光刻機(jī)精密零部件研發(fā)工程師崗位招聘考試試卷及答案填空題（每題1分，共10分）1.光刻機(jī)分辨率公式中，關(guān)鍵參數(shù)NA代表______。2.極紫外（EUV）光刻機(jī)的工作波長約為______nm。3.光刻機(jī)精密反射鏡常用的基底材料是______。4.光刻機(jī)對(duì)關(guān)鍵零部件的位置精度要求通常在______級(jí)。5.光刻機(jī)精密驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)常用的高精度定位技術(shù)是______。6.光刻膠與光刻機(jī)零部件的匹配核心是______兼容性。7.光刻機(jī)真空系統(tǒng)的作用是減少______對(duì)EUV光的吸收。8.光刻機(jī)計(jì)量系統(tǒng)常用的高精度測量工具是______。9.光刻機(jī)精密零部件加工需采用______工藝以保證無應(yīng)力。10.深紫外（DUV）光刻機(jī)中，ArF激光的波長約為______nm。單項(xiàng)選擇題（每題2分，共20分）1.以下哪種光刻機(jī)屬于下一代核心設(shè)備？A.紫外（UV）光刻機(jī)B.深紫外（DUV）光刻機(jī)C.極紫外（EUV）光刻機(jī)D.電子束光刻機(jī)2.EUV光刻機(jī)反射鏡的工作原理是？A.折射B.反射C.衍射D.散射3.光刻機(jī)關(guān)鍵零部件表面粗糙度要求通常低于？A.1nmB.10nmC.100nmD.1μm4.以下哪種材料不適合作為EUV反射鏡基底？A.碳化硅B.石英C.鋁D.硅5.光刻機(jī)分辨率R的計(jì)算公式是？A.R=λ/NAB.R=λ/(2NA)C.R=2λ/NAD.R=NA/λ6.光刻機(jī)精密驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的定位精度需達(dá)到？A.10nm以內(nèi)B.100nm以內(nèi)C.1μm以內(nèi)D.10μm以內(nèi)7.以下哪項(xiàng)不是EUV光刻機(jī)的核心挑戰(zhàn)？A.光源功率B.反射鏡效率C.掩模缺陷D.成本低8.光刻機(jī)真空系統(tǒng)的真空度通常達(dá)到？A.10^-3TorrB.10^-6TorrC.10^-9TorrD.1atm9.以下哪種計(jì)量技術(shù)用于光刻機(jī)零部件的位置測量？A.電容傳感器B.激光干涉儀C.超聲波傳感器D.紅外傳感器10.光刻機(jī)精密零部件的失效模式不包括？A.熱變形B.磨損C.腐蝕D.氧化多項(xiàng)選擇題（每題2分，共20分）1.光刻機(jī)關(guān)鍵光學(xué)部件包括？A.反射鏡B.透鏡C.掩模D.光刻膠2.EUV光刻機(jī)核心零部件材料要求包括？A.低熱膨脹B.高導(dǎo)熱C.低吸收D.低成本3.光刻機(jī)精密驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)類型包括？A.磁懸浮驅(qū)動(dòng)B.壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)C.伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)D.液壓驅(qū)動(dòng)4.光刻機(jī)真空系統(tǒng)組成部分包括？A.真空泵B.真空腔C.檢漏儀D.冷卻器5.光刻機(jī)零部件研發(fā)中的計(jì)量技術(shù)包括？A.激光干涉儀B.原子力顯微鏡（AFM）C.掃描電子顯微鏡（SEM）D.光譜儀6.光刻機(jī)精密零部件失效模式包括？A.熱變形B.表面損傷C.應(yīng)力集中D.材料老化7.光刻機(jī)環(huán)境控制要求包括？A.恒溫B.恒濕C.