1、電子行業(yè)深度研究分析報告目 錄 HYPERLINK l _bookmark0 一、為什么推薦投第代半導(dǎo)體材料 4 HYPERLINK l _bookmark1 1、率導(dǎo)下細域帶需爆式長將帶第代導(dǎo)材應(yīng)用 4 HYPERLINK l _bookmark2 2、易擦劇摩律見雙背底材料供彎超的能性 4 HYPERLINK l _bookmark3 3、基與費子內(nèi)需打空間 5 HYPERLINK l _bookmark4 二、功率半導(dǎo)體受于游新興領(lǐng)域快速發(fā)展 5 HYPERLINK l _bookmark5 1、率導(dǎo)是路的核元件 5 HYPERLINK l _bookmark8 2、場模穩(wěn)長來增空來于興

2、域 7 HYPERLINK l _bookmark12 3、內(nèi)最的費，自率足 9 HYPERLINK l _bookmark19 三、第三代半導(dǎo)體料功率半導(dǎo)體躍進的石 11 HYPERLINK l _bookmark20 1、三半體料能提有顯勢 11 HYPERLINK l _bookmark23 2、業(yè)用中襯射頻件5滲將到50以上 12 HYPERLINK l _bookmark25 3、層料破摩律延的鍵 14 HYPERLINK l _bookmark28 四、新基建視角G射頻端需求帶動N爆發(fā)式長 17 HYPERLINK l _bookmark29 1、基射元件大增，N透有續(xù)提升 17

3、HYPERLINK l _bookmark34 2、基性優(yōu)明高功高段境需度提升 18 HYPERLINK l _bookmark36 五、消費電子視角高能、小體積加速N消電子中的應(yīng)用 20 HYPERLINK l _bookmark37 1、充器代N持的充率提升 20 HYPERLINK l _bookmark42 2、能汽市拐至，N功器空期 22 HYPERLINK l _bookmark51 六、相關(guān)上市公司 27 HYPERLINK l _bookmark52 1、特新 27 HYPERLINK l _bookmark57 2、安電 28 HYPERLINK l _bookmark62

4、3、達導(dǎo) 29 HYPERLINK l _bookmark67 七、風險提示 30 HYPERLINK l _bookmark68 1、發(fā)度及期 30 HYPERLINK l _bookmark69 2、代果及期 31 HYPERLINK l _bookmark70 3、本制及期 31圖表目錄 HYPERLINK l _bookmark6 Fie1 功半體分類 6 HYPERLINK l _bookmark7 Fie2 各率導(dǎo)主要性應(yīng)場景 7 HYPERLINK l _bookmark9 Fie3 全功半市場模增速 8 HYPERLINK l _bookmark10 Fie4 國半體規(guī)模增速

5、8 HYPERLINK l _bookmark11 Fie5 功半體輸出率類應(yīng)場景 9 HYPERLINK l _bookmark13 Fie68年球T場局 9 HYPERLINK l _bookmark14 Fie78年球SET市格局 9 HYPERLINK l _bookmark15 Fie88年球半導(dǎo)產(chǎn)結(jié)構(gòu) 10 HYPERLINK l _bookmark16 Fiue98年內(nèi)半導(dǎo)產(chǎn)結(jié)構(gòu) 10 HYPERLINK l _bookmark17 Fie08年球率半體場額 11 HYPERLINK l _bookmark18 Fie18中率半體場額 11 HYPERLINK l _bookma

6、rk21 Fie2 代導(dǎo)料主特征 11 HYPERLINK l _bookmark22 Fie3 三半與硅特對比 12 HYPERLINK l _bookmark24 Fie45第代導(dǎo)體料展標 14 HYPERLINK l _bookmark26 Fie5 爾律18 年集電晶數(shù)量化 15 HYPERLINK l _bookmark27 Fie6 國三導(dǎo)體域發(fā)目 16 HYPERLINK l _bookmark30 Fie7N將步代DS場額 17 HYPERLINK l _bookmark31 Fie89起5G基站走建高峰 17 HYPERLINK l _bookmark32 Fie9N射器需求

7、量 18 HYPERLINK l _bookmark33 Fie0ssveO在5G中將量現(xiàn) 18 HYPERLINK l _bookmark35 Fie1 基設(shè)態(tài)及用景 19 HYPERLINK l _bookmark38 Fie2ER快實際數(shù) 20 HYPERLINK l _bookmark39 Fie3 米eCW大出功發(fā)情況 20 HYPERLINK l _bookmark40 Fie4 充方比 21 HYPERLINK l _bookmark41 Fie5 能機穿戴中N充算 22 HYPERLINK l _bookmark43 Fie6 同動級別對的能度 23 HYPERLINK l _

8、bookmark44 Fie7 車子車成未近50% 23 HYPERLINK l _bookmark45 Fie8 能汽電子的要志 23 HYPERLINK l _bookmark46 Fie9 車子主要節(jié) 24 HYPERLINK l _bookmark47 Fie0 球國車電市規(guī)（美） 24 HYPERLINK l _bookmark48 Fie1NV絕部零部將電元件替 25 HYPERLINK l _bookmark49 Fie2 能汽動系及制統(tǒng)主的功元件分 26 HYPERLINK l _bookmark50 Fie3 能汽傳統(tǒng)油半體值拆分 27 HYPERLINK l _bookma

9、rk53 Fie4 特新收入化 28 HYPERLINK l _bookmark54 Fie HYPERLINK l _bookmark54 特新凈利變化. HYPERLINK l _bookmark54 28 HYPERLINK l _bookmark55 Fie36 HYPERLINK l _bookmark55 特新率及利變情況. HYPERLINK l _bookmark55 28 HYPERLINK l _bookmark56 Fie HYPERLINK l _bookmark56 特新費用化況. HYPERLINK l _bookmark56 28 HYPERLINK l _boo

10、kmark58 Fie HYPERLINK l _bookmark58 安電收入化. HYPERLINK l _bookmark58 29 HYPERLINK l _bookmark59 Fie HYPERLINK l _bookmark59 安電歸母利變化. HYPERLINK l _bookmark59 29 HYPERLINK l _bookmark60 Fie HYPERLINK l _bookmark60 安電率及利變情況. HYPERLINK l _bookmark60 29 HYPERLINK l _bookmark61 Fie HYPERLINK l _bookmark61 安

11、電費用化況. HYPERLINK l _bookmark61 29 HYPERLINK l _bookmark63 Fie HYPERLINK l _bookmark63 達導(dǎo)收入化. HYPERLINK l _bookmark63 30 HYPERLINK l _bookmark64 Fie HYPERLINK l _bookmark64 達導(dǎo)歸母利變化. HYPERLINK l _bookmark64 30 HYPERLINK l _bookmark65 Fie HYPERLINK l _bookmark65 達導(dǎo)率及利變情況. HYPERLINK l _bookmark65 30 HYP

