目錄TOC\o"1-2"\h\z\u1．2024年以來存儲(chǔ)步入新一輪上行周期 4周期性：高資本開支疊加技術(shù)迭代導(dǎo)致產(chǎn)能、庫存和價(jià)格波動(dòng) 52018年以來歷經(jīng)多輪典型周期 6價(jià)格端：DRAM更具彈性和上修幅度 7庫存端：從“去庫存”到“搶產(chǎn)能” 9供給端：資本開支呈現(xiàn)分化有效供給彈性下降 12資本開支從“控量”轉(zhuǎn)向“結(jié)構(gòu)性補(bǔ)短板” 12稼動(dòng)率呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性分化 12擴(kuò)產(chǎn)受制于物理和經(jīng)濟(jì)雙重約束 13需求端：從消費(fèi)電子轉(zhuǎn)向數(shù)據(jù)中心主導(dǎo) 14AI數(shù)據(jù)中心為要引擎 14消費(fèi)端從“出貨周期”轉(zhuǎn)向“單機(jī)容量/配置周期” 16投資建議 17風(fēng)險(xiǎn)提示 19圖表目錄圖1：近年來全球半導(dǎo)體銷售額月度數(shù)據(jù) 4圖2：WSTS統(tǒng)計(jì)預(yù)測(cè)全球半導(dǎo)體銷售情況（單位：十億美元） 5圖3：近年來全球存儲(chǔ)銷售額年度數(shù)據(jù) 6圖4：近年來全球存儲(chǔ)銷售額年度增長率 6圖5：TrendForce關(guān)于DRAM價(jià)格走勢(shì)統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè) 8圖6：TrendForce關(guān)于NAND價(jià)格走勢(shì)統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè) 9圖7：三星電子2025年存貨情況 10圖8：美光2025年存貨情況 10表1：WSTS統(tǒng)計(jì)預(yù)測(cè)全球分產(chǎn)品半導(dǎo)體銷售情況 5表2：主要存儲(chǔ)原廠（三星、美光、海力士）平均庫存天數(shù)(DOI)趨勢(shì)(24Q4-25Q4) 表3：AI發(fā)展的四個(gè)時(shí)代 15表4：全球終端類型DRAM平均搭載量(GB) 16表5：重點(diǎn)公司盈利預(yù)測(cè)情況 181．2024年以來存儲(chǔ)步入新一輪上行周期1072727.2%，環(huán)比增長4.7%192084200025.1%15.8%2009圖1：近年來全球半導(dǎo)體銷售額月度數(shù)據(jù)80 12070 10060 8050 6040402030 020 -2010 -402002-012002-092002-012002-092003-052004-012004-092005-052006-012006-092007-052008-012008-092009-052010-012010-092011-052012-012012-092013-052014-012014-092015-052016-012016-092017-052018-012018-092019-052020-012020-092021-052022-012022-092023-052024-012024-092025-05銷售額（十億美元） 同比增速（%）2528%AIHBMNAND圖2：WSTS統(tǒng)計(jì)預(yù)測(cè)全球半導(dǎo)體銷售情況（單位：十億美元）140012001000800600400200

6050403020100-1002013201420152016201720182019202020212022202320242025E2026E2027E2028E

