1、第四章 集成運算放大器模擬電路1第四章 差動放大器與集成運算放大器4.1 集成運算放大電路概述4.2 集成運放的內(nèi)部結構及特點4.3 集成運放的主要性能指標2集成電路: 將整個電路的各個元件做在同一個半導體基片上。集成電路的優(yōu)點：工作穩(wěn)定、使用方便、體積小、重量輕、功耗小。集成電路的分類：模擬集成電路、數(shù)字集成電路；小、中、大、超大規(guī)模集成電路； 4.1 集成運算放大電路概述3集成電路內(nèi)部結構的特點：1. 電路元件制作在一個芯片上，元件參數(shù)偏差方向一致，溫度均一性好。2. 電阻元件由硅半導體構成，范圍在幾十到20千歐，精度低。高阻值電阻用三極管有源元件代替或外接。3. 幾十 pF 以下的小電容

2、用PN結的結電容構成、大電容要外接。4. 二極管一般用三極管的發(fā)射結構成。4UEE+UCC u+uo u反相輸入端同相輸入端T3T4T5T1T2IS原理框圖：輸入級中間級輸出級與uo反相與uo同相5對輸入級的要求：盡量減小零點漂移,盡量提高 KCMRR , 輸入阻抗 ri 盡可能大。對中間級的要求：足夠大的電壓放大倍數(shù)。對輸出級的要求：主要提高帶負載能力，給出足夠的輸出電流io 。即輸出阻抗 ro小。集成運放的結構（1）采用四級以上的多級放大器，輸入級和第二級一般采用差動放大器。（2）輸入級常采用復合三極管或場效應管，以減小輸入電流，增加輸入電阻。（3）輸出級采用互補對稱式射極跟隨器，以進行功

3、率放大，提高帶負載的能力。6R2T3R1R3-UEE+UCCui2uoERCT1RCT2ui1T4IC =IC1+ IC2 = 1 IB + 2(1+ 1 ) IB = 1 + 2(1+ 1 ) IB為減小IB， 提高輸入電阻，T1、T2采用復合三極管 = IC / IB = 1 + 2(1+ 1 ) 1 2 ICIBIE12IC1IC2IB27-UEE+UCCERCT1RCT2T5T6RC3RE2RC4RE3T7T9T8RE4RE5T11T10RL第4級：互補對稱射極跟隨器差動放大器第2級第1級：差動放大器第3級：單管放大器+集成運放內(nèi)部結構（舉例）極性判斷8 ri 大: 幾十k 幾百 k運

4、放的特點：KCMRR 很大 ro ?。簬资?幾百 A o 很大: 104 107理想運放： ri KCMMRR ro 0Ao 運放符號：uu+ uo u u+ uoAo國際符號國內(nèi)符號94.3 集成運放的主要性能指標一、開環(huán)差模電壓放大倍數(shù)Aod無外加反饋回路的差模放大倍數(shù)。一般在105 107之間。理想運放的Aod為。二、共模抑制比KCMMR常用分貝作單位，一般100dB以上。三、差模輸入電阻ridri1M, 有的可達100M以上。四、輸出電阻roro =幾-幾十。10五、最大共模輸入電壓UIcmax六、最大差模輸入電壓UIdmax七、-3dB帶寬fH運放是直流放大器， 也可放大低頻信號，不適用于高頻信號。還有其他一些反映運放對成性、零漂等的參數(shù)。不再一一介紹。關于集成運放的應用下面分三個章節(jié)介紹。其中運放都是作為理想運放來處理。11第四章總結本章介紹的放大器的特點：直流