1、內容目錄 HYPERLINK l _TOC_250013 公司介紹4 HYPERLINK l _TOC_250012 公司人員情況4 HYPERLINK l _TOC_250011 股權結構6 HYPERLINK l _TOC_250010 公司業(yè)務情況6 HYPERLINK l _TOC_250009 模塊化生產提升效率，少數(shù)客戶依賴性降低6 HYPERLINK l _TOC_250008 以銷定產靈活度較高，技術附加值提高設備毛利率8 HYPERLINK l _TOC_250007 研發(fā)投入逐年增長，產品獲業(yè)內廣泛認可8 HYPERLINK l _TOC_250006 公司財務情況9 HY

2、PERLINK l _TOC_250005 營收快速增長，盈利能力持續(xù)增強9 HYPERLINK l _TOC_250004 經營性現(xiàn)金流恢復正值，資產結構改善9 HYPERLINK l _TOC_250003 高端半導體設備擴產升級10 HYPERLINK l _TOC_250002 行業(yè)市場容量及競爭格局12 HYPERLINK l _TOC_250001 半導體市場空間廣闊，國產代替勢在必行12設備決定芯片制造基礎，MOCVD 設備反映 LED 產能12 HYPERLINK l _TOC_250000 行業(yè)同水平公司對比15圖表目錄圖 1：中微半導體發(fā)展歷程4圖 2：中微半導體股權結構6

3、圖 3：刻蝕設備生產工藝流程6圖 4：MOCVD 設備生產工藝流程6圖 5：中微半導體營業(yè)收入及增速/億元9圖 6：中微半導體凈利潤及增速/億元9圖 7：中微半導體經營性現(xiàn)金流及增速/億元10圖 8：中微半導體流動比率與速動比率10圖 9：中微半導體存貨與應收票據(jù)及應收賬款/億元11圖 10：中微半導體員工人數(shù)及支付員工薪酬/億元11圖 11：中國半導體集成電路市場規(guī)模12圖 12：半導體設備支撐芯片制造產業(yè)13圖 13：全球半導體設備銷售額/億美元13圖 14：集成電路設備銷售額占比13圖 15：晶圓制造設備銷售額占比13圖 16：國產半導體設備銷售額/億元14圖 17：中國 LED 行業(yè)產

4、值/億元14表 1：公司人員任職情況5表 2：2018 年員工專業(yè)結構/人5表 3：中微半導體銷售模式（萬元）7表 4：中微半導體主要客戶7表 5：中微半導體設備收入構成/萬元7表 6：中微半導體設備產銷量（腔）8表 7：中微半導體設備毛利率8表 8：中微半導體研發(fā)投入（萬元）8表 9：中微半導體主要產品9表 10：可比公司毛利率9表 11：募集資金投資方向/萬元10表 12：募集資金時間周期和時間進度11表 13：全球五大半導體設備制造商14表 14：可比行業(yè)公司 EPS、PE 對比15表 15：公司毛利率與競爭公司對比15公司介紹中微公司是一家高端半導體微觀加工設備公司，是我國集成電路設備

5、行業(yè)的領先企業(yè)。公司主要從事半導體設備的研發(fā)、生產和銷售，通過向全球集成電路和 LED 芯片制造商提供極具競爭力的高端設備和高質量服務。中微公司聚焦用于離子體刻蝕設備、深硅刻蝕設備和 MOCVD 設備等集成電路制造關鍵設備。中微半導體的主要產品包括刻蝕機和 MOCVD 設備。其中刻蝕機有等離子體刻蝕機和硅通孔刻蝕機兩種。等離子體刻蝕設備主要用于芯片制造環(huán)節(jié)，而硅通孔刻蝕設備是芯片封裝的重要設備之一?？涛g機按照前段光刻機描繪的線路對晶片進行更深入的微觀雕刻。自2004 年成立伊始，中微公司首先開發(fā)甚高頻去耦合等離子體刻蝕設備 Primo D-RIE，到目前為止已成功開發(fā)了雙反應臺Primo D-

