1、第二章例題 1使用共價鍵模型，形象而簡單地說明半導(dǎo)體的（1）失去原子；（2）電子（3）空穴；（4）施主；（5）受主例題2使用能帶模型，形象而簡單地說明半導(dǎo)體的：（1）電子；（2）空穴；（3）施主；（4）受主；（5）溫度趨于0K時，施主對多數(shù)載流子電子的凍結(jié)；（6）溫度趨于0K時，受主對多數(shù)載流子空穴的凍結(jié)；（7）在不同能帶上載流子的能量分布（8）本征半導(dǎo)體；（9）n型半導(dǎo)體；（10）P型半導(dǎo)體；（11）非間并半導(dǎo)體；（12）間并半導(dǎo)體 （13）直接帶隙半導(dǎo)體；（14）間接帶隙半導(dǎo)體；例題3GaA的共價鍵模型如圖，（1）圖中描述了GaAs中Ga和As原子移動的價鍵模型， 圖中陰影處的Ga和As表

2、示是要移動的原子。提示：當(dāng)把Ga和As 原子移走時，它們將帶走其成鍵電子（2）重新畫出GaA的共價鍵模型圖，在圖中有Si原子代替Ga和As原 子的空位（3）當(dāng)Si原子代替Ga原子時，GaAs的摻雜是P型還是n 型，為什么？（4）當(dāng)Si原子代替As原子時，GaAs的摻雜是P型還是n 型，為什么？ (5) 畫出摻雜GaA的能帶圖，（a）Ga原子的位置由Si原子取代；（b）As原子的位置由Si原子取代第三章例題31有一n型半導(dǎo)體，除施主雜質(zhì)濃度ND外，還含有少量的受主，其濃度為NA，求弱電離情況下電子濃度的表達(dá)式例題4 兩塊半導(dǎo)體材料A與B除了禁帶寬度不同，其他參數(shù)完全相同。A的禁帶寬度為1.0eV

3、，B的禁帶寬度為1.2eV。求T300K時兩種材料的n的比值。 例5 制造晶體管一般是在高雜質(zhì)濃度的n型襯底上外延一層n型外延層，再在外延層中擴(kuò)散硼、磷而成的。 （1）設(shè)n型硅單晶襯底是摻銻的，銻的電離能為0.039eV，300K時的EF位于導(dǎo)帶下面0.026eV處，計算銻的濃度和導(dǎo)帶中電子濃度。 （2）設(shè)n型外延層雜質(zhì)均勻分布，雜質(zhì)濃度為4.61015cm-3,計算300K時EF的位置及電子和空穴濃度。 （3）在外延層中擴(kuò)散硼后，硼的濃度分布隨樣品深度變化。設(shè)擴(kuò)散層某一深度處硼濃度為5.21015cm-3,計算300K時EF的位置及電子和空穴濃度。 （4）如溫度升到500K，計算中電子和空穴的濃度（500K本征載流子濃度ni=4 1014cm-3 ）。第四章例題1 一塊雜質(zhì)補(bǔ)償半導(dǎo)體中，受主雜質(zhì)和施主雜質(zhì)的濃度恰好相等。設(shè)雜質(zhì)全部電離。求T300K時硅的電導(dǎo)率，雜質(zhì)濃度分別為（a）(b)例2 特定半導(dǎo)體內(nèi)存在三種散射機(jī)制。只存在一種散射機(jī)制時的遷移率為 ，只存在第二種散射機(jī)制時的遷移為 ，只存在第三種散射機(jī)制時的遷移率為 . 求總遷移率?；魻栃?yīng)T300K時，