1、下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄共價(jià)健共價(jià)健 Si Si Si Si價(jià)電子價(jià)電子下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄 Si Si Si Si價(jià)電子價(jià)電子空穴空穴自由電子自由電子下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄 Si Si Si Sip+多余多余電子電子磷原子磷原子在常溫下即可變?cè)诔叵录纯勺優(yōu)樽杂呻娮訛樽杂呻娮酉乱豁?yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄 Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空穴下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)

2、電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)少子的漂移運(yùn)動(dòng)少子的漂移運(yùn)動(dòng)濃度差濃度差+下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄PN 結(jié)變窄結(jié)變窄 P接正、接正、N接負(fù)接負(fù) 外電場(chǎng)外電場(chǎng)IF內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)PN+下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄IR+下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄 半導(dǎo)體二極管的符號(hào)半導(dǎo)體二極管的符號(hào) 陰極陰極陽(yáng)極陽(yáng)極( d ) 符號(hào)符號(hào)D下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄反向擊穿反向擊穿電壓電壓U(BR)UI下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退

3、出退出章目錄章目錄下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄定性分析：定性分析：判斷二極管的工作狀態(tài)判斷二極管的工作狀態(tài)導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止 若二極管是理想的，若二極管是理想的，下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄例：例：D6V12V3k BAUAB+下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄V sin18itu t 下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄例：已知UI 波形，畫(huà)出UR、UO波形。UIUOURUI0t下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄例例:mA43122D IBD16V12V3k AD2UAB+下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上

4、一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄UZIZIZM UZ IZ_+UIO下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄ZZ ZIUr下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄1.3 晶體管晶體管一、一、 晶體管結(jié)構(gòu)晶體管結(jié)構(gòu)CENNPBCEPPNB下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄NNCEBPCETBIBIEICBECPPNETCBIBIEIC下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄mA AVVmAICECIBIERB+UBE +UCE EBCEB3D

5、G100下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄二、二、 晶體管的電流放大原理晶體管的電流放大原理下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄ICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOBCCBOBCBOCBECEIIIIIIII 下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄常常數(shù)數(shù) CE)(BEBUUfIO0.40.8IB/ AUBE/VUCE1V60402080下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄常常數(shù)數(shù) B)(CECIUfI 共發(fā)射極

6、電路共發(fā)射極電路ICEC=UCCIBRB+ UBE +UCE EBCEBIC/mAUCE/V100 A80A 60 A 40 A 20 A O 3 6 9 1242.31.5321IB =0下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄 晶體管有三種工作狀態(tài)，因而晶體管有三種工作狀態(tài)，因而輸出特性曲線輸出特性曲線分為三個(gè)工分為三個(gè)工作區(qū)作區(qū)IC/mAUCE/V100 A80A 60 A 40 A 20 A O 3 6 9 1242.31.5321IB =0下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄IC/mAUCE/V100 A 80A 60 A 40 A 20 A O 3 6

7、9 1242.31.5321IB =0截止時(shí)截止時(shí), 兩結(jié)都處于反兩結(jié)都處于反向偏置向偏置, ,此時(shí)此時(shí) IC 0, UCE UCC 。IB = 0 時(shí)時(shí), IC = ICEO( (很小很小) )。(ICEO下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄IC/mAUCE/V100 A 80A 60 A 40 A 20 A O 3 6 9 1242.31.5321IB =0 IC UCC/RC 。當(dāng)當(dāng) 集電結(jié)也處于正向偏置集電結(jié)也處于正向偏置( (UBC 0) )時(shí)，時(shí)，晶體管工作于飽和狀態(tài)。晶體管工作于飽和狀態(tài)。下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄四、主要參數(shù)四、主要參數(shù)

8、 BCII_ BCII 下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄53704051BC.II 400400605132BC .II 下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄ICBO A+EC AICEOIB=0+下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄ICMU(BR)CEOICUCEO安全工作區(qū)安全工作區(qū)下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄 管子類型的判斷 (1)3V; 2.3V; 8V (2)-10V; -5V; -5.2V 管子工作狀態(tài)的判斷 P20 習(xí)題1-9下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上

9、一頁(yè)退出退出章目錄章目錄下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄E=0E1E2E2 E1下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄漏極漏極金屬電極金屬電極柵極柵極源極源極 高摻雜高摻雜N區(qū)區(qū)DGSSIO2絕緣層絕緣層P P型硅襯底型硅襯底N+N+下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄GSD 由于柵極是絕緣的，柵極電流幾乎為零，輸入由于柵極是絕緣的，柵極電流幾乎為零，輸入電阻很高，最高可達(dá)電阻很高，最高可達(dá)1014 。 由于金屬柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層目前常用由于金屬柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層目前常用二氧化硅，

10、故又稱金屬二氧化硅，故又稱金屬- -氧化物氧化物- -半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管。場(chǎng)效應(yīng)管。漏極漏極金屬電極金屬電極柵極柵極源極源極 高摻雜高摻雜N區(qū)區(qū)DGSSIO2絕緣層絕緣層P P型硅襯底型硅襯底N+N+下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄 由結(jié)構(gòu)圖可見(jiàn)由結(jié)構(gòu)圖可見(jiàn)，N+型漏區(qū)和型漏區(qū)和N+型源區(qū)之間被型源區(qū)之間被P型型襯底隔開(kāi)，漏極和源極之間是兩個(gè)背靠背的襯底隔開(kāi)，漏極和源極之間是兩個(gè)背靠背的PN結(jié)結(jié)。 當(dāng)柵源電壓當(dāng)柵源電壓UGS = 0 時(shí)時(shí)，不管漏極和源極之間所不管漏極和源極之間所加電壓的極性如何，其加電壓的極性如何，其中總有一個(gè)中總有一個(gè)

11、PN結(jié)是反向結(jié)是反向偏置的，反向電阻很高，偏置的，反向電阻很高，漏極電流近似為零漏極電流近似為零。SD+N+下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄+N+- - -下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄ID/mAUDS/Vo oUGS= 1VUGS= 2VUGS= 3VUGS= 4VUGS/VUGS(th)UDS=常數(shù)常數(shù)ID/16mAO下一頁(yè)下一頁(yè)返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)退出退出章目錄章目錄N型襯底型襯底P+P+GSD符號(hào)：符號(hào)：結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)SiO2絕緣層絕緣層加電壓才形成加電壓才形成 P型導(dǎo)電溝道型導(dǎo)電溝道 增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管只有當(dāng)增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管只有當(dāng)時(shí)才