-20MarketSize(US$bn) YoYGrowth(%)資料來源：WSTS，F(xiàn)all2025AmountsinUS$MYearonYearGrowthin%20242025E2026EFall2025AmountsinUS$MYearonYearGrowthin%20242025E2026E20242025E2026EDiscreteSemiconductors31,02630,90033,436-12.70%-0.40%8.20%Optoelectronics41,09542,59745,020-4.80%3.70%5.70%Sensors18,92320,89422,713-4.10%10.40%8.70%IntegratedCircuits539,505677,852874,29125.90%25.60%29.00%Analog79,58885,55291,988-2.00%7.50%7.50%Micro78,63384,83996,6203.00%7.90%13.90%Logic215,768295,892390,86320.80%37.10%32.10%Memory165,516211,568294,82179.30%27.80%39.40%TotalProducts-$M630,549772,243975,46019.70%22.50%26.30%資料來源：WSTS，周期性：高資本開支疊加技術(shù)迭代導(dǎo)致產(chǎn)能、庫存和價(jià)格波動(dòng)（//從全球存儲(chǔ)銷售額看，2018–2024年曾多次出現(xiàn)兩位數(shù)甚至更大幅度的年度波動(dòng)。圖3：近年來全球存儲(chǔ)銷售額年度數(shù)據(jù)資料來源：SIA、WSTS，圖4：近年來全球存儲(chǔ)銷售額年度增長率資料來源：SIA、WSTS，2018年以來歷經(jīng)多輪典型周期2018SIA數(shù)據(jù)顯示，2018年全球存儲(chǔ)銷售額達(dá)1580億美元，且存儲(chǔ)是當(dāng)年最大品類。主要驅(qū)動(dòng)包括北美云廠資本開支爆發(fā)，疊加智能手機(jī)內(nèi)存容量升級(jí)。這一階段的典型特征：一是價(jià)格與盈利強(qiáng)，且擴(kuò)產(chǎn)預(yù)期升溫；二是下游在高價(jià)下開始尋求降配與庫存回落；三是景氣在高位鈍化，對(duì)負(fù)面沖擊更敏感。2019價(jià)格回落SIA10643DNAND→→/2020–2021SIA數(shù)據(jù)顯示，2020年存儲(chǔ)銷售額回升至1173億美元，2021年進(jìn)一步升至1538億美元。C2022–2023年再度下行：消費(fèi)電子走弱的去庫存周期SIA1298923億2024年開啟復(fù)蘇：AISIA2024165178.9%這一輪修復(fù)與以往不同之處在于：AI/HBM的增量需求不僅抬升需求，還改變產(chǎn)品結(jié)構(gòu)與供給分配，使得行業(yè)在復(fù)蘇期更容易出現(xiàn)量價(jià)齊升+高端緊缺的格局。價(jià)格端：DRAM更具彈性和上修幅度）鎖價(jià)/。DRAMHBMDDR5DDR4EOL停產(chǎn)/AIQ3TrendForceQ2、Q3DRAM316.3、41417.1%25年Q4的常規(guī)型DRAM價(jià)格45-50%HBM50-55%。圖5：TrendForce關(guān)于DRAM價(jià)格走勢(shì)統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè)資料來源：TrendForce，NAND方面：2025年初仍處去庫壓力，隨后在AI/企業(yè)級(jí)需求改善與供給端策略調(diào)整下，2Q25開始企穩(wěn)并分品類回升。TrendForce預(yù)計(jì)四季度NAND季增幅為9SSD預(yù)計(jì)25%。