告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明51、CMP設(shè)備國產(chǎn)龍頭，“裝備+服務(wù)”平臺化布局加速告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明6國內(nèi)CMP設(shè)備領(lǐng)先制造商，“裝備+服務(wù)”雙輪驅(qū)動。2013年清華大學(xué)與天津市政府合資成立華海清科有限，2014年成功研制國內(nèi)首臺12英寸CMP設(shè)備，2015年承擔(dān)“國家02科技重大專項”，2017年成功研制8英寸CMP設(shè)備，2020年研發(fā)出12英寸減薄拋光一體機，2022年登陸科創(chuàng)板，2024年首臺12英寸封裝減薄貼膜一體機發(fā)貨，2025年實現(xiàn)面向先進制程芯片制造的大束流離子注入機各型號的全覆蓋。公司是國內(nèi)CMP設(shè)備領(lǐng)先制造商，近年持續(xù)完善設(shè)備品類，同時發(fā)力耗材服務(wù)、晶圓再生業(yè)務(wù)，現(xiàn)已形成“裝備+服務(wù)”的平臺化戰(zhàn)略布局，助力長期穩(wěn)健發(fā)展。圖表1：公司發(fā)展歷程公司官網(wǎng)，公司公眾號，公司招股說明書，公司公告告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明7CMP、離子注入、減薄等設(shè)備多元布局。公司主要產(chǎn)品及服務(wù)包括CMP設(shè)備、減薄設(shè)備、劃切設(shè)備、邊緣拋光設(shè)備、離子注入設(shè)備、濕法設(shè)備、晶圓再生、關(guān)鍵耗材與維保服務(wù)，下游涉及集成電路、先進封裝、大硅片、第三代半導(dǎo)體、MEMS、MicroLED等領(lǐng)域。圖表2：公司主要產(chǎn)品及服務(wù)公司公告告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明8公司官網(wǎng)，公司公告，iFind四川國資委控股，背靠清華大學(xué)。2013年清華大學(xué)以科技成果轉(zhuǎn)化的形式出資注入華海清科有限，2014年清華大學(xué)將所持股權(quán)40%獎勵給3位主要成果完成人（路新春34.125%、雒建斌3 875%、朱煜34.00%），2022年清華大學(xué)將所持清華控股100%股權(quán)無償轉(zhuǎn)讓給四川省國資委，公司實控人變?yōu)樗拇ㄊY委，同年清華控股更名為天府清源。截至2025年三季報，公司前三大股東為清控創(chuàng)投、路新春、天津科海，分別持股28.14%、5.94%、3.31%。公司多位高管、核心技術(shù)人員具有清華背景，技術(shù)實力雄厚。圖表3：公司股權(quán)結(jié)構(gòu)（2025三季報） 圖表4：公司部分子公司（2025中報）告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明9CMP設(shè)備快速放量，2020-2024年業(yè)績持續(xù)高增。2020-2024年公司營收CAGR達54.58%，歸母凈利潤CAGR達59.94%。CMP設(shè)備是公司主要產(chǎn)品，2024年收入占比達87.70%，受益于國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)擴產(chǎn)、公司CMP設(shè)備市場競爭力提升，2020-2024年公司CMP設(shè)備營收CAGR達53.26%。2025H1公司CMP等裝備產(chǎn)品、晶圓再生和維保升級、技術(shù)服務(wù)及配套材料等收入均有較大幅度增長，營收為19.50億元，同比增長30.28%，歸母凈利潤為5.05億元，同比增長16.82%。圖表5：2020-2025前三季度公司營業(yè)收入圖表6：2020-2025前三季度公司歸母凈利潤圖表7：2020-2024年公司分產(chǎn)品營業(yè)收入iFinD353.28693.721,430.732277.782,987.42218.11230.22418.8132.6111

