1、神經生物學思考題1.敘述淺感覺傳導通路。 軀干四肢的淺感覺傳導通路：第1級神經元：脊神經節(jié)細胞第2級神經元：脊髓后角（第、到層）脊髓丘腦束第3級神經元：背側丘腦的腹后外側核內囊中央后回中、上部和中央旁小葉后部 頭面部的淺感覺傳導通路：第1級神經元：三叉神經節(jié)三叉神經脊束第2級神經元：三叉神經脊束核（痛溫覺） 第2級神經元：三叉神經腦橋核（觸壓覺）三叉丘系第3級神經元：背側丘腦的腹后內側核內囊中央后回下部2.敘述周圍神經損傷后再生的基本過程。軸突再生通道和再生微環(huán)境的建立軸突枝芽長出與延伸靶細胞的神經重支配再生軸突的髓鞘化和成熟軸突再生通道和再生微環(huán)境的建立：損傷遠側段全程以及近側端局部軸突和髓

2、鞘發(fā)生變形、崩解并被吞噬細胞清除，同時施萬細胞增殖并沿保留的基底膜管規(guī)則排列形成Bungner帶，這就構成了軸突再生的通道。同時，施萬細胞分泌神經營養(yǎng)因子、黏附分子、細胞外基質分子等，為軸突再生營造適宜的微環(huán)境。軸突枝芽長出與延伸：再生通道和再生微環(huán)境建立的同時或緊隨其后，在損傷神經近側軸突末梢的回縮球表面形成胚芽，長出許多新生軸突枝芽或稱為絲足。新生的軸突枝芽會反復分支，在適宜的條件下，軸突枝芽逾越斷端之間的施萬細胞橋長入遠側端的Bungner帶內，而后循著Bungner帶一每天1mm到數(shù)毫米的速度向靶細胞延伸。靶細胞的神經重支配：軸突枝芽不斷向靶細胞生長延伸，最終達到目的地并與靶細胞形成突

3、觸聯(lián)系。再生軸突的髓鞘化和成熟：在眾多的軸突枝芽中，往往只有一條并且通常是最粗的一條能到達目的地，與靶細胞形成突觸聯(lián)系，其他的軸突枝芽逐漸潰變消失，而且也只有到達目的地的那條軸突才重新形成髓鞘，新形成的髓鞘起初比較細，也比較薄，但隨著時間的推移，軸突逐漸增粗，髓鞘也逐漸增厚，從而使有髓神經纖維不斷趨于成熟。3.Concept and stage of memory，Types, and features of each type of memory從心理學來講，記憶是存儲，維持，讀取信息和經驗的能力。記憶的基本過程：編碼，儲存，提取記憶類型：感覺記憶 短時記憶 長時記憶感覺記憶特點：包括圖像記

4、憶 聲像記憶 觸覺記憶 味覺記憶 嗅覺記憶 信息保持的時間極短并且每次收錄的信息有限，若不及時處理傳送至短時記憶，很快就會消失。信息的傳輸與衰變取決于注意的程度。短時記憶特點：又稱工作記憶。是有意識記憶，信息保持的時間很短，易受干擾而遺忘，經復述可以轉入長時記憶長時記憶特點：包括程序性記憶和陳述性記憶。程序性記憶是指如何做事情的記憶，包括對知覺技能，認知技能，運動技能的記憶，其定位是小腦深部核團和紋狀體 。 陳述性記憶是指人對事實性資料的記憶，其定位是海馬和大腦皮層。 長時記憶的信息內容不僅限于外界收錄的訊息，更包括創(chuàng)造性意念，知識。記憶容量非常大，且可在長時間內保有信息。4.Changes