AI訓(xùn)練流程中的數(shù)據(jù)清洗和Checkpoints64TB/128TBQLCeSSD成NANDeSSD模組）AI圖6：TrendForce關(guān)于NAND價(jià)格走勢(shì)統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè)資料來源：TrendForce，總體來看，DRAM體現(xiàn)出更強(qiáng)的價(jià)格彈性和上修幅度，主要原因如下——BR5DAM（尤其DDR4長尾）形成更強(qiáng)擠出效應(yīng)，價(jià)格更容易跳升。二是需求側(cè)補(bǔ)庫更集中：DDR4EOL預(yù)期帶來集中性備貨，疊加傳統(tǒng)旺季，形成短期需求脈沖。三是NAND供給彈性相對(duì)更大：NAND在技術(shù)迭代與產(chǎn)能調(diào)整上通常更容易回補(bǔ)供給，因此價(jià)格趨勢(shì)更常表現(xiàn)為溫和爬坡+分品類分化，直到年末在特定擾動(dòng)下才可能出現(xiàn)更強(qiáng)彈性。1.4庫存端：從去庫存到搶產(chǎn)能庫存是存儲(chǔ)周期里關(guān)鍵的二階放大器：上行期：供應(yīng)偏緊→客戶擔(dān)心缺貨→預(yù)購與鎖量→進(jìn)一步推升價(jià)格；下行期：終端轉(zhuǎn)弱→去庫存→合同價(jià)滯后下調(diào)→廠商被動(dòng)降價(jià)換現(xiàn)金流。因此，庫存變化往往領(lǐng)先于價(jià)格拐點(diǎn)，而價(jià)格拐點(diǎn)又領(lǐng)先于廠商資本開支調(diào)整。2025年從頭部廠商口徑看，上半年庫存偏高、下半年逐步去化——以三星披露的合并口徑庫存為例，庫存由2024/12/31的51,754,865（KRWmn）抬升到202531的532202（Wn025630的1,07,43n、225930的50332392W（。

KRW美光2025財(cái)年內(nèi)庫存呈先升后降，并在年末進(jìn)一步下探。美光在其財(cái)報(bào)新聞稿披露的資產(chǎn)負(fù)債表口徑中，庫存由2025/2/27的9,007（USDmn）升至2025/5/29的8,7UD）225828的8,35UDn（。圖7：三星電子2025年存貨情況資料來源：三星電子財(cái)報(bào)，圖8：美光2025年存貨情況資料來源：美光財(cái)報(bào)，表2：主要存儲(chǔ)原廠（三星、美光、海力士）平均庫存天數(shù)(DOI)趨勢(shì)(24Q4-25Q4)時(shí)間節(jié)點(diǎn)DRAMDOI(周)NANDDOI(周)狀態(tài)描述2024Q413-1514-16高庫存，去化壓力大2025Q111-1312-14季節(jié)性淡季，緩慢下降2025Q210-1210-12供需弱平衡2025Q39-109-11AI需求開始擠壓產(chǎn)能2025Q46-88-10結(jié)構(gòu)性短缺(Alert)資料來源：TrendForce,公司財(cái)報(bào)，行業(yè)層面來看，25年存儲(chǔ)行業(yè)整體庫存管理更強(qiáng)調(diào)穩(wěn)庫存/控波動(dòng)，與AI相關(guān)的高端產(chǎn)品如HBM、AI服務(wù)器內(nèi)存/eSSD更偏供給約束，而通用型DRAM/NAND則仍體現(xiàn)價(jià)格-庫存-資本開支的經(jīng)典周期，如海力士在2025年二季度業(yè)績新聞稿中亦強(qiáng)調(diào)庫存水平保持穩(wěn)定。分產(chǎn)品來看，呈現(xiàn)一定結(jié)構(gòu)性分化——2025年DRAMHBM（高帶寬內(nèi)存。HBM庫存：幾乎為零。海力士與三星的HBM產(chǎn)能早在2025年初即被NVIDIA、AMD及CSP大廠預(yù)訂一空，HBM3e12hi產(chǎn)品的良率挑戰(zhàn)導(dǎo)致晶圓消耗量是傳統(tǒng)DDR5的3倍以上。這導(dǎo)致實(shí)際上沒有庫存可言，只有積壓訂單。DDR5/DDR4庫存：被動(dòng)去化。由于產(chǎn)能向HBM傾斜，2025年Q4成熟制程DDR4的產(chǎn)出大幅減少。渠道商手中的低價(jià)庫存在11月前已基本耗盡。