圖表目錄圖表申萬(wàn)電子指數(shù)2025年1月1日至2025年12月日漲跌幅 5圖表2.申萬(wàn)電子三級(jí)行業(yè)2025年1月1日至2025年12月11日漲跌幅排名（算數(shù)平均） 6圖表申萬(wàn)電子三級(jí)行業(yè)2025年前三季度營(yíng)業(yè)總收入和凈利潤(rùn)變動(dòng)趨勢(shì) 6圖表申萬(wàn)電子指數(shù)PE-Bands 7圖表谷歌月處理量 8圖表字節(jié)跳動(dòng)月處理量 8圖表阿里巴巴資本開支變化趨勢(shì) 8圖表騰訊資本開支變化趨勢(shì) 8圖表.北美四大云廠商Amazon、Meta、Microsoft、Google9圖表10.英偉達(dá)BlackwellNVL72解決方案 9圖表英偉達(dá)RubinNVL144解決方案 9圖表12.英偉達(dá)RubinUltraNVL576解決方案 10圖表13.英偉達(dá)RubinNVL144CPX解決方案 10圖表14.英偉達(dá)AIGPU產(chǎn)品規(guī)劃路線圖 10圖表15.英偉達(dá)和AMDAIGPU技術(shù)路線對(duì)比 圖表16.第三方AIASIC解決方案 圖表17.谷歌AIASIC性能對(duì)比 12圖表18.谷歌AIASIC能效對(duì)比 12圖表19.華為自研昇騰芯片技術(shù)路線圖 12圖表20.華為自研昇騰芯片技術(shù)路線圖 13圖表21.已上市國(guó)產(chǎn)AI芯片廠商營(yíng)業(yè)收入 13圖表22.全球主要AI芯片廠商產(chǎn)能分配 14圖表23.英偉達(dá)機(jī)架和Kyber機(jī)架對(duì)比 15圖表24.和、CoPoS技術(shù)對(duì)比 15圖表25.部分廠商產(chǎn)能規(guī)劃情況 16圖表26.Dk值和Df值是衡量及相關(guān)材料電性能的關(guān)鍵指標(biāo) 16圖表27.松下覆銅板的產(chǎn)品分級(jí) 17圖表28.不同品類玻纖布的性能表現(xiàn) 17圖表29.日東紡產(chǎn)品路線規(guī)劃圖 18圖表30.英偉達(dá)AI服務(wù)器CCL材料解決方案 18圖表31.日本三井金屬的和HVLP銅箔 19圖表32.HVLP銅箔的供應(yīng)商和客戶 20圖表33.常規(guī)樹脂和增強(qiáng)材料的介電常數(shù)和損耗因子 20圖表34.各類型樹脂的介電常數(shù) 20圖表35.不同等級(jí)覆銅板的樹脂基材 20圖表36.博通交換機(jī)芯片 21圖表37.oNOC系統(tǒng)側(cè)視圖和俯視圖 21圖表38.下一代通信用3D光學(xué)引擎 22圖表39.面向AI領(lǐng)域的集成HPC技術(shù)平臺(tái) 22圖表40.CPO技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)圖 22圖表41.谷歌OCS光交換機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖 23圖表42.谷歌OCS光交換機(jī)原理 23圖表43.2022~2026年DRAM和Nand產(chǎn)業(yè)資本開支 24圖表44.全球存儲(chǔ)產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模（2020~2029年） 25圖表45.標(biāo)準(zhǔn)的6F2布局和采用垂直通道晶體管的4F2布局 26圖表46.鎧俠第八代BiCSFLASH所采用的CBA技術(shù) 26圖表47.DRAM綜合技術(shù)路線圖 27圖表48.4F2架構(gòu)轉(zhuǎn)變下的半導(dǎo)體設(shè)備升級(jí) 27圖表49.存儲(chǔ)價(jià)格占筆記本電腦BOMCost變化 28圖表50.智能手機(jī)、筆記本電腦、游戲主機(jī)2025~2026年需求成長(zhǎng)預(yù)估下調(diào) 29圖表51.蘋果或在2026年初發(fā)布平價(jià)款Macbook 30圖表52.中興通訊nubiaM153豆包手機(jī)助手技術(shù)預(yù)覽版 30圖表53.夸克AI眼鏡S1 31人工智能引領(lǐng)電子上行周期，行業(yè)盈利能力顯著提升人工智能驅(qū)動(dòng)電子行業(yè)多板塊漲幅領(lǐng)先2025年申萬(wàn)電子指漲幅顯著根據(jù) 據(jù)年1月1日至2025年12月11日滬深300數(shù)漲幅約19.2%，申電子數(shù)漲幅約49.1%，萬(wàn)子指數(shù)先滬深300數(shù)約30.0個(gè)點(diǎn)。圖表1.申萬(wàn)電子指數(shù)2025年1月1日至2025年12月11日漲跌幅80%70%60%50%40%30%20%10%0%-10%-20%2025/1/2 2025/2/22025/3/2 2025/4/22025/5/2 2025/6/22025/7/2 2025/8/2 2025/9/22025/10/22025/11/22025/12/2申萬(wàn)電子指數(shù)（801080.SL） 滬深300指數(shù)（000300.SH）注：時(shí)間截至2025年12月11日收盤20251120251211III半導(dǎo)體設(shè)備漲幅約65.1%，半導(dǎo)體材料漲幅約62.3%，分立器件漲幅約61.7%，數(shù)字芯片設(shè)計(jì)漲幅約56.3%，光學(xué)元件漲幅約52.9%，品牌消費(fèi)電子漲幅約49.1%，電子化學(xué)品III漲幅約41.3%，電子零部件及組裝漲幅約36.1%，面板漲幅約26.5%，被動(dòng)元件漲幅約25.7%，LED漲幅約19.8%，模擬芯片設(shè)計(jì)漲幅約19.2%，集成電路封測(cè)漲幅約11.9%。