5、of electrophysiology and structure when long term memory is formed電生理的改變：包括LTP（長時程增強效應）：給突觸前纖維一個短暫的高頻刺激后，突觸傳遞效率和強度增加幾倍且能持續(xù)數(shù)小時至幾天保持這種增強的現(xiàn)象。 LTD （長時程抑制效應） LTP和LTD相互影響，控制著長時程記憶的形成。LTP強化長時記憶 ，LTD則在長時記憶形成過程中起到調節(jié)作用 。突觸前的變化包括神經遞質的合成、儲存、釋放等環(huán)節(jié)；突觸后變化包括受體密度、受體活性、離子通道蛋白和細胞內信使的變化形態(tài)結構變化包括突觸的增多或增大，突觸前后膜增厚。5.The lo

6、cation, subfields, layers of the hippocampus.海馬：位于側腦室下角底及內側壁，形狀如海馬，全長約5cm，呈一條鐮狀隆嵴。海馬屬古皮質,由三層細胞組成：分子層、錐體細胞層和多形層。依據(jù)細胞形態(tài),不同皮質區(qū)發(fā)育的差異以及各種纖維通路的不同，把海馬又分成CA1、CA2、CA3、CA4四個扇形區(qū)。CA4位于齒狀回門內,CA3區(qū)和CA1區(qū)相比前者的錐體細胞較大，后者的錐體細胞較小，CA2區(qū)是移行區(qū)，由大和小錐體細胞組成。（可作圖標注各區(qū)）6.Fiber connections and functions of hippocampal Formation. (1

7、)傳入豐富的傳入來自內嗅區(qū)。扣帶回發(fā)纖維經扣帶束經海馬旁回終止于海馬和或經內嗅區(qū)中繼后發(fā)纖維至海馬和下托從隔核發(fā)纖維(膽堿能纖維)經穹窿、海馬傘,終止于海馬和齒狀回。一側海馬發(fā)纖維經同側海馬傘、穹窿腳,通過海馬連合至對側穹窿腳與海馬傘,終止于對側海馬和齒狀回。藍斑發(fā)出去甲腎上腺素纖維經隔區(qū)尾側及穹窿到達海馬,或經胼胝體上方到達海馬。(2)傳出穹窿是海馬的主要傳出纖維。連合后穹窿終止于乳頭體特別是內側核、 丘腦前核與板內核吻部。連合前穹窿,不成密集的束,分布至隔核、外側視前區(qū)、下丘腦前份與斜角帶核。功能：海馬與空間記憶，近期記憶有關。比較大范圍的雙側海馬損傷則近期事實記憶的能力喪失,遠期記憶不受

8、影響,還表現(xiàn)行為的改變如嗜睡、安靜、淡漠、無表情以及自發(fā)運動消失。7.試述神經細胞內鈣超載導致細胞死亡的機制Ca2+超載導致細胞死亡機制： Ca2+超載時，大量Ca2+沉積于線粒體，干擾氧化磷酸化，使能量產生障礙；激活細胞內Ca2+依賴性酶類，其中Ca2+依賴的中性蛋白水解酶過度激活可是神經細胞骨架破壞；激活磷脂酶A和磷脂酶C，使膜磷脂降解；產生大量游離脂肪酸，還可激活血小板，促進微血栓形成，從而在缺血區(qū)增加梗死范圍，加重腦損害；腦缺血時，腦血管平滑肌、內皮細胞均有明顯Ca2+超載，前者可致血管收縮、痙攣，血管阻力增加，延遲再灌流，使缺血半暗帶內側支循環(huán)不能形成，從而腦梗死灶擴大；后者可致內皮

9、細胞收縮，內皮間隙擴大，血腦屏障通透性增高，產生血管源性腦水腫。8.簡述腦組織中蛋白質異常聚集的機制基因異常：如PD患者中有a-synuclein,parkin和park3基因突變，在AD患者，APP,PS基因突變ApoE基因多態(tài)性可導致APP異常降解，產生大量淀粉樣多肽（A），過量長生的A不斷在神經細胞集聚形成老年斑。蛋白質合成后的異常修飾：蛋白質的異常修飾導致其結構異常，功能降低或喪失。腦組織慢性病毒感染：如朊蛋白所致的CJD。9.試述突觸的分類和結構。分類：（1）按神經元接觸部位的不同：分為軸突-樹突型，軸突-胞體型，軸突-軸突型，胞體-胞體型，樹突-樹突型；(2)按結構和機制的不同：化

