1、. . . . . . .專業(yè) . . 報告題目： 石墨烯的構造、制備、性能及應用研究進展 一、書目信息：書 名“石墨烯:構造、制備方法與性能表征“作 者朱宏偉清華大學ISBN號978-7-302-27170-3出版時間2011字 數(shù)開 本頁 數(shù)價 格二、評分標準1.格式規(guī)、容簡明扼要。報告中引用的數(shù)據(jù)、觀點等要注明出處 20分2. 報告構造合理，表述清晰 20分3. 石墨烯的構造、性能、制備方法概述正確、新查閱5篇以上的文獻 20分 4. 石墨烯的應用研究進展概述文獻全、新查閱5篇以上的文獻 20分5. 心得及進一步的研究展望真實，無抄襲與剽竊現(xiàn)象 20分三、教師評語 請根據(jù)寫作容給定成績，

2、填入“成績局部。 閱 卷 教 師 評 語成 績評閱教師簽字： 20 年 月 日 注1：本頁由報告題目、書目信息有學生填寫，其余由教師填寫。提交試卷時含本頁。學生從第二頁開場寫作，要求見藍色字體局部。注2：“閱卷教師評語局部請教師用紅色或黑色碳素筆填寫，不可用電子版。無“評語視為不合規(guī)。注3：不符合規(guī)試卷需修改規(guī)后提交。摘要碳是自然界中萬事萬物的重要組成物質(zhì)，也是構成生命有機體的主要元素。石墨和金剛石是兩種典型的單質(zhì)碳，也是最早為人們所熟知的兩種碳的三維晶體構造，屬于天然礦石。除石墨和金剛石外，碳材料還包括活性炭、碳黑、煤炭和碳纖維等非晶形式。煤是重要的燃料。碳纖維在復合材料領域有重要的應用。2

3、0 世紀80 年代，納米材料與技術獲得了極大的開展。納米碳材料也是從這一時期開場進入歷史的舞臺。1985 年，由60 個碳原子構成的“足球分子：C60 被三位英美科學家發(fā)現(xiàn)。隨后，C70、C86 等大分子相繼出現(xiàn)，為碳家族添加了一大類新成員：富勒烯。富勒烯是碳的零維晶體構造，它們的出現(xiàn)開啟了富勒烯化學新篇章。三位發(fā)現(xiàn)者于1996 年獲諾貝爾化學獎。1991 年，由石墨層片卷曲而成的一維管狀納米構造：碳納米管被發(fā)現(xiàn)。如今，碳納米管已經(jīng)成為一維納米材料的典型代表。發(fā)現(xiàn)者飯島澄男于2008 年獲卡弗里納米科學獎。2004 年，一位新成員：石墨烯，出現(xiàn)在碳材料的“家譜中。石墨烯的發(fā)現(xiàn)者，兩位英國科學家

4、安德烈 蓋姆Andre Geim和康斯坦丁 諾沃肖羅夫Konstantin Novoselov于2010 年獲諾貝爾物理學獎。關鍵詞 ：碳材料 復合材料 晶體構造1 石墨烯的構造石墨烯是sp2雜化碳原子形成的厚度僅為單層原子的排列成蜂窩狀六角平面晶體。在單層石墨烯中，碳碳鍵長為0.142nm，厚度只有0.334nm。石墨烯是構成以下碳同素異型體的根本單元：例如：石墨，碳納米管和富勒烯。石墨烯被認為是平面多環(huán)芳香烴原子晶體。2 石墨烯的制備2.1 物理法制備石墨烯物理方法通常是以廉價的石墨或膨脹石墨為原料，通過機械剝離法、取向附生法、液相或氣相直接剝離法來制備單層或多層石墨烯。這些方法原料易得,

5、 操作相對簡單，合成的石墨烯的純度高、缺陷較少。機械剝離法機械剝離法或微機械剝離法是最簡單的一種方法，即直接將石墨烯薄片從較大的晶體上剝離下來。Novoselovt 等1于2004年用一種極為簡單的微機械剝離法成功地從高定向熱解石墨上剝離并觀測到單層石墨烯，驗證了單層石墨烯的獨立存在。具體工藝如下：首先利用氧等離子在1 mm厚的高定向熱解石墨外表進展離子刻蝕，當在外表刻蝕出寬20 m2 mm、深5 m的微槽后，用光刻膠將其粘到玻璃襯底上，再用透明膠帶反復撕揭，然后將多余的高定向熱解石墨去除并將粘有微片的玻璃襯底放入丙酮溶液中進展超聲，最后將單晶硅片放入丙酮溶劑中，利用德華力或毛細管力將單層石墨

