內(nèi)容目錄一、導(dǎo)設(shè)：導(dǎo)行業(yè)石業(yè)國(guó)替空間闊 4球?qū)袕?qiáng)復(fù)蘇國(guó)半體備司業(yè)持增長(zhǎng) 4導(dǎo)設(shè)行受業(yè)政、業(yè)期國(guó)廠商術(shù)度響大 6導(dǎo)設(shè)行競(jìng)格局度中國(guó)替空間闊 7二、模迭拉存需求存制關(guān)環(huán)刻蝕沉設(shè)需爆發(fā) 9模類和制代，據(jù)儲(chǔ)求速加 9儲(chǔ)片給長(zhǎng)守，需口一推存儲(chǔ)格 10主控加儲(chǔ)期，內(nèi)商產(chǎn)間大 12益儲(chǔ)產(chǎn)存技術(shù)級(jí)刻、膜積等備價(jià)升 14三、資議 16四、險(xiǎn)示 19圖表目錄圖表1：半體備導(dǎo)體業(yè)的本撐 4圖表2：全半體強(qiáng)勁蘇，2025年H1增18.9 4圖表3：全半體市場(chǎng)持景，2026有望破1300億元 5圖表4：受往額影響中半體備場(chǎng)短承壓 5圖表5：2025Q1-Q3半體設(shè)行龍公營(yíng)同增37.5 6圖表6：2025Q1-Q3半體設(shè)行龍公歸凈利增23.9 6圖表7：隨AI算需驅(qū)動(dòng)國(guó)半體備商業(yè)兌，導(dǎo)設(shè)指數(shù)望續(xù)高 6圖表8：先邏和推動(dòng)道備長(zhǎng)先封裝動(dòng)道備蘇 7圖表9：邏與儲(chǔ)設(shè)備求加推前設(shè)備售增長(zhǎng) 8圖表10：光、膜積、蝕備半體備價(jià)量最的分 8圖表11：我部半體前設(shè)國(guó)化依較低 9圖表12：思鏈制以顯提大型能表現(xiàn) 9圖表13：思時(shí)增和模表優(yōu)得tokens耗激增 9圖表14：成式AI驅(qū)動(dòng)儲(chǔ)求升 10圖表15：同階的技創(chuàng)不提存容的要求 10圖表16：2025年球DRAM能幅限市需緊態(tài)不減 10圖表17：2025年NAND廠主控穩(wěn)價(jià) 11圖表18：受毛產(chǎn)產(chǎn)能壓計(jì)DRAM格4Q25上漲13-18 11圖表19：受QLC業(yè)產(chǎn)品求溢動(dòng)計(jì)NANDFlash4Q25格上漲5-10 12圖表20：進(jìn)口據(jù)，我存芯長(zhǎng)在15-20貿(mào)逆，到外在產(chǎn)，產(chǎn)空間大 12圖表21：長(zhǎng)存與球DRAM儲(chǔ)頭術(shù)差距漸小 13圖表22：長(zhǎng)存3DNAND堆疊數(shù)到200以，與外頭儲(chǔ)商距逐縮小 13圖表23：長(zhǎng)存Xtacking技術(shù)能升、利壘高 14圖表24：DRAM制難由傳光向蝕薄沉積移 14圖表25：從1b點(diǎn)到3DDRAM刻與膜積等鍵備相市將現(xiàn)1.7倍顯增長(zhǎng) 15圖表26：NAND堆層增加刻、膜積鍵合備藝求幅升 15圖表27：隨NAND堆數(shù)從1yy至5xx層刻蝕沉等備關(guān)場(chǎng)將現(xiàn)1.8增長(zhǎng) 16圖表28：半體備司估對(duì)（價(jià)日2025年12月1日） 19（CPFCBBGAIC圖表1：半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的基本支撐拓荊科技招股書、AI（WSTS）2025820253460億元同加18.9受于據(jù)心基設(shè)建加及AI應(yīng)用推，WSTS2025728015.4，將202680009.9。圖表2：全球半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)勁復(fù)蘇，2025年H1同增18.9WSTS、全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)維持高景氣，AI與存儲(chǔ)技術(shù)迭代重塑增長(zhǎng)邏輯。中微公司2025年半SEMI20261300元，比長(zhǎng)18.2。圖表3：全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)維持高景氣，2026年有望突破1300億美元SEMI、中微公司公告、2020-2023，2025Q2113.67SEMI億美，比降12.6，占球?qū)гO(shè)市場(chǎng)33.2，保全最導(dǎo)體備圖表4：受過(guò)往超額備貨影響，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)短期承壓SEMI、國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭公司收入及盈利高速增長(zhǎng)，自主開(kāi)發(fā)持續(xù)推進(jìn)。