10、學性突觸和電突觸；(3)按傳遞性質的不同：興奮性突觸和抑制性突觸.結構：化學性突觸和電突觸的結構包括突觸前膜、突觸后膜和他們之間的突觸間隙（電突觸為縫隙連接）。10.鑒定神經遞質的主要條件是什么？一個化學物質被卻認為神經遞質，應具有如下的基本特征：突出前神經元內含有合成該遞質的原料和酶系遞質合成后必須儲存于突觸囊泡以避免被胞漿內其他酶系破壞突觸前刺激能導致該遞質的釋放該遞質可作用于突觸后膜上相應的受體，發(fā)揮興奮或抑制效應；直接外加該遞質于神經元或效應細胞旁可產生相同的突觸后效應突觸部位存在該類遞質的快速失活機制可采用遞質似擬劑或受體阻斷劑加強或阻斷該遞質的突觸傳遞效應11.何為神經調質？其功能

11、是什么？神經調質：由神經細胞、膠質細胞或其他分泌細胞所分泌的一類能調節(jié)信息傳遞效率的化學物質，能增強或削弱遞質的效應。功能：調節(jié)信息傳遞效率，增強或削弱遞質的效應。對神經遞質起調制作用，本身不直接負責跨突觸信號或不直接引起效應細胞功能的改變；間接調質神經遞質在突觸前神經末梢的釋放及其基礎活動水平。12.對一個細胞進行全細胞箝記錄時，電極內液主要成分為（mM）120 KCl, 10 NaCl; 細胞外液主要成分為 (mM) 120 NaCl, 5 KCl. 計算室溫25度下，Ek, ENa, Ecl，細胞的靜息膜電位以及AP最高峰時的膜電位。（靜息時：PK：PNa：Pcl=1:0.04:0.45

12、； AP最高峰時： PK:：PNa：Pcl =1:20: 0.45 )。答案：公式一：（注：此處對數(shù)取自然對數(shù)）At25C:(注：此處對數(shù)取常用對數(shù))K0=5 K+i=120Na+0=120 Na+i=10Cl0=125 Cli=130(考試時數(shù)值可能會變動)Ek = 58mV/1lg5/120=Ena = 58mV/1lg120/10=Ecl = 58mV/(1)lg125/130=公式二：靜息時：PK：PNa：Pcl=1:0.04:0.45PNa=0.04 PKPcl=0.45 PK代入中算得Vm=大家都算算，然后統(tǒng)一數(shù)值(氣體常數(shù)R=8.31 熱力學溫度T=273+t0C 法拉第常量F=

13、9.65x104)AP最高峰時：PK：PNa：Pcl =1:20: 0.45PNa=20 PKPcl=0.45 PK代入中算得Vm=大家都算算，然后統(tǒng)一數(shù)值13.畫出動作電位圖形，描述產生動作電位各階段的離子機制。 圖為神經生物學第二版P74圖4-9當細胞膜收到電刺激時，細胞膜電位發(fā)生變化，靜息電位朝負電位降低的方向發(fā)展，即發(fā)生膜的去極化，對應圖中的上升支；其中膜內電位由零值上升到最大值的部分稱為超射，當膜內電位達到最大值又迅速下降，并逐漸達到靜息時的負電位水平，這樣就構成了動作電位曲線的下降支。膜電位下降并達到靜息電位水平需要經歷一段微小而緩慢的波動，稱為后電位。機制：（機制可根據(jù)自己的情況

