1、身體力行企業(yè)文化： 簡(jiǎn)單和諧的人際關(guān)系 忠誠(chéng)感恩的為人準(zhǔn)則 競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)取的人生態(tài)度 團(tuán)結(jié)協(xié)作的團(tuán)隊(duì)精神對(duì)待工作： 兢兢業(yè)業(yè)，精益求精，一絲不茍 自覺(jué)遵守工藝衛(wèi)生和工藝紀(jì)律 工作熱情、主動(dòng) 自覺(jué)遵守勞動(dòng)紀(jì)律 努力學(xué)習(xí)，不斷提高理論水平和操作能力 遵紀(jì)守法，不謀取私利 敬業(yè)愛(ài)崗、實(shí)事求是 什么是半導(dǎo)體：導(dǎo)體、絕緣體、半導(dǎo)體 半導(dǎo)體的電阻率：幾cm到105 cm 最常用的半導(dǎo)體：硅、鍺 P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體：電子和空穴 PN結(jié)的特性：?jiǎn)蜗驅(qū)щ娞匦?主要參數(shù)：正向電流 正向壓降 反向擊穿電壓，反向漏電流 三極管：電流放大作用。 半導(dǎo)體集成電路：高密度集成的功能電路 電荷、電壓、電流和電阻 電荷：庫(kù)侖 (

2、 電壓：伏特(V) 電流：安培(A) 電阻：歐姆() 電阻計(jì)算公式： R=L/A 或R=sL/W 歐姆定律: V=IR I=V/R R=V/IR2 電路的串并聯(lián)： 串聯(lián)： R=R1+R2 并聯(lián)： R=(R1R2)/(R1+R2) 混聯(lián)：R1R2R1R2R1R2R3R=(R1R2)/(R1+R2)+R3 混合集成電路的定義： 厚膜和薄膜 工藝分類：制造工藝和組裝工藝 與印刷電路和集成電路的比較 應(yīng)用混合電路基片的功能： 外貼件的機(jī)械支撐 互連線和膜電阻的基底 器件散熱的媒質(zhì)對(duì)基片的要求： 高絕緣電阻、低孔性、高純度、高熱導(dǎo)率、低膨脹系數(shù)、熱穩(wěn)定性、抗化學(xué)性、高光潔度、低翹度 基片種類：氧化鋁（A

3、l2O3）、氧化鈹（BeO）、氮化鋁（AlN）、金屬矩陣復(fù)合物 基片的表面狀態(tài)：粗糙度、翹度、顆粒度 氧化鋁基片：主要參數(shù)、厚膜用的氧化鋁基片、薄膜用的氧化鋁基片 陶瓷基片的制造：干壓、流延 沉積工藝 真空蒸發(fā)：電阻加熱法、瞬間蒸發(fā)、 電子束蒸發(fā) 濺射：直流濺射、射頻濺射、反應(yīng)濺射 薄膜電阻：鎳、氮化鉭、 陶瓷金屬（一氧化硅和鉻） 光刻工藝：光刻材料：正性膠、負(fù)性膠 刻蝕材料和工藝：濕法、干法 絲網(wǎng)印刷技術(shù)： 關(guān)鍵工藝印、烘、燒 絲網(wǎng)印刷:網(wǎng)布不銹鋼、尼龍、聚酯 絲網(wǎng)目數(shù):200目、325目 絲網(wǎng)開(kāi)口寬度：W0=(1-DM)/M 絲網(wǎng)制備：直接法、間接法和直接間接法 功能相功能相:對(duì)導(dǎo)體漿料由

4、對(duì)導(dǎo)體漿料由 Pt,Pd,Ag,Au等構(gòu)成。 對(duì)電阻漿料由金屬和金屬的氧化物(RuO2, Bi2 Ru2O7, Pd, Ag)構(gòu)成， 對(duì)介質(zhì)漿料由陶瓷/玻璃 (BaTiO3, glass)構(gòu)成。 粘接相粘接相:作用是將漿料保持在基片上，在高溫?zé)Y(jié)作用是將漿料保持在基片上，在高溫?zé)Y(jié)時(shí)他將膜層與陶瓷基片結(jié)合在一起。時(shí)他將膜層與陶瓷基片結(jié)合在一起。 載體載體:由揮發(fā)性溶劑和非揮發(fā)性有機(jī)物（聚酯）構(gòu)由揮發(fā)性溶劑和非揮發(fā)性有機(jī)物（聚酯）構(gòu)成，作為功能相和粘接相粉末的載體。溶劑在烘成，作為功能相和粘接相粉末的載體。溶劑在烘干時(shí)揮發(fā)掉，非揮發(fā)性有機(jī)物在燒結(jié)爐的燒掉區(qū)干時(shí)揮發(fā)掉，非揮發(fā)性有機(jī)物在燒結(jié)爐的燒掉

