1、第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3-414.1 存儲(chǔ)系統(tǒng)概述存儲(chǔ)系統(tǒng)概述n4.1.1 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器n4.1.2 存儲(chǔ)器的性能指標(biāo)存儲(chǔ)器的性能指標(biāo)n4.1.3 常用的幾種存儲(chǔ)器常用的幾種存儲(chǔ)器第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3-424.1.1 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器n作用作用存放存放程序與數(shù)據(jù)程序與數(shù)據(jù)n嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)器的特殊要求嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)器的特殊要求集成度高、體積小、功耗低集成度高、體積小、功耗低n發(fā)展趨勢(shì)發(fā)展趨勢(shì)片上集成片上集成Why？性能、可靠性、成本性能、可靠性、成本n片內(nèi)存儲(chǔ)器片內(nèi)存儲(chǔ)器 VS 片外存儲(chǔ)器片外存儲(chǔ)器片內(nèi)片內(nèi)：速度快、容量?。核俣瓤?、容量

2、小片外片外：容量大、速度慢：容量大、速度慢第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3-434.1.2 存儲(chǔ)器的性能指標(biāo)存儲(chǔ)器的性能指標(biāo)n性能指標(biāo)性能指標(biāo)只讀性只讀性揮發(fā)性揮發(fā)性:掉電丟失與否有關(guān)掉電丟失與否有關(guān)存儲(chǔ)容量存儲(chǔ)容量速度速度功耗功耗可靠性可靠性第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3-444.1.3 常用的幾種存儲(chǔ)器常用的幾種存儲(chǔ)器nSRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)密度存儲(chǔ)密度小小 6管結(jié)構(gòu)，占用較大芯片面積管結(jié)構(gòu)，占用較大芯片面積價(jià)格價(jià)格較高較高功耗功耗較高較高容量容量較小較小存取速度存取速度快快接口時(shí)序接口時(shí)序簡(jiǎn)單簡(jiǎn)單第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3-

3、454.1.3 常用的幾種存儲(chǔ)器（續(xù)）常用的幾種存儲(chǔ)器（續(xù)）nDRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)密度存儲(chǔ)密度大大 單管結(jié)構(gòu)單管結(jié)構(gòu)單位存儲(chǔ)成本單位存儲(chǔ)成本較低較低功耗功耗較低較低容量容量較大較大接口時(shí)序接口時(shí)序復(fù)雜復(fù)雜 需要刷新電路需要刷新電路第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3-464.1.3 常用的幾種存儲(chǔ)器（續(xù)）常用的幾種存儲(chǔ)器（續(xù)）nEEPROM非揮發(fā)非揮發(fā)存儲(chǔ)密度存儲(chǔ)密度小小單位存儲(chǔ)成本單位存儲(chǔ)成本較高較高容量容量小小寫入有限制寫入有限制，頁寫要等待，頁寫要等待接口時(shí)序接口時(shí)序簡(jiǎn)單簡(jiǎn)單，一般采用串行接口，一般采用串行接口小量參數(shù)存儲(chǔ)小量參數(shù)存儲(chǔ)第四章第四章 存儲(chǔ)系

4、統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3-474.1.3 常用的幾種存儲(chǔ)器（續(xù)）常用的幾種存儲(chǔ)器（續(xù)）nFlash（閃存存儲(chǔ)器）（閃存存儲(chǔ)器）非揮發(fā)非揮發(fā)存儲(chǔ)密度存儲(chǔ)密度大大單位存儲(chǔ)成本單位存儲(chǔ)成本較低較低容量容量大大接口時(shí)序接口時(shí)序復(fù)雜復(fù)雜需要擦除及需要擦除及Block寫寫NOR Flash & NAND Flash第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3-484.1.3 常用的幾種存儲(chǔ)器（續(xù)）常用的幾種存儲(chǔ)器（續(xù)）nFRAM（鐵電存儲(chǔ)器）（鐵電存儲(chǔ)器）非揮發(fā)非揮發(fā)功耗功耗低低讀寫速度讀寫速度快快接口時(shí)序接口時(shí)序簡(jiǎn)單簡(jiǎn)單 類似類似SRAM接口接口成本成本高高第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3

