案：C27.在Linux設(shè)備樹中，描述GPIO引腳應(yīng)使用A.gpio-hogB.gpios屬性C.pinctrl-0D.interrupts屬性答案：B28.下列關(guān)于Type-C接口CC引腳功能，錯(cuò)誤的是A.檢測(cè)插頭方向B.協(xié)商供電能力C.傳輸U(kuò)SB2.0數(shù)據(jù)D.發(fā)現(xiàn)附件模式答案：C29.在射頻匹配網(wǎng)絡(luò)中，Smith圓圖上方區(qū)域代表A.感性阻抗B.容性阻抗C.純電阻D.開路點(diǎn)答案：A30.某單片機(jī)ADC采樣率為1MSPS，輸入信號(hào)最高頻率為400kHz，則A.滿足奈奎斯特準(zhǔn)則B.需加抗混疊濾波器截止500kHzC.需加抗混疊濾波器截止200kHzD.無(wú)需濾波器答案：C31.在C語(yǔ)言中，關(guān)鍵字volatile的作用是A.強(qiáng)制變量存儲(chǔ)于寄存器B.告訴編譯器變量可能隨時(shí)改變C.禁止中斷D.實(shí)現(xiàn)原子操作答案：B32.下列關(guān)于EMI濾波器安裝，正確的是A.輸入輸出線可平行走線B.濾波器外殼無(wú)需接地C.濾波器盡量靠近設(shè)備入口D.濾波器輸出端可延長(zhǎng)1m答案：C33.在功率因數(shù)校正電路中，臨界導(dǎo)通模式的英文縮寫是A.CCMB.DCMC.CRMD.BCM答案：C34.某晶振負(fù)載電容為12pF，若兩引腳對(duì)地電容均為6pF，則匹配電容應(yīng)為A.6pFB.12pFC.18pFD.24pF答案：A35.在Python列表推導(dǎo)式中，生成0~9的偶數(shù)列表應(yīng)寫為A.[xforxinrange(10)ifx%2]B.[xforxinrange(10)ifnotx%2]C.[xifx%2==0forxinrange(10)]D.[xforxinrange(10)ifx%2==1]答案：B36.下列關(guān)于整流橋選型，正確的是A.反向耐壓應(yīng)大于峰值輸入電壓B.平均電流應(yīng)大于負(fù)載峰值電流C.浪涌電流可忽略D.無(wú)需考慮散熱答案：A37.在RS-485總線中，終端電阻一般取A.60ΩB.120ΩC.220ΩD.330Ω答案：B38.某MOSFET總柵極電荷為50nC，驅(qū)動(dòng)電壓10V，驅(qū)動(dòng)器輸出電流1A，則開通時(shí)間約為A.50nsB.500nsC.5μsD.50μs答案：A39.在FPGA時(shí)序約束中，定義時(shí)鐘不確定性使用A.set_max_delayB.set_clock_uncertaintyC.set_false_pathD.set_multicycle_path答案：B40.下列關(guān)于鋰離子電池循環(huán)壽命，影響因素最小的是A.充電截止電壓B.放電倍率C.環(huán)境溫度D.電池封裝顏色答案：D二、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共30分）41.下列哪些措施可降低開關(guān)電源EMIA.增加RC吸收回路B.使用屏蔽電感C.提高開關(guān)頻率D.優(yōu)化PCB地平面答案：A、B、D42.關(guān)于DDR布線，正確的有A.時(shí)鐘差分對(duì)內(nèi)長(zhǎng)度差小于5milB.數(shù)據(jù)組內(nèi)長(zhǎng)度差小于10milC.地址線可忽略等長(zhǎng)D.需做VREF平面分割答案：A、B、D43.下列屬于Python內(nèi)置數(shù)據(jù)類型的有A.tupleB.dictC.arrayD.set答案：A、B、D44.下列關(guān)于SiC肖特基二極管優(yōu)點(diǎn)，正確的有A.反向恢復(fù)電荷幾乎為零B.可降低MOSFET開通損耗C.適合高頻應(yīng)用D.正向壓降低于硅FRD答案：A、B、C45.在STM32中，以下外設(shè)可產(chǎn)生DMA請(qǐng)求的有A.ADCB.USARTC.GPIOD.TIM答案：A、B、D46.下列關(guān)于Linux內(nèi)核模塊編程，正確的有A.需使用module_init宏B.