6、烯“撈出。取向附生法晶膜生長Peter W.Sutter 等2使用稀有金屬釕作為生長基質(zhì)，利用基質(zhì)的原子構造“種出了石墨烯。首先在 1150 C下讓C原子滲入釕中，然后冷卻至850 C，之前吸收的大量碳原子就會浮到釕外表，在整個基質(zhì)外表形成鏡片形狀的單層碳原子“孤島，“孤島逐漸長大，最終長成一層完整的石墨烯。第一層覆蓋率達80 %后，第二層開場生長，底層的石墨烯與基質(zhì)間存在強烈的交互作用，第二層形成后就前一層與基質(zhì)幾乎完全別離，只剩下弱電耦合，這樣制得了單層石墨烯薄片。但采用這種方法生產(chǎn)的石墨烯薄片往往厚度不均勻，且石墨烯和基質(zhì)之間的黏合會影響制得的石墨烯薄片的特性。 液相和氣相直接剝離法液相

7、和氣相直接剝離法指的是直接把石墨或膨脹石墨(EG)(一般通過快速升溫至1000 C以上把外表含氧基團除去來獲取)加在*種有機溶劑或水中，借助超聲波、加熱或氣流的作用制備一定濃度的單層或多層石墨烯溶液。Coleman 等3參照液相剝離碳納米管的方式將石墨分散在N-甲基-吡咯烷酮 (NMP) 中，超聲1h 后單層石墨烯的產(chǎn)率為1%，而長時間的超聲(462 h)可使石墨烯濃度高達1.2 mg/mL。研究說明，當溶劑與石墨烯的外表能相匹配時，溶劑與石墨烯之間的相互作用可以平衡剝墨烯所需的能量，能夠較好地剝墨烯的溶劑外表力圍為4050mJ/m2。利用氣流的沖擊作用能夠提高剝墨片層的效率。Janowska

8、 等4以膨脹石墨為原料，微波輻照下發(fā)現(xiàn)以氨水做溶劑能提高石墨烯的總產(chǎn)率(8%)。深入研究證實高溫下溶劑分解產(chǎn)生的氨氣能滲入石墨片層中， 當氣壓超過一定數(shù)值至足以克制石墨片層間的德華力時就能使石墨剝離。2.2 化學法制備石墨烯目前實驗室用石墨烯主要通過化學方法來制備，該法最早以苯環(huán)或其它芳香體系為核，通過多步偶聯(lián)反響使苯環(huán)或大芳香環(huán)上6個C均被取代，循環(huán)往復，使芳香體系變大，得到一定尺寸的平面構造的石墨烯。在此根底上人們不斷加以改良，使得氧化石墨復原法成為最具有潛力和開展前途的合成石墨烯及其材料的方法。 化學氣相沉積法化學氣相沉積法的原理是將一種或多種氣態(tài)物質(zhì)導入到一個反響腔發(fā)生化學反響，生成一

9、種新的材料沉積在襯底外表。它是目前應用最廣泛的一種大規(guī)模工業(yè)化制備半導體薄膜材料的技術。外延生長法Clarie Berger等利用此種方法制備出單層5和多層6石墨烯薄片并研究了其性能。通過加熱，在單晶6H-SiC的Si-terminated (00001)面上脫除Si制取石墨烯。將外表經(jīng)過氧化或H2蝕刻后的樣品在高真空下(UHV; base pressure 1.3210-8Pa)通過電子轟擊加熱到1000 C以除掉外表的氧化物(屢次去除氧化物以改善外表質(zhì)量)，用俄歇電子能譜確定氧化物被完全去除后，升溫至1250-1450 C，恒溫1-20 min。在Si外表的石墨薄片生長緩慢并且在到達高溫后