12、ERLINK l _bookmark66 Fiue HYPERLINK l _bookmark66 達導(dǎo)費用化況. HYPERLINK l _bookmark66 30一一、為什么推薦投資第三代半導(dǎo)體材料1、功率半導(dǎo)體下游細分領(lǐng)域帶動需求爆發(fā)式增長，將帶動第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用功率導(dǎo)在子業(yè)應(yīng)用泛且技相前以硅為，帶隙寬度小，場普認為，增性大，體規(guī)模保穩(wěn)定與之有差異的是我們?yōu)?，來功率半體將現(xiàn)高能，高增，高中度的發(fā)展勢從帶第代半體料求主要因以幾：）下游興業(yè)量自率然低空間大來中產(chǎn)品片將所高端品如B、ET 品能技壁壘同步升下游高品的賴會之功率導(dǎo)市規(guī)較，高性驅(qū)新半體襯材滲率望一步升。2、貿(mào)易摩擦加劇與摩爾定

13、律見頂雙重背景下，底層材料提供了彎道超車的可能性美方對華為制裁規(guī)未縮小趨勢同加劇了方面的技術(shù)圍底層料的重要性不容忽視。方將劃限華使用國技和軟在外設(shè)和制造半體的力來護國家安，華及其列入實體單的支機生產(chǎn)以產(chǎn)品受管理例E）約，具而包括下個方面1華及關(guān)利用國制C上的件技直生產(chǎn)的品2根華設(shè)計范在國外地方用CL清上的半導(dǎo)體制設(shè)產(chǎn)的片等產(chǎn)品此類品在華為及其支機出貨需要請可。摩爾定律在硅時代接效能極限，臺積電開始2m 探索性研發(fā)，單增加制程精度的方不持續(xù)“爾律在的幾年是成路性能增長的金定。其心內(nèi)容：格維不變，集成電可納元件數(shù)，每隔1824 月便增一，將提一。據(jù)RS的觀，統(tǒng)硅體微至6納已以硅料根的爾定律即將失。

14、若導(dǎo)體以摩爾定趨勢展，需要在底材料成破。美國歐盟日韓國家和地織經(jīng)通制定研發(fā)目的式來導(dǎo)產(chǎn)發(fā)目主突破段在幾方1底材突除氮化鎵砷，碳為材的導(dǎo)技也持續(xù)破2以SP 封裝為表高度成式，定度滿了能的展求。3、新基建與消子為內(nèi)需求打開空間國內(nèi)基站端建設(shè)投力擴大，國內(nèi)需求將于。預(yù)計020 年5G 新建基有到8w座上，中部將“基站主小站輔”的組網(wǎng)方。在頻端頻高速的景第三半導(dǎo)體材的滲率將會大幅203年NF基中市規(guī)達到52美年合增長到228隨著N技進和化發(fā)NA透率有望斷升預(yù)到23 年場透將過5%。5G 宏站用的 Pwrpii率放器數(shù)在9達到8432個020年有到728萬個同比長望到4倍預(yù)計年基于N工藝的站A比由的0到

15、8。消費電子市場規(guī)模別益于快充滲透率與能汽車電子化率的提假設(shè)智手未年N快充透為%穿需度對手機有降三滲透為01們計0全球 aN 電市規(guī)為1 元22 年達到4 元在能源車中目混新源汽占能汽總的80以機電控是核元件N可于CC及BCnBdCr 車載充電機。據(jù)le預(yù)3該域市模將到0美。新能汽無是力子設(shè)市的要動也不技路i、 SC和N的市場。二二、功率半導(dǎo)體受益于下游新興領(lǐng)域快速發(fā)展1、功率半導(dǎo)體電路控的核心元器件功率C 和功率分立器占功率半導(dǎo)體的絕。功器是過制電子設(shè)備中電壓、電流、頻率以及交流（C）直流（C）的轉(zhuǎn)換，從而達控制元器的功功半導(dǎo)體屬半導(dǎo)的一細分領(lǐng)域是通變能的交直、電電流率大小從實現(xiàn)電路制的核心

16、件以分功率C和率立件大類率C 將制路和功器集在同一塊芯控集電路，主的應(yīng)產(chǎn)品電源管理承擔換分配、檢測壓電頻率功能，由在電設(shè)備統(tǒng)中每個塊所供電壓和電流不相，需電源管理對同件所需電情況行轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。率分器件要包括有管晶體晶閘管晶體占有重要的額其中S（金氧物導(dǎo)場晶體）和B（緣柵雙極型體管產(chǎn)品能優(yōu)越，制能及范有出色的現(xiàn)，年來場規(guī)增較，構(gòu)比不提。Figure1 功率半導(dǎo)體主要分類資料來源：KI、世紀證券研究所從細分產(chǎn)品來看，率導(dǎo)體因其不同的性，揮作用也有所不同。二極管具單向性，即給二管陽和陰加上正向壓時二極導(dǎo)通。當陽極極上反向電時，極管止。因此二極的導(dǎo)和截，相于關(guān)接通斷。晶閘。設(shè)用在高流高壓工，并通用于C

17、 流到C 流整以及C 流率幅的。通將閘可分為可控硅整流器（通常稱為晶閘管）和柵極關(guān)斷晶閘管（O，以上均屬高功。SET 屬于晶管的種，與標雙極晶管間的基本別在于極-漏極電流柵極壓控，使其工比需高基電流導(dǎo)通雙極體管節(jié)能。此，它有快關(guān)閉功能允許頻換，由于作可以受更的度特于家電，和C電源電設(shè)。BT 將極晶體管些特性與單器件的 SET 的特性結(jié)在一起。T 與SET 顯著異制起更挑戰(zhàn)。T 件以處理電（雙晶管）壓制如SE使適于高能量如速，型機，型旋等。Figure2 各功率半導(dǎo)體的主特性及應(yīng)用場景類型可控性驅(qū)動形式導(dǎo)通電壓特點應(yīng)用領(lǐng)域二極管不可控電流驅(qū)動單向低于1V電壓電流較小，只能單向?qū)щ婋娮?、工業(yè)晶閘管

18、半控電壓驅(qū)動單向高于1000V體積小、耐壓高工業(yè)、變頻器、電焊機MSFET全控電壓驅(qū)動雙向10-100V能承受高電壓，不能放大電壓消費電子通信工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域I全控電壓驅(qū)動雙向高于600V開關(guān)頻率高，不耐超高壓，可改變電壓軌交。工控、新能源、白色家電功率IC將功率元器件集成在一個整體的集成電路上根據(jù)不同器件類型決定控制類型驅(qū)動電壓。體積小、重量輕、壽命長、功能多消費電子、通信、計算機工控資料來源I、世紀證券研究所2、市場規(guī)模平增，來增量空間來自于興域全球市場規(guī)模平穩(wěn)長國內(nèi)市場需求有望持速增長率導(dǎo)作為電子備最元件應(yīng)領(lǐng)極廣市場?？磽?jù)kit數(shù)據(jù)28年功率導(dǎo)市規(guī)為400億元預(yù)到021年市規(guī)將至

