1、單晶圓離子注入機單晶圓離子注入機Optima XE是一款用于DRAM、NAND和NOR閃存、嵌入式存儲器和邏輯器件制造的高能離子注 入機。它可以提供從10 keV到4 MeV范圍的能量。該注入機將公司的RF Linac高能束斑技術與高 速、一流的單晶圓終端平臺結合在一起。先進的束斑技術可以保證在晶圓上所有離子束的角度相同，可以獲得高質(zhì)量的工藝控制和最大化成品率。高度精確控制硅片位置片座VIISta Roplat是為高傾斜角度離子注入設計的，可用作高度精確控制硅片位置的片座。Roplat在X、 Y軸方向均可傾斜60，為環(huán)圈式（halo）、SD、SDE和象限式（quad）離子注入提供便利。通過 傾

2、斜器的簡單轉(zhuǎn)動而使晶片重新移動和重新定位的方法，即使quad離子注入，其產(chǎn)能也能維持在 300wph以上。單晶片靜電晶座的傾斜角度變動可以控制在0.2。以內(nèi)，使高電流、中電流和高能量 離子注入的入射角度變動降到最低水平。為高度凹凸不平表面設計的光刻系統(tǒng)該光刻技術適用于高度凹凸不平的表面，它包含噴霧式光刻膠涂布系統(tǒng)（spray coating，專利 在申請中）、全方位曝光掩模版對準系統(tǒng)和大曝光間隙光學系統(tǒng)。通過這些系統(tǒng)可以在嚴重凹凸不 平的表面上得到最佳圖形轉(zhuǎn)移能力。新的噴霧式涂布系統(tǒng)采用新穎的光刻膠涂布方式，使光刻膠在 平坦和凹凸表面上形成分布均勻的涂層；結合專為大聚焦深度優(yōu)化的對準系統(tǒng)，該技

3、術可以在凹凸 變化達幾百微米的平面上部、底部和斜面結構上得到精準的圖形。步進型光刻機NSR-SF200是世界上第一臺KrF Excimer Laser寬曝光范圍步進型光刻機，可在90nm以下工 藝制程的300mm硅圓片量產(chǎn)線上與ArF光刻機實現(xiàn)Mix&Match的高性價比。而且在26x33mm的 寬曝光領域中實現(xiàn)了 150nm以下的高解像度，發(fā)揮了新一代DRAM和MPU的中間層光刻威力。 另外，最新的i線寬曝光范圍步進型光刻機“NSR-SF130”在新一代的DRAM和MPU的非細線寬 層曝光上發(fā)揮了威力，與DUV Excimer光刻機實現(xiàn)Mix&Match最優(yōu)，在300mm硅圓片上達到同 行業(yè)

4、中最高水平的每小時120片的處理速度薄膜蝕刻和沉積Shuttleline結合了四套系統(tǒng)的技術，適用于R&D和試產(chǎn)階段。它是為薄膜蝕刻和電介質(zhì)沉積 包括ICP、RIE和PECVD開發(fā)的多工藝操作平臺，適用于一系列應用包括LED、HBT、HEMT、 SAW、光電器件和MEMS。其工藝反應器裝備了標準的真空鎖（loadlock）和界面友好的操作軟件。光刻膠涂布與顯影系統(tǒng)CLEAN TRACK LITHIUSTM依托CLEAN TRACK ACT的平臺的技術優(yōu)勢，以制造出穩(wěn)定的7 0 nm技術的制品為目標?？傮w檢查和線寬（CD）測定技能裝載在從本裝置的制程處理部件獨 立出來的測定器裝載件（MIB）內(nèi)。

5、CLEAN TRACK LITHIUSTM的CD測定，運用了ODP（Optical Digital Profilometry）技術予以解決。這一技術是針對反射光光譜的變化，實現(xiàn)劃時代的高速演算， 計算出CD值。將ODP技術與分光反射計相結合，作為模塊裝載在CLEAN TRACK ACT和CLEAN TRACK LITHIUS內(nèi)。這一模塊組裝后，可對CD進行實時監(jiān)控，一旦發(fā)生制程異常不僅可迅速應 對，而且可實現(xiàn)制程的高度控制。另外，這一系統(tǒng)可減少非生產(chǎn)晶片數(shù)，在光刻工序結束后無須將 晶片傳送到非線上的測定機作測定。從而縮短了光刻系統(tǒng)全體TAT （Turn Around Time），提高了生 產(chǎn)效

6、率。單晶圓表面清洗設備單晶圓表面預旋轉(zhuǎn)清洗設備Da Vinci （達芬奇）系列，代表了業(yè)界第一個高產(chǎn)能的濕式旋轉(zhuǎn)處 理解決方案。Da Vinci系列產(chǎn)品包括一些最初的產(chǎn)品、300毫米DV-38F以及新近推出的DV-28F、 DV-34BF和DV-24BF，它們用于后段工藝過程（BEOL）聚合物的清洗，背面蝕刻和清洗以及新興 應用的處理，如用于90納米以及以下技術標準200毫米和300毫米晶圓制造的高k （介電率）、金 屬門極、鐵電存儲（FRAM）和磁隨機存儲（MRAM）等技術。Da Vinci?系列的主要優(yōu)勢包括：最 大的產(chǎn)出量，最小的空間占用，減少的介質(zhì)損耗，靈活的化學應用等。外延反應爐LP