6、RIE、雙反應臺 Primo AD-RIE 和單反應臺Primo SSC AD-RIE 三代刻蝕設備，涵蓋 65 納米、45 納米、32 納米、28 納米、22 納米、14 納米、7 納米和 5 納米微觀器件的眾多刻蝕應用。2012 年中微公司開發(fā)電感性等離子體刻蝕設備， 到目前為止已成功開發(fā)單反應臺 Primo nanova 刻蝕設備，并同時開發(fā)雙反應臺電感性等離子體刻蝕設備，主要涵蓋 14 納米以下微觀器件的刻蝕應用。中微公司還針對集成電路先進封裝和 MEMS 傳感器產業(yè)發(fā)展的市場需求，開發(fā)了廣泛應用于這些領域的電感性等離子體深硅刻蝕設備。中微的 MOCVD 設備是 LED 芯片制造的關鍵

7、設備。它的數(shù)量甚至被認為是衡量 LED 行業(yè)產能的指標。薄膜沉積設備方面，2010 年中微公司開始開發(fā)用于 LED 器件加工中最關鍵的設備MOCVD 設備。公司已開發(fā)了三代 MOCVD 設備，該設備是一種高端薄膜沉積設備，主要用于藍綠光 LED 和功率器件等生產加工，包括第一代設備 Prismo D-Blue、第二代設備 Prismo A7 及第三代更大尺寸設備。圖 1：中微半導體發(fā)展歷程資料來源：招股說明書，公司人員情況公司現(xiàn)有董事 11 名，其中獨立董事 4 名。公司現(xiàn)有監(jiān)事 3 名。表 1：公司人員任職情況序號姓名類別1董事會（11 人）尹志堯董事長、總經理2沈偉國董事3朱民董事4楊征帆

8、董事5張亮董事6陳立武董事7杜志游董事長、副總經理8陳大同獨立董事9陳世敏獨立董事10孔偉獨立董事11張衛(wèi)獨立董事監(jiān)事會（3 人）1余峰監(jiān)事會主席2俞信華監(jiān)事3王志軍先生監(jiān)事高級管理人員（6 人）1尹志堯董事長、總經理2杜志游董事長、副總經理3朱新萍副總經理4倪圖強副總經理5陳偉文副總經理、財務負責人6劉曉宇董事會秘書核心技術人員（6 人）1尹志堯董事長、總經理2杜志游董事長、副總經理3倪圖強副總經理4麥仕義副總裁5楊偉副總裁6李天笑副總裁資料來源：招股說明書，2018 年，公司總人數(shù)為 653 人，其中主要以研發(fā)人員為主，占比 36.75 ，其次為工程技術人員，占比 21.59 。表 2：2

9、018 年員工專業(yè)結構/人類別人數(shù)占員工總數(shù)的比例研發(fā)人員24036.75%工程技術人員14121.59%管理人員12118.53%銷售人員497.50%生產人員426.43%其他609.19%合計653100.00%資料來源：招股說明書，股權結構公司股權結構中，中微亞洲占比為 5.15%，Primrose 占比為 4.07%。圖 2：中微半導體股權結構資料來源：招股說明書，公司業(yè)務情況模塊化生產提升效率，少數(shù)客戶依賴性降低刻蝕設備生產工藝流程公司刻蝕設備的生產工藝流程主要包括小型模組組裝、反應腔體組裝、傳送模組組裝、系統(tǒng)集成、終測及工藝調試、分拆及裝箱等步驟，具體如下：圖 3：刻蝕設備生產工

