1、長(zhǎng)沙市高二下學(xué)期化學(xué)期中考試試卷姓名:_ 班級(jí):_ 成績(jī):_一、 單選題 (共29題；共58分)1. （2分） 下列化合物分子中含2個(gè)手性碳原子的是（ ） A . B . C . D . 2. （2分） (2019高二下遼源期中) 下列原子的電子躍遷能釋放光能形成發(fā)射光譜的是（ ） A . 1s22s22p63s21s22s22p63p2B . 1s22s22p33s11s22s22p4C . 1s22s21s22s12p1D . 1s22s22p1x 1s22s22p1 y3. （2分） (2019高二下長(zhǎng)春月考) 下列軌道表示式所表示的元素原子中，其能量處于最低狀態(tài)的是（ ） A . B

2、. C . D . 4. （2分） 下列關(guān)于有機(jī)化合物的表示方法中不正確的是（ ）A . 乙烯：CH2CH2B . 異戊烷： C . 乙酸乙酯：CH3COOCH2CH3D . 甲烷： 5. （2分） (2016高二上廈門期中) 在基態(tài)多電子原子中，關(guān)于核外電子能量的敘述錯(cuò)誤的是（ ） A . 最易失去的電子能量最高B . 電離能最小的電子能量最高C . p軌道電子能量一定高于s軌道電子能量D . 在離核最近區(qū)域內(nèi)運(yùn)動(dòng)的電子能量最低6. （2分） (2016高二下正定期中) 關(guān)于下列幾種離子晶體，說(shuō)法不正確的是（ ） A . 由于NaCl 晶體和CsCl晶體中正負(fù)離子半徑比（ ）不相等，所以兩晶

3、體中離子的配位數(shù)不相等B . CaF2晶體中，Ca2+配位數(shù)為8，F(xiàn)配位數(shù)為4不相等，主要是由于F、Ca2+電荷（絕對(duì)值）不相同C . MgO的熔點(diǎn)比MgCl2高主要是因?yàn)镸gO的晶體能比MgCl2大D . MCO3中M2+半徑越大，MCO3熱分解溫度越低7. （2分） (2018高二下黑龍江期中) 下列有關(guān)電子云和原子軌道的說(shuō)法正確的是（ ） A . 原子核外的電子像云霧一樣籠罩在原子核周圍，故稱電子云B . s能級(jí)的原子軌道呈球形，處在該軌道上的電子只能在球殼內(nèi)運(yùn)動(dòng)C . p能級(jí)的原子軌道呈啞鈴形，隨著能層序數(shù)的增加，p能級(jí)原子軌道數(shù)也在增多D . s、p能級(jí)原子軌道的平均半徑均隨電子層的

4、增大而增大8. （2分） 根據(jù)泡利的原子軌道能級(jí)圖和“能級(jí)交錯(cuò)”現(xiàn)象，原子軌道的能量高低順序是：ns（n3）g（n2）f（n1）dnp（n為能層序數(shù)，g能級(jí)中有9個(gè)軌道）則未來(lái)的第八周期應(yīng)包括的元素的種類是（ ）A . 32B . 50C . 64D . 1289. （2分） (2016高二下正定期中) 下列說(shuō)法中正確的是（ ） A . 因?yàn)閜軌道是“8”字形的，所以p電子走“8”字形B . 第三電子層，有3s、3p、3d三個(gè)軌道C . 在一個(gè)基態(tài)多電子的原子中，不可能有兩個(gè)能量完全相同的電子D . 一般情況下，鍵比鍵重疊程度大，形成的共價(jià)鍵強(qiáng)10. （2分） 下面是一些原子的2p能級(jí)和3d能

