1、 第30卷第1期2006年2月南昌大學(xué)學(xué)報(bào)(理科版Journal of Nanchang University (Natural Science Vol . 30No . 1Feb . 2006文章編號(hào):1006-0464(2006 01-0063-05半導(dǎo)體外延層晶格失配度的計(jì)算何菊生, 張萌, 肖祁陵(南昌大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院, 江西南昌3300473摘要:比較了晶格失配度的各種定義, 建議統(tǒng)一使用同一定義外延生長(zhǎng)層和襯底的二維晶格失配度的計(jì)算, 最后討論了結(jié)合, 正三角形晶格和長(zhǎng)方形晶格匹配, , 寬比接近匹配比時(shí), 整體匹配較好。關(guān)鍵詞:晶格失配度; 體結(jié)構(gòu); ; :12( , 即晶

2、格錯(cuò)配度, 是描述襯底和外延膜晶格匹配的參量。晶格失配和熱膨脹系數(shù)失配不同程度地影響晶體的外延生長(zhǎng), 在外延層中產(chǎn)生大量缺陷, 甚至無(wú)法生長(zhǎng)單晶, 影響器件的性能和壽命。對(duì)晶體材料的失配度研究也就成為人們最為關(guān)心的熱點(diǎn)之一。然而, 各種文獻(xiàn)并沒(méi)有采用統(tǒng)一的失配度定義, 導(dǎo)致對(duì)于同樣的襯底和外延層卻有不同的失配度。例如, Ga N 在藍(lán)寶石襯底上的失配度有16%15%31就有三個(gè)不同的失配度。對(duì)六方GaN 在六方藍(lán)寶石襯底上的失配度分別用這三個(gè)定義計(jì)算, 便得到16%, 13. 8%, 15%的結(jié)果。用定義1和定義2計(jì)算的結(jié)果相差較大時(shí), 有的文獻(xiàn)便采用較小的值。此外, 材料的晶格常數(shù)隨材料本身

3、的缺陷和摻雜、襯底的選擇、生長(zhǎng)工藝不同而不同, 不同的文獻(xiàn)常有不同的實(shí)驗(yàn)值, 但這些對(duì)失配度的影響不大, 主要還是采用不同的定義帶來(lái)的失配度大小的差別。一般認(rèn)為, |<5%為完全共格, |=5%25%為7半共格界面, |>25%完全失去匹配能力。, 14%2, 以及等不同說(shuō)法。因此, 了解失配度的定義, 掌握其計(jì)算方法, 在研究工作中顯得非常重要。2晶格失配度的計(jì)算211簡(jiǎn)化模型1晶格失配度的定義半導(dǎo)體外延膜與襯底間的失配度有三種定義。設(shè)無(wú)應(yīng)力時(shí)襯底的晶格常數(shù)為a s , 外延薄膜的晶格常數(shù)為a e , 晶格失配度為,定義11定義22a -a a e a s -a ea s654絕

4、大部分半導(dǎo)體材料具有金剛石結(jié)構(gòu)、閃鋅礦結(jié)構(gòu)(相 或纖鋅礦(相 結(jié)構(gòu)。金剛石和閃鋅礦結(jié)構(gòu)是由兩套面心立方結(jié)構(gòu)沿對(duì)角線方向平移1/4對(duì)角線長(zhǎng)套構(gòu)而成的, 纖鋅礦結(jié)構(gòu)則是由兩套六方密堆積結(jié)構(gòu)沿C 軸平移5/8C 套構(gòu)而成的。結(jié)構(gòu)雖然復(fù)雜, 但是失配度只涉及生長(zhǎng)面上襯底和外延膜的兩個(gè)二維晶格面, 因此為簡(jiǎn)化, 暫不考慮它們的體結(jié)構(gòu)。金剛石與閃鋅礦結(jié)構(gòu)的(111 面和纖鋅礦結(jié)構(gòu)的(0001 面或(0002 面原子排列完全一樣, 最小的二維晶格都是正三角形, 我們不妨稱其為正三角形晶格, 而金剛石與閃鋅礦結(jié)構(gòu)的(100 面最小二維晶格都是正方形, 我們稱其為正方形晶格, 如圖1所示。此外, 還有正交晶系和