10、藝流程資料來源：招股說明書，公司 MOCVD 設備的生產采用模塊化生產模式。與刻蝕設備的生產相比，模塊化生產模式將系統(tǒng)集成、終測及工藝調試移植到客戶端進行，增加了獨立的反應腔體測試和傳送模組測試，從而大大縮短了產品組裝周期。具體情況如下：圖 4：MOCVD 設備生產工藝流程資料來源：招股說明書，銷售模式：公司采用直銷為主，代理銷售為輔的銷售模式。其中，在 2018 年，直銷的占比高達 99.97 。表 3：中微半導體銷售模式（萬元）2018 年2017 年2016 年金額占比金額占比金額占比直銷163,878.4699.97%97,075.9399.88%59,574.9297.74%代理商銷

11、售50.370.03%116.130.12%1,377.922.26%合計163,928.83100.00%97,192.06100.00%60,952.84100.00%資料來源：招股說明書，公司逐漸減少依賴少數(shù)客戶的情況。公司每年前五名客戶包括臺積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯(lián)華電子、長江存儲、三安光電、華燦光電、乾照光電、璨揚光電等。2016 年、2017 年和 2018 年，公司向前五名客戶合計銷售額占當期銷售總額的比例分別為85.74%、74.52%和 60.55%，占比逐年降低。公司不存在向單個客戶銷售比例超過公司當年銷售總額 50%。表 4：中微半導體主要客戶類別客戶類別重

12、要客戶代表臺積電、中芯國際、聯(lián)華電子、集成電路制造商、半導體封測刻蝕設備廠商華力微電子、海力士、長江存儲、華邦電子、晶方科技、格羅方德、博世、意法半導體MOCVD 設備LED 芯片、功率器件制造商三安光電、璨揚光電、華燦光電、乾照光電資料來源：招股說明書，刻蝕和 MOCVD 設備貢獻主要收入。公司專用設備主要為刻蝕設備和 MOCVD 設備。報告期各期，公司 2016-2018 年刻蝕設備、MOCVD 設備的合計銷售收入分別為 48,803.93 萬元、82,580.62 萬元和 139,767.14 萬元，占專用設備銷售收入的比例分別為 99.57 、99.21 和 100.00 。公司其他設

13、備收入為 VOC 設備的銷售收入。表 5：中微半導體設備收入構成/萬元金額占比金額占比金額占比刻蝕設備56,560.8540.47%28,896.2634.99%47,036.1096.38%MOCVD設備83,206.2959.53%53,031.5664.22%1,557.583.19%其他設備-652.810.79%210.260.43%2018 年2017 年2016 年合計139,767.14100.00%82,580.62100.00%48,803.93100.00%資料來源：招股說明書，以銷定產靈活度較高，技術附加值提高設備毛利率公司主要采用以銷定產的模式。所以產品的產量與銷量基

14、本匹配。公司產能具有一定彈性， 能根據(jù)訂單情況靈活地安排人工、原材料采購等生產安排。產量總體高于銷量主要源于大部分機臺發(fā)出后需在客戶生產線上進行安裝、調試，獲得客戶驗收后方可確認收入。表 6：中微半導體設備產銷量（腔）產品項目2018 年2017 年2016 年合計產量（腔）955075220刻蝕設備銷量（腔）713356160產量（腔）1361066248MOCVD 設備銷量（腔）106106106106資料來源：招股說明書，技術附加值使得刻蝕設備的毛利率更高。公司的刻蝕設備下游客戶主要是集成電路制造商、半導體封測廠商，定制化程度高，綜合毛利率較高。公司的 MOCVD 設備的下游客戶主要是

15、LED 芯片制造商，標準化程度相對較高，綜合毛利率相對較低。2017 年公司主營業(yè)務毛利率同比下降 3.93 個百分點，主要系 2017 年刻蝕設備毛利率降低所致。2018 年公司主營業(yè)務毛利率同比下降 3.09 個百分點，主要系 MOCVD 設備毛利率下降所致。表 7：中微半導體設備毛利率2018 年2017 年2016 年毛利率收入占比毛利率收入占比毛利率收入占比專用設備34.91%85.29%38.23%84.99%42.92%80.07%其中：刻蝕設備47.52%34.51%38.37%29.74%43.13%77.17%MOCVD26.33%50.77%38.13%54.58%33.