5、級(jí)中電子在原子軌道上的排布情況，其中正確的是（ ） A . B . C . D . 11. （2分） (2016高二下棗陽(yáng)月考) 以下對(duì)核外電子運(yùn)動(dòng)狀況的描述正確的是（ ） A . 同一原子中，2p，3p，4p能級(jí)的軌道依次增多B . 當(dāng)碳原子的核外電子排布由 轉(zhuǎn)變?yōu)?時(shí)，這一過(guò)程中釋放能量C . 3p2表示3p能級(jí)有兩個(gè)軌道D . 在同一能級(jí)上運(yùn)動(dòng)的電子，其運(yùn)動(dòng)狀態(tài)可能相同12. （2分） 下列元素原子半徑最大的是（ ） A . OB . KC . BD . Be13. （2分） (2018高一下湘西期末) X、Y、Z、W、R是5種短周期元素，其原子序數(shù)依次增大。X是周期表中原子半徑最小的元

6、素，Y原子最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍，Z、W、R處于同一周期，R與Y處于同一族，Z、W原子的核外電子數(shù)之和與Y、R原子的核外電子數(shù)之和相等。下列說(shuō)法正確的是（ ） A . 元素Y、Z、W離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)，其半徑依次增大B . 元素X與元素Y只能形成一種化合物C . 元素Y、R分別與元素X形成的化合物的熱穩(wěn)定性：XmYXmRD . 元素W、R的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物都是強(qiáng)酸14. （2分） 已知X、Y是主族元素，I為電離能，單位是kJmol1 請(qǐng)根據(jù)下表所列數(shù)據(jù)判斷，錯(cuò)誤的是（ ）元素I1I2I3I4X5004 6006 9009 500Y5801 8002 70011 600A

7、. 元素X的常見(jiàn)化合價(jià)是+1價(jià)B . 元素Y是A族元素C . 元素X與氯形成化合物時(shí)，化學(xué)式可能是XClD . 若元素Y處于第三周期，它可與冷水劇烈反應(yīng)15. （2分） (2019高二上上海期末) 下列排列順序正確的是（ ） A . 最高正化合價(jià)：PNCB . 原子半徑：NaMgClC . 熱穩(wěn)定性：H2OHFH2SD . 酸性：H2CO3H3PO4H2SO416. （2分） (2019高一下輝南月考) 某元素原子最外層只有1個(gè)電子，它跟鹵素相結(jié)合時(shí)，所形成的化學(xué)鍵（ ） A . 一定是共價(jià)鍵B . 一定是離子鍵C . 可能是共價(jià)鍵，也可能是離子鍵D . 以上說(shuō)法均不符合題意17. （2分）

8、(2016高一下長(zhǎng)安期中) X元素最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物為H3XO4 ， 則它對(duì)應(yīng)的氣態(tài)氫化物為（ ） A . HXB . H2XC . XH4D . XH318. （2分） 有下列兩組命題： A組B組HF鍵的鍵能大于HO鍵的鍵能HF的沸點(diǎn)比H2O低HHF氫鍵的鍵能大于OHO氫鍵的鍵能HF比H2O穩(wěn)定HF分子間能形成的氫鍵個(gè)數(shù)比H2O分子少HF的沸點(diǎn)比H2O高HF分子與水分子可形成氫鍵HF極易溶于水B組中命題正確，但不能用A組命題進(jìn)行解釋的是（ ）A . B . C . D . 19. （2分） (2018高二下吳忠期末) 若ABn的中心原子A上沒(méi)有未用于形成共價(jià)鍵的孤電子對(duì)，運(yùn)用價(jià)層電子對(duì)

9、互斥理論，下列說(shuō)法正確的是（ ） A . 若n2，則分子的空間構(gòu)型為V形B . 若n3，則分子的空間構(gòu)型為三角錐型C . 若n4，則分子的空間構(gòu)型為正四面體型D . 以上說(shuō)法都不符合題意20. （2分） (2016高二下江陰期中) 下列分子中的中心原子雜化軌道的類型相同的是（ ） A . CH4與C2H4B . BF3與NH3C . BeCl2與SCl2D . H2O與H2S21. （2分） 中心原子采取sp2雜化的是（ ）A . NH3B . BCl3C . PCl3D . H2O22. （2分） (2018高二下河北期中) 下列配合物的水溶液中加入硝酸銀不能生成沉淀的是（ ） A . Co

