1、SEMSEM與與TEMTEM的對比的對比TEMSEMCarbon nanotubes （CNTs）Carbon Particles第十章第十章 掃描電子顯微鏡掃描電子顯微鏡Scanning Electron Microscope（SEM） 第一節(jié)第一節(jié) 電子束與固體樣品作用時產(chǎn)生的信號電子束與固體樣品作用時產(chǎn)生的信號第二節(jié)第二節(jié) 掃描電子顯微鏡工作原理、構(gòu)造及掃描電子顯微鏡工作原理、構(gòu)造及應用應用第三節(jié)第三節(jié) 掃描電鏡的樣品的制備掃描電鏡的樣品的制備p樣品在電子束的轟擊下會產(chǎn)生各種信號樣品在電子束的轟擊下會產(chǎn)生各種信號:第一節(jié)第一節(jié) 電子束與固體樣品作用時產(chǎn)生的信號電子束與固體樣品作用時產(chǎn)生的

2、信號二次電子二次電子：在入射電子束的作用下被：在入射電子束的作用下被轟擊出來并離開樣品表面的樣品原子轟擊出來并離開樣品表面的樣品原子的的核外核外電子。電子。背散射電子背散射電子：被固體樣品中的：被固體樣品中的原子核原子核反彈回來的一部分入射電子。反彈回來的一部分入射電子。特征特征X X射線射線：當樣品原子：當樣品原子內(nèi)層電子內(nèi)層電子被入被入射電子激發(fā)或電離時，原子處于激發(fā)射電子激發(fā)或電離時，原子處于激發(fā)態(tài)，外層電子向內(nèi)層躍遷以填補內(nèi)層態(tài)，外層電子向內(nèi)層躍遷以填補內(nèi)層電子的空缺，并釋放特征電子的空缺，并釋放特征X X射線。射線。俄歇電子俄歇電子：若不以：若不以X X射線釋放出來，而射線釋放出來，

3、而是這部分能量把另一個電子激發(fā)出來。是這部分能量把另一個電子激發(fā)出來。p一、工作原理一、工作原理 掃描電子顯微鏡原理示意圖掃描電子顯微鏡原理示意圖 第二節(jié)第二節(jié) 掃描電子顯微鏡工作原理、構(gòu)造及掃描電子顯微鏡工作原理、構(gòu)造及應用應用樣品在電子束的轟擊下樣品在電子束的轟擊下會產(chǎn)生各種信號。會產(chǎn)生各種信號。二、構(gòu)造與主要性能二、構(gòu)造與主要性能 p掃描電子顯微鏡由掃描電子顯微鏡由電電子光學系統(tǒng)子光學系統(tǒng)( (鏡筒鏡筒) )，信號收集處理和圖像信號收集處理和圖像顯示記錄系統(tǒng)，顯示記錄系統(tǒng)，和和真真空系統(tǒng)空系統(tǒng)三個基本部分三個基本部分組成組成 1 1電子光學系統(tǒng)電子光學系統(tǒng) p組成：電子槍、電磁透鏡、掃描

4、線圈和樣品室等部件。組成：電子槍、電磁透鏡、掃描線圈和樣品室等部件。p電子槍：電子槍：幾種類型電子槍性能比較幾種類型電子槍性能比較1 1電子光學系統(tǒng)電子光學系統(tǒng) p組成：電子槍、電磁透鏡、掃描線圈和樣品室等部件。組成：電子槍、電磁透鏡、掃描線圈和樣品室等部件。p電磁透鏡：電磁透鏡：p作用：把電子槍的束斑（虛光源）逐級作用：把電子槍的束斑（虛光源）逐級聚焦縮小聚焦縮小，使原來，使原來直徑約為直徑約為50m50m的束斑縮小成一個只有數(shù)個納米的細小斑點。的束斑縮小成一個只有數(shù)個納米的細小斑點。p掃描電子顯微鏡一般都有三個透鏡。掃描電子顯微鏡一般都有三個透鏡。1 1電子光學系統(tǒng)電子光學系統(tǒng) p組成：電