我們選取了半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)八家龍頭公司：北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技、華海清科、中科飛測(cè)、芯源微、盛美上海、京儀裝備。2025年前三季度，八家公司合計(jì)營(yíng)收為512.2億元，同增37.5，合計(jì)母利為90.6元同增23.9我判續(xù)若存龍資順圖表5：2025Q1-Q3半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)龍頭公司營(yíng)收同增37.5

圖表6：2025Q1-Q3半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)龍頭公司歸母凈利同增23.9、 、圖表7：隨AI算力需求驅(qū)動(dòng)及國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商業(yè)績(jī)兌現(xiàn)，半導(dǎo)體設(shè)備指數(shù)有望繼續(xù)走高、2022202510（2022920234。2022202210BIS2023（2023520242。全球消費(fèi)子求軟，IDC數(shù)據(jù)示球?qū)形s12晶廠能用率降2023備的聯(lián)合出口管制，進(jìn)一步壓制了市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)偏好。（20242-202482024SIA202418.3202453440AI（20249-202510AIAI半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局高度集中，自主開(kāi)發(fā)空間廣闊SEMI20257，20256.21108202610.21221，202523.27.7。圖表8：先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)推動(dòng)前道設(shè)備增長(zhǎng)，先進(jìn)封裝帶動(dòng)后道設(shè)備復(fù)蘇SEMI、SEMI20252nmGAA長(zhǎng)6.7至648億預(yù)將一長(zhǎng)6.6到690億儲(chǔ)資，NAND2025年將大幅增長(zhǎng)42.5至137美元DRAM設(shè)受HBM投熱拉繼2024激增40.2至195美圖表9：邏輯與存儲(chǔ)芯片設(shè)備需求增加，推動(dòng)前道設(shè)備銷售額增長(zhǎng)SEMI、中披，據(jù)SEMI數(shù)，導(dǎo)前設(shè)在全半體備場(chǎng)占據(jù)90的1761。圖表10：光刻、薄膜沉積、刻蝕設(shè)備是半導(dǎo)體設(shè)備價(jià)值量中最大的部分拓荊科技公告、SEMI、前道晶圓制造設(shè)備價(jià)值量高，國(guó)產(chǎn)化空間大。當(dāng)前國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程呈現(xiàn)顯著的結(jié)構(gòu)性分化特征，核心前道環(huán)節(jié)替代潛力巨大。從制程維度看，國(guó)產(chǎn)設(shè)備在28nm及以上成熟制程已實(shí)現(xiàn)基本覆蓋，國(guó)產(chǎn)化率超過(guò)80，但在14nm以下先進(jìn)制程領(lǐng)域滲透率僅約10，自主開(kāi)發(fā)空間廣闊。從環(huán)節(jié)維度看，去膠與熱處理環(huán)節(jié)的設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率較高，但高價(jià)值量的刻蝕、薄膜沉積、光刻等設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率仍較低，刻蝕、薄膜沉積設(shè)備處于10至30的加速滲透期，光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化率仍不足1。