無塵D.無振動(dòng)8.與DUV光刻機(jī)相比，EUV光刻機(jī)的差異包括？A.波長更短B.用反射鏡C.真空環(huán)境D.分辨率更高9.光刻機(jī)精密零部件加工工藝包括？A.超精密磨削B.化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）C.離子束刻蝕D.注塑成型10.光刻機(jī)關(guān)鍵零部件研發(fā)需考慮的因素包括？A.精度要求B.材料兼容性C.熱穩(wěn)定性D.成本控制判斷題（每題2分，共20分）1.EUV光刻機(jī)使用折射式光學(xué)系統(tǒng)。（）2.光刻機(jī)精密零部件表面粗糙度越低，性能越好。（）3.磁懸浮驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)納米級(jí)定位精度。（）4.DUV光刻機(jī)不需要真空環(huán)境。（）5.光刻機(jī)分辨率與數(shù)值孔徑（NA）成正比。（）6.碳化硅材料具有低熱膨脹系數(shù)，適合作為EUV反射鏡基底。（）7.光刻機(jī)計(jì)量系統(tǒng)常用激光干涉儀測量位置精度。（）8.光刻膠與光刻機(jī)零部件的材料兼容性不影響性能。（）9.液壓驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)適合光刻機(jī)精密定位。（）10.真空環(huán)境可減少EUV光的吸收。（）簡答題（每題5分，共20分）1.簡述光刻機(jī)精密零部件表面粗糙度對(duì)性能的影響。2.說明EUV光刻機(jī)反射鏡基底材料的選擇依據(jù)。3.列舉光刻機(jī)關(guān)鍵精密驅(qū)動(dòng)部件及核心要求。4.簡述光刻機(jī)真空系統(tǒng)的作用及對(duì)零部件的要求。討論題（每題5分，共10分）1.討論如何解決EUV光刻機(jī)精密零部件的熱變形控制問題。2.討論光刻機(jī)精密零部件研發(fā)中，材料選擇與加工工藝的協(xié)同優(yōu)化策略。---答案部分填空題答案1.數(shù)值孔徑2.13.53.碳化硅（或石英）4.納米5.磁懸?。ɑ驂弘娞沾沈?qū)動(dòng)）6.材料7.空氣分子8.激光干涉儀9.無應(yīng)力加工10.193單項(xiàng)選擇題答案1.C2.B3.A4.C5.B6.A7.D8.C9.B10.D多項(xiàng)選擇題答案1.ABC2.ABC3.AB4.ABC5.ABC6.ABCD7.ABCD8.ABCD9.ABC10.ABCD判斷題答案1.×2.√3.√4.√5.×6.√7.√8.×9.×10.√簡答題答案1.表面粗糙度直接影響光學(xué)性能：①散射光降低反射/透射效率；②引入噪聲降低成像分辨率；③殘留污染物+熱變形不均影響長期精度；④運(yùn)動(dòng)部件易磨損降低定位精度。需控制在1nm以下。2.選擇依據(jù)：①低熱膨脹（避免熱漂移）；②高導(dǎo)熱（散發(fā)光熱）；③低EUV吸收（減少能量損失）；④易加工（實(shí)現(xiàn)超光滑表面）。主流為碳化硅（SiC）和熔融石英。3.關(guān)鍵部件：①磁懸浮平臺(tái)（納米級(jí)精度、無摩擦）；②壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)器（微定位<1nm）；③直線電機(jī)（<50nm精度、>10g加速度）；④光柵尺（<1nm分辨率）。4.作用：①減少EUV光吸收；②防氧化/污染；③降低熱對(duì)流。要求：①真空兼容材料（低出氣率）；②無泄漏密封；③真空壓力強(qiáng)度；④熱穩(wěn)定性。討論題答案1.熱變形控制：①材料選低膨脹（SiC/Invar）；②微通道冷卻（±0.01℃溫控）；③壓電/磁懸浮主動(dòng)補(bǔ)償；④恒溫?zé)o塵室（±0.1℃波