2512DDR4/DDR520%NANDFlash：企業(yè)級(jí)SSD與DRAM企業(yè)級(jí)SSD(eSSD)：受AI推理服務(wù)器對(duì)大容量存儲(chǔ)需求的拉動(dòng)，QLC顆粒的eSSD庫存迅速下降，原廠在此領(lǐng)域的DOI已降至6周以下。ClientSSD/MobileeMMC/UFS)：2025SKQ3NANDHBMTSVTrendForce在Q4初對(duì)部分低價(jià)訂單執(zhí)行了毀約或重議價(jià)，這在歷史上是庫存極度緊張的信號(hào)。展望2026年，鑒于2025Q4合約價(jià)暴漲50%（DRAM）的基數(shù)效應(yīng)，且HBM4投產(chǎn)將進(jìn)一步消耗晶圓產(chǎn)能，我們判斷2026年上半年將繼續(xù)維持賣方市場，庫存重建將是貫穿全年的主旋律。/AI時(shí)代最重要的供給端變量是HBM產(chǎn)能與瓶頸，當(dāng)頭部廠商把更多資源投向HBM，會(huì)在一段時(shí)間內(nèi)壓縮常規(guī)DRAM/客戶端SSD的供給彈性。資本開支從控量轉(zhuǎn)向結(jié)構(gòu)性補(bǔ)短板三星：維持高強(qiáng)度投資，方向更偏先進(jìn)節(jié)點(diǎn)遷移+下一代HBM三星2025年仍維持較高投資強(qiáng)度。其2025年三季報(bào)/臨時(shí)業(yè)務(wù)報(bào)告披露3Q25單季資本開支約32.3萬億韓元，投資重點(diǎn)包括DSDivision與顯示業(yè)務(wù)的產(chǎn)能擴(kuò)張、先進(jìn)節(jié)點(diǎn)遷移與基礎(chǔ)設(shè)施，同時(shí)持續(xù)投資下一代存儲(chǔ)技術(shù)以應(yīng)對(duì)中長期需求。從更可比的累計(jì)口徑看，三星同一報(bào)告中披露2025年1–9月資本開支合計(jì)322,5KW100（SDvon）25,37KW100我們認(rèn)為，在價(jià)格上行周期中后段仍保持高資本開支，意味著三星策略更接近以技術(shù)/結(jié)構(gòu)升級(jí)來換取單位產(chǎn)能價(jià)值，而非簡單意義上的通用DRAM/NAND擴(kuò)產(chǎn)。美光：明確補(bǔ)供給，設(shè)備前置、產(chǎn)能爬坡時(shí)間表前移美光給出了更清晰的供給側(cè)硬指引。美光25年12月表示將FY26資本開支上調(diào)至約200億美元（此前預(yù)計(jì)180億美元），主要用于支持HBM供給能力與1-gamma供給；并且前置設(shè)備訂單、加速安裝、同時(shí)將Idaho首座新廠首片晶圓產(chǎn)出時(shí)間由此前預(yù)期的2027年下半年前移到2027年年中。此外，美光在FY25業(yè)績材料中披露FY25資本開支為138億美元（為FY26上調(diào)提供對(duì)比基準(zhǔn)）。我們認(rèn)為，美光的表述直接指向2026年仍偏供給約束的判斷——一方面上調(diào)資本開支，另一方面仍強(qiáng)調(diào)難以滿足需求，這意味著供給釋放并不會(huì)在短期內(nèi)追平需求擴(kuò)張，周期頂部的供給拐點(diǎn)更可能后置。稼動(dòng)率呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性分化在供給端判斷中，稼動(dòng)率是觀察是否進(jìn)入主動(dòng)減產(chǎn)/被動(dòng)減產(chǎn)的關(guān)鍵變量。三星電子披露其DSDivision（存儲(chǔ)）稼動(dòng)率25年Q1、Q3均為100%。然而，高稼動(dòng)率并不意味著所有品類都緊缺，而是龍頭工廠處于滿負(fù)荷運(yùn)行、供給調(diào)節(jié)更多通過產(chǎn)品結(jié)構(gòu)（HBM/高端DRAMvs通用料）與節(jié)點(diǎn)遷移節(jié)奏來完成。