1605001,0001,5002,0002,5003,0003,5004,00020242020 2021 2022 2023CMP設(shè)備 其他 配套材料及技術(shù)服務(wù)百萬元告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明10目前毛利率同業(yè)中上水平，持續(xù)加大研發(fā)投入。公司綜合毛利率的主要影響因素是CMP設(shè)備毛利率，2019-2021年，受益于量產(chǎn)階段后的規(guī)模效應(yīng)、產(chǎn)品升級拉升設(shè)備單價，CMP設(shè)備毛利率持續(xù)快速提升；2022年，受益于產(chǎn)品設(shè)計優(yōu)化、零部件國產(chǎn)化等有效降本措施，CMP設(shè)備毛利率顯著提升至47.65%；2023-2024年，公司綜合毛利率略有下降，2025Q1-3綜合毛利率為44.09%，目前在同業(yè)可比公司中處于中上水平。2020-2024年，公司期間費用率持續(xù)下降，凈利率基本處于上升趨勢，2025Q1-3凈利率為24.78%，公司持續(xù)加大研發(fā)投入，近年研發(fā)費用率持續(xù)超過10%。圖表8：2020-2025前三季度公司毛利率圖表10：2020-2025前三季度公司期間費用率及凈利率iFinD圖表9：2020-2025前三季度可比公司毛利率告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明112、CMP工藝耗材特征顯著，公司高端產(chǎn)能持續(xù)擴充告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明12CMP工藝效果優(yōu)異?；瘜W(xué)機械研磨（CMP）工藝結(jié)合化學(xué)反應(yīng)和機械研磨去除沉積的薄膜，是一種表面全局平坦化技術(shù)，可用于晶圓拋光（幾μm的硅被去除）、平坦化（材料去除量約1μm或更少）等工序。不同于純機械或純化學(xué)的拋光方法，CMP通過化學(xué)和機械的綜合作用，最大程度減少較硬材料和較軟材料的去除速率差異，同時有效避免由單純機械拋光造成的表面損傷，以及由單純化學(xué)拋光造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點?！都呻娐枫~互連技術(shù)中阻擋層鈷的CMP研究》左勁松等，《碳化硅化學(xué)機械拋光中材料去除非均勻性研究進展》孫興漢等3硅片CMP拋光原理：硅片CMP一般采用堿性二氧化硅拋光液，化學(xué)反應(yīng)方程式為:??

+

?2?+

2???

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???2?

+

2?2，利用堿與硅的化學(xué)腐蝕反應(yīng)生成可溶性硅酸鹽，再通過細小柔軟、比面積大、帶有負電荷的SiO2膠粒的吸附作用及其與拋光墊和片之間的機械摩擦作用，及時除去反應(yīng)產(chǎn)物，從而去除晶片表面損傷層與沾污雜質(zhì)。圖表11：CMP工藝原理示意圖未平坦化（a）和平坦化后（b）的三層金屬互連COMS器件截面圖圖表12：CMP工藝效果告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明13《化學(xué)機械拋光技術(shù)發(fā)展及其應(yīng)用》李思等CMP與芯片制程材料、互連工藝協(xié)同發(fā)展。進入超大規(guī)模集成電路（ULSI）時代后，橫向空間逐漸飽和，促使芯片制程向垂直空間發(fā)展，CMP技術(shù)旨在解決兩大問題，一是多層互連中的臺階問題，二是為光刻提供平坦化表面。根據(jù)《化學(xué)機械拋光技術(shù)發(fā)展及其應(yīng)用》（李思，2019），CMP技術(shù)發(fā)展過程存在以下關(guān)鍵節(jié)點，我們發(fā)現(xiàn)，CMP技術(shù)發(fā)展與芯片制程材料、互連工藝發(fā)展緊密相關(guān)。0.35-0.25μm起：CMP成為唯一可實現(xiàn)全局平坦化的芯片制程關(guān)鍵技術(shù)。0.18-0.13μm：銅正式取代鋁成為主流導(dǎo)線材料，使CMP成為銅互聯(lián)技術(shù)必不可少的工藝。65nm：開發(fā)低壓力、低K介質(zhì)材料適用的CMP設(shè)備成為新發(fā)展方向。30-20nm：Cu互連不再適用于20nm以下節(jié)點，應(yīng)用于鈷互連技術(shù)的CMP工藝成為新發(fā)展方向。14nm：CMP成為實現(xiàn)Fin

FET、TSV等新工藝的關(guān)鍵技術(shù)。圖表13：CMP工藝發(fā)展歷程告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明14先進制程對CMP提出更高要求。隨著先進制程發(fā)展，CMP的步驟數(shù)量、工藝水平不斷提升，根據(jù)《化學(xué)機械拋光墊在集成電路制造中的專利技術(shù)分析》（王海，2023），28nm制程需要12次拋光，10nm制程需要30次拋光；根據(jù)華海清科招股說明書，對于7nm以下節(jié)點，CMP工藝在最初的氧化硅CMP和鎢CMP基礎(chǔ)上新增氮化硅CMP、鰭式多晶硅CMP、鎢金屬柵極CMP等先進CMP工藝，所需拋光步驟增至30余步。臺積電官網(wǎng)，晶亦精微招股說明書圖表14：半導(dǎo)體工藝節(jié)點發(fā)展圖表15：9-11層金屬結(jié)構(gòu)Cu