5、區(qū)燃燒被氣流從文氏管排風(fēng)口排掉。燃燒被氣流從文氏管排風(fēng)口排掉。 改性劑改性劑:少量的專利性添加劑。他控制杜邦漿料在少量的專利性添加劑。他控制杜邦漿料在加工前和加工后的性能。加工前和加工后的性能。 觸變性 絲網(wǎng)尺寸絲網(wǎng)尺寸(inches) 建議的脫網(wǎng)距離建議的脫網(wǎng)距離 (mils) 5 X 5 20-30 8 X 10 30-40 12 X 12 40-60 張力比較緊的新絲網(wǎng)用下限值，但是隨著絲網(wǎng)張力下降，應(yīng)逐漸加大脫網(wǎng)距離至上限值。 下止點(diǎn)應(yīng)超過(guò)基片上表面5-7mil。過(guò)多損網(wǎng)，過(guò)少印刷時(shí)膜厚不勻。 絲網(wǎng)目數(shù)絲網(wǎng)目數(shù) 線徑線徑(mils) 典型干厚典型干厚(m) 200 2.1 25 200

6、 1.6 26 250 1.4 21 325 1.1 16 絲網(wǎng)寬度應(yīng)為刮板長(zhǎng)度的2-3倍，長(zhǎng)度為刮板行程前后各留5-8cm余量。 刮板長(zhǎng)度在圖形的每一側(cè)要超出圖形區(qū)域1-2cm。 刮板在圖形前至少3cm處落下觸網(wǎng)，超越圖形3cm后才能抬起。 注意事項(xiàng): 避免過(guò)分用力擦網(wǎng)，以便防止損害乳膠膜。 在網(wǎng)上有漿料時(shí)絕對(duì)不要往網(wǎng)上施加任何溶劑。 盡可能維持印刷間的清潔。 不要讓漿料干在絲網(wǎng)上，因?yàn)檫@會(huì)在下次印刷時(shí)引起針孔 。 印刷時(shí)在網(wǎng)上施加的漿料不要過(guò)多，否則，漿料干固黏度加大會(huì)影響印刷質(zhì)量。 爐子的空氣 決定爐子里需要多少空氣 恰當(dāng)?shù)卦O(shè)置空氣流量 60分鐘燒結(jié)的爐溫曲線 30分鐘燒結(jié)的爐溫曲線 恰

7、當(dāng)?shù)臒Y(jié)爐設(shè)置是高合格率穩(wěn)定燒結(jié)的關(guān)鍵。主要是爐子的氣氛和爐溫曲線。 要想成功地?zé)Y(jié)厚膜，在爐子里必須有足夠量的清潔干燥的空氣 進(jìn)氣口應(yīng)在屋頂上2-3米高的地方取得，要遠(yuǎn)離含污染物的排氣口 空氣壓縮機(jī)應(yīng)采用無(wú)油空氣壓縮機(jī)。含油的壓縮空氣不利于厚膜燒結(jié) 必須讓壓縮空氣通過(guò)處理后再通進(jìn)爐內(nèi)。使氣體的露點(diǎn)達(dá)到-30C（在 80 - 100 psi時(shí) ）。標(biāo)準(zhǔn)的冷卻干燥器和加熱干燥器結(jié)合使用可以達(dá)到這個(gè)露點(diǎn)值。 活性炭有助于去除鹵化物和硫化物型的污染。 微米和亞微米濾波器可去除顆粒物質(zhì)。 干燥器和過(guò)濾器要定期處理再生。 V = PLAWS 式中： V = 路內(nèi)燒掉區(qū)所需的空氣的體積。單位：L/min

8、P = 最密集的厚膜電路基片上漿料印刷面積與基片面積的比值。用小數(shù)表示。 L= 傳送帶裝載系數(shù)（表示燒片時(shí)燒掉區(qū)的產(chǎn)品充滿程度） 。用小數(shù)表示。 A = 是一個(gè)常數(shù)。等于 0.4 L/cm2 W =傳送帶寬度(cm) S =傳送帶帶速(cm/min) 關(guān)掉所有的流量計(jì)。 將燒掉區(qū)（burnout）的空氣流量。 將燒結(jié)區(qū)（firing）的空氣流量調(diào)到用上面的公式計(jì)算的數(shù)值的1.11.2倍。 用輕薄的軟紙檢查在爐子的入口和出口都有氣體向外流出。 逐步加大文氏管(venturi) 排氣用的空氣流量直到室內(nèi)的空氣剛好從爐子的入口和出口吸入。這將確保導(dǎo)入燒掉區(qū)和燒結(jié)區(qū)的壓縮空氣剛好從文氏排氣管被全部排走