5、子槍、電磁透鏡、組成：電子槍、電磁透鏡、掃描線圈和樣品室等部件。掃描線圈和樣品室等部件。p掃描線圈的作用掃描線圈的作用：使電子：使電子束束偏轉(zhuǎn)，并在樣品表面作偏轉(zhuǎn)，并在樣品表面作有規(guī)則的掃動有規(guī)則的掃動，電子束在，電子束在樣品上的掃描動作和顯像樣品上的掃描動作和顯像管上的掃描動作保持嚴格管上的掃描動作保持嚴格同步，因為它們是由同一同步，因為它們是由同一掃描發(fā)生器控制的。掃描發(fā)生器控制的。p樣品室的作用樣品室的作用：除放置樣：除放置樣品外，還安置信號探測器。品外，還安置信號探測器。2 2信號收集處理和圖像顯示記錄系統(tǒng)信號收集處理和圖像顯示記錄系統(tǒng)p信號收集處理系統(tǒng)作用信號收集處理系統(tǒng)作用：收集：

6、收集( (探測探測) )樣品在入射電子束作樣品在入射電子束作用下產(chǎn)生的各種物理信號，并進行放大。用下產(chǎn)生的各種物理信號，并進行放大。不同的物理信號，要用不同類型的收集系統(tǒng)。不同的物理信號，要用不同類型的收集系統(tǒng)。閃爍計數(shù)器是最常用的一種信號檢測器，它由閃爍體、光閃爍計數(shù)器是最常用的一種信號檢測器，它由閃爍體、光導管、光電倍增管組成。具有低噪聲、寬頻帶導管、光電倍增管組成。具有低噪聲、寬頻帶(10(10Hz-Hz-1MHz)1MHz)、高增益高增益(106)(106)等特點，可用來檢測等特點，可用來檢測二次電子、背散二次電子、背散射電子射電子等信號。等信號。p圖像顯示記錄系統(tǒng)作用圖像顯示記錄系統(tǒng)

7、作用：將信號檢測放大系統(tǒng)輸出的調(diào)制：將信號檢測放大系統(tǒng)輸出的調(diào)制信號轉(zhuǎn)換為能顯示在陰極射線管熒光屏上的圖像，供觀察信號轉(zhuǎn)換為能顯示在陰極射線管熒光屏上的圖像，供觀察或記錄?；蛴涗洝?3 3真空系統(tǒng)真空系統(tǒng) p作用：確保電子光學系統(tǒng)正常工作、防止樣品污染、保證作用：確保電子光學系統(tǒng)正常工作、防止樣品污染、保證燈絲的工作壽命等。燈絲的工作壽命等。 SEMSEM的主要性能的主要性能p（1 1）放大倍數(shù)放大倍數(shù) p可從可從2020倍到倍到2020萬倍連續(xù)調(diào)節(jié)。萬倍連續(xù)調(diào)節(jié)。 p（2 2）分辨率分辨率 SEMSEM的分辨率高低和檢測信號的種的分辨率高低和檢測信號的種類有關。類有關。SEMSEM的主要性能

8、的主要性能p（2 2）分辨率分辨率 影響影響SEMSEM圖像分辨率的主要因素有：圖像分辨率的主要因素有：p 掃描掃描電子束斑直徑電子束斑直徑 ；p 入射電子束在樣品中的入射電子束在樣品中的擴展效應擴展效應；p 操作方式及其所用的操作方式及其所用的調(diào)制信號調(diào)制信號； p 信號噪音比；信號噪音比；p 雜散磁場；雜散磁場；p 機械振動將引起束斑漂流等，使分辨率下降。機械振動將引起束斑漂流等，使分辨率下降。 掃描電子顯微鏡景深（3 3）景深景深SEMSEM（二次電子像）的景深比光學顯微鏡的大，成像富二次電子像）的景深比光學顯微鏡的大，成像富有立體感。有立體感。 SEMSEM的主要性能的主要性能三、三、

9、SEMSEM像襯原理像襯原理p像的襯度像的襯度就是像的各部分就是像的各部分( (即各像元即各像元) )強度相對于其平均強強度相對于其平均強度的變化。度的變化。 pSEMSEM可以通過樣品上方的電子檢測器檢測到具有不同能量可以通過樣品上方的電子檢測器檢測到具有不同能量的信號電子有的信號電子有背散射電子背散射電子、二次電子二次電子、吸收電子吸收電子、俄歇電俄歇電子子等。等。 1 1二次電子像襯度及特點二次電子像襯度及特點 p二次電子信號主要來自樣品表層二次電子信號主要來自樣品表層5 5- -1010nmnm深度范圍，能量較深度范圍，能量較低低( (小于小于5050eVeV) )。p影響二次電子影響