CMP示意圖告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明15晶亦精微招股說明書先進封裝成為CMP新增長點。CMP是先進封裝TSV技術(shù)的重要工藝步驟，根據(jù)《硅通孔拋光液的研究進展》（鄭晴平等，2021），TSV技術(shù)中的CMP工藝主要用于TSV銅淀積后的正面拋光、晶圓背面TSV結(jié)構(gòu)的銅暴露及平坦化，TSV正面拋光包括含銅層、阻擋層（Ti、Ta、TiN和TaN等）和隔離層（SiO2）拋光。根據(jù)《TSV關(guān)鍵工藝設(shè)備特點及國產(chǎn)化展望》，TSV工藝涉及二十多種設(shè)備，其中深孔刻蝕設(shè)備、氣相沉積設(shè)備、銅填充設(shè)備、減薄拋光設(shè)備等較為關(guān)鍵。圖表16：CMP可應(yīng)用于先進封裝告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明16MKS官網(wǎng)，晶亦精微招股說明書圖表17：CMP設(shè)備主要單元CMP設(shè)備主要由拋光單元、清洗單元和晶圓傳輸單元三大模塊組成，其中，1）拋光單元包括拋光頭、拋光盤、拋光墊、修整器、拋光液供應(yīng)系統(tǒng)、終點檢測系統(tǒng)等；2）清洗單元一般包括兆聲清洗模組、刷洗模組及干燥模組等；3）晶圓傳輸單元主要包括前端模組、晶圓傳輸手等，前端模組將晶圓搬運至機臺內(nèi)進行加工。通過模塊優(yōu)化，CMP設(shè)備實現(xiàn)制程升級。CMP設(shè)備在較長時間內(nèi)并不存在技術(shù)迭代周期，相比成熟制程，先進制程對應(yīng)設(shè)備并無明顯差異，僅是特定模塊技術(shù)的優(yōu)化。隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點持續(xù)發(fā)展，CMP技術(shù)將不斷趨于拋光頭分區(qū)精細化、工藝控制智能化、清洗單元多能量組合化方向發(fā)展。圖表19：CMP設(shè)備清洗單元圖表18：CMP設(shè)備拋光單元告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明17《拋光頭和拋光墊修整器壓力對金屬鎢CMP效果的影響研究》趙世鑫等，《用于超精密硅晶片表面的化學(xué)機械拋光（CMP）技術(shù)研究》梅燕等圖表20：CMP拋光頭結(jié)構(gòu)圖CMP工藝耗材特征顯著。對于晶圓廠，CMP的耗材消耗量僅次于光刻，大致分為通用耗材、關(guān)鍵耗材，其中通用耗材包括拋光液、拋光墊等，關(guān)鍵耗材是設(shè)備自身的拋光頭、鉆石碟（修整器）、清洗刷等。根據(jù)《圖解入門

半導(dǎo)體制造設(shè)備基礎(chǔ)與構(gòu)造精講

(佐藤淳一)》，CMP一半運行成本都是消耗品，其中拋光液和拋光墊占比較大。拋光頭：晶圓拋光中的主要夾持裝置，主要用于傳輸及拋光晶圓，主要結(jié)構(gòu)包括拋光頭主體、固定環(huán)、薄膜及空氣氣囊等。拋光液：主要成分包括磨料粒子、成膜劑和助劑、腐蝕介質(zhì)，磨料粒子通常采用SiO2、CeO2、ZrO2、Al2O3、TiO2等，不宜用硬度太高的材料。拋光墊：一般是聚氨酯材料，拋光墊的材質(zhì)和機械特性直接影響材料去除率、拋光均勻性。修整器：用于修整拋光墊，防止拋光墊中的拋光液和平坦化加工碎屑堵塞，可延長拋光墊的使用壽命。圖表21：CMP漿料種類 圖表22：拋光墊結(jié)構(gòu)及應(yīng)用告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明18《化學(xué)機械拋光方法專利技術(shù)綜述》劉然等專利技術(shù)領(lǐng)域：B24B