9、。 逐漸加大入口氣簾（curtain）和出口氣簾的流量計(jì)流量直到在爐子入口和出口都有氣體向爐外流出。這可以防止室內(nèi)臟空氣進(jìn)入爐內(nèi)。 控制點(diǎn)控制點(diǎn) 標(biāo)稱標(biāo)稱 公差公差 范圍范圍 100C - 100C 55 min +/- 5 min 50 - 60 min 600C - 600C 31 min +/- 2 min 29 - 33 min 800C - 800C 19 min +/- 1 min 18 - 20 min 850C 保溫 (時(shí)間) 10 min +/- 0.5 min 9.5 - 10.5 min 850C 保溫 (溫度) 850C +/- 3C 847C - 853C 300C

10、- 500C 升溫 45C/min +/- 10C/min 35C - 55C/min 800C - 600C 降溫 30C/min +/- 5 min 27C - 33C/min 700C - 300C 降溫 50C/min +/- 10C/min 40C - 60C/min 燒掉區(qū)溫度 500C +/- 50C 450C - 550C 溫度曲線用K星或N型熱電偶綁在爐帶上測(cè)量。一般用N型熱電偶，因?yàn)樗貜?fù)使用時(shí)變化小。 控制點(diǎn)控制點(diǎn) 標(biāo)稱標(biāo)稱 公差公差 范圍范圍 100C - 100C 33 min +/- 3 min 30 - 36 min 600C - 600C 19 min +/-

11、1 min 18 - 20 min 800C - 800C 14 min +/- 1 min 13 - 15 min 850C 保溫保溫 (時(shí)間時(shí)間) 10 min +/- 0.5 min 9.5 - 10.5 min 850C 保溫保溫 (溫度溫度) 850C +/- 3C 847C - 853C 300C - 500C 升升 95C/min +/- 10C/min 85C - 105C/min 800C - 600C 降降 70C/min +/- 10C/min 60C - 80C/min 700C - 300C 降降 95C/min +/- 10C/min 85C - 105C/min

12、燒掉區(qū)溫度燒掉區(qū)溫度 500C +/- 50C 450C - 550C 厚膜印燒工藝會(huì)造成電阻有20%的誤差 薄膜工藝會(huì)造成電阻有10%的誤差 電路里要求5%，2%，1%甚至0.1%的精度 解決辦法是進(jìn)行阻值調(diào)整： 激光調(diào)阻、噴砂調(diào)阻 探針卡 粘結(jié)劑貼裝：環(huán)氧、聚酰亞胺、氰酸鹽酯 冶金貼裝： 線焊：0.72mil 金絲或鋁絲 熱壓線焊： 225270，球焊，楔形焊 超聲線焊： “冷焊”工藝，超聲能，520mil 熱聲線焊：150 ，超聲能 倒裝焊 在組裝工作中的各階段的清洗對(duì)確保高可靠性和高成品率是很重要的。由于沾污和不恰當(dāng)?shù)那逑此鶎?dǎo)致的混合電路問(wèn)題包括：高的漏電流，電短路和開(kāi)路，腐蝕，PIN

13、D試驗(yàn)失效，差的線焊性，線焊降級(jí)，蓋板很難密封和金屬遷移(成長(zhǎng)金屬須或枝狀物)。 兩種途徑防止電路不被沾污：第一是防止電路在制造時(shí)沾污。在操作時(shí)使用指套，真空攝子，在干燥氮?dú)庵写娣挪考?，在層流工作臺(tái)和凈化間中組裝產(chǎn)品，穿戴工作帽，工作服和工作鞋，這樣可減少沾污，緩解清洗工藝。第二是選擇有效的溶劑和工藝，在裝配中或裝配后的各工藝階段清洗混合電路。 在混合電路中發(fā)現(xiàn)的污物可分為粒子、離子剩余物、無(wú)機(jī)剩余物、有機(jī)剩余物。污物的主要來(lái)源是通過(guò)操作。人的皮膚連續(xù)地散落出粒子，傳播鹽，氨的化合物和天然油。其他污物來(lái)自裝配和操作時(shí)轉(zhuǎn)移到電路上的工作人員的化妝品和衣服的磨損。這些污物有發(fā)油，洗手液，面奶，去臭