我們判斷，隨著自主可控訴求的提升，刻蝕、薄膜沉積、光刻等低滲透率、高價(jià)值量的前道核心設(shè)備將成為未來(lái)自主開(kāi)發(fā)的關(guān)鍵。圖表11：我國(guó)部分半導(dǎo)體前道設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率依舊較低類別外資品牌國(guó)產(chǎn)品牌國(guó)產(chǎn)化率光刻設(shè)備ASML、Nikon、Canon上海微電子<1涂膠顯影TEL、DNS芯源微<5刻蝕設(shè)備LAM、TEL、AMAT中微公司、北方華創(chuàng)10-20北方華創(chuàng)、拓荊科技、薄膜沉積設(shè)備AMAT、LAM、TEL中微公司、微導(dǎo)納米、10-30盛美上海等離子注入設(shè)備AMAT、Axcelis、Nissin爍科中科信、凱世通<5量/檢測(cè)設(shè)備 、AMAT、日立高新清洗設(shè)備 、KLA、LAM

精測(cè)電子、上海睿勵(lì)、中科飛測(cè)、誠(chéng)鋒科技等盛美上海、北方華創(chuàng)、至純科技、芯源微等

<520-30CMP拋光設(shè)備 AMAT、Revasum、Ebara 華海清科等 20-30北方華創(chuàng)、華卓精科、熱處理設(shè)備 AMAT、

屹唐半導(dǎo)體等

30-40去膠機(jī) PSK、Hitachi 屹唐半導(dǎo)體 80-90頭豹研究院、弗若斯特沙利文、思維鏈機(jī)制大幅提升大模型推理能力，同步抬高Tokens消耗成本。思維鏈機(jī)制通過(guò)引導(dǎo)模型將復(fù)雜問(wèn)題分解為結(jié)構(gòu)化、可操作的步驟，有效復(fù)現(xiàn)類似人類的推理過(guò)程，已成為GPT-4Turbo、Gemini2.5Pro等所有主流大模型的內(nèi)置功能和技術(shù)亮點(diǎn)。CoT機(jī)制的普及顯著增強(qiáng)了模型的推理能力和輸出可靠性，尤其在處理多步驟的復(fù)雜任務(wù)時(shí)效果顯著。該技術(shù)路徑遵循擴(kuò)展定律，通過(guò)延長(zhǎng)模型的思考時(shí)間，可以持續(xù)優(yōu)化輸出質(zhì)量，展現(xiàn)出持續(xù)增長(zhǎng)的潛力。然而，這種以增強(qiáng)推理能力為目的的技術(shù)升級(jí)，也同步導(dǎo)致了模型Tokens消耗量的顯著增加，從而直接抬高了應(yīng)用層面的計(jì)算資源需求和存儲(chǔ)成本。圖表12：思維鏈機(jī)制可以顯提大模型性能及表現(xiàn) 圖表13：思考時(shí)間增加和模表優(yōu)化使得tokens消耗量激增Chain-of-ThoughtPromptingElicitsReasoninginLargeLanguageModels》、OpenAI、多模態(tài)模型迭代催化數(shù)據(jù)爆發(fā)，存儲(chǔ)性能與容量需求迎來(lái)指數(shù)級(jí)躍升。自2023年起，大Tokens2KBTBEB圖表14：生成式AI持續(xù)驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)求提升 圖表15：不同階段的科技創(chuàng)新不提高存儲(chǔ)容量的要求?？萍??？萍?025DRAM2025HBMTrendForceDRAM20241802025192/度限。盡管TSV技術(shù)透計(jì)由15升至19但于乏規(guī)模新投圖表16：2025年全球DRAM產(chǎn)能增幅有限，市場(chǎng)供需緊張態(tài)勢(shì)不減TrendForce、2025NANDOmdia廠商在202520257472480469SKFab7302025NAND圖表17：2025年NAND原廠主動(dòng)控產(chǎn)穩(wěn)價(jià)Omdia、DRAMTrendForceDRAM比漲8-13，合HBM貢后整漲有望到13目，DRAM市HBMServerDRAM圖表18：受高毛利產(chǎn)品產(chǎn)能擠壓，預(yù)計(jì)DRAM價(jià)格4Q25將上漲13-18TrendForce、QLCNANDTrendForce，2024Q4NANDFlash5-10HDDCSPQLCEnterpriseSSDAIQLCSSDWaferNAND圖表19：受QLC企業(yè)級(jí)產(chǎn)品需求外溢驅(qū)動(dòng)，預(yù)計(jì)NANDFlash4Q25價(jià)格將上漲5-10TrendForce、全球存儲(chǔ)供需緊張疊加地緣政治因素，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)面臨更嚴(yán)峻的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能缺口。