1、選考部分,第十三章,物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì),高考命題分析,真 題 體 驗(yàn),1(2012安徽，25)X、Y、Z、W是元素周期表前四周期中的常見(jiàn)元素，其相關(guān)信息如下表：,(1)W位于元素周期表第_周期第_族，其基態(tài)原子最外層有_個(gè)電子。 (2)X的電負(fù)性比Y的_(填“大”或“小”)；X和Y的氣態(tài)氫化物中，較穩(wěn)定的是_(寫化學(xué)式)。 (3)寫出Z2Y2與XY2反應(yīng)的化學(xué)方程式，并標(biāo)出電子轉(zhuǎn)移的方向和數(shù)目：_。,(4)在X的原子與氫原子形成的多種分子中，有些分子的核磁共振氫譜顯示有兩種氫，寫出其中一種分子的名稱：_。氫元素、X、Y的原子也可共同形成多種分子和某種常見(jiàn)無(wú)機(jī)陰離子，寫出其中一種分子與該無(wú)機(jī)陰離子反

2、應(yīng)的離子方程式：_。,解析本題考查了元素原子結(jié)構(gòu)、元素化合物性質(zhì)等。首先根據(jù)原子結(jié)構(gòu)特征以及化合物性質(zhì)推斷出元素，然后根據(jù)要求解答。根據(jù)原子的核外電子排布特征推知X為C元素；Y的電子排布式為1s22s22p4，為O元素；Z的質(zhì)子數(shù)為11，是Na元素；該W的氫氧化物為Fe(OH)2，W為Fe元素。(1)Fe位于第4周期，第族，基態(tài)原子價(jià)電子排布式為3d64s2，最外層有2個(gè)電子。,2(2012福建，30) (1)元素的第一電離能： Al_Si(填“”或“”)； (2)基態(tài)Mn2的核外電子 排布式為_(kāi)。 (3)硅烷(SinH2n2)的沸點(diǎn)與其相對(duì)分子質(zhì)量的變化關(guān)系如右圖所示，呈現(xiàn)這種變化關(guān)系的原因

3、是_。,(4)硼砂是含結(jié)晶水的四硼酸鈉，其陰離子X(jué)m(含B、O、H三種元素)的球棍模型如右下圖所示： 在Xm中，硼原子軌道的雜化類型有_；配位鍵存在于_原子之間(填原子的數(shù)字標(biāo)號(hào))；m_(填數(shù)字)。,硼砂晶體由Na、Xm和H2O構(gòu)成，它們之間存在的作用力有_(填序號(hào))。 A離子鍵 B共價(jià)鍵 C金屬鍵 D范德華力 E氫鍵,答案(1) (2)1s22s22p63s23p63d5(Ar3d5) (3)硅烷的相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間范德華力越強(qiáng) (4)sp2、sp3 4,5(或5,4) 2 ADE,解析本題綜合考查元素第一電離能的變化規(guī)律、基態(tài)離子核外電子排布、分子晶體熔沸點(diǎn)高低的決定因素、軌道雜化、

4、配位鍵、微粒間的作用力等，同時(shí)考查學(xué)生思維能力、圖像處理能力、分析物質(zhì)結(jié)構(gòu)的能力。(1)同一周期元素自左向右第一電離能有增大趨勢(shì)，故第一電離能AlSi。(2)Mn是25號(hào)元素，其電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s2，故Mn2的電子排布式為1s22s22p63s23p63d5。(3)硅烷形成的晶體是分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，沸點(diǎn)越高。,(4)由球棍模型可以看出，黑球?yàn)锽原子，灰球?yàn)镺原子，小黑球?yàn)镠原子。2號(hào)B原子形成3個(gè)鍵，采取sp2雜化，4號(hào)B原子形成4個(gè)鍵，采取sp3雜化；4號(hào)B原子三個(gè)sp3雜化軌道與除5號(hào)外三個(gè)O原子形成鍵后還有一個(gè)空軌道，而5號(hào)O

5、原子能提供孤電子對(duì)而形成配位鍵；由圖示可以看出該結(jié)構(gòu)可以表示為B4H4O9m，其中B為3價(jià)，O為2價(jià)，H為1價(jià)，根據(jù)化合價(jià)可知m2。在晶體中Na與Xm之間為離子鍵，H2O分子間存在范德華力，而該陰離子能與水分子形成氫鍵。,3(2012新課標(biāo)，37)A族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含A族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題： (1)S單質(zhì)的常見(jiàn)形式為S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是_；,(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7103和2.5108，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為1.2102，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性