10、（NH3）4Cl2 ClB . Co（NH3）3Cl3C . Co（NH3）6 Cl3D . Cu（NH3）4Cl223. （2分） (2015高二下射陽(yáng)期中) 最近發(fā)現(xiàn)，只含鎂、鎳和碳三種元素的晶體竟然也具有超導(dǎo)性因這三種元素都是常見(jiàn)元素，從而引起廣泛關(guān)注該新型超導(dǎo)晶體的一個(gè)晶胞如圖所示，則該晶體的化學(xué)式為（ ） A . MgCNi3B . Mg2CNi3C . MgCNi2D . MgC2Ni24. （2分） 分子晶體一般具有的性質(zhì)是（ ） A . 易溶于水B . 熔、沸點(diǎn)較高C . 通常狀況下有些是固體,有些是氣體,也有的是液體D . 硬度一般較大25. （2分） SiCl4的分子結(jié)構(gòu)與

11、CCl4類似,對(duì)其作出如下推斷,其中正確的是（ ） SiCl4晶體是分子晶體常溫、常壓下,SiCl4是液體SiCl4分子是由極性鍵形成的非極性分子SiCl4的熔點(diǎn)高于CCl4的A . B . C . D . 26. （2分） (2016高一下山西期中) 下列分子中，所有原子不可能處在同一平面上的是（ ） A . CH4B . CS2C . H2OD . SO227. （2分） 下列有關(guān)金屬的說(shuō)法正確的是（ ）A . 金屬原子的核外電子在金屬晶體中都是自由電子B . 體心立方晶胞和面心立方晶胞中實(shí)際含有的原子個(gè)數(shù)之比為1:2C . 金屬原子在化學(xué)變化中失去的電子數(shù)越多，其還原性越強(qiáng)D . 金屬導(dǎo)

12、電的實(shí)質(zhì)是金屬陽(yáng)離子在外電場(chǎng)作用下的定向移動(dòng)28. （2分） (2015高二上丹陽(yáng)期末) 金屬鍵的強(qiáng)弱與金屬價(jià)電子數(shù)的多少有關(guān)，價(jià)電子數(shù)越多金屬鍵越強(qiáng)，與金屬陽(yáng)離子的半徑大小也有關(guān)，金屬陽(yáng)離子的半徑越大，金屬鍵越弱據(jù)此判斷下列金屬熔點(diǎn)逐漸升高的是（ ）A . LiNaKB . NaMgAlC . LiBeMgD . LiNaMg29. （2分） (2018金山模擬) 干冰氣化過(guò)程中發(fā)生變化的是（ ） A . 分子間作用力B . 分子內(nèi)共價(jià)鍵的極性C . 分子內(nèi)原子間距離D . 分子的空間構(gòu)型二、 多選題 (共1題；共3分)30. （3分） (2016高二上邯鄲開學(xué)考) 類比推理是化學(xué)中常用的思

13、維方法下列推理正確的是（ ） A . CO2是直線型分子，推測(cè)CS2也是直線型分子B . SiH4的沸點(diǎn)高于CH4 ， 推測(cè)H2Se的沸點(diǎn)高于H2SC . Fe與Cl2反應(yīng)生成FeCl3 ， 推測(cè)Fe與I2反應(yīng)生成FeI3D . NaCl與濃H2SO4加熱可制HCl，推測(cè)NaBr與濃H2SO4加熱可制HBr三、 填空題 (共2題；共6分)31. （4分） (2017高三上玉溪期中) 鋰-磷酸氧銅電池正極的的活性物質(zhì)是Cu4O(PO4)2 ， 可通過(guò)下列反應(yīng)制備：2Na3PO4+CuSO4+2NH3H2O= Cu4O(PO4)2+3Na2SO4+(NH4)2SO4+H2O。 （1） 寫出基態(tài)Cu

