1、電子束直寫系統(tǒng)技術(shù)指標：熱場發(fā)射電子槍50和100KeV電子能量可放置的樣品最大尺寸為150X150mm的樣品架，樣品臺的定位：激光干涉儀定位，精度 0.62納米50MHz圖形發(fā)生器（帶低噪聲20位主場偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)以及14位trapezium單元形貌定義）可裝2個樣品夾持架的可直接裝載的airlock在50Kev下，寫場大小為1.0毫米X1.0毫米（電子束斑直徑大小為10納米時）在最小電子束斑直徑6納米下，最大束流可達0.3 nA。在電子束斑直徑為10納米時，最大束流可達到2.5nA,在電子束斑直徑為25納米時，最大束流可達到10nA在100KeV下寫場可達到1000微米X1000微米（電子束斑大

2、小為10納米）電子束版和最大束流需達到如下要求：電子束斑直徑大?。{米）束流大小（nA） 2.20.150.5108.020202740電子束流的最大偏差：0.5%Hr （開環(huán)）電子束流的均勻性：（在1mm1mm的寫場下）電子束流穩(wěn)定性：50 nm/hr （開環(huán)）真空腔內(nèi)的溫度穩(wěn)定度為 工作臺聚焦平面探測器精度：行程： 土 100p m from nominal重復率：土 0.5p m （between 土 30p m）土 1.0p m （between 土 50p m）工作室和雙位空氣鎖系統(tǒng)400 l/s分子泵加無油預抽真空干泵組成/空氣鎖無油真空干泵.工作真空度1 x 10-6 mBar

3、（1 x 10-4 Pa）.（在一小時暴露在空氣環(huán)境下）達到工作真空需要的時間大約2小時。 空氣鎖在暴露在空氣中10分鐘后需要15分鐘達到5 x 10-5mbar （5 x 10-3 Pa）.電子槍發(fā)射室兩55 l/s離子濺射泵，真空室具有烘焙能力已提供更高的真空度。.工作壓強為 5 x 10-8 mBar （5 x 10-6 Pa）.真空控制系統(tǒng)是由是由可編程邏輯控制器以及LCD觸摸屏系統(tǒng)和PC圖形界面構(gòu)成。電子束偏轉(zhuǎn)控制系統(tǒng)無論是在50KV電壓下還是100KV電壓下，電子束偏轉(zhuǎn)場的大小都為1mmX1mm,主偏轉(zhuǎn) 場的定位是20位的位移分辨率。在此基礎(chǔ)上，利用不等四邊形偏轉(zhuǎn)器寫單元的形狀，它

4、的分 辨率為14位。自動偏轉(zhuǎn)校正系統(tǒng)用于校正由于掃描的非線性和散焦以及散光引起的誤差。光 束步進率可在500Hz到50MHz內(nèi)選擇。寫的方法：使用高斯光束斑點主場矢量掃描+trapezium形貌填充.最大可寫范圍155 mm x 155 mm曝光劑量校準：對于Proximity effect的校準，可以用無限次的曝光劑量等級。束流校準：在 大于100pA和小于200nA間自動校準電子束流.偏轉(zhuǎn)校正：光束質(zhì)量（焦點，散光和場的畸變）是在整個偏轉(zhuǎn)場范圍內(nèi)動態(tài)校準.電子束斑的移動精度最高為0.16納米。標志識別速度：在硅基片上的金屬標記4|j m方塊速度： 0.8秒每個（束流大小在1 nA和100

5、nA間）.1.5秒每個（束流大小在100 pA和1nA間）標記探測的可重復性：10 nm, 3 sigma,（對于束流小至100 pA）.自動高度校準：精度：8nm線陣（500?m寫場下）均勻性為：8 ?3nm 100kV10nm線陣（1000?m寫場下）均勻性為：10 ?3nm 100kV拼接精度：+15 nm （1mm 主場）100kV,20 nm （1mm 主場）50kV,套刻精度： 15 nm （1mm 主場）100kV,20 nm （1mm 主場）50kV,直寫精度： 15 nm （1mm 主場）100kV,20 nm （1mm 主場）50kV,如果在電子束直寫系統(tǒng)操作中必須要用的輔

6、助工具，則要求提供，比如套刻定位標記讀 取和樣品高度讀取用光學顯微鏡或水平高度激光探測系統(tǒng)。提供相應(yīng)的用于Proximity校準 的軟件和圖形轉(zhuǎn)換軟件等所有軟件。樣品夾持架：共10個2英寸晶圓夾持架3英寸晶圓夾持架4 英寸晶圓夾持架6英寸晶圓夾持架4 英寸晶圓夾持架6英寸晶圓夾持架一個（頂部參考）一個（頂部參考）一個（頂部參考）一個（頂部參考）一個（底部參考）一個（底部參考）150 mm X 150 mm碎片夾持架 4個工藝指標驗收:1）、最小線寬（1）光刻膠厚度：330nm線條寬度：W8nm （2）光刻膠厚度：3250nm線條 寬度：W30nm，線條長度：3100mm （3）測試樣品:4英寸

7、Si晶片2）、拼場/套刻精度（1）線條寬度：W20nm，寫場：3100mm （2）光刻膠厚度：3100nm （3） 測試樣品：4英寸Si晶片（4）拼場/套刻精度:20nm，均值+3。3）、連續(xù)直線條（1）線條寬度：W50nm，線條長度：320mm （2）光刻膠厚度：3100nm （3） 測試樣品：4英寸Si晶片（4）拼場精度：10nm注：必須提供工藝指標中涉及的各個參數(shù)的詳細測量標準和步驟。標準附件、標準工具及選配件：1）.標準附件及工具：按標準配置由廠家提供，包括備品備件、消耗品及專用工具。2）.選配件產(chǎn)品配置要求：2.1）.電子束曝光機：1套2.2）提供安裝有在線操作軟件的操作服務(wù)器1套，并且額外提供至少1套安裝有全套軟件的離線操作服務(wù)