6、質(zhì)的關(guān)系解釋： H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因：_； H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因：_；,(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm，密度為_(kāi) gcm3(列式并計(jì)算)，a位置S2離子與b位置Zn2離子之間的距離為_(kāi) pm(列式表示)。,答案(1)sp3 (2)OSSe (3)34 3s23p63d10 (4)強(qiáng) 平面三角形 三角錐形 (5)第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子 H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)2SeO和(HO)2SeO2。H2Se

7、O3中的Se為4價(jià)，而H2SeO4中的Se為6價(jià)，正電性更高，導(dǎo)致SeOH中O的電子更向Se偏移，越易電離出H。,解析本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)中的雜化軌道理論、第一電離能、分子的空間構(gòu)型、無(wú)機(jī)含氧酸酸性判斷及晶體的有關(guān)計(jì)算知識(shí)。(1)每個(gè)S原子的3個(gè)2p軌道和1個(gè)2s軌道進(jìn)行sp3雜化后形成兩個(gè)SS鍵，另有一對(duì)孤對(duì)電子和一個(gè)(sp3)1電子各占據(jù)一個(gè)軌道形成折線形結(jié)構(gòu)，故S8分子中S原子采用sp3雜化。 (2)同主族元素自上而下元素的金屬性逐漸增強(qiáng)，失去電子的能力越來(lái)越容易故第一電離能逐漸減小，故第一電離能：OSSe。,(3)34號(hào)元素Se位于元素周期表中的第4周期A族，其基態(tài)原子的電子排布式為：1s

8、22s22p63s23p63d104s24p4，故其M層電子的排布式為3s23p63d10。 (4)由于非金屬性：SSe，故HS鍵的鍵能大于HSe鍵的鍵能，在水溶液中HSe鍵更容易斷裂，即H2Se比H2S更容易電離，因此H2Se的酸性比H2S強(qiáng)；在SeO3分子中Se和3個(gè)O結(jié)合，硫最外層有6個(gè)電子，,無(wú)機(jī)含氧酸分子(HO)mROn中R元素的化合價(jià)越高，電負(fù)性越大、原子半徑越小時(shí)，使OH鍵減弱，導(dǎo)致含氧酸在水中的電離程度增大，酸性增強(qiáng)。另外非羥基氧原子的個(gè)數(shù)n越大，其酸性越強(qiáng)；H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)2SeO和(HO)2SeO2。H2SeO3中Se的化合價(jià)為4價(jià)，而H2SeO4

9、中Se的化合價(jià)為6價(jià)，正電性更高，導(dǎo)致SeOH中O的電子更向Se偏移，越易電離出H。,4(2012全國(guó)大綱，27)原子序數(shù)依次增大的短周期元素a、b、c、d和e中，a的最外層電子數(shù)為其周期數(shù)的二倍；b和d的A2B型氫化物均為V形分子，c的1價(jià)離子比e的1價(jià)離子少8個(gè)電子?；卮鹣铝袉?wèn)題： (1)元素a為_(kāi)，c為_(kāi)； (2)由這些元素形成的雙原子分子為_(kāi)； (3)由這些元素形成的三原子分子中，分子的空間結(jié)構(gòu)屬于直線形的是_，非直線形的是_(寫2種)；,(4)這些元素的單質(zhì)或由它們形成的AB型化合物中，其晶體類型屬于原子晶體的是_，離子晶體的是_，金屬晶體的是_，分子晶體的是_；(每空填一種) (5)元素a和b形成的一種化合物與c和b形成的一種化合物發(fā)生的反應(yīng)常用于防毒面具中，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)。,答案(1)C Na (2)CO、O2、Cl2 (3)CO2、CS2 SO2、O3、SCl2、Cl2O等(任寫兩種) (4)金剛石 NaCl Na CO(或O2、Cl2) (5)2Na2O22CO2=2Na2CO3O2,解析本題考查元素推斷、分子構(gòu)型、晶體類型判斷等。根據(jù)a的核外電子特點(diǎn)，則a為C，根據(jù)b和d的氫化物的通式及空間構(gòu)型，可以推斷b為O，d為S。根據(jù)c比e少8個(gè)電子，可以推斷c為Na，e為Cl。(1)a為C，c為Na。(2)五種元素形成的