我們認(rèn)為2025年人工智能產(chǎn)業(yè)鏈迎來(lái)需求的較快增長(zhǎng)，從下游的AIInfra，到中游的AI服務(wù)器組裝，到上游的PCB、CCL、GPU等環(huán)節(jié)均有不錯(cuò)的漲幅表現(xiàn)。同時(shí)在2025年國(guó)家消費(fèi)品以舊換新補(bǔ)貼政策（以下簡(jiǎn)稱國(guó)補(bǔ)政策）的催化下，消費(fèi)電子終端需求在2025年上半年亦有不錯(cuò)的增長(zhǎng)，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)也有不錯(cuò)的漲幅表現(xiàn)。圖表2.申萬(wàn)電子三級(jí)行業(yè)2025年1月1日至2025年12月11日漲跌幅排名（算數(shù)平均）72.8%66.9%72.8%66.9%65.1%62.3%61.7%56.3%52.9%49.1%41.3%36.1%26.5%25.7%19.8%19.2%11.9% 注：時(shí)間截至2025年12月11日收盤電子行業(yè)整體業(yè)績(jī)顯著增長(zhǎng)2025年前三季度電子行業(yè)營(yíng)總收入同比長(zhǎng)較快，利能力顯著提升。據(jù) 據(jù)，子行202530,050YoY+19%1,483YoY+42%III圖表3.申萬(wàn)電子三級(jí)行業(yè)2025年前三季度營(yíng)業(yè)總收入和凈利潤(rùn)變動(dòng)趨勢(shì)收入（億元）收入YoY(%)潤(rùn)（億元）潤(rùn)YoY(%)半導(dǎo)體設(shè)備703收入（億元）收入YoY(%)潤(rùn)（億元）潤(rùn)YoY(%)半導(dǎo)體設(shè)備70331.011320.7數(shù)字芯片設(shè)計(jì)1,40628.816062.1其他電子Ⅲ1,59927.54619.3消費(fèi)電子零部件及組裝13,63427.455933.3印制電路板2,16225.421265.0被動(dòng)元件40617.45514.8集成電路封測(cè)71417.03324.0集成電路制造84916.558209.6模擬芯片設(shè)計(jì)38616.2101,233.4半導(dǎo)體材料37415.11515.2電子化學(xué)品Ⅲ4909.95414.5LED7428.71410.0品牌消費(fèi)電子1,1218.665(20.4)光學(xué)元件4477.02420.8面板4,4236.325199.4分立器件595(23.7)4087.7

2025年前三季度營(yíng)業(yè)總

2025年前三季度總凈利

2025年前三季度總凈利申萬(wàn)電子指數(shù)PE處于歷史相對(duì)高位申萬(wàn)電子指數(shù)PE根據(jù)數(shù)據(jù)，2020~2022PE降區(qū)間，2023~2025PE20251111PE68.94X~84.09X2020PE圖表4.申萬(wàn)電子指數(shù)PE-Bands14,00012,00010,0008,0006,0004,0002,00002020/1/2 2021/1/2 2022/1/2 2023/1/2 2024/1/2 2025/1/2收盤價(jià) 23.48X 38.64X 53.79X 68.94X 84.09X注：時(shí)間截至2025年12月11日收盤算力基建投入驅(qū)動(dòng)AI主線，行業(yè)聚焦從0→1變革節(jié)點(diǎn)AITokens需求快速增長(zhǎng)，CSP廠商資本開支維持高景氣度AI產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn)從訓(xùn)練轉(zhuǎn)向推理，Tokens需求量快速增長(zhǎng)。在過(guò)去兩年，AI產(chǎn)業(yè)聚焦于大模型的訓(xùn)練階段，各大廠商著力于擴(kuò)大大模型的參數(shù)規(guī)模，增加預(yù)訓(xùn)練的數(shù)據(jù)量。這是產(chǎn)業(yè)的投入期。目前，產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn)已經(jīng)逐步轉(zhuǎn)向大模型的推理階段。根據(jù)量子位援引谷歌數(shù)據(jù)，2025年10月Tokens1,300202552數(shù)據(jù)，2025年9月字節(jié)跳動(dòng)月處理Tokens量達(dá)到900萬(wàn)億，是2025年3月的2倍多。圖表谷歌月處理Tokens量 圖表字節(jié)跳動(dòng)月處理Tokens量單位：萬(wàn)億Tokens1,3009801,3009804801200100080060040020002025年5月 2025年7月 2025年10月

單位：萬(wàn)億100090049290049238160040020002025年3月 2025年5月 2025年9月oogle，量子 節(jié)跳動(dòng)，未盡研國(guó)內(nèi)和海外云廠商積極提高資本開支以應(yīng)對(duì)AIInfra1,2062022~20241,9433,500Bloomberg2025廠商Google3,4962026/20274,243/4,632圖表阿里巴巴資本開支化趨勢(shì) 圖表騰訊資本開支變化勢(shì)單位：億元5333445333443290

3,800

單位：億元3,5009603,50096050947402022 2023 2024 未來(lái)三年 2022 2023 2024 未來(lái)三年，華爾街見 ，華爾街見聞，高圖表9.北美四大云廠商Amazon、Meta、Microsoft、Google資本開支變化趨勢(shì)單位：億美元55%53%55%53%21%9%-3%02022 2023 2024 2025E 2026E