16、82%2.56%備品備件37.28%13.83%39.15%13.87%40.06%19.02%設備維護65.16%65.16%65.16%65.16%65.16%65.16%主營業(yè)務35.50%35.50%35.50%35.50%35.50%35.50%資料來源：招股說明書，研發(fā)投入逐年增長，產品獲業(yè)內廣泛認可公司保持大額的研發(fā)投入并逐年增長。報告期各期研發(fā)投入分別為 30,242.66 萬元、33,043.57 萬元和40,408.78 萬元，占各年度營業(yè)收入的比例分別為49.62 、34.00 和24.65 。表 8：中微半導體研發(fā)投入（萬元）項目2018 年度2017 年度2016 年

17、度研發(fā)投入合計40,408.7833,043.5730,242.66營業(yè)收入163,928.8397,192.0660,952.84研發(fā)投入占比24.65%34.00%49.62%資料來源：招股說明書，中微深耕半導體設備領域。中微公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用于國際先進的 14 納米、7 納米和 5 納米生產線；公司開發(fā)的大型 MOCVD 設備逐步替代進口設備。截至 2018 年末，中微公司累計已有 1,100 多個反應臺服務于國內外 40 余條先進芯片生產線。公司自主研發(fā)的 MOCVD 設備已被多家領先 LED 生產廠家使用和認可。經過多年的發(fā)展，公司取得了豐富的科技成果。自公司設立至 2

18、019 年 2 月末，公司申請了 1,201 項專利，其中發(fā)明專利 1,038 項，海外發(fā)明專利 465 項；已獲授權專利 951 項，其中發(fā)明專利 800 項。表 9：中微半導體主要產品產品類別應用領域主要應用于集成電路制造中氧化硅、氮化硅電容性等離子體刻蝕設備及低介電系數(shù)膜層等電介質材料的刻蝕電感性等離子體刻蝕設備主要應用于在集成電路制造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕MOCVD 設備LED外延片及功率器件生產VOC 設備平板顯示生產線等工業(yè)用的空氣凈化資料來源：招股說明書，公司財務情況營收快速增長，盈利能力持續(xù)增強根據(jù)公司招股書，2018 年中微營業(yè)收入達 16.39 億元，同比增長 68.

19、62 ，凈利潤 0.91 億元，同比增長 203.61 。得益于半導體行業(yè)的增長、全球產能向中國大陸轉移，以及公司技術研發(fā)、產品品質、品牌信譽度、客戶資源等方面的優(yōu)勢，報告期內公司主營業(yè)務收入保持快速增長。16-18 年中微的毛利率分別為 42.52 、38.59 、35.50 。圖 5：中微半導體營業(yè)收入及增速/億元圖 6：中微半導體凈利潤及增速/億元20.0015.009.7216.3970.0068.62% 65.00150.00100.0050.000.0029.9290.84250.00203.61%200.00150.0010.005.000.006.109.34%52016201

20、7營業(yè)收入（億元）2018YoY(%)60.0055.0050.00-50.00-100.00-150.00-200.00-250.00-300.00201720182016112.53% -238.79凈利潤（百萬元）YoY(%)100.0050.000.00資料來源：招股說明書，資料來源：招股說明書，表 10：可比公司毛利率2016 年2017 年2018 年應用材料41.67%44.93%45.31%泛林半導體44.97%46.63%-東京電子40.30%42.01%-維易科40.13%37.05%35.74%愛思強28.64%32.12%43.76%北方華創(chuàng)39.73%36.59%-中