37/00：研磨機床或裝置;附件B24B

1/00：磨削或拋光的工藝;與此工藝有關(guān)的所用輔助設(shè)備B24B

49/00：用于控制磨具或工件進給運動的測量或校準(zhǔn)裝置;指示或測量裝置的布置,如用于指示磨削加工開始的B24B

53/00：用于修整或調(diào)節(jié)研磨表面的裝置或工具H01L

21/00：專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備注：專利統(tǒng)計周期為1990-2018年CMP工藝變量復(fù)雜，行業(yè)壁壘較高。CMP是一個動態(tài)的機械和化學(xué)互動作用過程，影響因素較為復(fù)雜，多因素交互作用下，CMP過程很難達到精密的再現(xiàn)性，只有化學(xué)因素和機械因素達到相對穩(wěn)定、精細的動態(tài)平衡時，才能實現(xiàn)低損傷、超精密的平整表面。根據(jù)《化學(xué)機械拋光方法專利技術(shù)綜述》（劉然等，2020），CMP相關(guān)技術(shù)主要分為化學(xué)機械拋光工藝、拋光中的檢測和指示、磨具修整等三大部分，通過檢索分析1990-2018年全球CMP相關(guān)專利，文章發(fā)現(xiàn)應(yīng)用材料專利申請量最多，其在一級技術(shù)分支上的專利布局主要是磨削方法（占16.67%）、檢測和指示（占1 55%），其在二級技術(shù)分支上的專利布局主要是光學(xué)手段測量、指示。圖表23：CMP技術(shù)主要結(jié)構(gòu) 圖表24：CMP相關(guān)專利主要申請人 圖表25：應(yīng)用材料專利技術(shù)結(jié)構(gòu)注：專利統(tǒng)計周期為1990-2018年告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明19受益AI催化下先進半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展，全球半導(dǎo)體設(shè)備需求旺盛。近年AI應(yīng)用迅速普及推動技術(shù)創(chuàng)新，對先進半導(dǎo)體技術(shù)的需求強勁，進而拉動半導(dǎo)體設(shè)備需求，根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2025年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額預(yù)計將達1255億美元，同比增長超過7%，預(yù)計2026年銷售額進一步攀升至1381億美元。2024年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達496億美元，同比增長35%，連續(xù)五年成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場。圖表26：2022-2026E全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額圖表27：2019-2024中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額SEMI，半導(dǎo)體行業(yè)觀察公眾號，拓荊科技公司公告告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明20晶亦精微招股說明書，Gartner，TECHCE，SEMI，北京半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會公眾號，拓荊科技公告圖表28：2023-2026年全球/中國大陸CMP設(shè)備及耗材空間測算我們測算，2024/2025/2026年中國大陸CMP設(shè)備市場空間預(yù)計為13.2/13.3/14.7億美元，CMP耗材市場空間預(yù)計不低于9.1/10.4/1

8億美元，其中CMP通用耗材市場空間預(yù)計不低于7.0/7.9/8.8億美元，CMP關(guān)鍵耗材市場空間預(yù)計不低于2.1/2.4/3.0億美元。假設(shè)1：根據(jù)Gartner，CMP設(shè)備在晶圓制造設(shè)備中的份額為3%，假設(shè)2023/2024/2025/2026年全球市場該比例維持3%。假設(shè)2：根據(jù)TECHCE，2023/2024年全球CMP耗材（僅拋光液+拋光墊）市場空間為33/35億美元，2027年該市場空間有望增至42億美元，我們計算，2024-2027年CAGR為6.3%，假設(shè)2025/2026年yoy均為6.3%，則2025/2026年全球CMP耗材（僅拋光液+拋光墊）市場空間預(yù)計為37.2/39.5億美元，因此2024/2025/2026年全球CMP通用耗材市場空間預(yù)計不低于35.0/37.2/39.5億美元。假設(shè)3：根據(jù)TECHCET，2025/2027年全球CMP輔助設(shè)備（調(diào)節(jié)器/PVA清洗刷/POU漿料過濾器/固定環(huán)等）市場空間為1

5億美元，根據(jù)2025年yoy預(yù)計約11%、2024年yoy預(yù)計約5%，假設(shè)2026年市場空間為2025和2027年均值，我們計算，2023/2024/2026年全球CMP輔助設(shè)備（調(diào)節(jié)器/

PVA清洗刷/

POU漿料過濾器/

固定環(huán)等）

市場空間預(yù)計為9

.