14、簡化一下）去極化過程 當細胞受刺激而興奮時，膜對Na+通透性增大，對K+通透性減小，于是細胞外的Na+便會順其波度梯度和電梯度向胞內擴散，導致膜內負電位減小，直至膜內電位比膜外高，形成內正外負的反極化狀態(tài)。當促使Na+內流的濃度梯度和阻止Na+內流的電梯度，這兩種拮抗力量相等時，Na+的凈內流停止。 復極化過程 當細胞膜除極到峰值時，細胞膜的Na+通道迅速關閉，而對K+的通透性增大，于是細胞內的K+便順其濃度梯度向細胞外擴散，導致膜內負電位增大，直至恢復到靜息時的數(shù)值。 可興奮細胞每發(fā)生一次動作電位，總會有一部分Na+在去極化中擴散到細胞內，并有一部分K+在復極過程中擴散到細胞外。這樣就激活了

15、Na+K+依賴式 ATP酶即Na+K+泵，于是鈉泵加速運轉，將胞內多余的Na+泵出胞外，同時把胞外增多的K+泵進胞內，以恢復靜息狀態(tài)的離子分布，保持細胞的正常興奮性。如果說靜息電位是興奮性的基礎，那么，動作電位是可興奮細胞興奮的標志。14.舉例說明神經元遷移主要形式。 神經元遷移的主要形式有輻射狀遷移和切線遷移。輻射狀遷移：中樞神經系統(tǒng)神經元遷移的主要方式，指與腦表面相垂直的方向進行遷移的神經，這類神經元主要附著在膠質細胞上進行遷移。如大腦皮層的神經元借著特殊的放射膠質細胞的長突起引導后分化的神經元從皮層內側遷移到皮層外側，形成大腦皮層最內層總是最早分化，而最外層則是最后分化的特殊分層結構。切

16、線遷移：主要用來描述與輻射遷移的神經元相垂直的方向進行遷移的神經元。如GABA 能中間神經元起源于前腦基底側的LGE和CGE，切線方向遷移至皮質區(qū)。切向遷移和輻射遷移并不是相互排斥的，一些神經元可能在遷移過程中采用兩種遷移方式到達特定的位置。15.說明神經元標記的不同方法及各種方法之間的區(qū)別。 Birthdate：主要利用胸腺嘧啶核苷類似物代替胸腺嘧啶（T）滲入正在復制的DNA分子，通過與熒光染料的特異性反應標記進行DNA合成的神經元。Lineage tracing：譜系追蹤是一種通過永久標記一個細胞來跟蹤這個細胞和它的子細胞技術。如ROSA reporter system，利用帶有不同基因啟

17、動子的Cre對ROSA品系的老鼠終止子進行敲除，表達出ROSA帶有的特異性熒光來標記該基因表達部位的細胞。Molecular mapping：將特定標記的已知探針與特定的神經元或膠質細胞進行雜交，從而對特定的細胞進行標記的過程。例如免疫組化反應，即利用抗原與抗體特異性結合的原理，通過化學反應使標記抗體的顯色劑顯色來確定組織細胞內抗原，對其進行定位、定性及定量的研究。區(qū)別：Birthdate主要標記的是標記物注射期間新產生的細胞，Lineage tracing標記的細胞具有永久性，即使該細胞已經不表達Cre，但仍可被標記上，而Molecular mapping具有即時性，只會標記上正在表達特定蛋

18、白的細胞。16.簡述BrdU和EdU標記的原理及區(qū)別。 BrdU與EdU都是胸腺嘧啶核苷類似物，能夠在細胞增殖時期（S期）代替胸腺嘧啶（T）滲入正在復制的DNA分子，通過與熒光染料的特異性反應檢測DNA復制活性，通過檢測標記物便能準確地反映細胞在注射BrdU或EdU期間進入S期細胞的總和。但BrdU需要與抗體結合才能進行標記，DNA變性后才能與抗體結合，這就破壞了DNA雙鏈結構，影響了其他抗體的結合染色，且對其形態(tài)學結構的分析也產生影響。EdU可不與抗體結合而直接用檢測染料標記，無需DNA變性即可有效檢測，可有效避免樣品損傷，在細胞和組織水平能更準確地反映細胞增殖等現(xiàn)象。17.基因敲除小鼠構建的主要過程。 將目的基因進行克隆利用同源重組構建一個基因敲除的打靶載