AI驅(qū)動(dòng)下，廠商傾向于把更多有效產(chǎn)能配置給高附加值產(chǎn)品如HBM，從而造成通用DRAM/NAND在某些時(shí)點(diǎn)出現(xiàn)階段性松動(dòng)，但整體供給并不寬裕。具體來看：——SKAI（32TB/64TB）NAND原廠QLC產(chǎn)線亦幾近滿載。LegacyDRAM（K（如2BM225Q，韓系原廠D415%擴(kuò)產(chǎn)受制于物理和經(jīng)濟(jì)雙重約束技術(shù)維度：2.5D/HBM供給DRAM15%1GBHBM所消耗的有效產(chǎn)能是傳統(tǒng)DDR53倍。HBM供給鏈條較傳統(tǒng)DRAMDRAMdie藝、以及與GPU/加速器協(xié)同的先進(jìn)封裝（2.5D/中介層等）。一條新線即便完成設(shè)備安裝，也需要經(jīng)歷長周期良率爬坡，而良率未達(dá)標(biāo)前，其名義產(chǎn)能并不能進(jìn)入市場。這使得供給彈性顯著下降，也意味著行業(yè)周期的供給拐點(diǎn)更鈍化。據(jù)TrendForce報(bào)道，SK海力士計(jì)劃在美國建設(shè)2.5D封裝產(chǎn)線，投資約38.7億美元，目標(biāo)在2028年下半年開始運(yùn)營（該項(xiàng)目被視為其向turnkeyHBM（從內(nèi)存到封裝交付一體化）的重要一步。綜上可知，HBM擴(kuò)產(chǎn)本質(zhì)是前道晶圓+封裝+客戶認(rèn)證的系統(tǒng)工程，而非單一環(huán)節(jié)加碼即可解決，行業(yè)供給擴(kuò)張需成體系投入，導(dǎo)致供給釋放節(jié)奏更慢、周期上行持續(xù)性更強(qiáng)。單位產(chǎn)能資本開支持續(xù)抬升，擴(kuò)產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)不對(duì)稱40%3–52019、2022–2023存儲(chǔ)行業(yè)的一個(gè)核心矛盾是：價(jià)格周期（6–18個(gè)月）<擴(kuò)產(chǎn)兌現(xiàn)周期（24–36個(gè)月）這意味著當(dāng)價(jià)格高企時(shí)啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)，而等到產(chǎn)能真正釋放，價(jià)格往往已進(jìn)入回落區(qū)間。因此廠商在擴(kuò)產(chǎn)決策上更強(qiáng)調(diào)防守型思維。綜上我們認(rèn)為，AI與HBM進(jìn)一步抬高了擴(kuò)產(chǎn)門檻，使供給彈性下降，意味著未來較長時(shí)間供給端的擴(kuò)產(chǎn)更慢、周期更長，同時(shí)波動(dòng)更多體現(xiàn)為結(jié)構(gòu)分化。需求端：從消費(fèi)電子轉(zhuǎn)向數(shù)據(jù)中心主導(dǎo)傳統(tǒng)存儲(chǔ)周期（尤其DRAM）往往由PC/手機(jī)拉動(dòng)的需求波動(dòng)與庫存周期主導(dǎo)；而本輪周期需求增量的來源更集中、增速更快、且對(duì)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的牽引更強(qiáng)——AI數(shù)據(jù)中心對(duì)HBM、服務(wù)器DRAM、企業(yè)級(jí)SSD的拉動(dòng)，呈現(xiàn)出類似基礎(chǔ)設(shè)施投資周期的特征，需求彈性顯著高于消費(fèi)電子，對(duì)DRAM、HBM的需求更偏資本開支驅(qū)動(dòng)，并且單機(jī)內(nèi)存配置呈結(jié)構(gòu)性抬升。AI數(shù)據(jù)中心為主要引擎HBM截至2025年底，HBM（高帶寬內(nèi)存）已成為科技巨頭的戰(zhàn)略物資。一是單卡容量激增：英偉達(dá)BlackwellUltra及后續(xù)Rubin架構(gòu)，單GPU搭載的HBM容量已從H100時(shí)代的80GB激增至288GB甚至更高。