廣東省2024—2025學(xué)年第二學(xué)期期中聯(lián)考高二化學(xué)試卷試卷共8頁，20小題，滿分100分?？荚囉脮r75分鐘。注意事項：1.考試范圍：選擇性必修1占20%;選擇性必修2占80%。2.答卷前，考生務(wù)必將自己的姓名、準(zhǔn)考證號等填寫在答題卡指定位置上。3.回答選擇題時，選出每小題答案后，用鉛筆把答題卡上對應(yīng)題目的答案標(biāo)號涂黑。如需改動，用橡皮擦干凈后，再選涂其他答案標(biāo)號?；卮鸱沁x擇題時，將答案寫在答題卡上。寫在本試卷上無效。4.考生必須保持答題卡的整潔。考試結(jié)束后，請將答題卡交回。可能用到的相對原子質(zhì)量：Li—7一、選擇題：本題共16小題，共44分。第1~10小題，每小題2分；第11～16小題，每小題4分。在每小題給出的四個選項中，只有一項是符合題目要求的。1.保護(hù)好革命文物，傳承好紅色基因，下列有關(guān)革命文物的說法正確的是今t代i障康幫今t代i朱德手書瀘定橋上的鋼鐵鎖鏈紅軍用過的發(fā)報機林伯渠用過的馬燈為同位素中易發(fā)生電化學(xué)腐蝕C.銅線圈含有自由移動的陰、陽離子而能導(dǎo)電晶體2.材料服務(wù)于國民經(jīng)濟(jì)、社會發(fā)展、國民生活等各個領(lǐng)域。下列說法不正確的是A.鋁合金材料助力高鐵建設(shè)：鋁合金屬于金屬材料B.Ga?O?材料在光電子器件上有著廣泛應(yīng)用：Ga和O均屬于p區(qū)元素C.聚乙炔(士CH=CHπ)導(dǎo)電高分子材料合成取得突破：C=C鍵長>C—C鍵長D.耐高溫材料SiBCN陶瓷為航天科技開辟新天地：SiBCN陶瓷屬于新型無機非金屬材料3.下列氮原子的軌道表示式中，能量最低的是AA4.氫鍵是一種作用力，下列說法正確的是A.氫鍵是一種分子間作用力B.鄰羥基苯甲醛的熔點比對羥基苯甲醛的熔點高C.冰中的氫鍵可表示為H—0—H…H—0—HD.NH?分子間氫鍵和HF分子間氫鍵的強度：NH?>HF5.下列有關(guān)物質(zhì)性質(zhì)的比較正確的是6.勞動活動能提升學(xué)生的勞動技能，促進(jìn)學(xué)生全面發(fā)展。下列所述化學(xué)知識正確且與對應(yīng)的勞動活動有關(guān)聯(lián)的是選項勞動活動化學(xué)知識A打鐵：鍛打鐵塊塑形BC刻蝕電路板：FeCl?溶液腐蝕覆銅電路板FeCl?溶液呈酸性D7.下列操作及裝置能達(dá)到實驗?zāi)康牡氖堑你K絲的鉑絲CCuSO?溶液A.分離NaHCO?和I?C.觀察K元素核外電子躍遷時所呈現(xiàn)的焰色D.制備[Cu(NH?)?](OH)?8.Cu?O是一種保護(hù)性殺菌劑，其立方晶胞如圖所示，a粒子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0,0,0),下列說法不正確A.0粒子位于晶胞的頂點和體心B.基態(tài)Cu原子的價層電子排布式為3d?4s2D.晶胞沿y軸的投影9.一種杯芳酚STCA4的結(jié)構(gòu)如圖所示，因該物質(zhì)能與CO?形成超分子而用于分離H?和CO?。已知H?和CO?的分子直徑分別為2.9A和3.3A(1A=10?1?m)。下列關(guān)于STCA4的說法不正確的是A.其與CO?通過分子間相互作用形成超分子B.其空腔適配不同大小的分子體現(xiàn)了超分子的自組裝特征C.有部分S原子含有孤電子對D.STCA4中，電負(fù)性最大的元素為010.設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法正確的是A.1molF-含有的質(zhì)子總數(shù)為10NAB.pH=1的硫酸中H總數(shù)為0.1NAD.12g石墨含有未參與雜化的2p電子數(shù)為NAA.[Bmim]Cl中含有離子鍵和共價鍵中不含有手性碳原子C.[Bmim]Cl具有很高的熔點和沸點D.1-甲基咪唑中N原子只有一種雜化方式廣東·高二化學(xué)第3頁(共8頁)的是煤A.Na?S的電子式為B.Na?SO?