標(biāo)準解讀
《GB/T 44937.3-2025 集成電路 電磁發(fā)射測量 第3部分:輻射發(fā)射測量 表面掃描法》是針對集成電路產(chǎn)品在工作時產(chǎn)生的電磁輻射進行量化評估的標(biāo)準之一。該標(biāo)準特別關(guān)注于采用表面掃描技術(shù)來檢測和分析集成電路的近場電磁輻射特性。表面掃描法是一種非侵入式的測試方法,通過在被測設(shè)備表面或其附近區(qū)域移動探測器(如探針)來收集電磁場強度分布數(shù)據(jù),從而獲得詳細的輻射源位置信息及輻射強度。
根據(jù)此標(biāo)準規(guī)定,首先需要明確測量環(huán)境條件,包括溫度、濕度等參數(shù),以確保測試結(jié)果的一致性和可重復(fù)性。接下來,對使用的測試儀器提出具體要求,比如頻率范圍、靈敏度等性能指標(biāo)必須達到一定標(biāo)準。此外,還詳細描述了如何設(shè)置實驗裝置,包括但不限于探頭的選擇與校準、掃描路徑規(guī)劃以及數(shù)據(jù)采集方式等關(guān)鍵步驟。
對于實際操作流程,《GB/T 44937.3-2025》給出了指導(dǎo)原則,強調(diào)了從準備階段到最終數(shù)據(jù)分析整個過程中的注意事項。例如,在開始正式測量之前,應(yīng)先對系統(tǒng)進行預(yù)熱,并檢查所有連接是否正確無誤;測量過程中需保持恒定的速度沿預(yù)定路徑移動探頭,同時記錄下每個點上的讀數(shù);完成全部采樣后,則利用專業(yè)軟件對原始數(shù)據(jù)進行處理,生成直觀易懂的結(jié)果報告。
該標(biāo)準適用于各類集成電路產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)及質(zhì)量控制環(huán)節(jié),旨在幫助制造商更好地理解并控制其產(chǎn)品的電磁兼容性表現(xiàn),同時也為相關(guān)監(jiān)管部門提供了科學(xué)依據(jù)。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準文檔。
....
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- 即將實施
- 暫未開始實施
- 2025-12-31 頒布
- 2026-07-01 實施
文檔簡介
ICS31200
CCSL.56
中華人民共和國國家標(biāo)準
GB/T449373—2025/IECTS61967-32014
.:
集成電路電磁發(fā)射測量
第3部分輻射發(fā)射測量表面掃描法
:
Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticemissions—
Part3Measurementofradiatedemissions—Surfacescanmethod
:
IECTS61967-32014IDT
(:,)
2025-12-31發(fā)布2026-07-01實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標(biāo)準化管理委員會
GB/T449373—2025/IECTS61967-32014
.:
目次
前言
…………………………Ⅲ
引言
…………………………Ⅳ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語定義和縮略語
3、………………………1
術(shù)語和定義
3.1…………………………1
縮略語
3.2………………2
通用要求
4…………………2
試驗條件
5…………………2
通則
5.1…………………2
電源電壓
5.2……………2
頻率范圍
5.3……………2
試驗設(shè)備
6…………………3
通則
6.1…………………3
屏蔽
6.2…………………3
測量儀器
6.3RF…………………………3
前置放大器
6.4…………………………3
電纜
6.5…………………3
近場探頭
6.6……………3
試驗布置
7…………………5
通則
7.1…………………5
試驗配置
7.2……………5
試驗電路板
7.3…………………………6
探頭定位系統(tǒng)軟件配置
7.4……………6
軟件
7.5DUT……………6
試驗程序
8…………………6
通則
8.1…………………6
環(huán)境條件
8.2……………6
運行檢查
8.3……………7
試驗技術(shù)
8.4……………7
試驗報告
9…………………7
通則
9.1…………………7
測量條件
9.2……………8
探頭設(shè)計和校準
9.3……………………8
測量數(shù)據(jù)
9.4……………8
Ⅰ
GB/T449373—2025/IECTS61967-32014
.:
后處理
9.5………………8
數(shù)據(jù)交換
9.6……………8
附錄規(guī)范性近場探頭校準
A()…………9
通則
A.1…………………9
試驗設(shè)備
A.2…………………………10
校準布置
A.3…………………………11
校準程序
A.4…………………………12
附錄資料性單獨的電場和磁場探頭
B()………………15
概述
B.1…………………15
探頭的電特性描述
B.2…………………15
探頭的物理描述
B.3……………………15
附錄資料性電場和磁場復(fù)合探頭示例
C()……………17
概述
C.1…………………17
探頭的電特性描述
C.2…………………17
探頭的物理描述
C.3……………………17
測量和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
C.4………………18
附錄資料性坐標(biāo)系
D()…………………20
通則
D.1…………………20
笛卡爾坐標(biāo)系
D.2………………………20
柱坐標(biāo)系
D.3……………20