二是模型參數(shù)膨脹：GPT-5級(jí)模型及MoE（混合專家模型）架構(gòu)對(duì)顯存帶寬的需求呈指數(shù)級(jí)增長。三是具有需求剛性：據(jù)TrendForce2025CSP（對(duì)AIHBMGPUBOM（）產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)來看，SKHBM3E2026HBM4SSD6-12HBM3E和HBM4代際主導(dǎo)驅(qū)動(dòng)力技術(shù)標(biāo)志核心瓶頸競爭邏輯代際主導(dǎo)驅(qū)動(dòng)力技術(shù)標(biāo)志核心瓶頸競爭邏輯（2012–2019）深度學(xué)習(xí)與Transformer崛起算法創(chuàng)新計(jì)算力不足算法即壁壘（2020–2023）GPU集群化與A100/H100時(shí)代GPU擴(kuò)張成本與能耗算力即優(yōu)勢(shì)3G：通信互聯(lián)驅(qū)動(dòng)（2024）NVLink/IB/光互連爆發(fā)通信墻初破互連拓?fù)渑c延遲連接即性能體系代工化（2025–2027）HBM/CXL/NVMe池化體系形成內(nèi)存墻突破吞吐與能效體系即競爭力資料來源：公開信息整理，企業(yè)級(jí)SSD：AI推理階段需求持續(xù)增長隨著AI應(yīng)用從訓(xùn)練轉(zhuǎn)向推理，RAG（檢索增強(qiáng)生成）技術(shù)成為主流。RAG需要將海量的私有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在高速SSD中以便實(shí)時(shí)調(diào)用，這直接引爆了大容量QLCeSSD的需求——2025年Q4，30TB/60TB級(jí)QLCeSSD出現(xiàn)全行業(yè)斷貨。SSDAISSD70%HDD。IDC2026AINAND40TB，是4AI/2026AINAND40TB4TrendForce報(bào)告指出，AI需求從訓(xùn)練擴(kuò)展到推理，同時(shí)北美CSP也在擴(kuò)張通用服務(wù)器，帶動(dòng)企業(yè)級(jí)SSD出貨與價(jià)格上行，Top5品牌3Q合計(jì)收入環(huán)比增長28%至約65.4億美元；并進(jìn)一步提示4Q市場情緒從復(fù)蘇轉(zhuǎn)向搶料，CSP主動(dòng)增庫以避免SSD供給不足拖累昂貴AI服務(wù)器部署。綜上可知，當(dāng)缺SSD可能導(dǎo)致AI服務(wù)器延期成為行業(yè)共識(shí)時(shí)，企業(yè)級(jí)需求相較于手機(jī)/PC，成為影響NAND行業(yè)周期波動(dòng)的更重要因素。服務(wù)器DRAMAI）TrendForce報(bào)告，2026AI20%以上，AI17%AI服務(wù)器收入預(yù)計(jì)繼續(xù)增長（且2026年AI服務(wù)器收入或占整體服務(wù)器市場價(jià)值的74%）。AIAI服務(wù)器的存儲(chǔ)BOM通用服務(wù)器方面，亦提供了存儲(chǔ)市場堅(jiān)實(shí)的基本盤——由于原廠將產(chǎn)能調(diào)配給HBM，導(dǎo)致通用DDR5RDIMM供應(yīng)緊張，傳統(tǒng)企業(yè)（銀行、制造業(yè)、政府）在2025Q4開啟了備貨潮。消費(fèi)端從出貨周期轉(zhuǎn)向單機(jī)容量/配置周期智能手機(jī)：AI功能提升內(nèi)存要求TrendForce3Q253.289%7%；這意味著手機(jī)端對(duì)存儲(chǔ)需求的貢獻(xiàn)并非強(qiáng)出貨驅(qū)動(dòng)，而更可能體現(xiàn)在：一是更高內(nèi)存配置成為中高端機(jī)標(biāo)配。2026年旗艦機(jī)型的標(biāo)配內(nèi)存已從12GB躍升至16GB/24GB，LPDDR5T/LPDDR6成為標(biāo)配。