10、二次電子像襯度像襯度的因素主要的因素主要有：有： p(1)(1)二次電子能譜特性；二次電子能譜特性；p(2)(2)入射電子的能量；入射電子的能量；p( (3 3) )樣品傾斜角樣品傾斜角 。 被入射電子束激發(fā)出的二次電子數(shù)量和原子序數(shù)沒有明顯被入射電子束激發(fā)出的二次電子數(shù)量和原子序數(shù)沒有明顯的關系，但是二次電子對微區(qū)表面的幾何形狀十分敏感。的關系，但是二次電子對微區(qū)表面的幾何形狀十分敏感。1 1二次電子像襯度及特點二次電子像襯度及特點 形貌襯度形貌襯度原理圖原理圖 （1 1）分辨率高）分辨率高（2 2）景深大，立體感強）景深大，立體感強（3 3）主要反應形貌襯度。）主要反應形貌襯度。 二次電子

11、像襯度的特點：二次電子像襯度的特點： 傾斜度越小，二次電子產(chǎn)傾斜度越小，二次電子產(chǎn)額最少，亮度越低。額最少，亮度越低。Al3Ti/A356斷口斷口1 1二次電子像襯度及特點二次電子像襯度及特點 2 2背散射電子像襯度及特點背散射電子像襯度及特點 背散射系數(shù)與原子序數(shù)的關系 影響背散射電子產(chǎn)額的因素有影響背散射電子產(chǎn)額的因素有： p(1)(1)原子序數(shù)原子序數(shù)Z Z p(2)(2)入射電子能量入射電子能量E E0 0 p(3)(3)樣品傾斜角樣品傾斜角 背散射電子襯度有以下幾類：背散射電子襯度有以下幾類： p(1)(1)成分襯度成分襯度 p(2)(2)形貌襯度形貌襯度 樣品中重元素區(qū)域相對于圖像

12、上是亮區(qū)，而輕元素則樣品中重元素區(qū)域相對于圖像上是亮區(qū)，而輕元素則為暗區(qū)。為暗區(qū)。2.2.背散射電子像的襯度特點：背散射電子像的襯度特點： p（1 1）分辯率低）分辯率低p（2 2）背散射電子檢測效率低，襯度?。┍成⑸潆娮訖z測效率低，襯度小p（3 3）主要反應）主要反應原子序數(shù)襯度原子序數(shù)襯度二次電子和背散射電子的運動軌跡二次電子和背散射電子的運動軌跡 二次電子運動軌跡 背散射電子運動軌跡2 2背散射電子像襯度及特點背散射電子像襯度及特點 雖然背散射電子也能進行形貌分析；雖然背散射電子也能進行形貌分析；但是它的分析效果遠不及二次電子；但是它的分析效果遠不及二次電子；因此，在做無特殊要求的形貌分

13、析時，因此，在做無特殊要求的形貌分析時，都不用背散射電子信號成像。都不用背散射電子信號成像。 (Al2O3 + Al3Zr + ZrB2)p/(Al4Cu ) composite背散射圖片背散射圖片3.3.吸收電子的成像吸收電子的成像吸收電子的產(chǎn)額與背散射電子相反：吸收電子的產(chǎn)額與背散射電子相反：樣品的原子序數(shù)越小，吸收電子越多；樣品的原子序數(shù)越小，吸收電子越多；反之樣品的原子序數(shù)越大，則背散射電子越多，吸收電子越少。反之樣品的原子序數(shù)越大，則背散射電子越多，吸收電子越少。因此，因此，吸收電子像的襯度吸收電子像的襯度與與背散射電子和二次電子像的襯度背散射電子和二次電子像的襯度是是互補的?；パa的

14、。四、四、SEM的應用的應用p二次電子二次電子表面形貌分析表面形貌分析Sensors and Actuators B 156 (2011) 505 509.SEM of TiO2 nanotube arraysSEM image of (a and b) TiO2 nanobeltsD. Wang et al. / Journal of Colloid and Interface Science 388 (2012) 144150.雙壁/多壁碳納米管陣列的雙螺旋組裝結(jié)構(gòu)四、四、SEM的應用的應用p二次電子二次電子表面形貌分析表面形貌分析硅晶片表面或晶片被侵蝕的洞中垂直生長的納米管硅晶片表面或晶