可使用printf打印C.需包含linux/module.hD.可用insmod加載答案：A、C、D47.下列關(guān)于射頻PA偏置電路，正確的有A.需溫度補(bǔ)償B.可用有源偏置C.需考慮記憶效應(yīng)D.可用二極管補(bǔ)償答案：A、B、D48.下列關(guān)于PCB層疊設(shè)計(jì)，正確的有A.高速信號(hào)緊鄰地平面B.電源平面可任意分割C.差分對(duì)對(duì)稱走線D.避免跨分割答案：A、C、D49.下列關(guān)于Python裝飾器，正確的有A.本質(zhì)是高階函數(shù)B.可用于日志記錄C.可疊加使用D.不能帶參數(shù)答案：A、B、C50.下列關(guān)于EMC測(cè)試項(xiàng)目，屬于抗擾度的有A.ESDB.EFTC.SurgeD.RE答案：A、B、C51.下列關(guān)于CANOpen協(xié)議，正確的有A.使用11位或29位標(biāo)識(shí)符B.支持PDO通信C.需要總線終端電阻D.采用主從結(jié)構(gòu)答案：A、B、C、D52.下列關(guān)于FPGA配置，正確的有A.可用JTAGB.可用SPIFlashC.可用CPU并行配置D.可用SD卡答案：A、B、C、D53.下列關(guān)于Python垃圾回收，正確的有A.采用引用計(jì)數(shù)B.采用分代回收C.可手動(dòng)調(diào)用gc.collect()D.可禁用垃圾回收答案：A、B、C、D54.下列關(guān)于Type-CPD協(xié)議，正確的有A.使用BMC編碼B.支持雙向供電C.最高100WD.需CC線通信答案：A、B、C、D55.下列關(guān)于運(yùn)放穩(wěn)定性，正確的有A.相位裕度大于45°通常穩(wěn)定B.容性負(fù)載易引起振蕩C.可加隔離電阻D.增益越高越穩(wěn)定答案：A、B、C三、判斷題（每題1分，共15分）56.在I2C總線中，時(shí)鐘拉伸由主機(jī)發(fā)起。答案：錯(cuò)57.Python中，列表是可變對(duì)象。答案：對(duì)58.在Buck轉(zhuǎn)換器中，輸出電壓一定小于輸入電壓。答案：對(duì)59.在FPGA中，LUT可實(shí)現(xiàn)任意4輸入邏輯函數(shù)。答案：對(duì)60.在CAN總線中，錯(cuò)誤幀由6個(gè)連續(xù)顯性位組成。答案：錯(cuò)61.在PCB設(shè)計(jì)中，直角走線會(huì)引入阻抗突變。答案：對(duì)62.在射頻電路中，S11參數(shù)表示反向增益。答案：錯(cuò)63.在Linux中，設(shè)備樹節(jié)點(diǎn)reg屬性描述地址范圍。答案：對(duì)64.在STM32中，NVIC可配置搶占優(yōu)先級(jí)和響應(yīng)優(yōu)先級(jí)。答案：對(duì)65.在Python中，裝飾器必須返回函數(shù)對(duì)象。答案：對(duì)66.在EMC測(cè)試中，電場(chǎng)探頭用于測(cè)量磁場(chǎng)。答案：錯(cuò)67.在DDR布線中，數(shù)據(jù)組可忽略等長(zhǎng)。答案：錯(cuò)68.在功率MOSFET中，Qg越大驅(qū)動(dòng)損耗越小。答案：錯(cuò)69.在Linux內(nèi)核中，kmalloc可申請(qǐng)連續(xù)物理內(nèi)存。答案：對(duì)70.在Type-C接口中，VBUS默認(rèn)5V。答案：對(duì)四、填空題（每空1分，共15分）71.在Verilog中，定義參數(shù)關(guān)鍵字為______。答案：parameter72.某Buck電感紋波電流為0.2A，負(fù)載1A，則電感電流峰值______A。答案：1.173.在Python中，生成隨機(jī)整數(shù)應(yīng)導(dǎo)入______模塊。答案：random74.在CAN總線中，位填充規(guī)則為連續(xù)______個(gè)相同位后插入反向位。答案：575.在EMC標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-3中，射頻輻射抗擾度測(cè)試頻率范圍______MHz。答案：80~100076.