9

/

10

.

4

/

13

.

5

億美元，

因此2024/2025/2026年全球CMP關(guān)鍵耗材市場空間預(yù)計不低于10.4/1

5/13.5億美元。假設(shè)4：根據(jù)SEMI，2023/2024年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場空間為366/496億美元，我們計算對應(yīng)全球占比為34%/42%，假設(shè)2025/2026年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備全球占比分別為40%/40%。假設(shè)5：2023/2024/2025/2026年中國大陸晶圓制造設(shè)備/半導(dǎo)體設(shè)備與全球市場一致，CMP設(shè)備/晶圓制造設(shè)備與全球市場一致。假設(shè)6

：

C

M

P

耗材需求量與晶圓生產(chǎn)狀況相關(guān)，

根據(jù)北京半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會公眾號，2023/2024/2025/2026年中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)能的全球份額分別為19.1%/20.1%/2

3%/22.3%，假設(shè)中國大陸CMP耗材的全球份額等于半導(dǎo)體產(chǎn)能的全球份額。告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明21晶亦精微招股說明書全球CMP設(shè)備行業(yè)集中度較高，應(yīng)用材料和荏原壟斷先進制程市場。全球CMP設(shè)備行業(yè)集中度較高，美國應(yīng)用材料和日本荏原占據(jù)主要市場份額，根據(jù)晶亦精微招股說明書，12英寸設(shè)備方面，對于28nm及以上制程，2022年兩家合計全球市占率約88%，對于28nm以下制程，2022年兩家合計全球市占率接近100%。國產(chǎn)CMP設(shè)備供應(yīng)商主要包括華海清科、晶亦精微，主要產(chǎn)品分別為12英寸、8英寸CMP設(shè)備。8英寸設(shè)備方面，2022年晶亦精微在中國大陸的市占率約68.3%；12英寸設(shè)備方面，2022年華海清科在中國大陸28nm及以上制程應(yīng)用的市占率約46.66%。圖表29：全球CMP設(shè)備主要供應(yīng)商告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明22日本是中國CMP主要進口來源，地緣催化下國產(chǎn)替代正加速。根據(jù)海關(guān)統(tǒng)計數(shù)據(jù)在線查詢平臺，2022/2023/2024/2025年1-10月中國CMP設(shè)備進口數(shù)量分別為465/413/371/344臺，進口金額分別為6.3/6.7/6.7/6.4億美元。日本是中國CMP設(shè)備主要進口來源，2022/2023/2024/2025年1-10月進口數(shù)量分別為170/181/156/117臺，中國從美國進口的CMP設(shè)備數(shù)量較少，且近年整體呈現(xiàn)下降趨勢，2022/2023/2024/2025年1-10月進口數(shù)量分別為38/29/4/7臺。2023年1月，美國、日本、荷蘭三國在尖端半導(dǎo)體設(shè)備的出口方面達成一致意見，隨著地緣因素持續(xù)催化，CMP設(shè)備國產(chǎn)替代有望加速。圖表30：2020-2025年前10月中國部分半導(dǎo)體設(shè)備進口數(shù)量及進口金額海關(guān)統(tǒng)計數(shù)據(jù)在線查詢平臺圖表31：日本是中國CMP設(shè)備主要進口來源告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明23公司產(chǎn)品在硅片尺寸、加工材料、下游應(yīng)用等維度覆蓋較全。公司CMP設(shè)備可廣泛應(yīng)用于12英寸和8英寸的集成電路大生產(chǎn)線，全面覆蓋非金屬介質(zhì)CMP、金屬薄膜CMP、硅CMP等拋光工藝并取得量產(chǎn)應(yīng)用。一方面，公司持續(xù)保持前道晶圓制造CMP設(shè)備國產(chǎn)領(lǐng)先地位；另一方面，公司積極開拓先進封裝、大硅片、化合物半導(dǎo)體等市場，用于先進封裝、大硅片領(lǐng)域的CMP設(shè)備已批量交付客戶大生產(chǎn)線，面向化合物半導(dǎo)體推出的CMP設(shè)備已在SiC、GaN、LN、LT等領(lǐng)域取得批量訂單。根據(jù)公司2024年報，公司面向第三代半導(dǎo)體客戶端的專用CMP設(shè)備研制成功并已發(fā)往客戶端驗證。圖表32：公司CMP設(shè)備部分型號公司官網(wǎng)，公司公告告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明24設(shè)備指標(biāo)已達國際水平，先進制程產(chǎn)品持續(xù)發(fā)展。公司CMP設(shè)備在邏輯芯片、DRAM、3D