60%50%40%30%20%10%0%-10%Amazon Meta Microsoft Google YoYloomber注：Amazon、Meta、Google財(cái)年和自然年數(shù)據(jù)一致，Microsoft財(cái)年和自然年數(shù)據(jù)不一致，這里取自然年數(shù)據(jù)。海外GPU廠商積極提升算力效率，ASIC或迎來(lái)加速發(fā)展機(jī)遇英偉達(dá)積極提升GPU的計(jì)算效率和Switch的互聯(lián)帶寬。根據(jù)英偉達(dá)在GTC2025大會(huì)上披露的產(chǎn)品規(guī)劃，英偉達(dá)將在2025/2026/2027/2028年推出BlackwellUltra8SHBM3e/Rubin8SHBM4/RubinUltra16SHBM4e/FeymanNext-GenHBM解決方案。其中BlackwellUltraNVL72算力達(dá)到1.1EFDenseFP4Inference/0.36EFFP8，整體是GB200NVL721.5VeraRubinNVL144算力3.6EFFP4Inference/1.2EFFP8Training，整體是NVL723.3倍；RubinUltraNVL576算力達(dá)到15EFFP4Inference/5EFFP8，整體是NVL72的14和7thGenNVSwitch速率也將達(dá)到，是NVSwitch速率的2ofThought）TokensGPU圖表10.英偉達(dá)BlackwellNVL72解決方案 圖表11.英偉達(dá)VeraRubinNVL144解決方案vidiaGTC202 vidiaGTC2025根據(jù)財(cái)聯(lián)社2025年9月10日?qǐng)?bào)道，英偉達(dá)宣布推出專為長(zhǎng)上下文工作負(fù)載設(shè)計(jì)的專用GPURubinCPX，對(duì)應(yīng)的AI服務(wù)器VeraRubinNVL144CPX共集成36顆VeraCPU、144顆RubinGPU和144顆RubinCPXGPU。英偉達(dá)計(jì)劃以兩種形式提供RubinCPX，第一種是和VeraRubin裝配在同一個(gè)ComputeTray上，第二種是獨(dú)立以整個(gè)機(jī)架的CPX解決方案提供給客戶，數(shù)量正好匹配Rubin機(jī)架。英偉達(dá)分析稱，推理過(guò)程包括上下文階段和生成階段，RubinCPX針對(duì)數(shù)百萬(wàn)tokens級(jí)別的長(zhǎng)上下文性能進(jìn)行優(yōu)化，具備30PFlops的NVFP4算力和128GBGDDR7內(nèi)存。VeraRubinNVL144CPX機(jī)架處理長(zhǎng)上下文的性能相較于GB300NVL72高出最多6.5倍。圖表12.英偉達(dá)RubinUltraNVL576解決方案 圖表13.英偉達(dá)VeraRubinNVL144解決方案vidiaGTC202 vidi2025年第二次4002,000RubinGPU202610月量產(chǎn)。英偉達(dá)預(yù)計(jì)BlackwellRubin5,000圖表14.英偉達(dá)AIGPU產(chǎn)品規(guī)劃路線圖vidiaGTC202AMD亦在積極提高芯片算力效率。根據(jù)IT之家報(bào)道，AMD在其2025年年度人工智能直播活動(dòng)AdvancingAI2025上正式發(fā)布MI350X和MI355X的解決方案。根據(jù)Bloomberg信息，AMD預(yù)計(jì)將在2026年推出MI400及其相關(guān)的Helios72GPURack級(jí)解決方案，以應(yīng)對(duì)英偉達(dá)的競(jìng)爭(zhēng)。圖表15.英偉達(dá)和AMDAIGPU技術(shù)路線對(duì)比ompanyFilings，BloombergASICOpenAIAIASIC谷歌在GoogleCloudNext25（TPU）Ironwood，Ironwood2569,21642.5EFlops4.614EFlops，功率效Trillium1.5TPU3020251024Anthropic100TPUAnthropic迄今為止規(guī)模最大的TPUAnthropic已經(jīng)和20251125PlatformsTPU芯片，包括用于Meta圖表16.第三方AIASIC解決方案loomber圖表17.谷歌AIASIC性能對(duì)比 圖表18.谷歌AIASIC能效對(duì)比oogle，半導(dǎo)體行業(yè)觀 oogle，半導(dǎo)體行業(yè)觀國(guó)產(chǎn)AI芯片機(jī)遇和挑戰(zhàn)并存20259182026Q1/2026Q4/2027Q4/2028Q4Ascend950PR/950DT/960/9702026Q1950PRMXFP4FP812PFLOPS。950PR還將支持華為自研1.0和2.01.02.0950PR950+HiBL1.0內(nèi)存，可提升推理950DT芯片采用2.0內(nèi)存，可提升推理解碼AI超節(jié)點(diǎn)Atlas950Atlas850和AtlasAI新一代標(biāo)卡Atlas、業(yè)界首個(gè)通算超節(jié)點(diǎn)TiShan950Atlas950SuperPoDAIAtlas950NPU8,192Atlas850AI超節(jié)8Atlas850多柜靈活部署，最大可形成128臺(tái)1,024卡的超級(jí)點(diǎn)集群，是目前業(yè)內(nèi)唯一可在風(fēng)冷機(jī)房實(shí)現(xiàn)超節(jié)點(diǎn)架構(gòu)的算力集群。圖表19.華為自研昇騰芯片技術(shù)路線圖科中國(guó)國(guó)產(chǎn)AI2025AI2024725EFLOPS，YoY+74%2025國(guó)智能算力規(guī)模將達(dá)到1,037EFLOPSYoY+43%；預(yù)計(jì)2026年中國(guó)智能算力規(guī)模將達(dá)到1,460EFLOPS2024AI2022~202551.2594.907.2946.070.00長(zhǎng)至12.36億元，摩爾線程營(yíng)業(yè)收入從0.46億元增長(zhǎng)至7.85億元。