1、TTL與非門及與非門及CMOS門電路實驗門電路實驗 TTL與非門及與非門及CMOS門電路實驗門電路實驗2掌握掌握TTL與非門主要參數(shù)及傳輸特性與非門主要參數(shù)及傳輸特性的測試方法。的測試方法。了解了解CMOS非門電路的性能和特點。非門電路的性能和特點。熟悉熟悉TTL與與CMOS器件的互連方法。器件的互連方法。TTL與非門及與非門及CMOS門電路實驗門電路實驗3 指與非門有一個以上輸入端接地或接低電平時的輸出電平值。 空載時UOH必須大于標準高電平(USU = 2.4V )，接有拉電流負載時UOH將下降。 測試UOH的電路如圖1所示。圖1 輸出高電平UOH測試電路 TTL與非門及與非門及CMOS門

2、電路實驗門電路實驗4圖2 輸出低電平UOL測試電路指與非門的所有輸入端都接高電平的輸出電平值?？蛰d時UOL必須低于標準低電平： USL = 0.4V，接有灌電流負載時UOL將上升。測試UOL的電路如圖2所示。TTL與非門及與非門及CMOS門電路實驗門電路實驗5輸入短路電流輸入短路電流IIS 指被測輸入端接地，其 余輸入端懸空時，由被 測輸入端流出的電流。 前級輸出低電平時后級 門的IIS就是前級的灌電 流。一般IIS =2.4V VOL=2V VIL=2.0V VOL=1.7V VIL=3.2V VOL=2V VIL=2V VOL=1.7V VIL=0.7V 相同電壓的LVTTL和LVCMOS

3、可以互相驅(qū)動，3.3V和2.5的兩類芯片一般也可以互相驅(qū)動。CMOS使用注意使用注意： CMOS內(nèi)部寄生有可控硅結(jié)構(gòu)，當輸入高于VCC 0.7V 以上，電流足夠大時，可能引起閂鎖效應，導致芯片的損壞。TTL與非門及與非門及CMOS門電路實驗門電路實驗20TTL/CMOS 補充內(nèi)容（續(xù)）補充內(nèi)容（續(xù)）v2 LVDS low voltage differential signaling LVDS可達600M以上的速度，PCB要求較高，差分線要求嚴格等長，差最好不要超過0.25mm，100歐姆的匹配電阻離接收端距離不能超過12.7mm，最好控制在7.62mm以內(nèi)。TTL與非門及與非門及CMOS門電路

4、實驗門電路實驗21電平轉(zhuǎn)換的幾種方法電平轉(zhuǎn)換的幾種方法v 1 用電阻分壓 當輸入電壓較高，需要轉(zhuǎn)換為較低電壓時可以考慮使用電阻分壓，電路特別簡單，成本也低。 TTL與非門及與非門及CMOS門電路實驗門電路實驗22電平轉(zhuǎn)換的幾種方法（續(xù)）電平轉(zhuǎn)換的幾種方法（續(xù)）v 2 用三極管實現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換 用三極管實現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換較為靈活，既可以降壓，也可升壓TTL與非門及與非門及CMOS門電路實驗門電路實驗23電平轉(zhuǎn)換的幾種方法（續(xù)）電平轉(zhuǎn)換的幾種方法（續(xù)）v 3 用光耦實現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換 光耦有4大作用 1）電平轉(zhuǎn)換 2）隔離 3）整形 4）驅(qū)動TTL與非門及與非門及CMOS門電路實驗門電路實驗24電平轉(zhuǎn)換的幾種方法（續(xù)）電平轉(zhuǎn)換的幾種方法（續(xù)）4 專用芯片 1）CD4049（反向）、CD4050（同向） 2）74LVC