NAND等領(lǐng)域的成熟制程均完成90%以上CMP工藝類型和工藝數(shù)量的覆蓋度，部分關(guān)鍵CMP工藝類型成為工藝基準(zhǔn)機臺。根據(jù)公司招股說明書，對于邏輯芯片，公司CMP設(shè)備在150-28nm節(jié)點已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，14nm節(jié)點處于驗證階段；對于3DNAND，公司CMP設(shè)備在128/64/32層實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用；對于DRAM，公司CMP設(shè)備在1X/1Y

nm已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。根據(jù)公司2025年中報，公司新簽CMP設(shè)備訂單中先進制程占比較高，部分先進制程CMP設(shè)備在國內(nèi)多家頭部客戶實現(xiàn)全部工藝驗證。圖表33：CMP設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)及公司水平公司公告告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明25持續(xù)擴充高端產(chǎn)能，生產(chǎn)基地布局完善。公司目前生產(chǎn)基地中，天津基地主要用于CMP裝備及晶圓再生的生產(chǎn)；天津二期項目為公司進一步擴大CMP裝備及晶圓再生生產(chǎn)規(guī)模提供配套設(shè)施；北京基地將主要開展減薄裝備、濕法裝備等高端半導(dǎo)體裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，將進一步推動公司平臺化戰(zhàn)略布局；上?；貙㈤_拓長三角及周邊地區(qū)的重要客戶，并圍繞先進制程和公司的平臺化發(fā)展開展重點項目的研發(fā)。零部件國產(chǎn)化持續(xù)發(fā)力，積極拓展產(chǎn)業(yè)布局。公司持續(xù)推進國內(nèi)零部件供應(yīng)商的培養(yǎng)，同時成立全資子公司華海清科（廣州）半導(dǎo)體有限公司，建設(shè)半導(dǎo)體設(shè)備關(guān)鍵零部件孵化平臺。2024H1，公司參與設(shè)立華海金浦創(chuàng)業(yè)投資（濟南）合伙企業(yè)（有限合伙），借助專業(yè)投資機構(gòu)在半導(dǎo)體等相關(guān)領(lǐng)域的資源優(yōu)勢和投資能力，同時認(rèn)購合肥啟航恒鑫投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）基金份額，拓展公司產(chǎn)業(yè)布局，增強產(chǎn)業(yè)協(xié)同效應(yīng)。圖表34：公司近年建設(shè)項目iFinD，臨港集團官網(wǎng)，華海清科官網(wǎng)，華海清科公眾號告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明263、受益CMP設(shè)備優(yōu)勢，服務(wù)類業(yè)務(wù)空間廣闊告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明27中欣晶圓公眾號，華經(jīng)情報網(wǎng)先進制程助推晶圓再生需求，CMP是核心設(shè)備。按照作用，半導(dǎo)體硅片可分為正片（主要包括拋光片、外延片等）、測試片（主要包括控片、擋片等）兩大類。由于舊片再生的成本遠低于新購硅片的成本，晶圓再生是集成電路制造商材料成本管理的重要一環(huán)，主要流程是對控擋片進行去膜、粗拋、精拋、清洗、檢測等工序處理，使其表面平整化、無殘留顆粒，其中精拋是最關(guān)鍵流程，主要通過CMP設(shè)備完成。隨著芯片制程發(fā)展，基于精度要求及良率的考量，需要在生產(chǎn)過程中增加監(jiān)控頻率，空擋片的使用量會大幅增加。圖表35：晶圓再生工藝流程 圖表36：先進制程助推晶圓再生需求告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明28RS

