1、5 5 場效應(yīng)管放大電路場效應(yīng)管放大電路5.1 金屬金屬- -氧化物氧化物- -半導(dǎo)體（半導(dǎo)體（MOS）場效應(yīng)管）場效應(yīng)管5.3 結(jié)型場效應(yīng)管（結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）*5.4 砷化鎵金屬砷化鎵金屬- -半導(dǎo)體場效應(yīng)管半導(dǎo)體場效應(yīng)管5.5 各種放大器件電路性能比較各種放大器件電路性能比較5.2 MOSFET放大電路放大電路5.3 結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管 5.3.1 JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理的結(jié)構(gòu)和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲線及參數(shù)的特性曲線及參數(shù) 5.3.3 JFET放大電路的小信號模型分析法放大電路的小信號模型分析法 JFET(N型溝道型溝道)VP(-) VDS(+)JFET(

2、P型溝道型溝道)VP(+)VDS(-)增強型增強型MOSFET(N型溝道型溝道)耗盡型耗盡型MOSFET(N型溝道型溝道)增強型增強型MOSFET(P型溝道型溝道)耗盡型耗盡型MOSFET(P型溝道型溝道)VT(+)VDS(+)VP(-)VDS(+)VT(-)VDS(-)VP(+)VDS(-)P237表表5.5.1注：注：電流假定正向電流假定正向為流進漏極。為流進漏極。各種場效應(yīng)管各種場效應(yīng)管的特性比較的特性比較5.3.3 JFET放大電路的小信號模型分析法放大電路的小信號模型分析法1. JFET小信號模型小信號模型（1）低頻模型）低頻模型（2）高頻模型）高頻模型2PGSDSSD)1(VvIi

3、 VDS = VDD- ID (Rd + R )DDg2g1g2VRRR RID VGS2. JFET共源電路分析共源電路分析（1 1）靜態(tài)分析）靜態(tài)分析分析過程與分析過程與MOS管類似，先假設(shè)管類似，先假設(shè)管子工作在飽和區(qū)，求出漏極電管子工作在飽和區(qū)，求出漏極電流、漏源電壓，再看漏源電壓是流、漏源電壓，再看漏源電壓是否滿足假設(shè)條件。否滿足假設(shè)條件。（2 2）動態(tài)指標分析）動態(tài)指標分析中頻小信號模型中頻小信號模型1）中頻電壓增益）中頻電壓增益2）輸入電阻）輸入電阻3）輸出電阻）輸出電阻忽略忽略 rds ， ivgsvRggsmv )1(mgsRg v ovdgsmRg v mvARgRgmdm

4、1 則則)|(g2g1g3iRRRR doRR Rg3的作用？的作用？*5.4 砷化鎵金屬砷化鎵金屬- -半導(dǎo)體半導(dǎo)體場效應(yīng)管場效應(yīng)管不作教學(xué)要求，有興趣者自學(xué)不作教學(xué)要求，有興趣者自學(xué)5.5 各種放大器件電路性能比較各種放大器件電路性能比較 解：解：例題例題（1 1）第一級電路：自）第一級電路：自偏壓電路偏壓電路v vGS =- iD (R1+R2)VGS由由ID在源極電阻在源極電阻R1+R2上的上的壓降供給壓降供給 稱自偏壓稱自偏壓g極不取電流，極不取電流，Rg上無壓降，上無壓降，放大電路如圖所示。已知放大電路如圖所示。已知，mS 18m g，100 試求電路的中頻增試求電路的中頻增益、輸

5、入電阻和輸出電阻。益、輸入電阻和輸出電阻。， k 1ber思考：思考：增強型增強型MOS管能用管能用此電路嗎？此電路嗎？例題例題 gsm1Vg iV gsV2gsm1RVg bIbI bI oVcgsm1cbRVgRI MVA2m1cm11RgRg 6 .128 giRR coRR M 5則電壓增益為則電壓增益為sgiRRR ioVV由于由于則則 k 20sosMVVAV iosiVVVV MisiVARRR 6 .128M VA根據(jù)電路有根據(jù)電路有作業(yè)：作業(yè)：P2505.2.35.5.1圖題圖題3.4.14.3.11圖解圖解3.4.13.5.34.4.35.2.9人有了知識，就會具備各種分析能力，明辨是非的能力。所以我們要勤懇讀書，廣泛閱讀，古人說“書中自有黃金屋?！蓖ㄟ^閱讀科技書籍，我們能豐富知識，培養(yǎng)邏輯思維能力；通過閱讀文