10、很快終止生長，而在C外表的石墨薄片并不受限，其厚度可達5到100層。形成的石墨烯薄片厚度由加熱溫度決定。 氧化石墨復原法氧化石墨復原法制備石墨烯是將石墨片分散在強氧化性混合酸中，例如濃硝酸和濃硫酸，然后參加高錳酸鉀或氯酸鉀強等氧化劑氧化得到氧化石墨(GO)水溶膠，再經(jīng)過超聲處理得到氧化石墨烯, 最后通過復原得到石墨烯。這是目前最常用的制備石墨烯的方法。3 石墨烯的性能及應用石墨烯的應用圍廣闊。根據(jù)石墨烯超薄，強度超大的特性，石墨烯可被廣泛應用于各領域，比方超輕防彈衣，超薄超輕型飛機材料等。根據(jù)其優(yōu)異的導電性，使它在微電子領域也具有巨大的應用潛力。石墨烯有可能會成為硅的替代品，制造超微型晶體管，

11、用來生產(chǎn)未來的超級計算機，碳元素更高的電子遷移率可以使未來的計算機獲得更高的速度。另外石墨烯材料還是一種優(yōu)良的改性劑，在新能源領域如超級電容器、鋰離子電池方面，由于其高傳導性、高比外表積，可適用于作為電極材料助劑。3.1超級計算機科學家發(fā)現(xiàn)，石墨烯還是目前導電性能最出色的材料。石墨烯的這種特性尤其適合于高頻電路。高頻電路是現(xiàn)代電子工業(yè)的領頭羊，一些電子設備，例如手機，由于工程師們正在設法將越來越多的信息填充在信號中，它們被要求使用越來越高的頻率，然而手機的工作頻率越高，熱量也越高，于是，高頻的提升便受到很大的限制。由于石墨烯的出現(xiàn)，高頻提升的開展前景似乎變得無限廣闊了。 這使它在微電子領域也具

12、有巨大的應用潛力。研究人員甚至將石墨烯看作是硅的替代品，能用來生產(chǎn)未來的超級計算機。3.2太陽能電池2010年，清華大學的*inming Li和Hongwei Zhu等人首次將石墨烯覆蓋在傳統(tǒng)的單晶硅材料上，研究發(fā)現(xiàn)其具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換性能。這樣一個簡易的太陽能電池模型，經(jīng)過優(yōu)化提升后光電轉(zhuǎn)換效率可以到達10%以上。石墨烯-硅模型還可以進一步拓展為石墨烯與其他半導體材料的構造。這種可以將石墨烯與傳統(tǒng)材料結合的模型，為石墨烯的實際應用具有重要的推動作用。3.3光子傳感器石墨烯還可以以光子傳感器的面貌出現(xiàn)在更大的市場上，這種傳感器是用于檢測光纖中攜帶的信息的，這個角色一直由硅擔當，但硅的時代似乎就

13、要完畢。2012年10月，IBM的一個研究小組首次披露了他們研制的石墨烯光電探測器，接下來人們要期待的就是基于石墨烯的太陽能電池和液晶顯示屏了。因為石墨烯是透明的，用它制造的電板比其他材料具有更優(yōu)良的透光性。3.4基因測序由于導電的石墨烯的厚度小于DNA鏈中相鄰堿基之間的距離以及DNA四種堿基之間存在電子指紋，因此，石墨烯有望實現(xiàn)直接的，快速的，低本錢的基因電子測序技術。3.5減少噪音美國IBM 宣布，通過重疊2層相當于石墨單原子層的“石墨烯(Graphene)，試制成功了新型晶體管，同時發(fā)現(xiàn)可大幅降低納米元件特有的1/f。石墨烯，試制成功了一樣的晶體管，不過與預計的相反，發(fā)現(xiàn)能夠大幅控制噪音

14、。通過在二層石墨烯之間生成的強電子結合，從而控制噪音。3.6隧穿勢壘量子隧穿效應是一種衰減波耦合效應，其量子行為遵守薛定諤波動方程，應用于電子冷發(fā)射、量子計算、半導體物理學、超導體物理學等領域。傳統(tǒng)勢壘材料采用氧化鋁、氧化鎂等材料，由于其厚度不均、容易出現(xiàn)孔隙和電荷陷阱，通常具有較高的能耗和發(fā)熱量，影響到了器件的性能和穩(wěn)定性，甚至引起災難性失敗。基于石墨烯在導電、導熱和構造方面的優(yōu)勢，美國海軍研究試驗室NRL將其作為量子隧穿勢壘材料的首選。未來得石墨烯勢壘將有可能在隧穿晶體管、非揮發(fā)性磁性記憶體和可編程邏輯電路中率先得以應用。4.石墨烯的分析表征技術4.1透射電鏡在石墨烯中的應用透射電鏡最大的