Technologies公告，北京半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會公眾號晶圓再生行業(yè)集中度較高，國內(nèi)專業(yè)代工能力持續(xù)提升?；诮档蛽p耗、減少運輸時間等因素，晶圓再生業(yè)務(wù)屬于地域性很強的專業(yè)服務(wù)，行業(yè)集中度較高，日本和中國臺灣企業(yè)目前是主要參與者，根據(jù)日本RSTechnologies公告，2024年RSTechnologies全球市占率已達33%。2020年之前，中國大陸晶圓再生專業(yè)代工領(lǐng)域較為空白，內(nèi)地晶圓廠都是將大部分的測試晶圓送去中國臺灣或日本的專業(yè)代工企業(yè)進行再生加工，少部分會自己進行再生加工。目前華海清科、至純科技、協(xié)鑫集成等A股上市公司均已公告進入晶圓再生賽道，國內(nèi)晶圓再生服務(wù)能力正在持續(xù)提升。圖表37：2024年全球晶圓再生市場格局 圖表38：全球半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)能區(qū)域結(jié)構(gòu)（等效8英寸月產(chǎn)）RS

Technologies告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明29iFinD，日本荏原公告依托CMP設(shè)備優(yōu)勢，服務(wù)業(yè)務(wù)成長空間廣闊。公司配套材料及技術(shù)服務(wù)主要為耗材銷售、拋光頭維保等技術(shù)服務(wù)以及晶圓再生業(yè)務(wù)：（1）關(guān)鍵耗材及維保服務(wù)方面，隨著公司CMP設(shè)備保有量持續(xù)增長，耗材零部件、拋光頭維保服務(wù)等需求有望加速放量。（2）晶圓再生業(yè)務(wù)方面，公司通過采用先進的CMP研磨方式，大幅提升再生晶圓的循環(huán)次數(shù)，在更先進制程再生晶圓服務(wù)方面更具競爭力，公司晶圓再生業(yè)務(wù)現(xiàn)已獲得多家大型生產(chǎn)線的批量訂單，實現(xiàn)長期穩(wěn)定供貨；產(chǎn)能方面，天津基地20萬片/月的產(chǎn)能現(xiàn)處于滿產(chǎn)運行狀態(tài)，同時推進昆山晶圓再生擴產(chǎn)項目，規(guī)劃總產(chǎn)能為40萬片/月，其中首期產(chǎn)能為20萬片/月。參考海外同業(yè)公司，日本荏原FY2025Q1-3精密機械部門服務(wù)收入占比為31%，近年公司晶圓再生、關(guān)鍵耗材及維保等服務(wù)類收入占比約為10%，服務(wù)類業(yè)務(wù)有望成為公司新的業(yè)績增長點。圖表39：FY2023~FY2025Q1-3日本荏原精密機械部門服務(wù)收入占比 圖表40：公司配套材料及技術(shù)服務(wù)/其他收入占比注：“其他”是指CMP設(shè)備以外產(chǎn)品及服務(wù)，包括減薄/劃切/邊緣拋光/離子注入/濕法裝備、晶圓再生、關(guān)鍵耗材與維保服務(wù)等。告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明304、離子注入、減薄等設(shè)備近年快速發(fā)展告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明31離子注入工藝優(yōu)勢顯著，在摻雜工藝中占據(jù)主導(dǎo)地位。離子注入工藝將特定元素（B、P、As等）以離子形式加速到預(yù)定能量后注入至半導(dǎo)體材料（Si、Ge、SiC等）之中，并按預(yù)定方式改變材料電性能。目前摻雜工藝主要有高溫擴散和離子注入兩種，離子注入憑借其摻雜均勻性好、純度高、低溫靈活、可控精度等優(yōu)點在摻雜工藝中占據(jù)主導(dǎo)地位。隨著集成電路工藝的發(fā)展，離子注入機除應(yīng)用于摻雜工藝外，還應(yīng)用于輔助摻雜（預(yù)非晶化、擴散和激活控制等）、輔助其他集成電路制造工藝（光刻、刻蝕等）等方面。圖表41：離子注入與擴散工藝對比《半導(dǎo)體制造技術(shù)導(dǎo)論》