5、正方晶系的長(zhǎng)方形晶格等。設(shè)晶格常數(shù)為a, 正三角形晶格的原子列原子排2|a s -a e |定義33a s +a e定義1的分母是外延膜的晶格常數(shù), 這是許多文獻(xiàn)采用的定義。也有不少文獻(xiàn)采用定義2, 用襯底的晶格常數(shù)做分母。定義3的分母既不是襯底, 也不是外延膜, 而是兩者的平均晶格常數(shù), 這是求半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的失配度定義, 有些文獻(xiàn)也將它用于一般的外延膜和襯底間。這樣, 同樣的外延膜和襯底收稿日期:2005-09-20作者簡(jiǎn)介:何菊生(1966- , 男, 碩士生; 3通訊作者:張萌(1961- , 女, 教授, 博士生導(dǎo)師, Tie Gang_zm126. com 1 64南昌大學(xué)學(xué)報(bào)(理科

6、版 2006年二維晶格結(jié)構(gòu)相同時(shí), 某一晶向的失配度和相應(yīng)的垂直方向的失配度相同, 即晶格匹配相同, 只要這一方向晶格匹配, 相應(yīng)的垂直方向就自然匹配。一般地, 各文獻(xiàn)上的失配度基本上是指襯底和外延膜二維晶格相同時(shí)的失配度。計(jì)算失配度的方法是:晶面匹配。最常見(jiàn)的是:(0001 hex (0001 hex (兩正三角形晶格匹配 , (100 fcc (100 fcc (兩正方形晶格匹配 ; 其次是:(0001 hex (111 fcc ( ; 最后圖1 半導(dǎo)體外延層生長(zhǎng)面上的兩種最重要的二維晶格列周期如圖2, 周期有a, a , a 2a /22a, 如圖3。是, ,。晶格25%時(shí), 直接確定匹

7、配晶向, 11201120, 100100, 1120110。否則, 晶向匹配使晶格30°旋轉(zhuǎn)(正三角形晶格間匹配 或45°旋轉(zhuǎn)(正方形晶格間匹配 , 即11201100, 100110, 這樣有助于減小失配度, 降低界面能。計(jì)算失配度。一般情況下, 直接根據(jù)晶格常數(shù)計(jì)算; 出現(xiàn)原子列旋轉(zhuǎn)時(shí), 其中一晶格常數(shù)須改成能和另一原子排列周期相匹配的原子排列周期。對(duì)于性質(zhì)不同的晶面匹配, 兩垂直方向的失配度不同。例如, GaN 屬六方結(jié)構(gòu)時(shí), 原子排列周期可為a, a, 2a, 即3. 185, 5. 517, 6. 370; 而為立方結(jié)構(gòu)圖2正三角形晶格的原子排列周期時(shí), 原子排

8、列周期可為a /2, a, 2a, 即3. 21, 4. 54,6. 42。它和部分襯底的失配度可列表計(jì)算如表1:(其中未注明文獻(xiàn)來(lái)源的為作者的計(jì)算值需要指出的是, 失配度必須在已知外延層和襯圖3正三角形晶格的原子排列周期212襯底和外延膜的二維晶格相同時(shí)的失配度絕大多數(shù)情況下, 外延生長(zhǎng)六方(立方 晶體時(shí)常采用體結(jié)構(gòu)相同的六方(立方 晶體, 這是因?yàn)樯L(zhǎng)面上的二維晶格都是正三角形(正方形 時(shí)晶格容易匹配。外延生長(zhǎng)六方晶體還可選擇立方晶體的(111 面, 也是這個(gè)原因。襯底和外延層接觸面的外延層/襯底Ga N /Al 2O 3Ga N /ZnO Ga N /6HSiC Ga N /SiGa N

9、 /SiGa N /GaAs底的晶體結(jié)構(gòu)下才能確定。Ga N 等氮族化合物半導(dǎo)體材料既可有閃鋅礦結(jié)構(gòu)又可有纖鋅礦結(jié)構(gòu)。研究表明, 外延層的初始穩(wěn)定晶向主要取決于外延材料與襯底材料的晶體結(jié)構(gòu)及跨越界面的化學(xué)鍵的特12性, 而不依賴于具體的生長(zhǎng)過(guò)程。實(shí)驗(yàn)表明, 生長(zhǎng)在(111 Si 面或(111 GaA s 面上的Ga N 基本上是纖(晶格常數(shù)單位:10-10m 表1GaN 在常見(jiàn)襯底材料上的失配度晶面匹配(0001 Ga N (0001 A l 2O 3(0001 Ga N (0001 Zn O (0001 Ga N (0001 Si C (0001 Ga N (111 Si (100 Ga N