21、微42.52%38.59%35.50%資料來源：招股說明書，經營性現(xiàn)金流恢復正值，資產結構改善經營性現(xiàn)金流良好為公司研發(fā)投入提供保證。2018 年公司經營活動凈現(xiàn)金流量為 2.61 億元。目前，公司資產質量、流動性良好償債能力較強，盈利能力增強，公司擁有較為充足的生產經營、研發(fā)投入的資源為公司可持續(xù)發(fā)展提供了保障。公司建立清晰的戰(zhàn)略、科學激勵機制，為公司吸引人才打下了堅實的基礎。圖 7：中微半導體經營性現(xiàn)金流及增速/億元3.002.001.000.00-1.00 2.61274.00%201720162018300.00250.00200.00150.00100.0050.00-47.00.0

22、0-1.026%-50.00-2.00 -1.50營性現(xiàn)金流凈額(億元）YoY（%）-100.00資料來源：招股說明書，公司資產和負債結構改善，流動、速動比率逐年提高。2018 年公司的流動比率為 2.12， 速動比率為 1.19。2016 年末，公司流動比率和速動比率低于 1，主要系 2016 年末公司應付收購中微國際的股權收購款金額較大，導致 2016 年末流動資產低于流動負債所致；2017年末，公司速動比率低于 1，主要系 2017 年末公司經營規(guī)模擴大，期末在手訂單較多， 存貨大幅增加及 2017 年末應付收購中微國際的股權收購款金額較大，導致剔除存貨后的流動資產低于流動負債所致。圖

23、8：中微半導體流動比率與速動比率2.5 2.121.041.190.460.260.5121.510.50201620172018流動比率（倍）速動比率（倍）資料來源：招股說明書，高端半導體設備擴產升級本次發(fā)行所募資金將投資于高端半導體設備擴產升級項目、技術研發(fā)中心建設升級項目和補充流動資金，擬使用募集資金總額 100,156.18 萬元，具體如下：表 11：募集資金投資方向/萬元序號募集資金運用方向金額項目2技術研發(fā)中心建設升級項目40,097.223補充流動資金20,000.001高端半導體設備擴產升級40,058.96資料來源：招股說明書，合計100,156.18表 12：募集資金時間周

24、期和時間進度序號項目名稱時間周期和時間進度本項目建設期為2 年零6 個月，分如下五個階段工作實施：第一階段為研究與設計階段，歷時 3 個月，主要是完成項目可行性研究及規(guī)劃、初步設計、施工圖設計； 第二階段為廠房改建和裝修階段，歷時 6 個月，主要工作為生產車間生產設施及配套生產設施的改建、裝高端半導體設備擴產升級項目技術研發(fā)中心建設升級項目資料來源：招股說明書，修；第三階段為設備采購階段， 歷時 9 個月，主要是設備采購、施工安裝，以及軟件采購及安裝、調試等；第四階段為人員招聘及培訓階段，主要是生產人員及相關崗位人員招聘，可與第三階段同時進行；第五階段為設備調試、試產階段，歷時 12 個月，主

25、要是工程投產準備、工程試運營投產等。本項目建設期2年，計劃分三個階段實施完成，計劃進度安排如下：第一階段為工程施工階段， 本階段主要任務是研發(fā)中 心裝修及實驗室等配套工 程施工，歷時6個月。第二階段為設備采購及施 工安裝階段，本階段的主要工作是進行公用系統(tǒng)安裝， 空調凈化裝修，各輸配系統(tǒng)工藝管道的安裝；此外本階段將完成項目設備的采購、招投標等相關工作，歷時1 年。第三階段為設備調試、試運行階段，本階段是在施工全部完畢后，進行設備調試、單機設備驗證、系統(tǒng)調試及系統(tǒng)驗證，歷時6個月。補充流動資金提高資金利用率。為進一步優(yōu)化財務結構，滿足現(xiàn)有研發(fā)投入和生產銷售的資金需求，擬將部分募集資金用于補充其他