在STM32中，SysTick定時(shí)器為______位遞減計(jì)數(shù)器。答案：2477.在射頻功率單位中，1W等于______dBm。答案：3078.在PCB設(shè)計(jì)中，F(xiàn)R4常規(guī)介電常數(shù)約為______。答案：4.2~4.6（答4.3即可）79.在Linux中，查看內(nèi)核日志命令為______。答案：dmesg80.在Python中，將列表逆序的方法為______。答案：reverse()81.在I2C中，標(biāo)準(zhǔn)模式速率為______kbps。答案：10082.在MOSFET驅(qū)動(dòng)中，減小柵極電阻可______開關(guān)時(shí)間。答案：縮短83.在FPGA中，BRAM雙端口寬度可配置為______位。答案：1~36（答任意合理范圍即可）84.在EMC測(cè)試中，LISN用于______傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量。答案：電源端85.在Type-CPD中，PDO表示______對(duì)象。答案：PowerData五、簡(jiǎn)答題（每題10分，共30分）86.簡(jiǎn)述Buck轉(zhuǎn)換器輕載高效模式的三種實(shí)現(xiàn)方式，并比較優(yōu)缺點(diǎn)。答案：（1）脈沖跳躍模式（PFM）：通過(guò)降低頻率減少開關(guān)損耗，優(yōu)點(diǎn)是輕載效率高，缺點(diǎn)是輸出紋波大，EMI差。（2）脈沖頻率調(diào)制+固定導(dǎo)通時(shí)間：保持Ton不變，降低頻率，優(yōu)點(diǎn)是實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，缺點(diǎn)是頻率變化范圍大。（3）谷值切換模式：在電感電流谷值導(dǎo)通，減少開關(guān)損耗，優(yōu)點(diǎn)是效率曲線平滑，缺點(diǎn)是控制復(fù)雜，需檢測(cè)谷底。綜合比較，PFM適合低成本應(yīng)用，谷值切換適合高性能場(chǎng)合。87.給出STM32F4使用HAL庫(kù)配置TIM1產(chǎn)生1kHzPWM的完整代碼，包括GPIO、時(shí)鐘、占空比50%。答案：```cinclude"stm32f4xx_hal.h"TIM_HandleTypeDefhtim1;voidSystemClock_Config(void);staticvoidMX_GPIO_Init(void);staticvoidMX_TIM1_Init(void);intmain(void){HAL_Init();SystemClock_Config();MX_GPIO_Init();MX_TIM1_Init();HAL_TIM_PWM_Start(&htim1,TIM_CHANNEL_1);while(1){}}voidSystemClock_Config(void){RCC_OscInitTypeDefRCC_OscInitStruct={0};RCC_ClkInitTypeDefRCC_ClkInitStruct={0};RCC_OscInitStruct.OscillatorType=RCC_OSCILLATORTYPE_HSE;RCC_OscInitStruct.HSEState=RCC_HSE_ON;RCC_OscInitStruct.PLL.PLLState=RCC_PLL_ON;RCC_OscInitStruct.PLL.PLLSource=RCC_PLLSOURCE_HSE;RCC_OscInitStruct.PLL.PLLM=8;RCC_OscInitStruct.PLL.PLLN=336;RCC_OscInitStruct.PLL.PLLP=RCC_PLLP_DIV2;RCC_OscInitStruct.PLL.PLLQ=7;HAL_RCC_OscConfig(&RCC_OscInitStruct);RCC_ClkInitStruct.ClockType=RCC_CLOCKTYPE_HCLK|RCC_CLOCKTYPE_SYSCLK|RCC_CLOCKTYPE_PCLK1|RCC_CLOCKTYPE_PCLK2;RCC_ClkInitStruct.SYSCLKSource