15、特點就是可以進展組織形貌與晶體構造的同位分析。當中間鏡物平面與物鏡像平面重合時，進展的是成像操作，得到的是物體的外表形貌圖；當中間鏡的物平面與物鏡背焦面重合時，進展的是衍射操作，得到的是反映晶體構造特征的電子衍射把戲。在電子衍射中，單晶得到的衍射把戲為一系列規(guī)則排列的衍射斑點，多晶的衍射把戲為不同半徑的同心圓，非晶的衍射把戲為一個漫散斑點7如圖1所示。圖1：單晶、多晶和非晶的電子衍射把戲高分辨透射電子顯微鏡的分辨率可以到達單個原子量級?？煞从呈┑膶訑?shù)、堆垛方式、邊緣原子構造及變化、部缺陷如五七環(huán)構造和外表吸附原子等信息。如圖2所示8，a是懸掛石墨烯的TEM，在光學顯微鏡中網(wǎng)柵同樣可見。b是

16、單層石墨烯的一個折疊邊緣的高分辨率的圖像，c層的皺褶。d雙層石墨烯的折疊邊緣和e層的折疊。比照片層的非晶構造很可能是由于樣品吸附的羥基被電子束擊碎。f接近垂直入射的單層石墨烯的電子衍射圖樣和g雙層石墨烯的衍射圖樣。來自底部金屬構造的弱衍射峰同樣出現(xiàn)。h在fg中箭頭表示的直線的強度剖面。雙層石墨烯的衍射點的相對強度只與A-B而不是A-A堆垛相一致。圖2：石墨烯的透射電子形貌圖和電子衍射把戲比例尺：a500nm；b-e2nm144.2拉曼光譜分析在石墨烯中的應用Raman 光譜是碳材料的標準表征技術，也是一種高效率、無破壞的石墨烯檢測手段。一般石墨的拉曼光譜中有三個極為顯著的特征峰：位于1350c

17、m1附近的D峰，此峰是由石墨的無序性誘導(disorder-induced)引起的，對于極為有序、無缺陷的石墨樣品的拉曼光譜觀察不到D峰存在；位于1580cm1附近的G 峰，此峰由石墨一階拉曼光譜的E2g光學模產(chǎn)生的，一般為單峰；位于2700 cm1附近的2D峰，是由雙光子在第一布里淵區(qū)中心兩個互不等價的K點附近雙共振拉曼激發(fā)引起的，一般認為2D峰是D 峰的倍頻峰，但在有序、無缺陷石墨樣品的拉曼光譜中可以觀察到有雙峰構造的2D峰，研究說明石墨烯的拉曼譜中2D峰的強度、形狀和位置等能夠反映石墨烯的厚度、構造等信息9。參考文獻：1Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Mor

18、ozov, S. V.; Jiang, D.; Zhang, Y.; Dubonos, S. V.; Grigorieva, I. V.; Firsov, A. A. Science, 2004, 306, 6666692Sutter, P. W.; Flege, J. -I.; Sutter, E. A. Nature Materials, 2008, 5, 4064113Hernandez, Y.; Nicolosi, V.; Lotya, M.; Blighe, F. M.; Sun, Z.; De, S.; McGovern, I. T.; Holland, B.; Byrne, M.

19、; GunKo, Y. K.; Boland, J. J.; Niraj, P.; Duesberg, G.; Krishnamurthy, S.; Goodhue, R.; Hutchison, J.; Scardaci, V.; Ferrari, A. C.; Coleman, J. N. Nature Nanotechnology, 2008, 7, 5635684Janowska, I.; Chizari, K.; Ersen, O.; Zafeiratos, S.; Soubane, D.; Costa, V. D.; Speisser, V.; Boeglin, C.; Houll, M