14、2+的電子排布式：_。 （2） PO43-的空間構(gòu)型是_。 （3） P,S元素第一電離能大小關(guān)系為_。 （4） 氨基乙酸銅分子結(jié)構(gòu)如圖，碳原子的雜化方式為_，基態(tài)碳原子核外電子有_個(gè)空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。 （5） 銅晶體密堆積方式如圖所示，銅原子的配位數(shù)為_，銅的原子半徑為127.8pm，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，列出晶體銅的密度計(jì)算式_gcm-3。 32. （2分） (2019高三上嘉興期中) 五種短周期元素Q、W、X、Y、Z，位于不同主族，原子序數(shù)依次增大。 W的氫化物與最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物反應(yīng)生成鹽甲X、Y、Z的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物之間兩兩反應(yīng)生成均可生成鹽和水化合物X2O2可與Q的某種氣

15、態(tài)氧化物（標(biāo)準(zhǔn)狀況下密度為1.25gL1）在一定條件下發(fā)生化合反應(yīng)，生成一種正鹽乙請(qǐng)回答下列各題：（1） 已知：ZO3nM2+H+ZM4+H2O（M為金屬元素，方程式未配平），則Z原子的結(jié)構(gòu)示意圖為_，n_（2） 過(guò)程的化學(xué)方程式為_。 （3） 甲的水溶液呈_性（填“酸”、“堿”或“中”），原因是_（用離子方程式表示）。 （4） 將Y單質(zhì)粉末加入到鹽乙的濃溶液中，緩慢放出氣泡，加熱后有大量氣泡生成，同時(shí)生成白色沉淀丙。經(jīng)檢驗(yàn)氣體是由單質(zhì)A和少量Q的最高價(jià)氧化物組成。下列有關(guān)說(shuō)法正確的是_。 A . Q元素是形成化合物種類最多的元素B . 單質(zhì)A是熱值最高的物質(zhì)C . 白色沉淀丙既可溶于稀鹽酸，

16、也能溶于NaOHD . 白色沉淀丙可能是由生成的YO2離子與溶液中存在的某種離子反應(yīng)生成（5） Y可形成三元半導(dǎo)體CuYO2，此三元半導(dǎo)體難溶于水，可溶于稀硝酸，且有NO生成，寫出溶解過(guò)程的離子方程式_。 四、 綜合題 (共1題；共5分)33. （5分） (2019成都模擬) 太陽(yáng)能電池可分為：硅太陽(yáng)能電池，化合物太陽(yáng)能電池，如砷化鎵(GaAs)、銅銦鎵硒(CIGS)、硫化鎘(CdS)，功能高分子太陽(yáng)能電池等，Al-Ni常作電極。據(jù)此回答問(wèn)題： （1） 鎳(Ni)在周期表中的位置為_；S原子的價(jià)電子排布式為_；Ga、As和Se的第一電離能由大到小的順序是_。 （2） Na3As3中As原子的雜化方式為_；AsCl3的空間構(gòu)型為_。 （3） GaAs熔點(diǎn)為1238，GaN熔點(diǎn)約為1500，GaAs熔點(diǎn)低于GaN的原因?yàn)開。 （4） 寫出一種與SO42-互為等電子體的分子_。 （5） GaAs的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其中As原子形成的空隙類型有正八面體形和正四面體形，該晶胞中Ga原子所處空隙類型為_。已知GaAs的密度為g/cm3，Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為 MGa g/mol和MAsg/mol，則GaAs晶胞中Ga之間的最短距離為_pm。 第 15 頁(yè) 共 15 頁(yè)參考答案一、 單選題 (共29題；共58