26、與主營業(yè)務相關的營運資金。補充流動資金可以降低公司的財務風險，提高公司的市場競爭力。圖 9：中微半導體存貨與應收票據(jù)及應收賬款/億元圖 10：中微半導體員工人數(shù)及支付員工薪酬/億元12 10.987.973.764.572.193.6110億元8642020162017201870060050040030020010002016201720180.8 6535744978450.30.40.50.60.40.20存貨應收票據(jù)及賬款員工人數(shù)（人）支付員工薪酬（億元）資料來源：招股說明書，資料來源：招股說明書，行業(yè)市場容量及競爭格局半導體市場空間廣闊，國產代替勢在必行云計算、5G 迅速發(fā)展，中國半

27、導體市場空間巨大。半導體行業(yè)是是電子信息產業(yè)的基礎支撐。根據(jù)國際貨幣基金組織測算，每 1 美元半導體芯片的產值可帶動相關電子信息產業(yè)10 美元產值，并帶來 100 美元的 GDP。中國已成為了全球最大的電子產品消費市場。根據(jù) IC Insights 統(tǒng)計，從 2013 年到 2018 年僅中國半導體集成電路市場規(guī)模就從 820 億美元擴大至 1,550 億美元，年均復合增長率約為 13.58 。未來隨著互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G 等高新技術產業(yè)和戰(zhàn)略性新興產業(yè)的進一步發(fā)展，中國將成為全球半導體最具活力和發(fā)展前景的市場區(qū)域。從供給端分析，對比巨大的國內市場需求，國產半導體集成

28、電路市場規(guī)模較小，2018 年自給率約為 15。不斷擴大的中國半導體市場規(guī)模嚴重依賴于進口，中國半導體產業(yè)自給率過低，進口替代的空間巨大。圖 11：中國半導體集成電路市場規(guī)模資料來源：招股說明書，設備決定芯片制造基礎，MOCVD 設備反映 LED 產能半導體設備價值含量高。半導體設備價值普遍較高，一條制造先進半導體產品的生產線投 資中設備價值約占總投資規(guī)模的 75%以上，半導體產業(yè)的發(fā)展衍生出巨大的設備需求市場。根據(jù) SEMI 統(tǒng)計，全球半導體設備銷售額從 2013 年的約 318 億美元增長至 2018 年的預估 621 億美元，年均復合增長率約為 14.33%，高于同期全球半導體器件市場規(guī)

29、模的增速。圖 12：半導體設備支撐芯片制造產業(yè)資料來源：招股說明書，國際半導體設備市場已形成壟斷格局。根據(jù) VLSI Research 統(tǒng)計，2018 年全球半導體設備系統(tǒng)及服務銷售額為 621 億美元，其中前五大半導體設備制造廠商，由于起步較早，憑借資金、技術、客戶資源、品牌等方面的優(yōu)勢，占據(jù)了全球半導體設備市場 65%的市場份額。其中，阿斯麥在光刻機設備方面形成寡頭壟斷。應用材料、東京電子和泛林半導體是提供等離子體刻蝕和薄膜沉積等工藝設備的三強。目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別占晶圓制造設備價值量約 24%、23%和 18%。圖 13：全球半導體設備銷售額/億美元資料來源：招股說明書，圖 14：集成電路設備銷售額占比圖 15：晶圓制造設備銷售額占比6%8%81%5%24%9%13%23%18%13%晶圓制造設備封裝設備測試設備其他設備光刻機薄膜沉積設備CMP/表面處理/清潔 檢測設備其他沉積設備刻蝕設備明13資料來源：招股說明書，資料來源：招股說明書，表 13：全球五大半導體設備制造商排名公司市占率1應用材料17.27%2阿斯麥15.74%3東京電子13.45%4泛林半導體13.40%5科天半導體5.19%合計65.05%資料來源：招股說明書，超高的研發(fā)成本和技術難度限制了中國在半導體設備領域的發(fā)展。歐美等國為了阻止中國半導體產業(yè)的進步，一直對該領域實施