5、-494.1.3 常用的幾種存儲(chǔ)器（續(xù)）常用的幾種存儲(chǔ)器（續(xù)）n并行接口存儲(chǔ)器并行接口存儲(chǔ)器引腳數(shù)目引腳數(shù)目多多三大總線三大總線 地址、控制總線地址、控制總線 數(shù)據(jù)總線（數(shù)據(jù)總線（8/16/32位）位）存儲(chǔ)容量存儲(chǔ)容量大大 適用于大容量存儲(chǔ)場(chǎng)合適用于大容量存儲(chǔ)場(chǎng)合存取速度存取速度快快接口時(shí)序復(fù)雜，編程透明接口時(shí)序復(fù)雜，編程透明第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3-4104.1.3 常用的幾種存儲(chǔ)器（續(xù)）常用的幾種存儲(chǔ)器（續(xù)）n串行接口存儲(chǔ)器串行接口存儲(chǔ)器引腳數(shù)目引腳數(shù)目極少極少存儲(chǔ)容量存儲(chǔ)容量較小較小 適用于較小存儲(chǔ)容量場(chǎng)合適用于較小存儲(chǔ)容量場(chǎng)合存取速度存取速度較慢較慢使用使用串行接口通

6、信，串行接口通信，接口標(biāo)準(zhǔn)化接口標(biāo)準(zhǔn)化，編程不透明，編程不透明 I2C、SPI 可以用軟件通過可以用軟件通過GPIO模擬模擬第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3-4114.2 存儲(chǔ)設(shè)備組織存儲(chǔ)設(shè)備組織n4.2.1 存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)n4.2.2 嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)n4.2.3 S5pv210的存儲(chǔ)分配的存儲(chǔ)分配第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3-4124.2.1 存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3-4134.2.2 嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)n與通用計(jì)算機(jī)并無本質(zhì)區(qū)別，但有自身特點(diǎn)與通用計(jì)算機(jī)并無本

7、質(zhì)區(qū)別，但有自身特點(diǎn)存儲(chǔ)密度存儲(chǔ)密度要求要求功耗功耗要求要求片內(nèi)集成存儲(chǔ)器片內(nèi)集成存儲(chǔ)器徹底拋棄片外存儲(chǔ)器徹底拋棄片外存儲(chǔ)器一般焊接在板子上，較少采用內(nèi)存條一般焊接在板子上，較少采用內(nèi)存條n存儲(chǔ)空間分配存儲(chǔ)空間分配嵌入式系統(tǒng)一般具有多種類型存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)一般具有多種類型存儲(chǔ)器支持多種存儲(chǔ)器擴(kuò)展支持多種存儲(chǔ)器擴(kuò)展接口靈活、可配置接口靈活、可配置第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)S5PV210框圖框圖2022-3-414S5PV210來說，采用ContextA8架構(gòu)，具有32KB的一級(jí)緩存（Cache）和512K的二級(jí)緩存。S5PV210有一個(gè)96K的iRam和一個(gè)64K的iRom。iRom是拿來存

8、放ContextA8的啟動(dòng)BL0的，在出廠的時(shí)候由生產(chǎn)商固化在里面，iRam是ContextA8的內(nèi)部RAM，這個(gè)才是真正意義上的內(nèi)存，BL0會(huì)把BL1拷貝到iRam中運(yùn)行。S5PV210支持存儲(chǔ)接口包括SRAM/ROM, OneNAND, SLC/MLC NAND, LPDDR1/LPDDR2/DDR2。第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)4.2.3 S5pv210的存儲(chǔ)分配的存儲(chǔ)分配第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3-4164.3 Flash接口接口n1 概述概述n2 Flash的操作的操作n3 Flash存儲(chǔ)器芯片存儲(chǔ)器芯片n4 Flash存儲(chǔ)器的應(yīng)用存儲(chǔ)器的應(yīng)用n5 Flash驅(qū)動(dòng)程

9、序驅(qū)動(dòng)程序第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3-4171 概述概述n主要目標(biāo)是替代主要目標(biāo)是替代EEPROM存儲(chǔ)存儲(chǔ)容量大容量大讀取讀取速度快速度快成本低成本低保護(hù)機(jī)制保護(hù)機(jī)制n不足之處不足之處必須必須先擦除后寫入先擦除后寫入擦寫速度較擦寫速度較慢慢必須以必須以Block方式寫入方式寫入第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3-4181 概述（續(xù)）概述（續(xù)）nNOR Flash英特爾所發(fā)展的架構(gòu)英特爾所發(fā)展的架構(gòu)隨機(jī)隨機(jī)讀取任意單元的內(nèi)容，讀取速度讀取任意單元的內(nèi)容，讀取速度較快較快，寫入和擦，寫入和擦除速度除速度較低較低，可在單位塊上，可在單位塊上直接直接進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫

10、應(yīng)用程序可以應(yīng)用程序可以直接在直接在Flash內(nèi)運(yùn)行內(nèi)運(yùn)行常用于常用于BIOS存儲(chǔ)器和微控制器的內(nèi)部程序存儲(chǔ)器等存儲(chǔ)器和微控制器的內(nèi)部程序存儲(chǔ)器等nNAND Flash東芝所發(fā)展的架構(gòu)東芝所發(fā)展的架構(gòu)讀取速度較讀取速度較NOR Flash慢慢，寫入和擦除速度要比，寫入和擦除速度要比NOR Flash快很多快很多在相同密度下，成本較在相同密度下，成本較NOR型型低低適用于大容量存儲(chǔ)裝置（適用于大容量存儲(chǔ)裝置（SSD、U盤）盤）第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)OneNANDnOneNand是針對(duì)消費(fèi)類電子和下一代移動(dòng)手機(jī)市場(chǎng)而設(shè)計(jì)的，一種高可靠性嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備。由Samsung開發(fā)，支支持更快速數(shù)據(jù)

11、吞吐和更高的密度，這兩點(diǎn)是滿足高分辨率持更快速數(shù)據(jù)吞吐和更高的密度，這兩點(diǎn)是滿足高分辨率攝影、視頻攝影、視頻和其他媒體應(yīng)用的兩個(gè)主要要求。 nOneNAND可看作NOR和NAND技術(shù)的一種混合。從本質(zhì)上來講，一個(gè)單獨(dú)的OneNAND芯片集成了一個(gè)NOR閃存接口，NAND閃存控制器邏輯、一個(gè)NAND閃存陣列，以及高達(dá)5 KB的緩沖RAM。至于速度，它能以高達(dá)108 MB/s的持續(xù)讀數(shù)據(jù)率傳輸。nOneNand既實(shí)現(xiàn)既實(shí)現(xiàn)NOR FlashNOR Flash的高速讀取速度，又保留了的高速讀取速度，又保留了Nand FlashNand Flash的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的優(yōu)點(diǎn)的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的優(yōu)點(diǎn)。2022

12、-3-419第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)OneNANDnOneNAND器件有兩種類型：muxedmuxed和和demuxeddemuxed。對(duì)于muxed型，地址引腳和數(shù)據(jù)引腳結(jié)合在一起，而demuxed型芯片這兩個(gè)引腳是分開的。nOneNANDOneNAND的芯片組的主要的芯片組的主要目標(biāo)是目標(biāo)是3G3G電話電話。除多媒體手機(jī)設(shè)計(jì)外，OneNAND是混合硬盤用非易失性緩沖器一個(gè)有價(jià)值的選擇。nNOR閃存適合代碼存儲(chǔ)，就是說，固件、器件應(yīng)用等，而NAND閃存處理存儲(chǔ)量大的類似于硬盤驅(qū)動(dòng)的例行工作。OneNAND閃存兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)都具備，它能勝任代碼和海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，同時(shí)效率更高。2022-3-420

13、第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)OneNand Nand Nor 三種三種Flash的的區(qū)別區(qū)別應(yīng)用需求NANDOneNANDNOR快速隨機(jī)讀取 快速順序讀取快速 寫/編程 同時(shí)擦除多個(gè)塊 (最大64個(gè)塊)擦除的掛起/恢復(fù) 寫回(錯(cuò)誤檢測(cè)) (錯(cuò)誤檢測(cè)與糾正) 鎖/解鎖/緊鎖 錯(cuò)誤糾正外部 (硬件/軟件)內(nèi)置不需要擴(kuò)展性 2022-3-421OneNand Nand Nor 三種Flash的區(qū)別：第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3-4222 Flash的操作的操作nFlash的操作有三種的操作有三種讀操作讀操作 簡(jiǎn)單，與簡(jiǎn)單，與SRAM接口一樣接口一樣擦除操作擦除操作 整片擦除、整片擦除