19、41 億美，復(fù)增為41%中國全最的功率導(dǎo)消市來有保高發(fā)據(jù)Sit218年國市規(guī)到18億美增為95全球求例達，預(yù)計來國率將繼保較速增2021年場模望達到9 美，復(fù)速達從量源看，于游能以及汽車電化的提，功率半體的用領(lǐng)已從工業(yè)制和費電子拓展至光、風、智電網(wǎng)、變家電新能車等諸市場下游新型領(lǐng)市的展況功率導(dǎo)未增要保。Figure3 全球功半導(dǎo)體市規(guī)模及增速Figure4 國內(nèi)半導(dǎo)體市場規(guī)及增速504040303020201010500全球功率半導(dǎo)體（億美元）（%）214215216217218 219E 220E 1%1%8%6%4%2%0%-2%-4%-6%1010101010806040200）增速%）

20、214215216217218 219E 220E 221E1%1%1%8%6%4%2%0%-2%資料來源：IH、世紀證券研究所資料來源：IH、世紀證券研究所從應(yīng)用范圍角度任需要電能轉(zhuǎn)換電能與號轉(zhuǎn)換地方都需要率導(dǎo)體。從應(yīng)用功率看，可以劃分為四應(yīng)場景：費電產(chǎn)家電功圍100：功率導(dǎo)費品中制電率出和效核元。在白色家中，化應(yīng)技術(shù)以變頻求，得功率導(dǎo)體是白色家電向能的心。能汽及據(jù)，功圍1010：新能源汽的電化占快速提升目前能源相比于油車子零件價加5倍增的率導(dǎo)器的能和率率電汽車運行關(guān)，件要用逆器電控系統(tǒng)。功率半導(dǎo)保證據(jù)中不間斷供以壓穩(wěn)方面具有要作，主用于流電和AC逆S是C必需備極程增加了服務(wù)系統(tǒng)功率導(dǎo)體元件

21、使未來化鎵的使和能比例算將續(xù)加據(jù)心功率導(dǎo)使的度。再及通，功圍1k0可再生能電需要功率半導(dǎo)，因可再能源不規(guī)，需的發(fā)電效率才實現(xiàn)濟可續(xù)發(fā)展。每兆時為礎(chǔ)，風電需要傳統(tǒng)煤電多0的率體價量。使用BT 變驅(qū)越來多取工應(yīng)中的統(tǒng)機因它們可以著高效半導(dǎo)對工的一自動也關(guān)要工業(yè) 0革在大度取決增的率傳器半體容以動工廠的器能網(wǎng)儲，范圍00kW以：可再生能（特是風和太陽能的消對于能電網(wǎng)的定性來了大的挑戰(zhàn)電能難以儲也為儲帶來更大難度。有的能存儲于向可再能源發(fā)的更高貢的轉(zhuǎn)至關(guān)要，并且要再有效轉(zhuǎn)換能即率導(dǎo)。Figure5 功率半導(dǎo)體按照輸功率分類的應(yīng)用場景資料來源：KI、世紀證券研究所3、國內(nèi)是最大消費市，自給率不足0%功率

22、C與功率分立器件場份額占比接近各TST在分立器件中占比較大全率半體場功率C功率立件乎分了整個場額據(jù)lSer據(jù)分析208率和功器全市份分為54和6中在功分器市中， ST和T比大，為1和15功率極管整橋比稍低為。Figure6 018年球IBT場格局Figure7 018年球MSFT市場格局其他英飛凌33%34%威科電子5%三菱賽米控10%8%富士電機10%英飛凌27%其他38%安森美13%瑞薩芝7%8% 7%資料來源：I、世紀證券研究所資料來源：I、世紀證券研究所在中國功率半導(dǎo)體場電源管理、ST 和T 合計據(jù)了95%的市場份額管理C占高達61比SET和 BT場為和得于游費電新源、通訊行近年發(fā)，電

23、理C市保健增，止8中國源理C 市場已達843億元同未來隨能汽行業(yè)的速FT和T將來闊成長間。Figure8 018年全球功率半產(chǎn)品結(jié)構(gòu)Figure9 018年國內(nèi)功率半體產(chǎn)品結(jié)構(gòu)BT2%12%功率二極整流橋15%功率54%SET 17%5%BT14%SET20%電源管61%資料來源：IH、世紀證券研究所資料來源：IH、世紀證券研究所中國為全球最大的費和進口國隨游新興發(fā)展加快空間明顯。于功半導(dǎo)下游應(yīng)廣泛市場認為行增速性不，整體規(guī)模持穩(wěn)。與有差異的，我認為未來功率導(dǎo)體呈現(xiàn)性能，高增長，高集中度的發(fā)展趨勢，主要原因有以下幾點：1）下游新興行業(yè)增量顯著：游車電子代的新應(yīng)增速進步快，去傳統(tǒng)電子控系統(tǒng)電、電

24、控、池三對率半導(dǎo)的需爆發(fā)式增，設(shè)5 能源車場模到0 億，照車子化率30測算新汽車的子器增為50億元自給率仍然偏低替代空間巨大國內(nèi)求加給率足0從內(nèi)外產(chǎn)業(yè)的比假自給達到50，內(nèi)少仍有50 美的場空間增量；3）未來集中度會進一步提升，產(chǎn)品碎片化將有所改善：由于產(chǎn)品種繁，體為片化但分品如B、FT 品性能和技術(shù)壘提下游對高產(chǎn)品依賴會隨之增，細領(lǐng)集中度升必趨。Figure10208年全球功率導(dǎo)體市場份額Figure1 218年中國功率導(dǎo)體市場份額14%德州儀器9%7%其他61%5%高通4%14%安森美8%8%其他58%6%Dialog 6%資料來源：I、世紀證券研究所資料來源：I、世紀證券研究所三三、第三