10、 (100 Si (100 Ga N (100 Ga A s原子排列周期5. 517/4. 7583. 185/3. 2523. 185/3. 0803. 185/3. 8394. 54/5. 434. 54/5. 653晶向匹配11001120Ga N A l 2O 3112112Ga N Zn O 11201120Ga N Zn O 1120110Ga N Si 100100Ga N Si 100100Ga N Ga A s116%189214%22. 1%3. 4%17%2. 1%3. 3%21%20%25%1017%20%11 第1期何菊生等:半導(dǎo)體外延層晶格失配度的計(jì)算65鋅礦結(jié)構(gòu),

11、 而生長(zhǎng)在(001 Si 面或(001 GaA s 面上的Ga N 基本上是閃鋅礦結(jié)構(gòu), 即c -Ga N 。也就是說(shuō), 襯底的結(jié)構(gòu)對(duì)生長(zhǎng)出的外延層的結(jié)構(gòu)有極其重要的影響。從上面表中容易發(fā)現(xiàn), 隨失配度的增大, 1和-2的差也增大。這可以從它們的關(guān)系圖線21=1直觀看出。1、2可同時(shí)為正(差表示為2-1 或同時(shí)為負(fù)(差表示為|2|-|1| 。圖中失配度之差2-1和|2|-|1|都隨1的增大而增大。在1<5%時(shí), 1、2近似相等; 1<10%時(shí), 相差1%以內(nèi); 1<15%時(shí), 相差3%以內(nèi), 5%。因此, 的1。原子列方向旋轉(zhuǎn)了30°, 晶向匹配為1010ZnO 1

12、00=Si , 該方向上失配度1=5. 632-3. 6%。生長(zhǎng)面內(nèi)垂直方向上, 1210ZnO 010Si , 該方向上ZnO 的原子排列周期分別是是原方向的3倍, 即5. 632(3. 2523 , 9. 756(5. 632 。原子排列周期匹配為:9. 756/10. 860, 失配度=11%。1=9. ZnO Si (按(0001 101110ZnO 18%, 本文ZnO 在Si (100 面Si (111 面上生長(zhǎng)的原因。2. 3. 2長(zhǎng)方形晶格與正三角形晶格匹配-FeSi 2屬正交晶系, a =0. 9879nm , b =0. 7799nm , c =0. 7939nm , 在S

13、i 襯底上-FeSi 2單晶的XRD 圖譜上同時(shí)出現(xiàn)了Si (111 和-Fe 214Si 2(220 或(202 的衍射峰, 說(shuō)明了它們的晶面匹配是(220 -FeSi 2(111 Si , 或(202 -FeSi 2(111 Si 。(220 -FeSi 2(111 Si 時(shí), (220 -FeSi 2長(zhǎng)方形晶格的原子排列周期(邊長(zhǎng) 為0. 7839nm ,22. 9879+0. 7799=1. 259(nm , 而能與之相匹圖4配的Si 原子排列周期為0. 5432=0. 7678(n m , 垂直方向?yàn)?. 7678(nm , 即1. 330nm , 周期匹配為0. 7839/0. 7

14、678, 1. 259/1. 330, 所以(220 001110-FeSi 2(111 Si ,=-2. 1%1a 0. 7839在垂直方向上, (220 110-FeSi 2(111 112Si ,2222213二維晶格不同時(shí)的失配度盡管材料生長(zhǎng)優(yōu)先考慮體結(jié)構(gòu)相同或生長(zhǎng)面二維晶格相同的襯底, 但是, 我們?nèi)越?jīng)?？吹讲牧显隗w結(jié)構(gòu)不同或生長(zhǎng)面二維晶格不同的襯底上生長(zhǎng)的報(bào)13道, 例如, 孫一軍等人在立方Ga A s (100 襯底上制備出了單相六方Ga N 薄膜, 李春延等人在硅襯底上制備出了正交晶系的-FeSi 2單晶, 賀洪波小組1514和葉志鎮(zhèn)小組16分別在Si (100 上用磁控濺射法

15、制備出了質(zhì)量?jī)?yōu)良的ZnO 薄膜, 等等。下面我們分別分析ZnO /Si (100 和-FeSi 2/Si 的失配度。2. 3. 1正方形晶格與正三角形晶格匹配由于Zn O 是六方晶體, ZnO /Si (100 生長(zhǎng)面上Zn O 是正三角形二維晶格, 所以這是正三角形晶格和正方形晶格匹配。晶面匹配為(0001 ZnO (100 Si 。ZnO 的原子排列周期分別是3. 2521120, 5. 632(即3. 252 1010, 能和Si 的晶格常數(shù)5. (ZnO 的原子排列周期 匹配的是5. 632, 4301001a . 9879+0. 7799=5. 7%同理, (202 010-FeSi