7、E PE3061外延反應爐適合小批量、高靈活性和多種工藝，如新一代分立器件技術、IGBT、 PowerMos及薄層、掩埋層，它使用低頻IGBT功率發(fā)生器加熱，可以節(jié)省電力；外延片質(zhì)量接近 于單片爐產(chǎn)品；成本（COO）接近于高產(chǎn)能外延爐，是業(yè)界唯一可淀積外延膜厚達200微米以上的外 延反應爐。臭氧化去離子水生成系統(tǒng)IL fcLIQUOZON是IC制造和薄膜工藝中為晶片和襯底清洗提供超純凈臭氧化去離子水（DIO3）的整合系統(tǒng)。當去離子水（DI）的流速為50L/min時，溶解的臭氧（O3）濃度最高可達65ppm。該-系統(tǒng)清潔、安全，是傳統(tǒng)化學清洗的替代技術，大大減少了有毒廢棄副產(chǎn)物的產(chǎn)生。作為第二代

8、系統(tǒng)，LIQUOZON不僅減小了占地面積，而且降低了化學品和去離子水的消耗量，安裝也更加容易， 成本更低。臭氧化去離子水可以在用戶端通過臭氧濃度快速反饋系統(tǒng)進行控制。該系統(tǒng)幾乎不需要 任何維護，MTBF大于20，000小時。未溶解的臭氧在進入廢氣排放系統(tǒng)前會重新轉(zhuǎn)變?yōu)檠鯕狻Ｔ?系統(tǒng)的設計還避免了 NOX的產(chǎn)生，減少了對金屬管道的污染和損害。鼓式混合機用于CMP研磨漿料和高純度化學品的PureBlend混合機可裝配到鼓式、槽式混合機以及儲存 罐中，進行快速或低速的漿料和化學品混合。利用100%的PFA或聚丙烯中的空槳葉和攪拌墊可以 消除沾污風險。低速混合動作可以快速有效地完成混合，并且抑制了剪切

9、力引發(fā)漿料團聚的可能。如果加裝了可選的轉(zhuǎn)速機，則可進一步監(jiān)控攪拌速度。CMP研磨墊VisionPad 500是一款CMP研磨墊，可以降低65 nm及以下工藝節(jié)點中淺槽隔離和層間介電材料的 缺陷。其特點是采用了先進的高分子材料可以降低所有商用掩膜漿料造成的缺陷。該研磨墊還對墊 上孔的尺寸和孔的密度進行了優(yōu)化，將CMP引起的劃痕和擦傷降低了 50%。FA刻蝕設備Plasma Accelerator干法刻蝕設備主要用于先進芯片的失效分析。它具有更高的刻蝕速度、高質(zhì)量的 復制率、直觀的操作和低損傷，可以支持全范圍的干法刻蝕失效分析流程。該工具可以去除鈍化層 和金屬間/層間介電材料，可以保證獲得清潔、平

10、滑的刻蝕平面，而不產(chǎn)生金屬分層或腐蝕現(xiàn)象。Primo D-RIE介電質(zhì)刻蝕設備Primo D-RIE是一款用于300mm晶圓制造的多反應室、雙反應臺室介電刻蝕系統(tǒng)。具有單芯片獨立 加工環(huán)境。此設備擁有具自主知識產(chǎn)權的、甚高頻和低頻混合射頻去耦合反應離子刻蝕的等離子 體源，可加工65、45納米芯片，并可延伸到下一代更高端芯片制造。系統(tǒng)可安裝多達3個反應器， 包括6個單芯片反應臺，在占用較少潔凈室空間的同時，大大提高了芯片加工的輸出量?？涛g機的 應用包括極深接觸孔刻蝕、硬模板刻蝕、金屬接觸孔刻蝕、淺槽刻蝕等各種介電質(zhì)刻蝕。量計量工具Metryx Mentor SF3內(nèi)嵌的Mentor SF3是一種

11、單一負載端口 300 mm的質(zhì)量計量工具，該工具可監(jiān)測任何一個流程步 驟之后發(fā)生的所有產(chǎn)品晶圓的質(zhì)量變化，從而快速確定該設備制造的制程是否如預期般順暢進行。 該工具使流程變化在沉積、濕蝕、干蝕或是化學機械研磨(CMP)制程后能夠被可靠精確地測定。Mentor SF3提供原子層計量精度并可測量精度等同埃(?級材料厚度的質(zhì)量變化。小型Mentor SF3工具每小時能夠計量60個晶圓，可對產(chǎn)品、測試和空白晶圓實施納米技術質(zhì)量測量一一不論基片尺寸或材料。作為一項獨立工具的SF3在正常用戶界面右側90度的位置擁有一個單獨的300mmFOUPo300mm/200mm PVD 系統(tǒng)全自動晶圓檢測系統(tǒng)MX20