HongXiao（蕭宏）告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明32《集成電路離子注入機發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢》張叢等，中關(guān)村集成電路產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟公眾號低能大束流離子注入機成為市場主流。離子注入有兩個最基本的參數(shù)，離子能量和注入劑量（單位面積注入的離子個數(shù)），其中，離子能量決定摻雜深度，注入劑量決定摻雜濃度。根據(jù)能量和劑量兩大參數(shù)，應(yīng)用于集成電路制造的離子注入機主要分為三類，大束流離子注入機、中束流離子注入機和高能離子注入機，其中，大束流離子注入機的主要發(fā)展方向是低能大束流。根據(jù)萬業(yè)企業(yè)公告，隨著芯片尺寸逐漸微縮，為制備先進制程中的超淺結(jié)，低能大束流離子注入機逐漸成為市場主流，占比約60%，中束流和高能離子注入機分別約占20%。圖表42：離子注入機分類 圖表43：各類離子注入機對比告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明33離子注入機結(jié)構(gòu)復(fù)雜，離子射線系統(tǒng)是重要部件。根據(jù)《基于全球離子注入機行業(yè)現(xiàn)狀探析中國離子注入機突破之路》（池憲念），離子注入機的技術(shù)壁壘包括：1）角度控制，注入角度精度±0.1°；2）劑量控制，即均勻性、濃度；3）能量控制，±1%。離子注入機較為龐大，主要包括氣體系統(tǒng)、電機系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、控制系統(tǒng)和射線系統(tǒng)，其中，離子射線系統(tǒng)是最重要部分，包括離子源、萃取電極、質(zhì)譜儀、后段加速系統(tǒng)、等離子體注入系統(tǒng)及終端分析儀。熱燈絲離子源是最常見的離子源，射頻離子源和微波離子源等其他離子源也應(yīng)用于離子注入工藝。圖表44：離子注入機及關(guān)鍵部件結(jié)構(gòu)示意圖《半導(dǎo)體制造技術(shù)導(dǎo)論

》HongXiao（蕭宏）離子注入機示意圖離子束產(chǎn)生與控制子系統(tǒng)示意圖熱燈絲離子源Freeman離子源微波離子源射頻離子源告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明34我們測算，

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年中國大陸離子注入設(shè)備市場空間為16.8/17.1/18.8億美元，2026年低能大束流、中低束流、高能離子注入設(shè)備市場空間分別為1

3/3.8/3.4億美元。假設(shè)1：根據(jù)北方華創(chuàng)公告，2023年離子注入設(shè)備在集成電路設(shè)備資本支出中的占比為3.4%，假設(shè)2024/2025/2026年離子注入設(shè)備占比維持3.4%。假設(shè)2：根據(jù)萬業(yè)企業(yè)公告，在離子注入機各類機型中，低能大束流、中低束流和高能離子注入機分別占60%、20%和18%，假設(shè)2024/2025/2026年該比例維持不變。假設(shè)3：根據(jù)SEMI，2024年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場空間為496億美元，我們計算對應(yīng)全球占比為42%，假設(shè)2025/2026年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備全球占比分別為40%/40%，假設(shè)中國大陸離子注入設(shè)備在半導(dǎo)體設(shè)備中的占比、各類型離子注入機的占比與全球市場一致。圖表45：2024-2026年全球/中國大陸離子注入設(shè)備市場空間測算北方華創(chuàng)公告，萬業(yè)企業(yè)公告，SEMI告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明35離子注入機行業(yè)集中度高，美國是中國設(shè)備主要進口來源。根據(jù)《離子注入專利技術(shù)》（林琳，2021），全球離子注入機行業(yè)集中度較高，1）半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域，美國應(yīng)用材料、美國Axcelis市占率分別約70%、20%；2）太陽能電池制造領(lǐng)域，全球離子注入機供應(yīng)商主要包括中國凱世通、美國Intevac和日本真空技術(shù)；3）AMOLED面板制造領(lǐng)域，日本日新離子機株式會社幾乎壟斷全球市場。圖表46：全球離子注入機主要供應(yīng)商《基于全球離子注入機行業(yè)現(xiàn)狀探析中國離子注入機突破之路》池憲念等，海關(guān)統(tǒng)計數(shù)據(jù)在線查詢平臺圖表47：美國是中國離子注入機主要進口來源告附注中的風(fēng)險提示和免責(zé)聲明36《全自動晶圓減薄機控制系統(tǒng)設(shè)計與開發(fā)》

張逸民等，《超薄晶圓減薄工藝研究》衣忠波等半導(dǎo)體先進工藝對晶圓減薄提出更高要求。根據(jù)《晶圓減薄工藝技術(shù)與設(shè)備研究進展》（蔣凱，2025），先進的芯片多層封裝所用晶圓厚度通常小于100μm，甚至低至30μm以下。在晶圓被減薄至100μm以下，表現(xiàn)出形態(tài)上柔軟、剛性差、實質(zhì)脆弱等物理特性，給晶圓加工和傳輸帶來很大難度。晶圓減薄是3D

IC的關(guān)鍵工藝。根據(jù)華海清科公告，3D