14、劑，合成或天然纖維。 濕法清洗： 溶劑：去離子水、氟利昂TF、異丙醇 干法清洗：等離子清洗 當(dāng)?shù)蛪簹怏w遭受到如射頻或微波頻率下的高能輸入時(shí)，氣體通過(guò)與高能電子的碰撞，發(fā)生電離。結(jié)果產(chǎn)生的自由電子、未反應(yīng)的氣體、中性的和離子化的粒子的混合物被叫作等離子，它能十分有效地以物理和化學(xué)作用去除表面的沾污。 基片清洗：原包裝拆開(kāi)后建議不清洗，僅用干燥氮?dú)獯狄幌?，獲850燒一下。 組裝清洗：建議不使用超聲-用氟利昂TF噴洗-將混合電路組裝移至沸騰的氟利昂TF（117）的汽相區(qū)中-在汽相區(qū)中用氟利昂TF噴洗（混合電路應(yīng)滯留在汽相區(qū)中約3分鐘）-將混合電路組裝從汽相區(qū)中移出，以豎直的位置晾干；如果在混合電路上

15、還有粗的顆粒，可用異丙醇液流沖洗，接著用氟利昂TF漂洗，然后在氮?dú)饬髦懈稍?。等離子清洗最廣泛的應(yīng)用是在線焊之前的混合電路的清洗準(zhǔn)備。線焊焊盤的等離子清洗大大改善了熱壓焊的可焊性和焊接強(qiáng)度30。裝配器件以后，將電路放到等離子室中，抽真空到0.05乇。然后回充氬氣到0.175乇，該氣體然后經(jīng)受5075W的RF能量3 5min。表7.8總結(jié)了用氧和氬進(jìn)行等離子清洗的參數(shù) 最后的組裝操作是真空烘烤和密封。這兩個(gè)步驟對(duì)混合電路在可以遇到的任何不利環(huán)境中保證長(zhǎng)期的可靠特性特別重要。真空焙烤是去掉吸附的濕氣，而且對(duì)去除電路中其他揮發(fā)性材料的放氣也有效，特別是從環(huán)氧粘結(jié)劑中揮發(fā)出來(lái)的氣體。若在封裝中不去掉這些

16、氣體，他們就會(huì)陷留在封裝中，在以后會(huì)引起腐蝕或使電路性能降級(jí)。 軍標(biāo)5000ppm水汽含量的要求。 在150氮?dú)庵?4h，接著在150真空中1h 在150真空中1624h 在135真空中4h 在150真空中10h 在100時(shí)氮?dú)庵斜嚎?h 在150氮?dú)庵斜嚎?2h，接著在150的真空中焙烤16h 密封：小于110-7 atmcc/s氦的非常低的漏氣率的封裝。 冶金密封：錫焊密封：手焊、帶式爐密封熔焊密封：平行縫焊 、儲(chǔ)能焊 玻璃密封 環(huán)氧密封 粗檢漏 細(xì)檢漏：氦質(zhì)譜檢漏儀 光學(xué)檢漏 目的：確保對(duì)電路的預(yù)期壽命和電性能的要求得到滿足。 用于玩具、游戲或個(gè)人計(jì)算機(jī)的混合電路僅要求短時(shí)間的較低溫度的

17、老煉篩選和電測(cè)試就可以，而用于航空、航天、導(dǎo)彈的混合電路，除了長(zhǎng)時(shí)間的高溫老煉篩選和許多工藝過(guò)程控制試驗(yàn)以外，還要求做13種以上的篩選試驗(yàn)。 試驗(yàn)可分為：電氣(芯片和混合電路)、目檢(內(nèi)部和外部目檢)、熱/機(jī)械篩選試驗(yàn)。更進(jìn)一步，試驗(yàn)可以分為非破壞性試驗(yàn)和破壞性試驗(yàn)。非破壞性試驗(yàn)對(duì)所有產(chǎn)品100%進(jìn)行，而破壞性試驗(yàn)僅在質(zhì)量鑒定或質(zhì)量一致性檢驗(yàn)時(shí)對(duì)一小部分抽樣的樣品進(jìn)行。 芯片電測(cè)：在混合電路生產(chǎn)中，為了得到高的初始成品率，對(duì)半導(dǎo)體芯片(IC、晶體管和二極管)預(yù)測(cè)試是很重要的。在混合電路裝配過(guò)程中，應(yīng)該盡可能早地識(shí)別出有缺點(diǎn)的芯片，并將它們替換。在流程中發(fā)生芯片損壞越晚(在混合電路中、子系統(tǒng)中、