25、代半導(dǎo)體材料是功率半導(dǎo)體躍進的基石1、第三代半導(dǎo)材料對能提升有明顯優(yōu)勢第三代半導(dǎo)體材料碳硅氮化鎵為代表極性能優(yōu)勢三半材料指隙度顯于i寬帶導(dǎo)材，主括C、金剛等因禁大于等于3 子，又稱寬帶體材第二半導(dǎo)材相第半導(dǎo)材具高導(dǎo)、高擊穿場高和電漂移速率高鍵能等點，可以足現(xiàn)子技術(shù)對高溫高、高頻以高輻惡條件的新求。三半導(dǎo)體材料航空航天光存儲等域有重要用前景，寬帶訊、太陽車半照網(wǎng)眾略行可低50以上的能損以裝備積小5上是半體業(yè)一躍進的基。Figure12 三代半導(dǎo)體材料特征發(fā)展歷程代表材料主要特性第一代半導(dǎo)體材料i、主要應(yīng)用于大規(guī)模集成電路中，產(chǎn)業(yè)鏈十分成熟，成本低；e材料主要應(yīng)用于低壓、低頻、中功率晶體管及光電探

26、測器中 ；目前95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路都是由i材料制作。第二代半體材料as、InP等直接帶隙、光電性能優(yōu)越；適用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料，廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通訊、移動通訊、光通信、PS導(dǎo)航等領(lǐng)域； as、InP 材料資源稀缺，格昂貴，并且還有毒性，能污染環(huán)境，InP 甚至被認為是疑致癌物質(zhì)，具有一定的局限性。第三代半導(dǎo)體材料SiC 、aN等寬禁帶半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2e，具有可見光至紫光發(fā)光特性，抗高壓、高和高輻射性能優(yōu)越，可承受大功率；主要應(yīng)用于半導(dǎo)體照明、電力電子器件、激光器和探測器等領(lǐng)域。資料來源賽迪智

27、庫、世紀證券研究所半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了次顯的換代和發(fā)展。半導(dǎo)材是S、e 等單質(zhì)半導(dǎo)材料由于具有出色性能成勢，目前然是成電等半體要用材料第代導(dǎo)材以s和P 材為代表第代導(dǎo)材在物結(jié)上有接隙的點相于i材具有光電能佳工作率高、抗溫輻射優(yōu)勢，可應(yīng)用光電件和頻件第代導(dǎo)體以N和C材料代969年實現(xiàn)了N 晶膜備。994 年村二了第支亮的N基光E81C體人合95年飛浦驗的Lly發(fā)明SC的華長物理相輸即PT法后經(jīng)改后的 PT為C晶的主方。材料分子結(jié)構(gòu)導(dǎo)致天能優(yōu)勢三體料相于Si材具禁帶寬度更電飽和移速度較等特制出的半導(dǎo)件有電性能優(yōu)異高速高頻大功率、溫高輻特征，備應(yīng)光電器件器和力子器的天能勢。Figure13 第三代半導(dǎo)體

28、與特性對比材料性能iCaN禁帶結(jié)構(gòu)間接帶隙間接帶隙直接帶隙禁帶寬度e）1.13.33.4電子遷移率10m/Vs）135010002000電子飽和漂速度（10m/s）12.22.7相對介電常數(shù)1.99.78.9熱導(dǎo)率（W/cmK）1.494.91.3擊穿場強M/m）0.32.83.3對應(yīng)器件理論高工作溫度（）175600800資料來源賽迪智庫、世紀證券研究所2、產(chǎn)業(yè)應(yīng)用集在襯底射頻器件，225年滲透將達到50以上aN襯底技術(shù)難度較光電子領(lǐng)域中較為熟目前iC襯技相對簡單主要備程分為步步C料在晶中溫升華之在晶中成SC二通對C錠行加切割、研磨拋到明半透、損層低糙的C 片即襯底N 底生主要用VE氫氣相延

29、法制技術(shù)仍有提業(yè)量低致N襯密度價較前只有激器少器采用aN 質(zhì)底；aN 力電器的底采用i底部企藍寶襯N質(zhì)的件研中N射頻件是C 高半絕襯，數(shù)業(yè)用Si 做底N 電子器是N材最的領(lǐng)域基藍石SC和i底石產(chǎn)業(yè)經(jīng)入熟段。高技術(shù)門檻導(dǎo)致第代導(dǎo)體材料市場以日頭壟占，國內(nèi)企業(yè)在S襯底方面以4英寸為主目內(nèi)經(jīng)發(fā)了6英導(dǎo)性SC襯和高純緣C底東天公司北天達公和北光體公司分別與大、中院物理所中科半導(dǎo)所進行技合轉(zhuǎn)化，在C晶底成自技體內(nèi)已現(xiàn)4寸底量產(chǎn)；時岳天合達河同、能均成6英襯的研發(fā)中科備成研制出6 寸絕。在N 襯底面國內(nèi)企可小量產(chǎn)2英襯底具備4寸襯生能開發(fā)出6英襯樣。已實產(chǎn)化企包蘇州米的州維科技公司和大的東市中鎵半體科公其

30、中蘇州維目已推 4英襯產(chǎn)，且展6英襯片。先進半導(dǎo)體材料已升國家戰(zhàn)略層面，05 年目標滲透率超過0。底層材與術(shù)半體展的礎(chǔ)學(xué)在25 中國造，別第三代半導(dǎo)體單晶襯底、光電子器件模塊、電力電子器件模塊、射頻器件模塊等細做了劃在務(wù)提到05實在5G通高效能源的產(chǎn)率到50在能汽費電中現(xiàn)模，在通照市滲率到80以。Figure14205第三代半導(dǎo)材料發(fā)展目標材料性能細分重點及市場空間2025年任務(wù)目標第三代半導(dǎo)體單晶襯底8英寸iC，46英寸a，2-3 英寸IN 單晶襯底制備技術(shù)，大尺寸、高質(zhì)量第三代半導(dǎo)體單晶襯底的國產(chǎn)裝備根據(jù)oe 的預(yù)測，到03 單晶襯底市場規(guī)模復(fù)合增速將達 15%，將 17的10余萬片需求增

31、約40片，其中光子應(yīng)用復(fù)合增速將達37%第三代半導(dǎo)體光電子器件，模塊50W以上aN紫外L208年全球D市場規(guī)達2.99億美金預(yù)計到203年市場模將達9.91億美金2018203年AR達到27%。關(guān)鍵戰(zhàn)材料：進半導(dǎo)材料2025 實現(xiàn)在5G 通信、高效能源管理中的國產(chǎn)化率達到50%在新能源汽車消費電子中實現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用，在通用照明市場滲透率達到80%以上。第三代半導(dǎo)體電力電子 器件，模塊15kV上iC電力電子器件制備關(guān)鍵技術(shù)高質(zhì)量aN電力電子器件設(shè)計與制備，高電壓、高速軌道交通、消費電子、新能源汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用根據(jù) A 統(tǒng)計，2018 年國內(nèi)市場 iaN電力電子器件的市場規(guī)模約為28億元同比增長6%計