圖表20.華為自研昇騰芯片技術(shù)路線圖2025AI浪潮信息《2025年中國(guó)人工智能計(jì)算力發(fā)展評(píng)估報(bào)告圖表21.已上市國(guó)產(chǎn)AI芯片廠商營(yíng)業(yè)收入2022202320242025年前三季度688041.SH海光信息2022202320242025年前三季度688041.SH海光信息51.2560.1291.6294.90688256.SH寒武紀(jì)7.297.0911.7446.07688802.SH沐曦股份0.000.537.4312.36688795.SH摩爾線程0.461.244.387.85688047.SH龍芯中科7.395.065.043.51H200芯片或引動(dòng)國(guó)產(chǎn)AI芯片鯰魚效應(yīng)。根據(jù)芯智訊2025年12月9日?qǐng)?bào)道，特朗普宣布將允許英偉達(dá)向中國(guó)和其他地區(qū)的獲準(zhǔn)客戶銷售H200人工智能芯片。根據(jù)芯謀研究分析，目前國(guó)內(nèi)AI芯片性能還趕不上H200。如果H200獲準(zhǔn)進(jìn)入中國(guó)，客觀上會(huì)擠壓中國(guó)AI芯片的市場(chǎng)。寒武紀(jì)、摩爾線程等廠商已經(jīng)在不同的細(xì)分領(lǐng)域獲得了客戶，中國(guó)算力芯片多元化和國(guó)產(chǎn)化已經(jīng)取得不小的成績(jī)。但是因?yàn)閲?guó)內(nèi)先進(jìn)產(chǎn)能不足，很多AI企業(yè)的需求無(wú)法滿足，H200進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)可以有效解決國(guó)內(nèi)AI企業(yè)需求。但是如果不加以限制地放開供應(yīng)，就會(huì)沖擊目前滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)的國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈，所以引入H200的前提是要保證國(guó)內(nèi)先進(jìn)產(chǎn)能滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)，不能讓H200沖擊到國(guó)產(chǎn)芯片替代產(chǎn)業(yè)鏈的高效運(yùn)轉(zhuǎn)。我們認(rèn)為H200如果獲準(zhǔn)進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)，將掀起鯰魚效應(yīng)，倒逼中國(guó)AI芯片廠商積極改良產(chǎn)品和提高性能。先進(jìn)封裝產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)容臺(tái)積電上修ChatGPTAI芯片需求顯著增長(zhǎng)，全球CoWoS202437202567100AI芯片龍頭企業(yè)具備大規(guī)模鎖定產(chǎn)能的實(shí)力，其余專用芯片（ASIC）廠商及二線AI芯片廠商均面臨CoWoS產(chǎn)能不足的困境。根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫援引摩根士丹利數(shù)據(jù)，2026年英偉達(dá)CoWoS晶圓總需求量將達(dá)到59.5萬(wàn)片，占全球總需求的60%，其中約51萬(wàn)片將由臺(tái)積電承接，主要用于下一代Rubin架構(gòu)芯片。據(jù)此推算，2026年英偉達(dá)芯片出貨量可達(dá)540萬(wàn)顆，其中240萬(wàn)顆將來(lái)自Rubin平臺(tái)。Amkor和日月光（ASE/SPIL）等外包封測(cè)廠（OSAT）也將為英偉達(dá)分擔(dān)約8萬(wàn)片的CoWoS產(chǎn)能，主要用于其VeraCPU和汽車芯片等產(chǎn)品。緊隨其后的是博通的CoWoS需求，預(yù)計(jì)將達(dá)到15萬(wàn)片，占總需求的15%，其產(chǎn)能主要服務(wù)于大客戶的定制芯片（ASIC），包括為谷歌TPU預(yù)定的9萬(wàn)片（臺(tái)積電8.5萬(wàn)片，日月光/矽品5k片）、為Meta定制的5萬(wàn)片和為OpenAI定制的1萬(wàn)片。AMD預(yù)計(jì)將獲得10.5萬(wàn)片CoWoS晶圓，約占總需求的11%，其中8萬(wàn)片將由臺(tái)積電生產(chǎn)，用于其MI355和MI400的AI加速器。其他廠商包括亞馬遜、Marvell、聯(lián)發(fā)科等，其中亞馬遜通過(guò)其合作伙伴AIchip預(yù)定了5萬(wàn)片CoWoS產(chǎn)能；Marvell為AWS和微軟的定制芯片預(yù)定了5.5萬(wàn)片CoWoS產(chǎn)能；聯(lián)發(fā)科為谷歌TPU項(xiàng)目預(yù)定了2萬(wàn)片CoWoS產(chǎn)能。綜上，上述幾大客戶已鎖定臺(tái)積電CoWoS總產(chǎn)能的85%以上，留給二線AI芯片廠商和專用ASIC廠商以及初創(chuàng)企業(yè)的份額不足15%。在排期普遍延后至2026年甚至更晚的背景下，產(chǎn)能稀缺已經(jīng)從技術(shù)瓶頸演變?yōu)槭袌?chǎng)準(zhǔn)入門檻。圖表22.