14、、Block擦除（專用時(shí)序）擦除（專用時(shí)序）寫操作寫操作 也叫編程，也叫編程，Block寫（專用時(shí)序）寫（專用時(shí)序）Flash的擦除、寫等操作，多以的擦除、寫等操作，多以命令命令的方式完成的方式完成第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3-4233 Flash存儲(chǔ)器芯片存儲(chǔ)器芯片nAMD的的AM29LV320DB芯片芯片NOR Flash2M X 1690ns（讀操作）（讀操作）Sector Write/protection軟件數(shù)據(jù)保護(hù)軟件數(shù)據(jù)保護(hù)第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3-4244 Flash存儲(chǔ)器的應(yīng)用存儲(chǔ)器的應(yīng)用n采用類似采用類似SRAM的連接方式的連接方式可以和可以和

15、SRAM合用一個(gè)存儲(chǔ)器端口合用一個(gè)存儲(chǔ)器端口n對(duì)對(duì)Flash的編程需要專用接口的編程需要專用接口GPIO第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)2022-3-4255 Flash驅(qū)動(dòng)程序驅(qū)動(dòng)程序n編程程序編程程序不同的不同的Flash芯片，其芯片，其編程方式、命令均有不同編程方式、命令均有不同采用采用軟件驅(qū)動(dòng)軟件驅(qū)動(dòng)來完成來完成Flash編程編程驅(qū)動(dòng)需根據(jù)驅(qū)動(dòng)需根據(jù)具體芯片具體芯片的操作來書寫的操作來書寫注意錯(cuò)誤、意外情況處理注意錯(cuò)誤、意外情況處理第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)Bootloader啟動(dòng)流程分析n從操作系統(tǒng)的角度看，Bootloader的總目標(biāo)就是正確地調(diào)用內(nèi)核來執(zhí)行。n另外，由于Boot

16、loader的實(shí)現(xiàn)依賴于CPU的體系結(jié)構(gòu)，因此大多數(shù)Bootloader都分為stage1和stage2兩大部分，以使Bootloader的功能更加強(qiáng)大和提供更加良好的移植性能。2022-3-426第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)Bootloader啟動(dòng)流程分析nstage1主要是一些依賴于CPU體系結(jié)構(gòu)的代碼，比如硬件設(shè)備初始化代碼等。n這一階段的代碼主要是通過匯編來實(shí)現(xiàn)的，以達(dá)到短小精悍和高效的目的。nstage1為位置無關(guān)代碼，通常在Flash中運(yùn)行。所以有的指令為相對(duì)尋址，可以在任何位置運(yùn)行。2022-3-427第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)stage1負(fù)責(zé)的主要任務(wù)有： 硬件設(shè)備初始化

17、包括：關(guān)閉Watchdog、關(guān)閉中斷、設(shè)置CPU的速度和時(shí)鐘頻率、配置SDRAM存儲(chǔ)控制器及IO、關(guān)閉處理器內(nèi)部指令/數(shù)據(jù)Cache等； 為加載Bootloader的stage2代碼準(zhǔn)備RAM空間（這個(gè)地址由鏈接腳本指定為運(yùn)行域地址，通常為RAM的高端地址）測(cè)試內(nèi)存空間是否有效； 復(fù)制Bootloader的stage2代碼到RAM空間中； 設(shè)置好堆棧； 跳轉(zhuǎn)到stage2的C函數(shù)入口點(diǎn)2022-3-428第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)stage2則是通常用C語言來實(shí)現(xiàn)，這樣可以實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的功能，而且代碼會(huì)具有更好的可讀性和可移植性。stage2負(fù)責(zé)的主要任務(wù)有： 初始化本階段要使到的硬件設(shè)備（

18、如串口、Flash和網(wǎng)卡等）； 檢測(cè)系統(tǒng)內(nèi)存映射； 沒有用戶干預(yù)時(shí)將內(nèi)核映像從Flash讀到RAM空間中； 為內(nèi)核設(shè)置啟動(dòng)參數(shù)； 調(diào)用內(nèi)核。2022-3-429第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)nS5PV210含有一個(gè)大小為含有一個(gè)大小為64KB的的IROM，起始地，起始地址為址為0 xD0000000，結(jié)束地址為，結(jié)束地址為0 xD000FFFF；n含有含有一個(gè)大小為一個(gè)大小為96KB的的IRAM，起始地址為，起始地址為0 xD0020000，結(jié)束地址為，結(jié)束地址為0 xD0037FFF;n內(nèi)存內(nèi)存起始地址為起始地址為0 x20000000，有二個(gè)內(nèi)存塊，有二個(gè)內(nèi)存