32、未來五年復(fù)合增速為38%到2023年Si、 aN 電力電子器件的市場規(guī)模將達到148億元第三代半導(dǎo)體射頻器件，模塊100MHz及以上的aN微射頻器件和模塊5G移動信和衛(wèi)星通信領(lǐng)域中的應(yīng)用2018 年第三代半導(dǎo)體射頻電市場模約為24.5 億元，同比增長國防航空仍然占主要市場，223 年場規(guī)模將有望達到250億元資料來源中國制造2025、世紀證券研究所3、底層材料突摩爾律延續(xù)的關(guān)鍵摩爾定律在硅時代nm接近效能極限摩在去年集成電路能增黃定律。其心內(nèi)：價維持不變，集電路可容件目隔1824個便增倍，能將倍。根據(jù)RS 的點傳的硅體微至6 已達限以材根基的摩爾律即失若半導(dǎo)體以摩定勢發(fā)展，需要底層材料中形成破

33、。國盟、日韓國地區(qū)織已經(jīng)通制定發(fā)項目的方來導(dǎo)業(yè)。Figure15 摩爾定律：191-218 年集成電路晶體管數(shù)量變化資料來源：ur ld n dta世紀證券研究所超越摩爾定律新材料突破路徑之一前上過99的成路是以一元半體料之，i、鍺料在20 紀50 代有過高光時，廣應(yīng)用低壓、低、中率晶管以及光探測中，到了60 年后因溫和輻性較，藝更、本高漸被硅材料取代。第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料iC、N 等)，因其禁帶寬度E大于于3 電伏V)得。三半材料有越性和能帶結(jié)構(gòu)廣泛于射器件、光器件功率件等制造具有大的展?jié)摿?。目前第三代半?dǎo)體材料已逐漸滲透 5、新能源汽車、綠色照明新興域被半體行的要展向。美歐等經(jīng)濟體持續(xù)大

34、合物半導(dǎo)體投入8美國歐等家組織啟了過5研目其美的發(fā)持力最8國能源部（DE、國防先期研究計劃局（A、和國家航空航天局（S電美Pwr等構(gòu)制定三半體關(guān)的研究目支總金過4億元涉光射和力子方，以期保持國在三代導(dǎo)體領(lǐng)域球領(lǐng)的地。此外，盟先啟動了 “硅高毫波洲統(tǒng)集平RA項目N項目，以占5G展機。Figure16 各國第三代半導(dǎo)領(lǐng)域研發(fā)項目地區(qū)主體（資金支持方）項目金額簡介美國國能源部）極速V充電（F）的固態(tài)變壓器（T）700 萬美元該項目為期三年總經(jīng)費700萬美元其中E提供50%的資金。項目將結(jié)合新的SiC MSFET器件。美國美國國防先期研究 計 劃 ）聯(lián)合大學(xué)微電子計劃（JMP）2 億元A 與美國30

35、余所高校合作創(chuàng)建6 個研究中心，為2025年及更遠時間的微系統(tǒng)展開展探索性研究6個中心的研究方向分別為深入認知計算、智能存儲和內(nèi)存處理分布式計算和網(wǎng)絡(luò)射頻到太赫茲傳感器和通信系統(tǒng)先進的算法架構(gòu)以及先進器件、封裝和材料。項目一：先進可靠的WBG功率模塊的設(shè)和制造美國通用電氣(E航空系統(tǒng)公司和美國能源部國家可再生能源實驗室(NEL)將共同設(shè)計和生產(chǎn)由碳化硅(Si氮化鎵(a制成的先進寬禁帶功率模塊。項目二：用于直接至低于1V PoL 模塊的雙電感混合轉(zhuǎn)換器科羅拉多大學(xué)博爾德分校的一個團隊將設(shè)計并實施一基于aN 的新型轉(zhuǎn)換器，其密度是目前市場上轉(zhuǎn)換器度的10倍，功率損耗最多可低3倍。美國電 力 美 國

36、(PoerAmeica)項目三：用于中壓級固態(tài)電路斷路的WBG 件項目四600aN柵極雙向開關(guān)北卡羅萊納大學(xué)夏洛特分校(U)的一個團隊將測試中壓(3.3kV)iC固態(tài)斷路器的能原型英飛凌公司將開發(fā)基于其olaN高電子遷移晶體管(HEMT)技術(shù)的低成本600V雙向70mhm 開關(guān)充分利用aEMT的獨特雙向特性。項目五：研究生寬禁半導(dǎo)體電力電子器件驗室北卡羅來納州立大學(xué)(NSU)的一個團隊將建立一個完全專注于寬禁帶電力電子器件的設(shè)計制造和表征的研究實驗室課程并PorAeria成員傳播課程以加速新工程師的教育。項目六：加入WBG 導(dǎo)體開關(guān)和電路的電電子教學(xué)實驗室北卡羅來納大學(xué)夏洛特分校(U)的研究人

37、員將開發(fā)具有即插即用功能的模塊化功能教育性高頻功率電板。歐洲歐盟硅基高效毫米波歐洲系統(tǒng)集成平臺” 項目（SERA）-EENA 項目于2018 年1 月份啟動，為期36 個月。 SERA 項目旨在為毫米波多天線陣列開發(fā)波束形成系統(tǒng)平臺，并實現(xiàn)超越主流MS 集成的混合模擬/數(shù)字號處理架構(gòu)的功能性能。歐洲歐盟“5GGaN2”項目2000萬歐元8個國家的7個研究和工業(yè)的合作伙伴參與該項目項目于208年6月份啟動期36個月該項目目標是實現(xiàn)28z38z和80z的演示樣品作為開發(fā)基于aN的功能強大且節(jié)能的G蜂窩網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵技術(shù)。英國英國政府化合物半導(dǎo)體應(yīng)用創(chuàng)中心5100萬英鎊創(chuàng)新中心將加速化合物半導(dǎo)體的應(yīng)用并

38、將化合物半導(dǎo)應(yīng)用帶入生活該筆經(jīng)費將用于支持創(chuàng)新中心建設(shè)化合半導(dǎo)體實驗室測試設(shè)施和設(shè)計工作室以及提升其建和仿真工具等能力。資料來源、世紀證券研究所四四、新基建視角：5G射頻端需求帶動aN爆發(fā)式增長1、宏基站射頻器件數(shù)大增，N滲透率有望持續(xù)提升5G宏基站將加速aN代DS市場份額G商用基以64通道的大模列線主單站（頻率器求近20個，目前站功放要為DS向散屬氧物導(dǎo)體技術(shù)但是DS術(shù)頻高領(lǐng)存限5G基站N射頻 A成主技術(shù)對DS市份有的擠as件額變化大。N 較適用模（輸入出li li通據(jù)le的預(yù)023年NRF在站的場規(guī)模將到52美年合增率到8來著N術(shù)步和規(guī)模aNA滲率有不提預(yù)到23年場透將超過85。Figur