16、 2Si (111 101Si , . 6%, 1b =-1在垂直方向上, (202 101-FeSi 2Si (111 112. 5%Si , 1b =5顯然, -FeSi 2在Si (111 面生長(zhǎng), 晶格匹配很好, 有利于生長(zhǎng)高質(zhì)量的材料。下面是Ga N 在低晶格失配材料上的失配度。其中L i A l O 2是正方晶體, 晶格常數(shù)a =5. 170, c =6. 260; L iGa O 2是正交晶體, 晶格常數(shù)a =5. 402, b =6. 66-10南昌大學(xué)學(xué)報(bào)(理科版 2006年372, c =5. 007, 單位都是10m 。由正三角形晶格的原子排列規(guī)律可知, 最適宜與之匹配的

17、長(zhǎng)方形晶格的長(zhǎng)寬比為1. 732和1. 155(即2/3/ , 我們不妨稱之為匹配長(zhǎng)寬比。上面-FeSi 2晶胞的對(duì)角面的長(zhǎng)寬比為1. 274, 表中L i A 2l O 2和L iGa O 2則分別為1. 211和1. 180。從失配度外延層/襯底Ga N /Li A l O 2角度看, 低失配長(zhǎng)方形晶格襯底的選擇應(yīng)同時(shí)遵循兩個(gè)原則:長(zhǎng)方形長(zhǎng)寬比應(yīng)接近匹配長(zhǎng)寬比1. 732或1. 155; 寬應(yīng)接近正三角形晶格的最近鄰或次近鄰原子間距。2. 3. 3外延層與藍(lán)寶石R 面匹配R 面(0112 是個(gè)超長(zhǎng)矩形組成的二維晶格, 是匹配失配度1. 26. 1. 7%6. 8%表2Ga N 在重要低襯底

18、材料上的失配度體結(jié)構(gòu)六方/正方六方/生長(zhǎng)面二維晶格正三角形/長(zhǎng)方形(0001 1120001Ga N ( L i l O 2(0001 010Ga N ( L i A l O 2 1120Ga N L iGa O 2( 1100Ga N (001 L iGa O 2Ga N /LiGa O 26. 370/6. 3720. 03%5. 516/5. 4022. 1%較大, , 也可能生長(zhǎng)17出比C 面(0001 質(zhì)量更好的纖鋅礦Ga N 。Ga N 的優(yōu)先生長(zhǎng)面是(0001 , 晶面匹配是(0001 GaN (0112 A l 2O 3, R 面寬方向?yàn)?110, 原子排列周期為4. 785,

19、 相應(yīng)的Ga N 為3. 1853, 方向?yàn)?010, 因此, 10102110GaN A l 2O 3, 1=13. 3%。垂直方向上, 12100111GaN A l 2O 3, 周期匹配為(3. 185×5 /15. 384, 由此得失配度1=3. 4%。從晶格失配度角度來(lái)說(shuō), 比和C 面匹配更圖5(200 、=41. 5°Si (400 的兩個(gè)衍射峰分別位于2好。=69. 2°和2處, 23晶格失配度的測(cè)定311利用2掃描當(dāng)襯底和外延層都為立方結(jié)構(gòu)時(shí), 失配度的大 掃描圖譜來(lái)確定。方法小可以通過(guò)X 射線衍射2是從圖譜中找出兩匹配晶面所對(duì)應(yīng)的衍射峰(或多級(jí)衍

20、射峰 , 根據(jù)這兩個(gè)衍射峰對(duì)應(yīng)的2即可確定。設(shè)襯底和外延層的晶格常數(shù)分別為a 1和a 2, 衍射峰對(duì)應(yīng)的晶面間距分別為d 1和d 2, 由布拉格方程, 2d 2sin , 對(duì)于一級(jí)衍射峰, 失配有2d 1sin 1=2=度的大小為a 1-a 2d 1-d 2sin 2-sin 1=a 2d 2sin 1特別地, 當(dāng), 則=1、2相差不大時(shí), 設(shè)1-2=sin 2-sin 1-ctg 1。sin 1對(duì)于多級(jí)衍射峰, 如圖5中3C -Si C 在Si 襯底上外延, 得到3C -Si C 的二級(jí)衍射峰和Si 的四級(jí)衍射峰, 也很容易確定它們的失配度。圖中3C -Si Cd 1d 2, 2sin ,