15、片被侵蝕的洞中垂直生長的納米管(vertically grown (vertically grown nanotubesnanotubes) )。每一個莖狀的結(jié)構(gòu)都由成千上萬個納米管構(gòu)成。在某些陣列下面。每一個莖狀的結(jié)構(gòu)都由成千上萬個納米管構(gòu)成。在某些陣列下面的黑色影斑其實是催化劑。那些看上去枯萎了的陣列是因為它們生長后被浸過的黑色影斑其實是催化劑。那些看上去枯萎了的陣列是因為它們生長后被浸過液體，當浸體蒸發(fā)后，納米管便枯萎了。液體，當浸體蒸發(fā)后，納米管便枯萎了。四、四、SEM的應用的應用p二次電子二次電子表面形貌分析表面形貌分析硅納米復合材料硅納米復合材料四、四、SEM的應用的應用http:

16、/ 掃描電鏡的樣品的制備掃描電鏡的樣品的制備與與在材料研究中的應用在材料研究中的應用sc7640 sc7640 噴金儀噴金儀( (離子濺射儀離子濺射儀) )SEM SEM 樣品臺樣品臺掃描電鏡粉末樣品的制備方法掃描電鏡粉末樣品的制備方法 通過掃面電鏡對形狀復雜、結(jié)構(gòu)多變的粉末樣品進行觀測時，必須通過掃面電鏡對形狀復雜、結(jié)構(gòu)多變的粉末樣品進行觀測時，必須將其以適當?shù)姆绞焦潭ㄔ跇悠放_上。將其以適當?shù)姆绞焦潭ㄔ跇悠放_上?；疽蠡疽螅罕M可能在同一平面內(nèi)獲得分布均勻、密度適當?shù)姆勰罕M可能在同一平面內(nèi)獲得分布均勻、密度適當?shù)姆勰印?。制備掃描電鏡樣品一般需經(jīng)過的制備掃描電鏡樣品一般需經(jīng)過的步驟步

17、驟：分散、鋪放、鍍導電膜。：分散、鋪放、鍍導電膜。常用的方法常用的方法：直接在樣品臺上撒少許粉末。滴幾滴分散劑，用玻：直接在樣品臺上撒少許粉末。滴幾滴分散劑，用玻璃棒揉研，使顆粒分散，待分散劑完全揮發(fā)后放入電鏡觀察。璃棒揉研，使顆粒分散，待分散劑完全揮發(fā)后放入電鏡觀察。缺點缺點：1 1）如果揉研不當，顆粒不但達不到分散效果，反而會團聚，較大）如果揉研不當，顆粒不但達不到分散效果，反而會團聚，較大的顆粒也會移到邊緣，是觀察結(jié)果失真。的顆粒也會移到邊緣，是觀察結(jié)果失真。2 2）若分散劑是帶有粘滯性的液體，雖然分散效果好，但揮發(fā)后會）若分散劑是帶有粘滯性的液體，雖然分散效果好，但揮發(fā)后會在樣品表面覆

18、蓋一層薄膜，吸收電子導致圖像質(zhì)量下降。在樣品表面覆蓋一層薄膜，吸收電子導致圖像質(zhì)量下降。3 3）遇到較脆的顆粒，揉研會使顆粒粉碎，觀察結(jié)果失真。）遇到較脆的顆粒，揉研會使顆粒粉碎，觀察結(jié)果失真。（1 1）導電膠粘結(jié)法）導電膠粘結(jié)法p用一薄層的導電膠帶將粉末粘在樣品臺上用一薄層的導電膠帶將粉末粘在樣品臺上p基本做法：基本做法：在樣品臺上均勻粘在樣品臺上均勻粘一小條導電膠帶一小條導電膠帶（AgAg膠帶、膠帶、 C C 膠帶等）；膠帶等）； 在粘好的膠帶上在粘好的膠帶上撒少許粉末撒少許粉末，把樣品臺朝下使未與膠帶接觸的顆，把樣品臺朝下使未與膠帶接觸的顆粒脫落；粒脫落；洗耳球輕吹洗耳球輕吹，吹掉粘結(jié)不