全球主要AI芯片廠商CoWoS產(chǎn)能分配公司2026年CoWoS晶圓總需求量全球市場(chǎng)份額主要應(yīng)用場(chǎng)景英偉達(dá)59.5萬(wàn)片60%下一代AI芯片、汽車芯片等博通15萬(wàn)片15%大客戶定制ASIC芯片AMD10.5萬(wàn)片11%MI355和MI400系列AI加速器亞馬遜5萬(wàn)片約5%定制芯片Marvell5.5萬(wàn)片約5%AWS、微軟定制芯片聯(lián)發(fā)科2萬(wàn)片約2%谷歌TPU項(xiàng)目等其他二線廠商/初創(chuàng)公司-不足15%二線AI芯片、專用ASIC等導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱AI服務(wù)器架構(gòu)迭代主導(dǎo)互聯(lián)技術(shù)升級(jí)英偉達(dá)RubinUltra架構(gòu)或引入正交背板設(shè)計(jì)，高端PCB加速擴(kuò)產(chǎn)英偉達(dá)考慮在RubinUltra中引入正交背板設(shè)計(jì)。根據(jù)ZFinance援引Semianalysis數(shù)據(jù)，英偉達(dá)在RubinUltraNVL576架構(gòu)中引入Kyber機(jī)架設(shè)計(jì)。和Oberon在于用PCB板背板取代銅纜背板作為機(jī)架內(nèi)GPU和NVSwitches之間的擴(kuò)展鏈路。根據(jù)ServeTheHome報(bào)道，英偉達(dá)在GTC2025大會(huì)上首次展示其RubinNVL576機(jī)架名為Kyber），Midplane偉達(dá)RubinNVL576（Midplane78（3×26L）104（4×26L）+80+IP圖表23.英偉達(dá)Oberon機(jī)架和Kyber機(jī)架對(duì)比Finance，Semianalysi技術(shù)有望成為AI服務(wù)器的升級(jí)方向。SemiVisionCoWoP（Chip-on-Wafer-on-PCB，芯片--）技術(shù)去除了傳統(tǒng)的（即Substrate-LikeCoWoP技術(shù)在理論上擁PCIeGen6/7和3/42）PCBGPU圖表24.CoWoP和CoWoS、CoPoS技術(shù)對(duì)比miisio《FromGlassFibertoCCLTheMaterialBackbonePoweringtheNewEraofCooPPackaging高階廠商有望受益于AI需求的增長(zhǎng)。AIPCBPCBISPCAIGPCA2025）PCB80AIAIPCB圖表25.部分PCB廠商產(chǎn)能規(guī)劃情況PCB廠商 產(chǎn)能規(guī)情況鵬控股 淮三區(qū)高階HDI及SLP項(xiàng)目一工已于2024順產(chǎn)期程在速設(shè)國(guó)區(qū)設(shè)目計(jì)于2025年5月建成，并進(jìn)入認(rèn)證、打樣、試產(chǎn)、陸續(xù)投產(chǎn)階段。勝科技 泰基增資2.5億元國(guó)廠四目于2025年6月產(chǎn)。深電路 深、錫南、國(guó)在）有能局一面司過(guò)現(xiàn)成熟PCB工進(jìn)技改和，提升能另方，司序進(jìn)通期目設(shè)構(gòu)建HDI工藝平和能。滬股份 公近年加對(duì)鍵程瓶制的資度預(yù)計(jì)2025年半產(chǎn)將到效善公司在2024年規(guī)劃投資約43億元新建人工智能芯片配套高端印制電路板擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，目前已啟動(dòng)建設(shè)。景電子 截至2024年末公珠海HDI項(xiàng)目已工建司國(guó)擁廣深圳廣龍川江吉水江信豐珠海金、海富山6大產(chǎn)地共13工，外國(guó)產(chǎn)地建。2024年12月公司在現(xiàn)有廠房上實(shí)施智能算力中心高多層高密互聯(lián)電路板建設(shè)項(xiàng)目，項(xiàng)目預(yù)計(jì)分為兩階段實(shí)施，第一生益電子

階段預(yù)計(jì)2025年試生產(chǎn)，第二階段預(yù)計(jì)2027年試生產(chǎn)。該項(xiàng)目規(guī)劃年產(chǎn)能25萬(wàn)平米高多層高密度互聯(lián)印制電路板，其中一期規(guī)劃年產(chǎn)15萬(wàn)平米，二期規(guī)劃年產(chǎn)10萬(wàn)平米。廣合科技 泰國(guó)工廠2025年3月底完成設(shè)備聯(lián)調(diào)聯(lián)試，目前已經(jīng)開始試生產(chǎn)，核心客戶審廠按計(jì)劃推進(jìn)。公司增資黃石廣合。方正科技 定增投向人工智能及算力類高密度互聯(lián)電路板產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目，擴(kuò)大HDI產(chǎn)能。，鵬鼎控股、勝宏科技、深南電路、滬電股份、景旺電子、生益電子、廣合科技、方正科技等各公司公PCB材料聚焦低介電性能，石英布、HVLP銅箔、高頻高速樹脂有望脫穎而出Dk值和Df值是衡量AIInfra通常需要配備高階和高多層，通常這些PCBPCB（Low-Dk）（Low-Df）PCB圖表26.Dk值和Df值是衡量PCB及相關(guān)材料電性能的關(guān)鍵指標(biāo)miisio《FromGlassFibertoCCLTheMaterialBackbonePoweringtheNewEraofCooPPackagingM8GBGBMEGTRON是MEGTRON8和MEGTRONDf。其中MEGTRON8S系列28GHzM7材料。圖表27.松下覆銅板的產(chǎn)品分級(jí)本松下電工官石英纖維是綜合性能最優(yōu)異的電子布增強(qiáng)材料之一。E玻纖是經(jīng)典的傳統(tǒng)電子玻璃纖維材料，在（Df）0.0060。DE（Df）（CTE）NELD玻性能指標(biāo)均遠(yuǎn)低于E玻纖、DNE玻纖和L玻纖。圖表28.