12、00IR鎢CMP研磨墊調(diào)節(jié)劑300mm/200mm PVD 系統(tǒng)全自動晶圓檢測系統(tǒng)MX2000IR鎢CMP研磨墊調(diào)節(jié)劑Clusterline 300是多模組單晶圓工藝的高產(chǎn)量生產(chǎn)系統(tǒng)。它的特定設計可滿足最大300mm晶圓工 藝，還有200/300mm轉(zhuǎn)換裝置。最多可配備6個完善的工藝腔體從而實現(xiàn)工藝的高度靈活性和最 佳的產(chǎn)能。主要應用領域是先進的封裝及背面金屬化等，最新開發(fā)的超薄晶圓工藝能力適合于費用 級敏感元器件的制造。新型的Clusterline200 II提供先進的最大200mm晶圓工藝的批量生產(chǎn)設備。 開放式系統(tǒng)架構實現(xiàn)了簡易靈活的系統(tǒng)配置用于PVD、PECVD和預刻蝕的工藝。它可應用

13、于許多 尖端和特殊工藝領域，例如：薄片晶圓工藝、先進封裝(包括3D封裝)、RF-MEMS、壓電式、BAW、 IC互連線及其他特殊的薄膜濺射。除了作為桌面型解決方案的晶圓檢測系統(tǒng)MX100IR外,Viscom還提供具有自動處理功能的檢測系 統(tǒng)MX2000IR。這一解決方案最適于對半導體生產(chǎn)過程中的大批量和中型批量產(chǎn)品進行檢測。MX2000IR系統(tǒng)的運用范圍有:對微機電系統(tǒng)(MEMS)、Wafer-Bonds、絕緣體上硅(SOI)、FlipChips、 裸晶圓以及光電學領域產(chǎn)品的檢測。其中，晶圓可以由各種材料如硅、砷化鎵或者三五價化合物半 導體組成。3000系列是用于鎢CMP的金剛石研磨墊調(diào)節(jié)劑，

14、采用共燒技術控制金剛石的放置，并具有強勁的 金剛石保持能力，會降低可能的微劃痕。嚴格的平坦度規(guī)格提高了研磨墊消耗的均勻性和平坦度， 可獲得優(yōu)化的研磨墊壽命。改進的工藝性能可以提供一致的去除率，可以減少晶圓的非均勻情況以 及降低缺陷率。介電層刻蝕系統(tǒng)Lean Etch是一款為需要腐蝕介電層的客戶開發(fā)的制造系統(tǒng)。其主機具有高產(chǎn)量的特點，帶有晶圓 處理系統(tǒng)，可以實現(xiàn)200 wph的吞吐率。高度靈活的模塊平臺支持多達六個獨立的工藝腔室。獨特 的“T源”等離子技術和“即刻”脈沖能力簡化了工藝調(diào)節(jié)并可實現(xiàn)無損傷的原位等離子清潔。PECVD系統(tǒng)Vector Extreme是一款PECVD工具，其生產(chǎn)率高達2

15、50 wph。該工具可以集成多達三個順序工藝操 作模塊，在一個中心晶圓處理腔的基礎上可以實現(xiàn)12個沉積臺。如果采用這樣的設置沉積用于存 儲器器件較厚的薄膜，其吞吐率可加倍。45nm光刻掩膜刻蝕技術晶體管刻蝕Carina系統(tǒng)薄膜沉積系統(tǒng)45nm光刻掩膜刻蝕技術晶體管刻蝕Carina系統(tǒng)薄膜沉積系統(tǒng)Centura Tetra III是一款先進掩膜刻蝕系統(tǒng)，可用于刻蝕納米制造技術需要的45 nm光刻掩膜。該系 統(tǒng)可以將整個石英掩模板的深度控制在低于10A范圍內(nèi)，將CD損失降低到小于10 nm，這樣可以 采用交替式相移掩模和最尖端的OPC技術。該系統(tǒng)的特征是零缺陷、高產(chǎn)率的刻蝕工藝，以及可 用于下一代光刻應用的各種材料。深槽刻蝕納米系統(tǒng)Applied Centura(R)MarianaTMTrench Etch系統(tǒng)特別針對深槽刻蝕納米制造技術，具有先進的技術性 能和優(yōu)化的生產(chǎn)能力，能夠刻蝕的深槽的長寬比達80:1，高出現(xiàn)有系統(tǒng)30%，可以擴展DRAM電 容到70nm技術節(jié)點。雙頻調(diào)諧功能夠精密控制刻蝕輪廓和臨界尺寸，使刻蝕深度不一致性小于2%。系統(tǒng)獨特的等離子化學反應提供了優(yōu)異的硬掩膜選擇性。近日，應用材料公司推出Centura Etch系統(tǒng)用于世界上最先進晶體管的刻蝕。運用創(chuàng)新的高溫技術， 它能提供45納米及更小技術節(jié)點上采用高K介電常數(shù)/