19、牢固的粉末，這樣膠帶表面就留下均勻，吹掉粘結(jié)不牢固的粉末，這樣膠帶表面就留下均勻的一層粉末。的一層粉末。p用該方法制備粉末的關鍵在于所撒上的粉末不能太多，不要用玻用該方法制備粉末的關鍵在于所撒上的粉末不能太多，不要用玻璃板等壓平粉末表面，否則會造成顆粒下陷于膠帶內(nèi)，導致圖像璃板等壓平粉末表面，否則會造成顆粒下陷于膠帶內(nèi)，導致圖像失真。失真。 掃描電鏡粉末樣品的制備方法掃描電鏡粉末樣品的制備方法 掃描電鏡粉末樣品的制備方法掃描電鏡粉末樣品的制備方法圖圖 1 1 導電膠帶粘結(jié)法制備的導電膠帶粘結(jié)法制備的TiTi粉粉(a)(a)及及Al-VAl-V粉的粉的SEMSEM照片照片(b) (b) 由上圖可

20、知，由于粉末顆粒本身較大、由上圖可知，由于粉末顆粒本身較大、 沒有團聚現(xiàn)象，沒有團聚現(xiàn)象， 采用導電采用導電膠帶粘結(jié)法制備就能得到均勻分布的粉末，得到比較好的效果。膠帶粘結(jié)法制備就能得到均勻分布的粉末，得到比較好的效果。 （1 1）導電膠粘結(jié)法）導電膠粘結(jié)法掃描電鏡粉末樣品的制備方法掃描電鏡粉末樣品的制備方法（2 2） 直接撒粉法直接撒粉法 p基本步驟：將粉末直接撒落在樣品臺基本步驟：將粉末直接撒落在樣品臺上，適當?shù)螏椎畏稚ㄒ掖蓟蚱渌希m當?shù)螏椎畏稚ㄒ掖蓟蚱渌稚⒔橘|(zhì)），分散介質(zhì)）， 輕晃樣品臺使粉末分布輕晃樣品臺使粉末分布平整均勻，分散劑揮發(fā)后用洗耳球輕平整均勻，分散劑揮發(fā)后用洗耳

21、球輕吹掉吸附不牢固的粉末，就可直接放吹掉吸附不牢固的粉末，就可直接放入電鏡觀測。入電鏡觀測。p該方法制樣簡單，該方法制樣簡單， 但分散性較差，分但分散性較差，分散劑揮發(fā)過程中顆粒容易團聚，散劑揮發(fā)過程中顆粒容易團聚， 適用適用于較粗的粉末。于較粗的粉末。p這種方法方便快捷，適用于這種方法方便快捷，適用于本身分散本身分散性較好的固體粉末性較好的固體粉末，但難以得到，但難以得到單層單層分布的顆粒分布的顆粒。TiOTiO2 2粉的粉的SEMSEM照片，采用直接撒照片，采用直接撒粉法制備。粉法制備。由上圖可知，由于顆粒尺寸只由上圖可知，由于顆粒尺寸只有幾微米甚至到了納米尺度，有幾微米甚至到了納米尺度，

22、所以顆粒分散不均勻，有團聚所以顆粒分散不均勻，有團聚現(xiàn)象，因此采用直接撒粉法制現(xiàn)象，因此采用直接撒粉法制備小顆粒樣品是不適合的。備小顆粒樣品是不適合的。掃描電鏡粉末樣品的制備方法掃描電鏡粉末樣品的制備方法（3 3）超聲波法）超聲波法 將少量的粉末置于小燒杯中，加適量的乙將少量的粉末置于小燒杯中，加適量的乙醇或蒸餾水，超聲處理幾分鐘即可，然后醇或蒸餾水，超聲處理幾分鐘即可，然后盡快用滴管將分散均勻的含粉末溶液滴到盡快用滴管將分散均勻的含粉末溶液滴到 樣品臺或錫紙上，用電熱風輕輕吹干就可樣品臺或錫紙上，用電熱風輕輕吹干就可放入電鏡觀測。若用錫紙就將其粘在樣品放入電鏡觀測。若用錫紙就將其粘在樣品臺的