39、e17 aN將逐步代LMS市場份額Figure18209年起5G基將走向建設(shè)高峰5基站建設(shè)投資額（億元)5基站建設(shè)數(shù)量（萬個)1001001008060402000E1E2E3E資料來源：ole、世紀證券究所資料來源：工信部、前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、世紀證券研究所射頻器件數(shù)量成倍為后續(xù)主要增長動28年站域N射頻器件為5億元占N頻件場的3份額5G代領(lǐng)域射器以N 器件主著G 的實，0 市規(guī)模會出現(xiàn)顯增。并，為了充利用間資，提高頻效率率率，大規(guī)模多輸入多輸出（ssve ）技術(shù)應(yīng)運而生，通過在基站安裝幾百千根線，現(xiàn)大量天同發(fā)數(shù)，為此將動功放大等射模的求得aN射器的模增長。Figure19 aN射頻器件需量Fi

40、gure20MssveMMO在G中將大量出現(xiàn)20201010500217218219220221222223資料來源：ole、世紀證券究所資料來源：、世紀證券研究所含有N 的基站A 有實現(xiàn)爆發(fā)式增長。國G 基的A（Pr Apii，放大）量在9 達到1432 個，020年有到728萬個同比長望到4倍預(yù)計年基于N工藝的站A比由的0到8背景以為代的通信備大站A 自力和購，未市規(guī)有進一步擴。于為大基站機A 量，依以購主而在當下易制大景，正加來中本的A應(yīng)，內(nèi)N領(lǐng)域司。2、小基站性能明顯高功率高頻段環(huán)境需度提升4G時代小基站（l s）已有爆發(fā)式增長產(chǎn)品性能優(yōu)勢明顯。站可更加效改室內(nèi)度覆蓋、加網(wǎng)容量提升用戶

41、知，網(wǎng)絡(luò)署的重要組成部分。4G 時代，能夠有效覆蓋室內(nèi)或者熱點區(qū)域的小基站得了速基鑒了WLN的絡(luò)引了Fml站，分流蜂流壓力解決內(nèi)蓋的題隨著基應(yīng)范擴，以及品型富小站分包外ico內(nèi)的Pco分式io、 Fml 等，從產(chǎn)品形態(tài)、發(fā)射功率、覆蓋范圍等方面，都相比傳統(tǒng)宏站小很皮ic有低部的優(yōu)要企級用，針對內(nèi)共所（Fml要家級應(yīng)用外美觀具有易安裝、配置管理瓜化的特。從計上看，絕大數(shù)的據(jù)業(yè)務(wù)發(fā)生在室或熱區(qū)域相比宏基，站可效改善室深度蓋、增加網(wǎng)容、升戶知，而來業(yè)的關(guān)。Figure21 小基站設(shè)備形態(tài)用場景資料來源：f eek、世紀券研究所目前采“宏基為主小基站為輔的網(wǎng)方是網(wǎng)絡(luò)廣深覆的重要途徑蜂基一有3個蜂基般有

42、1個區(qū)宏站和小基站區(qū)別于，微基站設(shè)統(tǒng)一裝在源柜里，個柜加天即可實現(xiàn)署，積較。宏基站要單的機和鐵塔，備，源柜傳輸調(diào)分部體較方面5G主要用G及上的頻段，在外場下覆范圍更小受建物等擋，信號減更明顯宏基站布成本高。一方面，于宏占用積較大，設(shè)難較高站址選擇度增，而基站體積，布簡單可以充分用社公共源快速部署。5G 室外場景下，小基站和宏基站配合組網(wǎng)，實現(xiàn)成本和網(wǎng)性能優(yōu)是要發(fā)思路。5G正式開啟小基市場高功率高頻段需求一提升aN滲透率前針對4G和TE基市宏基主采用SDS功放器小站主要用As率大，但N功放透率不提。DS 功率放大器的帶寬會隨著頻率的增加而大幅減少，僅在不超過約 3Hz的率圍有比下N頻更有滿高率、

43、高通頻和效等求。隨著5G 的進小基以微站場， As 功率放大器憑借性能優(yōu)勢和較低的成本也有望占據(jù)部分市場。根據(jù) le 測As 頻件市總預(yù)到2 年將到6 億元，其中時N 頻的市規(guī)從7年8 億元到3長至3美AR超過最要增也是自基的用。五五、消費電子視角：高效能、小體積加速GN消費電子中的應(yīng)用1、以充電器為表，N支持下的快充效率翻提升N三個特點大幅提升率：開關(guān)頻率高、斷度大、更低的導(dǎo)通阻開關(guān)頻率指充頭內(nèi)晶閘管，控電子件，每秒以完導(dǎo)通、斷開的次變器恰是充電器體積大的器件之一占據(jù)內(nèi)部相當大的空。開頻高可使用積更變器。使用化鎵為變壓元件，變器和容的積減少，助于少充頭的體積重量禁帶寬度直接決電子件的壓和最高

44、作溫禁寬度越大件夠承載的電壓和度越，擊電壓也會高，率越。更低的通，直接表現(xiàn)導(dǎo)時量導(dǎo)通阻發(fā)低。2018年NR 將aN帶出實驗室。018年10月25 日NR 美國紐約布一劃代新品AER Pwr t Am D”N充電器由其載高高的N氮鎵率器而界。該款產(chǎn)品是將第代半導(dǎo)體術(shù)應(yīng)在設(shè)備上，將關(guān)術(shù)從實室向用場。Figure22ANKER快充及實參數(shù)Figure23 小米ype-5W大輸出功率發(fā)熱情況資料來源：充電、世紀證券研究所資料來源：充電頭、世紀證券研究所主流廠商依次跟進高率，小體積成最明。小米于2020 年2 月發(fā)布了N 電器ype65，夠小米Po最高供5W 充功率，米Po 配用從0 電至00僅需45

45、分。它持小米充D0 快充議并還持系ie 充官表示，用米N器yeW為P1充，電度原裝 5W 電提升約50得益新半體料N 加peCW的體比米記標的適器小約48。外，米peC6W的 UBC口持個的智調(diào)輸為款BkP小米筆大率備行大W電還大數(shù)ypeC接的電子備包括wich 。產(chǎn)搭載Eer 片，大持A 流。目前業(yè)已出種充技方，要括通ick e 技、 PPO VC閃技聯(lián)科mp xpres術(shù)、為Sr 技術(shù)vvoPR lhCe技和UBD電術(shù)。Figure24 各充電方案對比廠商技術(shù)方案技術(shù)類型技術(shù)方案特點高通uick arge高電低電高通uik hare 4+快充術(shù)集成了al arge技術(shù)智能熱平衡和電池感應(yīng)技