19、塊，DRAM0和和DRAM1大小分別為大小分別為512MB、1024MB第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)S5PV210啟動(dòng)流程分析啟動(dòng)流程分析S5PV210啟動(dòng)過程主要可分為啟動(dòng)過程主要可分為3個(gè)階段。個(gè)階段。 S5PV210上電復(fù)位后將從上電復(fù)位后將從IROM處執(zhí)行已固化的啟動(dòng)代碼處執(zhí)行已固化的啟動(dòng)代碼-BL0 在在BL0里初始化過程中對(duì)啟動(dòng)設(shè)備進(jìn)行判斷，并從啟動(dòng)設(shè)里初始化過程中對(duì)啟動(dòng)設(shè)備進(jìn)行判斷，并從啟動(dòng)設(shè)備拷貝備拷貝BL1（最大（最大16KB）到）到IRAM處，處，即即0 xD0020000開始開始的地址，其中的地址，其中0 xD00200000 xD0020010的的16字節(jié)為字節(jié)為BL

20、1的的校驗(yàn)信息和校驗(yàn)信息和BL1尺寸，并對(duì)尺寸，并對(duì)BL1進(jìn)行校驗(yàn)，校驗(yàn)通過轉(zhuǎn)入進(jìn)行校驗(yàn)，校驗(yàn)通過轉(zhuǎn)入BL1進(jìn)行執(zhí)行，進(jìn)行執(zhí)行，BL1繼續(xù)初始化，并拷貝繼續(xù)初始化，并拷貝BL2（最大（最大80KB）到到IRAM中并對(duì)其校驗(yàn)，通過后轉(zhuǎn)入中并對(duì)其校驗(yàn)，通過后轉(zhuǎn)入BL2 BL2完成一些比較復(fù)雜的初始化，包括完成一些比較復(fù)雜的初始化，包括DRAM的初始化，的初始化，完成后將完成后將OS代碼拷貝到代碼拷貝到DRAM中，并跳到中，并跳到OS中執(zhí)行并完成中執(zhí)行并完成啟動(dòng)引導(dǎo)。啟動(dòng)引導(dǎo)。第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)nBL0固化代碼主要完成以下初始化：固化代碼主要完成以下初始化：

21、 關(guān)閉看門狗；關(guān)閉看門狗； 初始化初始化icache； 初始化棧；初始化棧； 初始化堆；初始化堆； 初始化塊設(shè)備拷貝功能；初始化塊設(shè)備拷貝功能； 設(shè)置系統(tǒng)時(shí)鐘；設(shè)置系統(tǒng)時(shí)鐘； 拷貝拷貝BL1到到iRAM； 檢查檢查BL1的校驗(yàn)和，如果失敗則第二啟動(dòng)模式（安全的校驗(yàn)和，如果失敗則第二啟動(dòng)模式（安全啟動(dòng)模式），校驗(yàn)啟動(dòng)模式），校驗(yàn)成功則成功則跳到跳到0 xD0020000（IRAM）處執(zhí)行。處執(zhí)行。第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)n其中其中0 xD00200000 xD0020010里的里的16字節(jié)字節(jié)頭部頭部信息信息用戶是不能隨便設(shè)置的用戶是不能隨便設(shè)置的！第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)第四章第四

22、章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)n在從啟動(dòng)設(shè)備（如：在從啟動(dòng)設(shè)備（如：NAND FLASH / SD卡）拷卡）拷貝貝BL1的前的前16K數(shù)據(jù)到數(shù)據(jù)到IRAM時(shí)，這時(shí)，這16K數(shù)據(jù)中的數(shù)據(jù)中的前前16byte中保存了校驗(yàn)和的值以及中保存了校驗(yàn)和的值以及BL1的大小，的大小，在拷貝過程中在拷貝過程中CPU會(huì)計(jì)算出當(dāng)前會(huì)計(jì)算出當(dāng)前bin文件文件中的校中的校驗(yàn)和，驗(yàn)和，然后與然后與保存的校驗(yàn)和保存的校驗(yàn)和進(jìn)行比較，如果二者進(jìn)行比較，如果二者相等則繼續(xù)運(yùn)行程序，否則，不執(zhí)行。相等則繼續(xù)運(yùn)行程序，否則，不執(zhí)行。第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)S5PV210啟動(dòng)模式設(shè)置啟動(dòng)模式設(shè)置第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)S5PV210啟動(dòng)模式設(shè)置啟動(dòng)模式設(shè)置第四章第四章 存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)第四章第四章 存