不同品類玻纖布的性能表現(xiàn)miisio《FromGlassFibertoCCLTheMaterialBackbonePoweringtheNewEraofCooPPackaging、NER、、DX、VNE為第（Low-Dk一代布（Low-Dk二代布T（Low-CTE）AIAI）（Low-CTE）AImillimeter1.6TPCIe100Gbps及以上AI2026~2028NEZ（Low-DK三代布）圖表29.日東紡產(chǎn)品路線規(guī)劃圖東石英纖維布有望成為Rubin和RubinUltra服務(wù)器CPX/Midplane/CCL材料核心解決方224GbpsCCLM8M8.5~M9二代布+Rubin（Midplane）M9板（Compute（Switch一代或二代）RubinUltraM9ASIC量下會(huì)采用二代）圖表30.英偉達(dá)AI服務(wù)器CCL材料解決方案AI服務(wù)器GB200NVL72GB300NVL72VR200NVL144時(shí)間2025Q1試產(chǎn)，2025Q2量產(chǎn)2025H2樣機(jī)，2026年放量2026H2樣機(jī)，2027年放量晶圓制程4nm4nm3nmPCIe規(guī)格PCIE6.0PCIE6.0PCIE6.0CCL-計(jì)算板M8（Low-DK一代）+M4M8（Low-DK一代）+M4M8（Low-DK一代）+M4CCL-交換板M8（Low-DK二代）+M2M8（Low-DK二代）+M2M8（Low-DK二代）+M2CCL-CPX板M9+M6CCL-中介板M9邦投顧《2026年P(guān)CB產(chǎn)業(yè)展望HVLP銅箔1.5μm12~70μmPCB和覆銅板CCL295℃HVLP銅箔是通過(guò)電解生箔加工工藝生產(chǎn)的，在滾筒電鍍過(guò)程中會(huì)形成一個(gè)光滑亮面和一個(gè)啞光面，啞光面需要經(jīng)過(guò)微觀結(jié)構(gòu)粗糙化層、偶聯(lián)劑層、抗氧化層和阻隔層等多層表面處理。這種結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了低粗糙度且具備足夠的剝離強(qiáng)度，確保與高頻高速印制電路板PCB制造工藝的兼容性和長(zhǎng)期可靠性。HVLP在AI服務(wù)器、800G和1.6T5G、0.5μm、0.4μmAI圖表31.日本三井金屬的RTF和HVLP銅箔本三井金HVLP5預(yù)計(jì)未來(lái)將成為AI服務(wù)器和800G/1.6TAWST2GoogleV5/V6NvidiaGB200GoogleV7均采用年起NvidiaAMDAWST2Google800GSwitch均會(huì)升級(jí)的解決方案；松下的M9CCL預(yù)計(jì)會(huì)升級(jí)800G/1.6T、HVLP5圖表32.HVLP銅箔類型HVLP2HVLP3HVLP4HVLP5加工費(fèi)15美元/kg20~25美元/kg25~30美元/kg＞35美元/kg三井金屬三井金屬三井金屬三井金屬古河電工古河電工古河電工古河電工供應(yīng)商福田金屬福田金屬福田金屬福田金屬金居銅箔金居銅箔金居銅箔盧森堡銅箔盧森堡銅箔盧森堡銅箔T2（2024~2025） NvidiaGB200NVSW NvidiaRubin PanasonicM9GoogleV5/V6 GoogleV7 MI450客和品 T2MAX（2026GoogleV8MetaM9896K2/K3800GSwitch邦投顧《2026PCB產(chǎn)業(yè)展望樹脂和PTFE根據(jù)ClydeF.Coombs,JrE-GlassPCHDk樹脂搭配E-GlassDk2.3Df0.0009PCHPTFE圖表33.常規(guī)樹脂和增強(qiáng)材料的介電常數(shù)和損耗因子樹脂體系增強(qiáng)材料Dk（1MHz）Dk（1GHz）Df（1MHz）Df（1GHz）環(huán)氧樹脂E-Glass4.43.90.02000.0180無(wú)鹵素環(huán)氧樹脂E-Glass4.34.00.01500.0130環(huán)氧樹脂/PPOE-Glass3.93.90.01100.0100改良的環(huán)氧樹脂E-Glass3.93.70.01200.0120環(huán)氧共混物E-Glass3.93.70.00900.0090低損耗共混物E-Glass3.83.70.00600.0070極低損耗共混物E-Glass3.53.40.00300.0036氰酸酯E-Glass3.83.70.00800.0011聚酰亞胺E-Glass4.33.90.01400.0150APPEE-Glass3.73.40.00500.0070PTFEE-Glass2.32.30.00130.0009碳?xì)錁渲珽-Glass3.43.30.00250.0024SDN，ClydeF.Coombs,Jr《印制電路手冊(cè)》第六圖表34.各類型樹脂的介常數(shù) 圖表35.不同等級(jí)覆銅板樹脂基材圳市惠科新材料股份有限公 圳市惠科新材料股份有限公光互聯(lián)引領(lǐng)集群算力需求新方向隨著AI技術(shù)的持續(xù)迭代，200G和400G交換機(jī)會(huì)遇到性能瓶頸，交換機(jī)向更大帶寬發(fā)展成為目前業(yè)內(nèi)已有多個(gè)企業(yè)發(fā)布800Gbps20236月華為推出面向多元算力的800GE數(shù)據(jù)中心交換機(jī)CloudEngine16800-X。202311月浪潮信息發(fā)布旗艦級(jí)51.2T高性能交換機(jī)SC8670EL-128QH。2024年3月英偉達(dá)推出適用于InfiniBand的Quantum-X800交換機(jī)和適用于標(biāo)準(zhǔn)以太網(wǎng)的Spectrum-X800交換機(jī)兩大平臺(tái)。芯片層面，海外大廠紛紛推出用于高端交換機(jī)的交換芯片，2025年博通發(fā)布全球首款102.4T交換機(jī)芯片Tomahawk6，定義超大規(guī)模AI網(wǎng)絡(luò)核心架構(gòu)。