46、術(shù)，整體能效達97%，可有效減快充過程中的發(fā)熱量，同時，uickhage4+在充電過程中可直接測量電池電壓，使系統(tǒng)實時優(yōu)化電池充電狀態(tài)，具備突出的產(chǎn)品競爭力。PPOVC低電壓高電流最新SuperVC20快充術(shù)采用串聯(lián)雙電芯設(shè)計放電時可以利用電荷泵將雙電芯的電壓減半最大充電功率為65W在30分之內(nèi)就能充滿臺400mAh的電池的手機。聯(lián)科Pump Exprss高電低電Pumpxprs技術(shù)是全球款采用Bye-C接口進充電的快充方案充電過程中，Pumpxprs技術(shù)內(nèi)置的源管理IC允許充電器根據(jù)電流決定充電所需的初始電壓電過程的電壓微調(diào)幅度僅為1mV，理論最高可提供5A充電流。華為Super arge低

47、電高電Super hage快充技術(shù)配置智能化的電源管理I，可智能識別不同充電器和數(shù)據(jù)線，匹配最佳快充方案。華為Supr harge技術(shù)可實時監(jiān)測當手機電量，并動態(tài)調(diào)整輸入電流確保充電過程低溫不發(fā)熱符合安全充電曲線在手機電量快速充滿60%后智化的電源管理IC會智能控制充電器降低輸入電流，起到保護電池的作用。vioFlaharge低電壓高電流最新SuperFlsharge12W超快閃充技術(shù)的最大充電功率達120W可在5分鐘內(nèi)將400mAh鋰電池充至5%電量，13分鐘將400mh鋰電池充滿。資料來源公司官網(wǎng)、世紀證券研究所從消費電子快充市來，未來隨快充需求與N 滲透率不斷提升，年市場規(guī)模有望達到4

48、億元。著5G 機類參不提，部射頻、處理、屏耗量在直線升，子產(chǎn)對快充的求日提升。多家商布N快目的價部用已經(jīng)以受未滲透率有逐提假能手未年N滲透為3，可穿需度對機有所低年滲為0512我們預(yù)計0球N電器場為21元22年望到8億元。Figure25 智能手機與可穿設(shè)備中aN快充測算測算項目2020E2021E2022E手機銷量（億部）13.414.0714.77帶aN快充滲透率（%）1%3%5%aN充電器價格（元）150130100市場規(guī)模（億元）20.154.8773.85可穿戴銷量（億臺）（可穿戴設(shè)備、個人智能音頻設(shè)備和智能音箱）7.187.898.68帶aN快充滲透率（%）0.5%1%2%aN充電

49、器價格（元）12010080市場規(guī)模（億元）4.317.8913.89合計（億元）24.4162.7687.74資料來源：nals、前瞻產(chǎn)研究院、世紀證券研究所2、新能源汽車場拐點至，aN功率器件空間期新能源汽車拐點已，展路徑復(fù)制智能手。能源車競格已現(xiàn)明顯政策端：球節(jié)能排，排放談判重要碼，排放的行速新汽車替?zhèn)鹘y(tǒng)油供給端：球主商劃將未發(fā)方到N保量目前球過10家車廠有劃EV新市自駕水方209年L2別駕駛產(chǎn)在分型為標，分型需裝未來L3 別自動駕有能在220 年后式從來看智化平加速提升需求端：能源車的邊變源有：車載樂及乘體，純電動與動駕帶來獨特駕駛驗，聯(lián)網(wǎng)落地及人手態(tài)化構(gòu)建樂需的源。Figure26

50、不同自動駕駛級所對應(yīng)的智能程度資料來源汽車之家、世紀證券研究所汽車電子化程度上是然趨勢直接帶動汽車業(yè)鏈價值遷移車是車體汽電子制裝和車載汽電子制裝的總稱。中控裝置包括動力總控制底盤車身電子制車載裝置包汽車息系統(tǒng)導(dǎo)航系統(tǒng)車載系、車載網(wǎng)等。傳統(tǒng)油動力車轉(zhuǎn)向池動力的過中電將呈大提中需求長為速）以智駕為期動的安系DS未來現(xiàn)人重要保障2以能艙表的載載建網(wǎng)物網(wǎng)的基需。Figure27 車電子占整車本未來趨近50%Figure28 新能源汽車是電化的重要標志()6030307%新能源汽車產(chǎn)量（萬輛）新能源汽車產(chǎn)量年增新能源汽車產(chǎn)量（萬輛）新能源汽車產(chǎn)量年增(%)50205%40204%30103%20102%

51、100150 160 170 190200210217 220E 230E500214215216217218 219E 220E 221E1%0%資料來源：國汽車網(wǎng)、世紀證券研究所資料來源：工信部、世紀證券研究所汽車電子市場規(guī)模速展，國內(nèi)市有望超千。著車能、聯(lián)網(wǎng)、安全車和能源車時代的來，車電市場規(guī)模斷擴，從車音響空電子示屏，目前已向助包全系統(tǒng)、樂信系統(tǒng)車內(nèi)網(wǎng)絡(luò)動力統(tǒng)等車其他相件上未來汽車子市發(fā)展空間還將進步增，汽電子將成導(dǎo)應(yīng)用要增長。根中國汽車工業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)，0 年全球汽車電子產(chǎn)品市場的產(chǎn)業(yè)規(guī)模預(yù)計將達到 2400億元其我車電市規(guī)將過58美。Figure29 汽電子涉及主環(huán)節(jié)Figure30

52、全球與國內(nèi)汽車子市場規(guī)模（億美元）300球中國200200100100500211 212 213 214 215 216 217 218 219 220資料來源：f ek、世紀券研究所資料來源：中汽協(xié)、世紀證券研究所第三代半導(dǎo)體材料率件對于電機控電三大核心元件的效提具有重要意義。燃和新能車方面：國六排要背景，主流車選以V輕為過時的案在新源型前混動新能源汽車占新能源汽車總量的 8%以上，電機與電控是核心元器件。 N用于CC以及CnBdChager 車載電據(jù)ole的預(yù)203該域市場模到200美能汽無電力子備場驅(qū)動，是同術(shù)線S、C和N的主要場。Figure31 V絕大部分零件將被電子元器件代替資料

53、來源：汽車之家、世紀證券研究所汽車電子涉及高功的動系統(tǒng)與低功率的制統(tǒng)目前解決方案并不一。從術(shù)而N 功率在4V 混力汽領(lǐng)將有強的競力C適大率主變Si基N率電技合功率CC和CDC器。計到025，部分輕車用8V逆變同時N率件也用車充B目部企正在設(shè)與SC與N 容的C 決若aN方本技足夠成，N在能車C上使可性會大提。Figure32 新能源汽車驅(qū)動統(tǒng)及控制系統(tǒng)中主要的功率元器件拆分資料來源安森美半導(dǎo)體、世紀證券研究所未來前景看好，目前穩(wěn)性仍待提高。于新汽的用，率需求相對較，如混合力車型上包含力系在內(nèi)的電元器的成本占比經(jīng)到0對件穩(wěn)性可性要非常長間的質(zhì)量證程此中需投大的發(fā)而SC功器也將在如能汽與N功器成的競