和NaOH均為含有共價鍵的離子化合物D.加入稀NaOH溶液和濃NaOH溶液的主要目的均是抑制Na?S水解氣，四種元素與Fe形成的物質(zhì)E(E中Fe元素為+2價)的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法正確的是C.簡單氫化物的穩(wěn)定性：Y>ZD.基A.該物質(zhì)的化學(xué)式為BaFe?As?B.Ba與Ba之間的最短距離為anmC.距離Fe最近的As有3個廣東·高二化學(xué)第4頁(共8頁)高二化學(xué)第6頁(共8頁)在Cata、Catb催化作用下發(fā)生反應(yīng)，NO轉(zhuǎn)化率隨溫度變化關(guān)系如圖所示。下列說法正確的是MMA.高溫有利于反應(yīng)正向自發(fā)進(jìn)行B.O點達(dá)到平衡狀態(tài)C.反應(yīng)物的總鍵能小于生成物的總鍵能D.500℃后，使用Cata比使用Catb更能有效提高NO的平衡轉(zhuǎn)化率16.積極穩(wěn)妥推進(jìn)碳達(dá)峰碳中和具有重大意義，一種利用電解原理捕獲CO?的裝置如圖所示。捕獲在石墨電極表面轉(zhuǎn)化為,下列說法不正確的是A.Ni和Fe均是第四周期第VⅢ族元素B.工作時，鍍鎳鐵網(wǎng)與外接電源的負(fù)極相連C.石墨電極上發(fā)生氧化反應(yīng)0萬本中燈T理鮮絲1年生級1-的同時會生成11.2LH?二、非選擇題：本題共4小題，共56分。新成果。(1)集成電路工業(yè)常需要使用濺射靶材——鈷靶。基態(tài)Co原子的核外電子排布式為鈷晶體的形成是因為晶體中存在金屬陽離子與的相互作用。(2)我國成功研制超導(dǎo)量子計算原型機“祖沖之三號”,CaH?和MgB?均屬于超導(dǎo)材料?；鶓B(tài)Ca原子核外電子占據(jù)的最高能層的符號為;基態(tài)B原子核外電子占據(jù)的最高能級(3)GPU助力人工智能，制備GPU的主要材料為硅晶片，硅的晶胞如圖所示。14g晶體硅中含(4)芳香族氨基酸解氨酶PAL在生物制造中可用作催化劑，一種催化反應(yīng)如圖所示。NH?的VSEPR模型名稱為形；路易斯酸堿理論認(rèn)為凡可以提供電子對的分子、離子或原18.(14分)已知存在如圖所示的轉(zhuǎn)換關(guān)系，晶格能是指將1mol離子晶體完全氣化為氣態(tài)陰、陽離子所吸收的能量。請回答下列問題。(1)Na的第一電離能為kJ·mol1,Cl(2)NaCl晶體中，將Na+和CI?聚集在一起的作用力為;能準(zhǔn)確測得NaCl晶胞結(jié)構(gòu)的方法為o(4)NaCl的晶格能為kJ·mol1;NaCl的晶格能大于KCl,原因可能是o19.(14分)一種以鋰輝石(主要成分為Li?O·Al?O?·4SiO?)為原料提取粗品LiOH的工藝流程如圖所示。水②LiOH和Na?SO?的溶解度隨溫度變化關(guān)系如圖所示。溶解度/(g/100gH?溶解度/(g/100gH?O)0(1)基態(tài)Li原子核外電子軌道表示式為;離子鍵百分?jǐn)?shù)：Li?O(填“>”(2)“球磨”的目的是;“酸化焙燒”需要使用濃硫酸，SO2-價層電子對數(shù)為 (3)25℃時，氫氧化鋰的溶度積常數(shù)K(LiOH)≈6.9×10?2,若“調(diào)pH”時，溶液中c(Li+)=1.38mol·L?1,為防止形成LiOH沉淀，則溶液中的c(OH)應(yīng)小于mol·L?1;“冷凍”后分離Na?SO?的操作為o(4)將LiOH粗品置于LiOH飽和溶液中，一段時間后可得到LiOH高純產(chǎn)品。缺角的LiOH晶體在LiOH飽和溶液中慢慢變?yōu)橥昝赖牧⒎襟w塊，體現(xiàn)了晶體的性；該提純方法適宜的溫度約為℃。(5)LiOH受熱分解生成Li?O,Li?0的立方晶胞如圖所示，晶胞密度為pg·cm3,設(shè)NA為阿伏加20.(14分)Cd(Ⅱ)配合物可用作發(fā)光材料、催化劑、吸附劑以及顏料等，合成多功能Cd(Ⅱ)配合物具有重要意義。