球坐標(biāo)系
D.4……………21
坐標(biāo)系的轉(zhuǎn)換
D.5………………………21
參考文獻
……………………23
Ⅱ
GB/T449373—2025/IECTS61967-32014
.:
前言
本文件按照標(biāo)準化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件是集成電路電磁發(fā)射測量的第部分已經(jīng)發(fā)布了以下
GB/T44937《》3。GB/T44937
部分
:
第部分通用條件和定義
———1:;
第部分輻射發(fā)射測量小室和寬帶小室法
———2:TEMTEM;
第部分輻射發(fā)射測量表面掃描法
———3:;
第部分傳導(dǎo)發(fā)射測量直接耦合法
———4:1Ω/150Ω;
第部分傳導(dǎo)發(fā)射測量工作臺法拉第籠法
———5:;
第部分傳導(dǎo)發(fā)射測量磁場探頭法
———6:;
第部分輻射發(fā)射測量帶狀線法
———8:IC。
本文件等同采用集成電路電磁發(fā)射測量第部分輻射發(fā)射測量表
IECTS61967-3:2014《3:
面掃描法文件類型由的技術(shù)規(guī)范調(diào)整為我國的國家標(biāo)準
》,IEC。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任
。。
本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出
。
本文件由全國集成電路標(biāo)準化技術(shù)委員會歸口
(SAC/TC599)。
本文件起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準化研究院北京智芯微電子科技有限公司海研芯青島微電
:、、()
子有限公司揚芯科技深圳有限公司廈門海諾達科學(xué)儀器有限公司中國合格評定國家認可中心
、()、、、
天津先進技術(shù)研究院工業(yè)和信息化部電子第五研究所浙江大學(xué)南京容向測試設(shè)備有限公司北京航
、、、、
空航天大學(xué)北京國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司中山大學(xué)深圳市中興微電子技術(shù)有限公司
、、、、
河南省電子信息產(chǎn)品質(zhì)量檢驗技術(shù)研究院江蘇省質(zhì)量和標(biāo)準化研究院中國信息通信研究院南京師
、、、
范大學(xué)中家院北京檢測認證有限公司深圳硅山技術(shù)有限公司
、()、。
本文件主要起草人崔強龍躍付君閻照文褚瑞方文嘯吳建飛楊紅波王新才朱賽張學(xué)磊
:、、、、、、、、、、、
陳梅雙劉佳梁吉明邵偉恒魏興昌沈?qū)W其雷黎麗龍發(fā)明謝利濤楊博王紫任顏偉王芳
、、、、、、、、、、、、、
韋壽德
。
Ⅲ
GB/T449373—2025/IECTS61967-32014
.:
引言
為規(guī)范集成電路電磁發(fā)射測量以及為集成電路制造商和檢測機構(gòu)提供不同的電磁發(fā)射測量方
,
法集成電路電磁發(fā)射測量規(guī)定了集成電路電磁發(fā)射測量的通用條件定義和不同測
,GB/T44937《》、
量方法的試驗程序和試驗要求擬由個部分構(gòu)成
,9。
第部分通用條件和定義目的在于規(guī)定集成電路電磁發(fā)射測量的通用條件和定義
———1:。。
第部分通用條件和定義近場掃描數(shù)據(jù)交換格式目的在于規(guī)定近場掃描數(shù)據(jù)交換
———1-1:。
格式
。
第部分輻射發(fā)射測量小室和寬帶小室法目的在于規(guī)定小室和寬帶
———2:TEMTEM。TEM
小室法的試驗程序和試驗要求
TEM。
第部分輻射發(fā)射測量表面掃描法目的在于規(guī)定表面掃描法的試驗程序和試驗要求
———3:。。
第部分傳導(dǎo)發(fā)射測量直接耦合法目的在于規(guī)定直接耦合法的
———4:1Ω/150Ω。1Ω/150Ω
試驗程序和試驗要求
。
第部分傳導(dǎo)發(fā)射測量直接耦合法應(yīng)用指南目的在于給出直
———4-1:1Ω/150Ω。1Ω/150Ω
接耦合法應(yīng)用指導(dǎo)
。
第部分傳導(dǎo)發(fā)射測量工作臺法拉第籠法目的在于規(guī)定工作臺法拉第籠法的試驗程序
———5:。
和試驗要求
。
第部分傳導(dǎo)發(fā)射測量磁場探頭法目的在于規(guī)定磁場探頭法的試驗程序和試驗要求
———6:。。
第部分輻射發(fā)射測量帶狀線法目的在于規(guī)定帶狀線法的試驗程序和試驗要求
———8:IC。IC。
Ⅳ
GB/T449373—2025/IECTS61967-32014
.:
集成電路電磁發(fā)射測量
第3部分輻射發(fā)射測量表面掃描法
:
1范圍
本文件描述了評估集成電路表面或附近的近電場近磁場或近電磁場分量的測量方法本測
(IC)、。
量方法旨在用于的架構(gòu)分析例如平面規(guī)劃和配電優(yōu)化本測量方法也適用于測量掃描探頭能夠靠
IC,。
近的安裝在任何電路板上的某些情況下本測量方法不僅能掃描還能掃描的環(huán)境為了
、IC。,IC,IC。
對比不同的表面掃描發(fā)射宜使用規(guī)定的標(biāo)準試驗板
IC,IEC61967-1。
本測量方法提供了上方的電場或磁場的近場發(fā)射圖測量探頭的性能和探頭定位系統(tǒng)的精度
IC。
決定了測量的分辨率本方法預(yù)期使用的最高頻率為使用現(xiàn)有探頭技術(shù)可以擴展上限頻率范
。6GHz。
圍但這超出了本文件的范圍測量能在頻域進行也能在時域進行
,。,。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
溫馨提示
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