1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上電子科技大學 微固 學院標 準 實 驗 報 告（實驗）課程名稱 微電子器件 電子科技大學教務(wù)處制表電 子 科 技 大 學實 驗 報 告學生姓名： 學 號： 指導教師：陳勇實驗地點： 微固學院335 實驗時間：一、實驗室名稱： 微電子器件實驗室 二、實驗項目名稱：雙極晶體管直流特征的測量三、實驗學時：3四、實驗原理：如下圖所示，晶體管特征圖示儀提供Vce的鋸齒波掃描電壓和Ib的階梯變化，且兩者一一對應(yīng)，便產(chǎn)生Ib從Ib0、Ib1、Ib2等Vce從零到最大值的曲線族。從而測量晶體管的直流特性。五、實驗目的：掌握晶體管特征圖示儀的工作原理。并能熟練地運用其對雙極晶體管的直流

2、特性進行測試。六、實驗內(nèi)容：a. 反向漏電流和反向擊穿電壓的測試b. 輸入阻抗的測試c. 電流增益的測試d. 飽和壓降的測試e. 正常管與失效管輸出特性曲線比較七、實驗器材（設(shè)備、元器件）：晶體管特征圖示儀，3DG6，3AG6雙極晶體管八、實驗步驟：a. 開啟電源，預熱5分鐘，調(diào)節(jié)“輝度”、“聚焦”、“輔助聚焦”使顯示清晰。b. 識別晶體管的管腳，及用萬用表驗證。根據(jù)實驗方法進行測試。c.測試完成后，將“峰值電壓”調(diào)回零。九、實驗數(shù)據(jù)及結(jié)果分析： 樣品 參數(shù) 3AG6 3DG6 測試條件 測試結(jié)果 測試條件 測試結(jié)果 Icbo Vcb=10V 18uA Vcb=20V 0.5uA Iebo V

3、eb=1V 30uA Veb=10V 0.4uA Iceo Vce=10V 48uA Vce=10V 0.4 uA Vebo Ib=-100uA 8V Ib=10mA 7V Vcbo Ic=100uA 26V Ic=10mA 75V Vceo Ic=100uA 14V Ic=10mA 63V Hie Ib=50 uA Vce=5V 14KW Ib=1mA Vce=2V 17KW Hfe Ic=2mA Vce=5V 56 Ic=0.2A Vce=2V 80 Vbes Ic=10Ib 12V Ic=10Ib 8V十、實驗結(jié)論：通過測試，可以知道：高頻小功率NPN晶體管與大功率PNP晶體管比較，增益較大，漏電流較小, 指標較高。3DG6晶體管的一致性較好，3AG6功率管的指標一致性有待改進，這與工藝水平密切相關(guān)。十一、總結(jié)及心得體會：雙極晶體管是一種重要的半導體器件，在各種電子設(shè)備中得到非常廣泛的應(yīng)用。因而對其直流特性的測量與掌握，是設(shè)計和使用雙極晶體管的基礎(chǔ)。本實驗的使我掌握了晶體管特性圖示儀測量雙極晶體管直流特性的原理和使用方法，理解了雙極晶體管的基本參數(shù)和工作原理。十二、對本實驗過程及方法、手段的改進建議：（1） 建議增加探針臺，在