(1)基態(tài)48Cd原子的簡化電子排布式為[Kr]4d105s2,基態(tài)Cd原子核外電子運動狀態(tài)有(2)Cd2+能與NH?形成[Cd(NH?)?]2+,[Cd(NH?)?]2+中提供孤電子對的原子為(寫元素符號),1mol[Cd(NH?)?]2+中含有配位鍵的數(shù)目為o—[Cd(CN)?0a①[C=N]中σ鍵和π鍵數(shù)目之比為;Cd2+與CN形成配位鍵時，CN中的配位原子是C而不是N,原因是②Cd2+?+CN?一[Cd(CN)]*的穩(wěn)定常數(shù)K?=;當(dāng)溶液中c(CN?)=10??mol·L?1廣東省2024—2025學(xué)年第二學(xué)期期中聯(lián)考【解析】炭黑與C60互為同素異形體，A項不正確；鋼鐵中的碳與鐵在潮濕的空氣中會形成原電池，易發(fā)生電化學(xué)腐蝕，B項正確；金屬晶體是由金屬陽離子和自由電子組成，在外加電場作用下，自由電子可發(fā)生定向移動，C項不正確；玻璃不屬于晶體，D項不正確。【解析】各能級軌道中電子能量：1s<2s<2p,能量較高的軌道中電子越多，該微粒能量越高，所以2p軌道上電子越少，該微粒能量越低，B項符合題意。【解析】氫鍵是除范德華力之外的另一種分子間作用力，A項正確；鄰羥基苯甲醛形成分子內(nèi)氫鍵，對羥基苯甲醛,氫原子與氧原子形成形成分子間氫鍵，對羥基苯甲醛的熔點更高，B項不正確；冰中的氫鍵可表示為氫鍵，C項不正確；F的電負(fù)性大于N且HF間形成的氫鍵鍵長更短，強度更大，D項不正確?！窘馕觥緾O?為非極性分子，SO?為極性分子，A項不正確；CI的電負(fù)性大于H,導(dǎo)致CCl?COOH的羧基中的羥基的極性更大，更易電離出H*,酸性更強，B項不正確；Cl?為非極性分子，HCI和H?O為極性分子，根據(jù)相似相溶原理可知HCl在水中的溶解度更大，C項不正確；單晶硅為共價晶體，白磷為分子晶體，一般而言，共價晶體的硬度大于分子晶體，D項正確。【解析】當(dāng)金屬鐵受到外力作用時，鐵中的各原子層會發(fā)生相對滑動，但不會改變原來的排列方式，A項正確；表面活性劑的有機分子的一端有極性，為親水基團(tuán)，分子的另一端沒有或幾乎沒有極性，為疏水基團(tuán)，B項不正確；Fe3+具有較強的氧化性，能與Cu反應(yīng)，與溶液酸堿性無關(guān)，C項不正確；NaCl不具有強氧化性，D項不正確?！窘馕觥縉aHCO?受熱易分解，A項不正確；熔融的硫自然冷卻可獲得硫晶體，若是快速冷卻，獲得的是非晶態(tài)硫，B項不正確；K元素焰色為紫色，為防止其他顏色的光干擾，需透過藍(lán)色鈷玻璃觀察，C項正確；氨水不足，與CuSO?反應(yīng)生成Cu(OH)?,D項不正確。【解析】晶胞中有4個銅粒子和個氧粒子，故0粒子位于晶胞的頂點和體心，A項正確；基態(tài)Cu原子廣東·高二化學(xué)第1頁(共4頁)廣東·高二化學(xué)第2頁(共4頁)的價層電子排布式為3d1?4s1,B項不正確；b粒子在晶胞體心，分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為,C項正確；根據(jù)Cu?O晶胞可知沿y軸的投影為○,D項正確?！窘馕觥砍肿邮怯蓛煞N或兩種以上的分子通過分子間相互作用形成的分子聚集體，A項正確；STCA4的空腔適配不同大小的分子體現(xiàn)了超分子的分子識別特性，B項不正確；苯環(huán)與苯環(huán)間連接的S原子含有孤電子對，C項正確；STCA4中電負(fù)性最大的元素為0,D項正確?！窘馕觥?molF含有的質(zhì)子總數(shù)為9N?,A項不正確；體積未知，無法計算，B項不正確；1molCl?與足量NaOH溶液在常溫下反應(yīng)，轉(zhuǎn)移電子數(shù)為N?,C項不正確；石墨中碳原子為sp2雜化，有一個2p電子未參與雜化，12g石墨含有1mol碳原子，含有未參與雜化的2p電子數(shù)為NA,D項正確。【解析】與Cl"間存在離子鍵，中各原子間存在共價鍵，A項正確；中不含有手性碳原子，B項正確；離子液體一般具有較低的熔點且難揮發(fā)，C項不正確；1-甲基咪唑環(huán)上所有原子共平面，N原子均為sp2雜化，D項正確?！