我們認(rèn)為伴隨交換機(jī)芯片側(cè)的加速迭代，AI網(wǎng)絡(luò)的帶寬革命持續(xù)提速，相關(guān)互聯(lián)產(chǎn)業(yè)鏈有望深度受益。圖表36.博通Tomahawk6交換機(jī)芯片訊云，博當(dāng)摩爾定律走向極限，SoC的性能上限正面臨內(nèi)存墻、功耗墻等物理規(guī)則的限制。AI時(shí)代高性能計(jì)算行業(yè)正迅速接近電氣I/O性能的實(shí)際極限，從而形成了I/O功耗墻。光芯片能起到數(shù)據(jù)巴士的作用，將單元內(nèi)部需要傳輸?shù)臄?shù)據(jù)集中起來(lái)，通過(guò)光傳播介質(zhì)（如光纖）與其他單元進(jìn)行數(shù)據(jù)交AI圖表37.oNOC系統(tǒng)側(cè)視圖和俯視圖非網(wǎng)，曦智科臺(tái)積電布局硅光市場(chǎng)并制定12.8Tbps3D1.6TbpsOSFP（最高可達(dá)800Gbps），CoWoS6.4Tbps（運(yùn)行在CoS內(nèi)插器上的CE.圖表38.下一代通信用3D光學(xué)引擎 圖表39.面向AI領(lǐng)域的集成HPC技術(shù)平臺(tái)導(dǎo)體行業(yè)觀察，臺(tái)積 導(dǎo)體行業(yè)觀察，臺(tái)積技術(shù)的應(yīng)用。CPO業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的主要著力點(diǎn)。長(zhǎng)期來(lái)看，隨著技術(shù)的演進(jìn)和市場(chǎng)的拓展，CPO有望重塑光通信產(chǎn)業(yè)鏈，推動(dòng)光模塊從可插拔轉(zhuǎn)向合封模組形態(tài)。根據(jù)Yole的CPO發(fā)展趨勢(shì)圖，隨著1.6T光模塊的到來(lái)，產(chǎn)業(yè)或已處于起量前期，產(chǎn)業(yè)鏈上游的光芯片和CW激光光源等環(huán)節(jié)有望迎來(lái)需求提速。圖表40.CPO技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)圖ole光交換機(jī)（OCS）級(jí)交換速率（）（10微妙功耗較InfiniBand65%AIOCSICI9,216TPU絡(luò)故障點(diǎn)重新規(guī)劃ICIICI64TPU4×4×4TPU9,216顆。4×4×416（OCS）圖表41.谷歌OCS光交換機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖 圖表42.谷歌OCS光交換機(jī)原理emianalysis emianalysisAI存儲(chǔ)新周期漸行漸近存儲(chǔ)原廠資本開支增長(zhǎng)有限，供給趨緊或推動(dòng)價(jià)格持續(xù)上漲根據(jù)TrendForceNand2026和Nand合以及TrendForce預(yù)估DRAM20255372026613億美元，YoY+14%；NandFlash20252112026年進(jìn)一步增長(zhǎng)至222億美元，YoY+5%。DRAM2026135YoY+23%TSV205M15x廠區(qū)2026200YoY+11%1cP4L晶圓產(chǎn)能的小幅提升。但是SKID120272026NandFlash方面，Kioxia（鎧俠）/SanDisk（閃迪）因?yàn)闆]有涉足DRAM業(yè)務(wù)，被認(rèn)為是最積極Kioxia/SanDisk202645BiCS8BiCS9的研發(fā)。美光計(jì)劃小幅提升NandFlash產(chǎn)能，并聚焦G9制程發(fā)展和企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)，預(yù)計(jì)2026年資本開支同比增幅將達(dá)到63%。相較之下，SK海力士/Solidigm（思得則將縮減或限制NandFlashHBMDRAM領(lǐng)域。NandFlash漲價(jià)趨勢(shì)或貫穿2026TrendForceNandAI（CSP）2026Hybrid-BondingTrendForce認(rèn)為Nand2026年全年。圖表43.2022~2026年DRAM和Nand產(chǎn)業(yè)資本開支rendForce端側(cè)和云側(cè)存儲(chǔ)需求增長(zhǎng)，下游細(xì)分行業(yè)迎來(lái)邊際催化1,499億1,9286.5%2025~20292,6334,07111.5%。圖表44.全球存儲(chǔ)產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模（2020~2029年）單位：十億美元4504003503002502001501005002020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2029年AI端側(cè) 傳統(tǒng)消費(fèi)電子 傳統(tǒng)汽車 服務(wù)器 其他維存儲(chǔ)港股招股說(shuō)明書，弗若斯特沙利文，半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)AIAIPC、AIAI2020~2024112025~2029AI333億1,151AI2020~2024268594長(zhǎng)率達(dá)到2025~2029860億美元增長(zhǎng)至億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到14.1%AICBA+4F2技術(shù)引領(lǐng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)品直面全球競(jìng)爭(zhēng)DRAM向4F2和CMOS鍵合陣列架構(gòu)升級(jí)。1α4F2布局過(guò)渡并采用CMOS鍵合陣列架構(gòu)。