=RCC_SYSCLKSOURCE_PLLCLK;RCC_ClkInitStruct.AHBCLKDivider=RCC_SYSCLK_DIV1;RCC_ClkInitStruct.APB1CLKDivider=RCC_HCLK_DIV4;RCC_ClkInitStruct.APB2CLKDivider=RCC_HCLK_DIV2;HAL_RCC_ClockConfig(&RCC_ClkInitStruct,FLASH_LATENCY_5);}staticvoidMX_TIM1_Init(void){TIM_ClockConfigTypeDefsClockSourceConfig={0};TIM_MasterConfigTypeDefsMasterConfig={0};TIM_OC_InitTypeDefsConfigOC={0};htim1.Instance=TIM1;htim1.Init.Prescaler=167;htim1.Init.CounterMode=TIM_COUNTERMODE_UP;htim1.Init.Period=999;htim1.Init.ClockDivision=TIM_CLOCKDIVISION_DIV1;htim1.Init.RepetitionCounter=0;HAL_TIM_Base_Init(&htim1);sClockSourceConfig.ClockSource=TIM_CLOCKSOURCE_INTERNAL;HAL_TIM_ConfigClockSource(&htim1,&sClockSourceConfig);HAL_TIM_PWM_Init(&htim1);sMasterConfig.MasterOutputTrigger=TIM_TRGO_RESET;sMasterConfig.MasterSlaveMode=TIM_MASTERSLAVEMODE_DISABLE;HAL_TIMEx_MasterConfigSynchronization(&htim1,&sMasterConfig);sConfigOC.OCMode=TIM_OCMODE_PWM1;sConfigOC.Pulse=500;sConfigOC.OCPolarity=TIM_OCPOLARITY_HIGH;sConfigOC.OCFastMode=TIM_OCFAST_DISABLE;HAL_TIM_PWM_ConfigChannel(&htim1,&sConfigOC,TIM_CHANNEL_1);}staticvoidMX_GPIO_Init(void){__HAL_RCC_GPIOA_CLK_ENABLE();GPIO_InitTypeDefGPIO_InitStruct={0};GPIO_InitStruct.Pin=GPIO_PIN_8;GPIO_InitStruct.Mode=GPIO_MODE_AF_PP;GPIO_InitStruct.Pull=GPIO_NOPULL;GPIO_InitStruct.Speed=GPIO_SPEED_FREQ_LOW;GPIO_InitStruct.Alternate=GPIO_AF1_TIM1;HAL_GPIO_Init(GPIOA,&GPIO_InitStruct);}```88.給出Python實(shí)現(xiàn)基于scipy的二階IIR低通濾波器設(shè)計(jì)函數(shù)，輸入采樣率、截止頻率，返回分子分母系數(shù)，并畫出幅頻響應(yīng)。答案：```pythonimportnumpyasnpfromscipyimportsignalimportmatplotlib.pyplotaspltdefdesign_lpf(fs,fc,order=2):wn=2*fc/fsb,a=signal.butter(order,wn,btype='low',analog=False)w,h=signal.freqz(b,a,worN=8000)f=wfs/(2np.pi)plt.plot(f,20*np.log10(abs(h)))plt.xscale('log')plt.title('IIRLPFFrequencyResponse')plt.xlabel('Frequency[Hz]')plt.ylabel('Magnitude[dB]')plt.grid(True)plt.axvline(fc