21、其中d 1sin 1=2=24和d 2是3C -S i C (100 、S i (100 對(duì)應(yīng)的面間距。a 1-a 2d 1-d 220%。與理論值基本一致。a 2d 2失配度超過(guò)25%時(shí), 要考慮晶格旋轉(zhuǎn), 根據(jù)匹配的原子排列周期重新確定。掃描312利用2掃描、一般情況下, 外延層和襯底的晶面和晶向匹配, 都需通過(guò)XRD 四圓衍射儀測(cè)繪出極射赤平投影來(lái)19確定。如圖所示, 是纖鋅礦Ga N 在未經(jīng)氮化或氮化不充分的的藍(lán)寶石襯底上外延得到的部分極圖。圖(a (0001 GaN (0001 A l 2O 3, 顯然晶面旋轉(zhuǎn)了30°, 10102110GaN A l 2O 3, 這是兩正

22、三角形晶格匹配, 1=3. 1853-10=13. 7%。圖(b 外-10延層(1012 GaN 是長(zhǎng)方形晶格, 長(zhǎng)7. 571×10m ,寬3. 185×10m 。晶面匹配為(1012 GaN (0001 A l 2O 3, 晶向匹配為12100110GaN A l 2O 3, 第1期何菊生等:半導(dǎo)體外延層晶格失配度的計(jì)算67周期匹配為(3. 185×3 /(4. 785, 1=13. 3%; 垂直方向上晶向匹3. 185×3熱膨脹失配將嚴(yán)重地影響材料質(zhì)量, 外延層較厚時(shí)甚至產(chǎn)生龜裂, 熱失配度的研究也成為了極重要的課題。盡管如此, 從理論和實(shí)驗(yàn)上研究

23、材料的晶格失配度仍然是材料生長(zhǎng)技術(shù)研究的中心環(huán)節(jié)之一。氣相外延生長(zhǎng)要求失配度小于10%, 液相外延生長(zhǎng)要求失配度小于1%, 而用于光電器件的異質(zhì)結(jié)的失配度更應(yīng)小于0. 1%。超薄應(yīng)變層、緩變組分層一定程度上解決了晶格失配問(wèn)題, 但徹底解決Ga N 、Zn O 。配為1011GaN 2110A l 2O 3, 周期匹配為(1012 GaN 寬 /(4. 785×2 , 所以, 1=22 (3. 1853 +5. 18522=-26. 4%, 該晶向匹配很差, 但沒(méi)有影響密排列(寬方向 和襯底:1S W , Lee SS, et al . The Gr owth of -L i 2GaO

24、 2Fil m s U sing Novel Single Precurs ors . Journal of Crystal Gr owth, 2001(226 :481-487.2Lee J J, Park Y S, Yang CS, et al . MBE Gr owth of W urtz 2ite GaN on La A l O 3(100 Substrate . Journal of Crystal Gr owth, 2000(213 :33-39.3沈曉明, 付羿, 馮淦, 等. 用側(cè)向外延法降低立方相Ga N 中的層錯(cuò)密度J .半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 2002, 23(10 :1093.4

25、吳自勤, 王兵主. 薄膜生長(zhǎng)M.北京:科學(xué)出版社,2003. 第六章, 262, 122, 341.5馮端. 固體物理學(xué)大辭典M.北京:高等教育出版圖6Ga N /Al 2O 3(0001 匹配關(guān)系的極圖社, 1995:2, 566.6余金中, 王杏華. 異質(zhì)結(jié)構(gòu)和量子結(jié)構(gòu). 物理J ,2001, 30(3 :171.7潘金生, 仝健民, 田民波. 材料科學(xué)基礎(chǔ)M.北京:清匹配。大量事實(shí)說(shuō)明, 正三角形晶格和長(zhǎng)方形晶格匹配, 長(zhǎng)方形晶格的寬列原子的匹配具有優(yōu)先性, 不受長(zhǎng)列原子匹配的影響。這是因?yàn)殡S著化學(xué)鍵的增長(zhǎng), 原子間的化學(xué)作用迅速減弱, 長(zhǎng)列原子對(duì)寬列原子影響受到很大限制。華大學(xué)出版社.