圖表45.標(biāo)準(zhǔn)的6F2布局和采用垂直通道晶體管的4F2布局智訊，Semianalysis，CXMTIEDM2023Semianalysis20234F218nm節(jié)點(diǎn)SK海力4F24F2CMOS轉(zhuǎn)變，將/圖表46.鎧俠第八代BiCSFLASH所采用的CBA技術(shù)CBACMOSCMOS地發(fā)揮CMOS圖表47.DRAM綜合技術(shù)路線圖遙科技，YoleCBA2026右開始CBA2027CBACBA架構(gòu)圖表48.4F2架構(gòu)轉(zhuǎn)變下的半導(dǎo)體設(shè)備升級(jí)amResearc消費(fèi)電子危與機(jī)并存，2026年或迎局部機(jī)遇存儲(chǔ)價(jià)格上行或致消費(fèi)電子成本承壓，果鏈有望相對(duì)受益AI存儲(chǔ)需求或擠壓消費(fèi)電子存儲(chǔ)需求供給DRAM方面，4GBDDR4X2025711304~5方面，64GBeMMC價(jià)格也從2025年初的3.2美金上漲至12月前后的8美金以上。AI服務(wù)器（CSP）高帶寬內(nèi)存）預(yù)計(jì)20262026AI投資2026TrendForce10~15%。20258~10%20265~7%2025DRAM和Nand合計(jì)占筆記本電腦整機(jī)成202520%TrendForce2026年筆記本電腦終端銷售價(jià)格將普遍上調(diào)5~15%，這可能會(huì)壓制用戶需求。存儲(chǔ)漲價(jià)對(duì)低端機(jī)型的成本影響更大。一方面，低端機(jī)型本身利潤(rùn)微薄，品牌商在BOM成本上行的背景下或?qū)⒈黄壬险{(diào)終端售價(jià)，以轉(zhuǎn)移成本和維持正常運(yùn)營(yíng)。另一方面，低端機(jī)型的用戶對(duì)銷售圖表49.存儲(chǔ)價(jià)格占筆記本電腦BOMCost變化rendForce注：預(yù)測(cè)時(shí)間為2025年11月PCPC2026年產(chǎn)品規(guī)劃，包括AIPC20%的服務(wù)器和電腦報(bào)價(jià)將在2026年1月1日到期，屆時(shí)新的報(bào)價(jià)將會(huì)大幅上漲。戴爾正考慮對(duì)服務(wù)器和PC產(chǎn)品漲價(jià)，漲價(jià)幅度預(yù)計(jì)至少在15~20%區(qū)間，漲價(jià)最快可能在12月中旬生效?；萜誄EO也表示2026年下半年可能尤其艱難，必要時(shí)將上調(diào)產(chǎn)品價(jià)格。智能手機(jī)廠商亦有提價(jià)動(dòng)作。小米集團(tuán)總裁盧偉冰表示，來(lái)自上游的成本壓力已經(jīng)真實(shí)傳導(dǎo)到了小米的新品定價(jià)上。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)分析，REDMIK90全系列產(chǎn)品定價(jià)已經(jīng)體現(xiàn)成本上漲，基本比上一代產(chǎn)品漲價(jià)100~400元不等。2026TrendForceTrendForece2026圖表50.智能手機(jī)、筆記本電腦、游戲主機(jī)2025~2026年需求成長(zhǎng)預(yù)估下調(diào)rendForce注：預(yù)測(cè)時(shí)間為2025年12月平價(jià)策略疊加創(chuàng)新周期，2026年果鏈或存在結(jié)構(gòu)性機(jī)遇蘋果定價(jià)策略轉(zhuǎn)向親民路線，或帶來(lái)未來(lái)市場(chǎng)份額提升。2025年9月10日，蘋果召開2025年iPhone174,800升級(jí)新一代處理器芯片、內(nèi)存容量翻倍至256GB起步（原配置最低位128GB），但是起售價(jià)格卻保持不變，即實(shí)質(zhì)上的隱形降價(jià)。iPhone17系列銷售表現(xiàn)良好，并帶動(dòng)蘋果份額創(chuàng)新高。根據(jù)Counterpoint數(shù)據(jù)，2025年10月蘋果實(shí)際出貨量同比增長(zhǎng)12%，市場(chǎng)份額上升至24.2%，創(chuàng)歷史單月新高。這一增長(zhǎng)主要得益于iPhone17系列在中國(guó)、美國(guó)、西歐等關(guān)鍵市場(chǎng)的表現(xiàn)。根據(jù)Counterpoint研究總監(jiān)杰夫的預(yù)測(cè)，2025年蘋果在智能手機(jī)市場(chǎng)的份額有望超過(guò)三星，蘋果或?qū)⒊蔀槿蛑悄苁謾C(jī)出貨量第一的品牌，自2011年以來(lái)首次登頂全球出貨量榜首。20262026IT9To5Mac2026價(jià)版iPad（搭載A18芯片標(biāo)準(zhǔn)版）、iPhone17e。平價(jià)版Macbook將對(duì)標(biāo)Chrome等低端PC產(chǎn)品。結(jié)合彭博社記者馬克古爾曼披露的信息，這款平價(jià)款Macbook將搭載12.9英寸屏幕、A18Pro芯片，性能看齊iPhone16Pro手機(jī)，定價(jià)約599~699美元。另外兩款平價(jià)產(chǎn)品則是已有產(chǎn)品線的延續(xù)。我們認(rèn)為蘋果在產(chǎn)品價(jià)格上采取親民路線策略，有望幫助公司在2026年獲得更多的市場(chǎng)份額。2026年蘋果或?qū)l(fā)布多款創(chuàng)新終端，有望驅(qū)動(dòng)新一輪增長(zhǎng)動(dòng)力。根據(jù)極果網(wǎng)消息，蘋果首款折疊屏新品iPhoneFlod將在2026年9月發(fā)布，采用創(chuàng)新鉸鏈和超薄玻璃技術(shù)，基本實(shí)現(xiàn)無(wú)折痕的屏7.8+5.55,400~5,800mAh，2,4001,000萬(wàn)Vision相同的