端側(cè)AIAppleAppleIntelligenceiPhoneRAM12GB起步。三是價(jià)格上行會(huì)促使部分廠商在低端機(jī)降配控本，使需求分化加劇。PC：AI從存儲(chǔ)角度，AIPC關(guān)鍵不在量，而在配置：更大DRAM/SSD配置將提升單位出貨的存儲(chǔ)內(nèi)容量，使存儲(chǔ)需求的敏感性從臺(tái)數(shù)轉(zhuǎn)向每臺(tái)容量。從單機(jī)平均容量來看，2026年P(guān)CDRAM平均搭載量預(yù)計(jì)將達(dá)22GB，同比2024年增長超50%。微軟Copilot+PC標(biāo)準(zhǔn)則明確要求NPU算力40TOPS以上，內(nèi)存16GB起步，推薦32GB。表4：全球終端類型DRAM平均搭載量(GB)終端類型2024A2025E2026F驅(qū)動(dòng)因素智能手機(jī)6.88.210.5端側(cè)7B模型落地PC/筆電14.518.222.0Copilot+強(qiáng)制標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)器6509201,250CPU核心數(shù)增加+AI需求資料來源：Gartner,投資建議綜上我們認(rèn)為，1）HBM2025HBM180AI2026TSVASP企業(yè)級(jí)SSD/NAND需求進(jìn)入新周期AIRAG2025–2026級(jí)SSD35–40%NANDDDR5和CXL2025DDR550%CXL2026從成本結(jié)構(gòu)來看，隨著GPU性能迭代趨緩、系統(tǒng)瓶頸逐步上移至數(shù)據(jù)流傳輸與訪問效率，預(yù)計(jì)內(nèi)存+NAND占整機(jī)BOM比例將提升至50–60%（較2023年提升約20pct），存儲(chǔ)成為繼GPU之后的第二大成本中心，在AI資本開支年化規(guī)模超過1萬億美元的大背景下，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈的需求增速與AI服務(wù)器整體出貨量呈現(xiàn)高同步性。我們認(rèn)為，AI時(shí)代的摩爾定律正在向存儲(chǔ)側(cè)遷移——吞吐成為核心約束，存儲(chǔ)層決定AI系統(tǒng)的上限，模型訓(xùn)練規(guī)模每12個(gè)月翻倍，但HBM與NAND吞吐增長更快，在訓(xùn)練走到平臺(tái)期后，推理時(shí)代的競爭核心從算力規(guī)模轉(zhuǎn)向能效與吞吐，而存儲(chǔ)正是能效改善的重要抓手，某種程度上可以說掌握AI下半場的潛在定價(jià)權(quán)。232NANDQLCDRAMHBM2026（2025年積累）上游設(shè)備端加速驗(yàn)證：存儲(chǔ)工藝的層數(shù)/深寬比提升、關(guān)鍵介質(zhì)層變薄、對(duì)一致性與缺陷控制要求更嚴(yán)，使得刻蝕、薄膜沉積、清洗、量測(cè)等環(huán)節(jié)的驗(yàn)證價(jià)值顯著提升。隨著存量產(chǎn)線升級(jí)改造與新產(chǎn)線建設(shè)并行推進(jìn)，相關(guān)設(shè)備需求不僅體現(xiàn)在數(shù)量增長，更體現(xiàn)在技術(shù)規(guī)格與可靠性要求的同步抬升。在這一過程中，國產(chǎn)設(shè)備在關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)中的參與度有望持續(xù)提升，國產(chǎn)化率存在突破臨界點(diǎn)的現(xiàn)實(shí)基礎(chǔ)，其驗(yàn)證邏輯也將從單機(jī)可用逐步過渡至整線可復(fù)制。DRAM制造工藝中，電容制造是核心難點(diǎn)，涉及高深寬比刻蝕和原子層沉積（DAM在刻蝕、薄膜沉積等核心工藝上，國產(chǎn)方案已在先進(jìn)存儲(chǔ)制造中實(shí)現(xiàn)導(dǎo)入，并有