54、。這下， N功器在能車領(lǐng)的用展能需要長間另汽車光達數(shù)存心絡(luò)蹤應(yīng)是N功器新的應(yīng)用市，于aN功件的能越，來場預(yù)較，據(jù)le的預(yù)述用場來5年年增超過分商已在高端設(shè)用N功件因此N功器來的場展況了受到有既市的響之，興場影力也容視。Figure33 新能源汽車與傳燃油車半導(dǎo)體價值量拆分資料來源Infinon、世紀證研究所六六、相關(guān)上市公司1、海特高新公司是我現(xiàn)代機機設(shè)備維修模最、維設(shè)備最全用戶面最廣的空修子司海華在先供六吋化（A）集成路純圓工o）務(wù)在三導(dǎo)（鎵N）領(lǐng)域擁有際領(lǐng)、一流的技；在球氮鎵芯片專技術(shù)于一流梯隊公?？偣?49項中半是利前建國首條6 吋半體商產(chǎn)線解了國化半導(dǎo)產(chǎn)鏈制造節(jié)的瓶，現(xiàn)高芯片主控替代。

55、公司前完砷鎵、化、化及化銦的6項藝品的開發(fā)，支造功放大器、頻低噪大器、關(guān)、電探測器、激光、電電子產(chǎn)品，業(yè)涵蓋空、天、衛(wèi)星消費子等域，品泛用于5G移動信AI工雷達汽電、力電子纖訊D知新能防領(lǐng)目公部產(chǎn)已實現(xiàn)量，務(wù)戶和單持增。Figure34 海高新營業(yè)收變化Figure35 海特高新歸母凈潤變化營業(yè)收入（億元）同比增長（%）9797%86%75%64%53%42%31%20%1-1%0-2%11000(0)(0)(1)歸母凈利潤（億元）同比增長30%20%20%10%5%0%-5%-10%-1-20%-20%資料來源：Wind資訊、世紀研究所資料來源：Wind資訊、世紀券研究所Figure36 海

56、特高毛利率利率變化情況Figure37 海特高新三項費變化情況806040200-20毛利率（%）凈利率（%）銷售費用（%）管理費用%）財務(wù)費用（%）50454035302520151050-40資料來源：Wind資訊、世紀券研究所資料來源：Wind資訊、世紀券研究所2、三安光電三安光電資子司廈市三安集電路要提化合物半體晶代工務(wù)，工藝力涵微波頻、電力子、通訊濾波器四產(chǎn)品，要應(yīng)用于5、大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、電動汽車、智能移動終端、通基站導(dǎo)域。公司電力電子業(yè)務(wù)已推出高可靠性，高功率密度的碳化硅功率二極管及 ST硅基化率器品要用新能汽電伏逆器電市通訊務(wù)產(chǎn)EAD等數(shù)通產(chǎn)品的能力，產(chǎn)品主要應(yīng)用于光纖到

57、戶，5G 通信基站傳輸，數(shù)據(jù)中心及消類的D 探測應(yīng)市；波業(yè)務(wù)線備到并進入全面安調(diào)段，計今年產(chǎn)全面建完投產(chǎn)。目，整銷售模較，與名端應(yīng)廠都業(yè)對，未市前可。三安成目規(guī)地281 畝總資額30 元，劃為0 片/年s 速導(dǎo)外片、0 片年As 速半體片6 片年 N 高率導(dǎo)外、6萬片年N 功半導(dǎo)芯。網(wǎng)示，三安成微射領(lǐng)已建專化化的4 英、6 寸合晶圓制產(chǎn)線在子領(lǐng)域推高靠性功率的C率極管及基化功器件Figure38 三安光營業(yè)收變化Figure39 三安光電公司歸凈利潤變化90807060504030201008%7%6%590807060504030201008%7%6%5%4%3%2%1%0%-1%-2%-3

58、%358%306%25%2%200%15-2%10-4%5-6%0-8%資料來源：Wind資訊、世紀券研究所資料來源：Wind資訊、世紀券研究所Figure40 三安光毛利率利率變化情況Figure41 三安光電三項費變化情況毛利率（%）凈利率（%）6050403020100銷售費用%）管理費用（%）財務(wù)費用（%2-4資料來源：Wind資訊、世紀券究所資料來源：Wind資訊、世紀券研究所3、斯達半導(dǎo)公司5成之即始研發(fā)T塊幾專注深耕T道，目前T模產(chǎn)已過0種電等蓋V。公司在T塊深厚累還現(xiàn)游分芯的術(shù)破9年上年司片給已到據(jù)S據(jù)7年司國唯一進世前的T模塊應(yīng)，球第10，國名第1在

59、公在T領(lǐng)技優(yōu)勢先優(yōu)將定司長行龍地。公司市募新目行中新源車用T 模擴項：項預(yù)計資5億，設(shè)點在海之公汽用T塊產(chǎn)地，形成產(chǎn)0個能汽用T模的能力全達后目預(yù)計年現(xiàn)銷售2 億年均實利潤4 元PM 塊目計劃投資2元形產(chǎn)0個PM模的產(chǎn)力全達后目預(yù)計實售5億均可現(xiàn)潤7元公在PM領(lǐng)相技術(shù)儲備已為成，大擴產(chǎn)將推公司得更的市場份，提公司在行業(yè)領(lǐng)地。Figure42 斯達半營業(yè)收變化Figure43 斯達半導(dǎo)公司歸凈利潤變化營業(yè)收入（億元）同比增長（%）987654321021542164217421846%5%4%2%1%0%歸母凈利潤（億元）同比增長（%）211111000215421642174218410%10

60、%10%8%6%2%0%資料來源：Wind資訊、世紀券究所資料來源：Wind資訊、世紀券研究所Figure44 斯達半毛利率利率變化情況Figure45 斯達半導(dǎo)三項費變化情況銷售毛利率（%）銷售凈利率（%）3530252015105021542164217421842194銷售費用率（%）管理費用率（%）財務(wù)費用率（%）20181614121086420215Q42164217421842194資料來源：Wind資訊、世紀券究所資料來源：Wind資訊、世紀券研究所七七、風險提示1、研發(fā)進度不預(yù)期目前第三半導(dǎo)材料電子特性以展出巨的優(yōu)勢，仍依后續(xù)技術(shù)若頸以突，研不預(yù)的風。2、替代效果不預(yù)期目前硅