23、導電膠帶上放入電鏡。臺的導電膠帶上放入電鏡。此方法分散效果較好，此方法分散效果較好， 特別適合極易團特別適合極易團聚的超細粉和納米粉。聚的超細粉和納米粉。 超聲波法制備的超聲波法制備的SiOSiO2 2粉末粉末SEMSEM照片照片由上圖可知，由于顆粒尺寸很小，只有幾百納米左右，用其他方由上圖可知，由于顆粒尺寸很小，只有幾百納米左右，用其他方法制備就會產(chǎn)生如圖法制備就會產(chǎn)生如圖2 2的團聚效果，只有采用超聲波才能得到較好的團聚效果，只有采用超聲波才能得到較好的分散效果，以便精確的測量顆粒的大小。的分散效果，以便精確的測量顆粒的大小。掃描電鏡粉末樣品的制備方法掃描電鏡粉末樣品的制備方法（4 4）粉

24、末的斷面觀察法）粉末的斷面觀察法 試驗中有時要對粉末顆粒的斷面進行觀察。試驗中有時要對粉末顆粒的斷面進行觀察。方法是：先將粉末和環(huán)氧樹脂均勻混合、方法是：先將粉末和環(huán)氧樹脂均勻混合、 鑲樣、金相拋光后放入電鑲樣、金相拋光后放入電鏡觀察。此外，制備粉末樣品的方法還有固體膜包埋法、超薄切片鏡觀察。此外，制備粉末樣品的方法還有固體膜包埋法、超薄切片法、噴霧法等。法、噴霧法等。CuCu包包W W粉與環(huán)氧樹脂混合拋粉與環(huán)氧樹脂混合拋光后樣品的斷面光后樣品的斷面SEMSEM照片。照片。固體膜包埋法固體膜包埋法 固體膜包埋法，如在制備固體膜火棉膠的過程固體膜包埋法，如在制備固體膜火棉膠的過程中，將適量微粒子

25、直接混合在中，將適量微粒子直接混合在 1.5%1.5%的火棉膠溶液中，的火棉膠溶液中，充分攪拌使微粒分散，然后按制備火棉膠膜的辦法，充分攪拌使微粒分散，然后按制備火棉膠膜的辦法，滴于蒸餾水面上成膜，顆粒就被包埋在支持膜內(nèi)，再滴于蒸餾水面上成膜，顆粒就被包埋在支持膜內(nèi)，再用銅網(wǎng)撈起即可。用銅網(wǎng)撈起即可。 右圖是采用右圖是采用CuCu包包W W粉與環(huán)氧樹脂混合、鑲樣、拋光后的粉與環(huán)氧樹脂混合、鑲樣、拋光后的粉末斷面的粉末斷面的SEMSEM照片。與環(huán)氧樹脂混合是為了將粉末固照片。與環(huán)氧樹脂混合是為了將粉末固定，進行金相制樣。此法是為了觀察顆粒的截面，以定，進行金相制樣。此法是為了觀察顆粒的截面，以便

26、觀察便觀察CuCu膜，由圖可以觀測到膜，由圖可以觀測到W W粉表面包覆的粉表面包覆的CuCu膜。膜。 上圖為上圖為SiOSiO2 2 粉末鍍金膜前后的粉末鍍金膜前后的SEMSEM照片。由圖可知，未鍍照片。由圖可知，未鍍金膜顆粒無立體感，明顯成片狀（圖金膜顆粒無立體感，明顯成片狀（圖 a a），而鍍金膜后顆），而鍍金膜后顆粒立體感強，成球狀（圖粒立體感強，成球狀（圖 b b）。因此對于導電差的粉末樣）。因此對于導電差的粉末樣品鍍上導電膜更有利于準確觀測顆粒的形貌。品鍍上導電膜更有利于準確觀測顆粒的形貌。 SiOSiO2 2粉末鍍金膜前粉末鍍金膜前(a)(a)及后及后(b)(b)的的SEMSEM照片照片 掃描電鏡粉末樣品的制備方法掃描電鏡粉末樣品的制備方法(a)(a)(b)(b)p噴霧法噴霧法 p將超聲波分散后的微粒懸浮液用噴霧裝將超聲波分散后的微粒懸浮液用噴霧裝置加以分離，過濾，以去除未溶解的團置加以分離，過濾，以去除未溶解的團粒，然后再噴霧到掃描電鏡的試樣臺上粒，然后再噴霧到掃描電鏡的試樣臺上，即可獲得良好的效果。，即可獲得良好的效果。p這種方法實際是將微粒進行了這種方法實際是將微粒進行了2 2次分散，次分散，因此，效果很好。因此，效果很好。 p但由于該方法