根據(jù)三大存儲(chǔ)原廠指引，2026年全球存儲(chǔ)產(chǎn)能預(yù)訂已趨飽和，HBM產(chǎn)能全數(shù)售罄，SK海力士常規(guī)DRAM及NAND訂單亦已完成鎖定。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面，從進(jìn)出口數(shù)據(jù)看，我國(guó)存儲(chǔ)芯片長(zhǎng)期存在15-20的貿(mào)易逆差，對(duì)外依存度較高。同時(shí)，考慮到外資存儲(chǔ)廠商在大陸的產(chǎn)能情況，例如：三星西安廠NAND及海力士無(wú)錫廠DRAM產(chǎn)能，均占其全球產(chǎn)能約40，該部分產(chǎn)能受控于海外原廠的全球分配策略及地緣政治因素，我國(guó)存儲(chǔ)芯片的實(shí)際缺口將更大。我們判斷，這種巨大的供需剪刀差，有望轉(zhuǎn)化為本土廠商的市場(chǎng)份額，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)擁有比全球市場(chǎng)更廣闊的自主研發(fā)空間與擴(kuò)產(chǎn)機(jī)遇。圖表2015-20海關(guān)總署、 、LPDDR5IPODRAMCounterpoint20253050，2025Q4DRAM10DDR4DDR5，DDR51升至7，LPDDR5從0.5升至9。技術(shù)端：公司技術(shù)迭代速度顯著加快，2025年10月推出的LPDDR5X最高速率達(dá)Yole1y/1z202571400圖表21：長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與全球DRAM存儲(chǔ)龍頭技術(shù)節(jié)點(diǎn)差距逐漸縮小YOLE、長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking架構(gòu)技術(shù)成熟度獲頭部廠商認(rèn)可，三期項(xiàng)目落地有望推動(dòng)份額提升。當(dāng)前公司全球市占率處于低位，在技術(shù)指標(biāo)領(lǐng)先的背景下，NAND存儲(chǔ)芯片自主開(kāi)發(fā)與產(chǎn)能擴(kuò)張空間廣闊。公司的Xtacking架構(gòu)及混合鍵合技術(shù)路徑已具備較強(qiáng)的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力與專利壁壘，技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)獲國(guó)際廠商采納。2025年9月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期項(xiàng)目主體成立，注冊(cè)資本207.2億元。我們判斷，在行業(yè)復(fù)蘇期啟動(dòng)大額資本開(kāi)支，有助于未來(lái)直接將技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)轉(zhuǎn)化為產(chǎn)能規(guī)模優(yōu)勢(shì)，加速填補(bǔ)國(guó)內(nèi)先進(jìn)NAND供給缺口。圖表22：長(zhǎng)存3DNAND堆疊層數(shù)達(dá)到200層以上，與海外龍頭存儲(chǔ)廠商差距逐漸縮小TrendForce、圖表23：長(zhǎng)存Xtacking技術(shù)性能提升大、專利堡壘高電子工程專輯、3DDRAMDRAM3DAIVCTHZO128Gb3DX-DRAM，20301Tb；SK5IGZO（2T0C）DRAM6F24F23D1xxSi3DHARALD3DHARALDCMOS圖表24：DRAM制造難點(diǎn)由傳統(tǒng)光刻向刻蝕及薄膜沉積轉(zhuǎn)移泛林官網(wǎng)、3DDRAM，DRAM1b3DDRAM1.7圖表251b3DDRAM1.7的顯著增長(zhǎng)泛林官網(wǎng)、3DNAND堆疊深化，工藝創(chuàng)新破解物理瓶頸。