窘馕觥縉a?S為離子化合物，電子式為,A項正確；Na?SO?和NaOH均含有離子鍵和共價鍵，二者均為離子化合物，B項正確；在實驗室中進(jìn)行過濾操作需要漏斗、燒杯、玻璃棒等儀器，C項正確；加入稀NaOH溶液是為了抑制硫化鈉水解，加入濃NaOH溶液是為了增大Na濃度，促使硫化鈉析出，D項不正確?！窘馕觥縓、Y、Z、W為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素，X、Y、Z同周期且相鄰，Y?常用作保護(hù)氣，結(jié)合物質(zhì)配體有兩種，A項正確；第一電離能：N>O>C,B項不正確；非金屬性：0>N,簡單氫化物的穩(wěn)定性：H?O>NH?,C項不正確；基態(tài)Fe2電子排布式為[Ar]3d?,未成對電子數(shù)為4,D項不正確?！窘馕觥烤О泻袀€Ba、個As,化學(xué)式為BaFe?As?,A項不正確；b>2a,則Ba與Ba之間的最短距離為底邊邊長，為anm,B項正確；距離Fe最近的As有4個，C項不正確；晶體的密【解析】反應(yīng)△S<0,反應(yīng)能自發(fā)進(jìn)行，說明該反應(yīng)的△H<0,低溫有利于反應(yīng)正向自發(fā)進(jìn)行，A項不正確；0點的轉(zhuǎn)化率不是該溫度下的最大轉(zhuǎn)化率，未達(dá)到平衡狀態(tài)，B項不正確；△H<0,反應(yīng)物的總鍵能小于生成物的總鍵【解析】Ni和Fe均為第四周期第Ⅲ族元素，A項正確；鍍鎳鐵網(wǎng)上產(chǎn)生H?,鍍鎳鐵網(wǎng)為陰極，與外接電源負(fù)極相會轉(zhuǎn)移2mole",標(biāo)準(zhǔn)狀況下理論上產(chǎn)生22.4LH?,D項不正確。(2)N(1分，唯一答案)啞鈴形(1分，寫啞鈴狀也得分)<(2分，唯一答案)(3)1(2分，寫“一”不扣分)0.0625(2分，寫6.25×10?2也得分)(4)四面體(2分，寫正四面體不扣分)具有(2分)【解析】(1)基態(tài)Co原子的核外電子排布式為1s22s22p?3s23p?3d?4s2或[Ar]3d?4s2;金屬晶體的形成是因為金屬陽離子和自由電子的相互作用。(2)基態(tài)Ca原子的價層電子排布式為4s2,其電子占據(jù)的最高能層為N層；基態(tài)B原子核外電子占據(jù)的最高能級為2p,形狀為啞鈴形；B原子半徑更小，且失去一個電子后2s能級全滿、2p軌道全空，更穩(wěn)定，更難失去第二(3)根據(jù)均攤法可知1個Si原子占用2個Si—Si鍵，14gSi的物質(zhì)的量為0.5mol,含有1molSi—Si鍵；1個晶胞中含有8個Si,0.5molSi中含有mol晶胞單元。(4)有機物A中含有氨基，可以提供孤電子對，根據(jù)路易斯酸堿理論，其具有堿性。18.【答案】(1)496(2分，有效數(shù)字不做要求)243(2分，有效數(shù)字不做要求)(2)離子鍵(2分，寫靜電作用也得分)X射線衍射實驗(2分，寫X射線衍射也得分)(4)788(2分，有效數(shù)字不做要求)NaCl和KCl均為離子晶體，Na半徑小于K?,與CI?形成的離子鍵更強(2分，答到Na+半徑更小，離子鍵作用更強即給滿分)【解析】(1)根據(jù)第一電離能和鍵能的定義及圖中能量轉(zhuǎn)化關(guān)系可知Na的第一電離能為496kJ·mol?1,Cl—Cl的鍵能為243kJ·mol?1。(2)陰、陽離子間的相互作用力為離子鍵；X射線衍射實驗?zāi)軠?zhǔn)確測定晶胞結(jié)構(gòu)。(3)以晶胞頂部面心處CI為研究對象，距離其最近的Na位于其上下左右前后，共6個。(4)NaCI的晶格能為1molNaCl晶體轉(zhuǎn)化為CI(g)和Na(g)所吸收的能量，根據(jù)蓋斯定律可知NaCl的晶格能為(108+496+121.5-349+411.5)kJ·mol1=788kJ·mol?1;NaCl和KCI均為離子晶體，Na+半徑小于K?,與CI?形成的離子鍵更強，破壞