26、 2004:415.8李庚偉, 吳正龍, 邵素珍, 等. 氧離子束輔助激光束淀積生長(zhǎng)Zn O /Si的研究J .材料導(dǎo)報(bào), 2005, 19(2 :109.9Lu J, Ha worth L,W est w ood D I, et al . I nitial Stages ofMo 2lecular -beam Ep itaxy Gr owth of Ga N on 6H -Si C (0001 . App l Phys Lett, 2001, 78(8 :1080.10Seong -Hwan jiang, Seung -Jae Lee, I u -Seok Seo, etal . Chara

27、cteristics of GaN /Si(111 Ep itaxy Gr own U sing A l0. 1Ga0. 9N /Al N Composite Nucleati on Layers Having D ifferent Thicknesses of A l N . Journal of Crystal Gr owth 241(2002 :289-296.11韓培德, 楊海峰, 楊輝, 等. 分子束外延Ga N /GaA s4結(jié)束語(yǔ)本文系統(tǒng)地分析了失配度的基本計(jì)算方法, 對(duì)于三元或四元固溶體半導(dǎo)體同樣適用。計(jì)算的關(guān)鍵之一在于晶向匹配, 特別是有否晶格旋轉(zhuǎn)。實(shí)驗(yàn)表明, 晶格旋轉(zhuǎn)與晶格

28、常數(shù)、外延層厚度、生長(zhǎng)溫度等都有關(guān)。這個(gè)問(wèn)題有時(shí)很復(fù)雜, 例如, ZnO /Al 2O 3中, 除出現(xiàn)取向關(guān)系為11201010ZnO A l 2O 3的主疇外, 還會(huì)出現(xiàn)11201120旋轉(zhuǎn)ZnO A l 2O 3的30°疇; 再如, cGa N /GaA s, 如出現(xiàn)45°的晶格旋轉(zhuǎn), 則失配度從20%降為13%, 或從25%降為11%, 有利于降低界面自由能, 但至今未見(jiàn)有關(guān)報(bào)道。半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)是一項(xiàng)系統(tǒng)工程, 失配度研究在其中占有一席之地。由于環(huán)保、經(jīng)濟(jì)、技術(shù)等方面的原因, 晶格失配始終未能徹底解決。材料的生長(zhǎng)通常在高溫下進(jìn)行, 降至常溫時(shí)外延層和襯底間的20立方相

29、異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電子顯微分析. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào)J ,1999, 120(1 :58.12馮端, 師昌緒, 劉治國(guó). 材料科學(xué)導(dǎo)論. 北京:化學(xué)工業(yè)出版社, 2002:588.13孫一軍, 李愛(ài)珍, 齊鳴. 立方GaA s (100 襯底上制備單相Ga N 薄膜J .半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 2001, 3, 22(3 :315.(下轉(zhuǎn)第102頁(yè)102 南昌大學(xué)學(xué)報(bào) (理科版 2006 年 10 唐啟義 ,馮明光 . 實(shí)用統(tǒng)計(jì)分析及其 DPS數(shù)據(jù)處理系 統(tǒng) M . 北京 : 科學(xué)出版社 , 2002: 626 - 627. Applica tion Grey System Theory to Foreca stin

30、g and Ana lysis on Affectec Factors of A tm ospher ic NO 2 Concen tra tion Take Changchen D istr ict Foshan C ity a s Exam ple (Departm ent of Resource and Environment, Foshan University, Foshan 528000, China 參考文獻(xiàn) : ing the at ospheric NO2 concentration of Cheanchen district are form the density of

31、motor vehicle and the amount of m motor vehicle. And w ith the Gray Model G ( 1, 1 , the atm ospheric NO2 concentration in future five years are de2 M scending the paper make scientific reference for p lanning the at ospheric environm ent and harnessing pollution. . m Key words: gray correlation anl

32、ysis; gray model G ( 1, 1 ; Foshan city; urban regional environment noise M (上接第 67 頁(yè) 17 張昊翔 ,葉志鎮(zhèn) . SiC材料及其在功率器件方面應(yīng)用研 model betw een sem iconductor ep itaxy and substrate are analysed, and the way of determ ine the lattice m is atch in m XRD are also discussed. The atom s along w ith w ideth of rect

33、angle crystal lattice take p recedence to match atom s in another t o - di ensional crystal lattice, not affected by the atom s along w ith length. w m Key words: lattice m is match; body structure; t o - di ensional crystal lattice; Sem iconductor ep itaxy w m Abstract:U sing the gray system theory meth