NAND行業(yè)正經(jīng)歷從單一容量追逐向容量+性能雙重提升的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折，3D垂直堆疊層數(shù)的持續(xù)突破是核心解決方案。隨著堆疊層數(shù)從1yy層向大于5xx層跨越，工藝復(fù)雜度呈指數(shù)級(jí)上升，對(duì)核心制程提出了極致要求，多項(xiàng)創(chuàng)新工藝被引入以解決物理限制，將直接拉動(dòng)先進(jìn)刻蝕、薄膜沉積、鍵合等設(shè)備的需求：CMOS圖表26：NAND堆疊層數(shù)增加對(duì)刻蝕、薄膜沉積及鍵合設(shè)備工藝要求大幅提升泛林官網(wǎng)、NAND1.83DNAND3DNAND1yy5xx1.8圖表27NAND1yy5xx倍增長(zhǎng)泛林官網(wǎng)、AIAICo）IPOLPDDR5X3DDRAMNAND1.71.8ICPCCPICP；CCPPVDCVD、ALDEPIECPMOCVDPVD（RTP）20255-lineKrFArF/合領(lǐng)域。2025312CCP/ICP勢(shì)。CCP2025CCP4500PrimoAD-RIEPrimoHD-RIE3DNANDPrimoUD-RIEICPTSVICP1200DRAM3DNAND3DTSV300E12TSVPrimoMenovaICPPrimoNanova3GAlphaMOCVDMOCVDPRISMOUniMaxMini-LEDCVD/ALDPreformaUniflash（TiN/TiAl/TaN）ALDEPI常壓）EPIPECVDALDSACVDHDPCVDHBM20253,000超過(guò)70條生產(chǎn)線。PECVDSupra-DOPN、SiBSiN3DNANDDRAMBianca60ALDPE-ALDSiO2SiCOThermal-ALDTiNALD其他沉積設(shè)備：填孔能力精進(jìn)。SACVD及HDPCVD設(shè)備在溝槽填充領(lǐng)域保持優(yōu)勢(shì)，F(xiàn)lowableCVDHBM合產(chǎn)品Dione300Dione300eXDine00Propus已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，可以在芯片對(duì)晶圓混合鍵合前實(shí)現(xiàn)晶圓及切割好的芯片的表面活化和清洗，具備高產(chǎn)能的特點(diǎn)。CMPCP3DICCMP128CMPUniversal-H300CMP減薄劃切HBM求，12英寸超精密減薄機(jī)Versatile–GP300訂單大幅增長(zhǎng)；減薄貼膜一體機(jī)Versatile–GM300W2W/D2W12CIS/12iPUMA-LT蓋，并積極推進(jìn)中束流及高能離子注入機(jī)布局，滿足邏輯、存儲(chǔ)及功率半導(dǎo)體需求。PECVDSPM30SAPS/TEBOTahoeSPM8.2，位列202515003D（LPCVD/合金/ALD）已進(jìn)入SFPCMPWLP中科飛測(cè)：量測(cè)檢測(cè)平臺(tái)化布局，高端新品加速驗(yàn)證。公司產(chǎn)品線覆蓋檢測(cè)、量測(cè)及良率管理軟件等全流程。核心產(chǎn)品在邏輯、存儲(chǔ)及先進(jìn)封裝領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，高端新品驗(yàn)證順利，自主開(kāi)發(fā)進(jìn)程加速。HBM30010040050HBM3DAOI/200HBM介質(zhì)/）（OCD）軟件系統(tǒng)：良率管理閉環(huán)，軟硬協(xié)同發(fā)展。公司自主研發(fā)的良率管理系統(tǒng)、缺陷自動(dòng)分類系統(tǒng)及光刻套刻分析反饋系統(tǒng)已在多家頭部前道及先進(jìn)封裝客戶處得到應(yīng)用，通過(guò)AI大模型及數(shù)據(jù)分析技術(shù)，幫助客戶提升良率，構(gòu)建了設(shè)備+軟件的完整解決方案。前道涂膠顯影設(shè)備：唯一國(guó)產(chǎn)量產(chǎn)，客戶認(rèn)可度提升。公司是國(guó)內(nèi)前道涂膠顯影設(shè)備自主開(kāi)發(fā)的主力軍，offline、I-line、KrF及ArF浸沒(méi)式等多型號(hào)產(chǎn)品已在客戶端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用，報(bào)告期內(nèi)持續(xù)獲得頭部邏輯及存儲(chǔ)客戶訂單，量產(chǎn)跑片數(shù)據(jù)良好。（KS-C