18、系統(tǒng)中，或更糟糕的是當(dāng)送交到顧客手中后)，越難將其隔離和進(jìn)行返修，代價(jià)也越高。然而，若在芯片裝配前能夠預(yù)測(cè)試，去掉卡邊的或損壞的器件，混合電路一次性成品率將會(huì)增加，而且在以后發(fā)生失效的幾率也會(huì)降低。 直流參數(shù)測(cè)試、脈沖測(cè)試和功能測(cè)試 直流測(cè)試最常用于硅圓片測(cè)試。抽樣封裝后可以做脈沖測(cè)試和功能測(cè)試。 混合電路測(cè)試 從手動(dòng)到自動(dòng)，有四種類型的設(shè)備，用于測(cè)試混合電路： 1.一種小的定制的提供被測(cè)件與儀表架上的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備的接口(interface)的測(cè)試盒。 2.一種用戶自制的，帶有內(nèi)部信號(hào)源和電源，能提供“通過(guò)/通不過(guò)”測(cè)試數(shù)據(jù)的專用測(cè)試盒。 3.一種插入了矩陣開(kāi)關(guān)，提供被測(cè)件與進(jìn)行測(cè)試尋址的微處理機(jī)

19、的接口的測(cè)試卡。 4.計(jì)算機(jī)控制的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備。 高低溫測(cè)試，PDA(允許損壞百分?jǐn)?shù)），PDS（參數(shù)漂移篩選）在密封混合微電路前，應(yīng)該進(jìn)行目檢。該檢驗(yàn)借助于具有30100倍放大能力的光學(xué)設(shè)備進(jìn)行。目的是檢查內(nèi)部材料、結(jié)構(gòu)和混合微電路的加工質(zhì)量是否符合要求。檢查是根據(jù)MIL-STD-883方法2017進(jìn)行的 。目檢內(nèi)容： 有源芯片器件集成電路、晶體管、二極管。 無(wú)源片狀元件電容器、電阻器、電感器。 基片缺陷基片、金屬化、對(duì)準(zhǔn)、電阻器、電阻器調(diào)整。 元器件往基片上的組裝焊接或環(huán)氧貼裝，元器件取向。 基片往底座上的貼裝焊接或環(huán)氧貼裝、基片取向。 線焊球焊、楔形焊、新月形焊、梁式引線焊、網(wǎng)格焊、帶焊。

20、 連接器和穿通饋線。 封裝情況外部材料、銹蝕情況。 高溫儲(chǔ)存 溫度循環(huán) 隨機(jī)振動(dòng) 機(jī)械沖擊 恒加速（離心） 密封性 加電老煉 X射線 顆粒碰撞噪聲檢測(cè)（PIND） 芯片剪力強(qiáng)度。 線焊強(qiáng)度。 引腳完好性。 可焊性。 鹽霧。 抗潮濕。 破壞性物理分析（DPA）。 內(nèi)部水汽含量(水汽分析)。 破壞性物理分析是一種為了確定混合電路與適用的設(shè)計(jì)要求和工藝要求是否一致，對(duì)其拆封、試驗(yàn)和檢驗(yàn)的過(guò)程。 DPA試驗(yàn)的項(xiàng)目： 外部目檢。 X射線。 顆粒碰撞噪聲檢驗(yàn)(PIND)。 密封性。 內(nèi)部水汽分析。 內(nèi)部目檢。 基線結(jié)構(gòu)。 鍵合強(qiáng)度。 掃描電鏡(SEM)。 芯片剪力。 MIL-STD-883方法1018 5000ppm 在氣密封裝的混合電路或集成電路封裝中，水汽的單獨(dú)存在或與其他氣體或離子沾污物一起存在，一直是高可靠系統(tǒng)制造者最關(guān)心的問(wèn)題。已經(jīng)有報(bào)道，水與離子或其他殘余物之間的相互作用會(huì)腐蝕器件的金屬化層和電連接，產(chǎn)生金屬遷移，導(dǎo)致電氣短路，產(chǎn)生高的漏電流，并在半導(dǎo)體器件中產(chǎn)生反向電流。 濕度分析最廣泛使用的儀器是一種由計(jì)算機(jī)控制的四極質(zhì)譜分析儀。 混合電路和它