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文檔簡介

1、實驗名稱:線性掃描伏安法測定廢水中的鎘離子實驗學(xué)時:5 實驗類型:基礎(chǔ)性實驗1重金屬廢水的來源 重金屬廢水主要來自礦山、冶煉、電解、電鍍、農(nóng)藥、醫(yī)藥、油漆、顏料等企業(yè)排出的廢水。廢水中重金屬的種類、含量及存在形態(tài)隨不同生產(chǎn)企業(yè)而異。含重金屬離子廢水對環(huán)境的污染有以下幾個方面的特點: 重金屬污染物在自然環(huán)境中不能自行分解為無害物質(zhì),而只能發(fā)生形態(tài)的改變或在不同相之間進(jìn)行轉(zhuǎn)移,在這些過程中其毒性并未得到根本性的消除,若處置稍有不當(dāng),重金屬離子會返溶于水中,重新產(chǎn)生危害,形成“二次污染”; 生物體從環(huán)境中攝取重金屬,經(jīng)過食物鏈的生物放大作用,逐漸地在較高級的生物體內(nèi)富集起來; 重金屬進(jìn)入人體后能夠和

2、生理高分子物質(zhì)發(fā)生強(qiáng)烈的相互作用而使之失去活性,也可能積累在人體中造成慢性中毒,而這種積累性危害有時需要十多年才顯現(xiàn)出來。2重金屬廢水處理原則重金屬廢水處理原則: 首先,最根本的是改革生產(chǎn)工藝。不用或少用毒性大的重金屬。 其次,采用合理的工藝流程、科學(xué)的管理和操作,減少重金屬用量和隨廢水流失量,盡量減少外排廢水量。 重金屬廢水應(yīng)當(dāng)在產(chǎn)生地點就地處理,不同其他廢水混合,以免使處理復(fù)雜化。更不應(yīng)當(dāng)不經(jīng)處理直接排入城市下水道,以免擴(kuò)大重金屬污染。對重金屬廢水的處理,通??煞譃閮深悾?使廢水中呈溶解狀態(tài)的重金屬轉(zhuǎn)變成不溶的金屬化合物或元素,經(jīng)沉淀和上浮從廢水中去除可應(yīng)用方法如中和沉淀法、硫化物沉淀法、

3、上浮分離法、電解沉淀(或上浮)法、隔膜電解法等; 將廢水中的重金屬在不改變其化學(xué)形態(tài)的條件下進(jìn)行濃縮和分離,可應(yīng)用方法有反滲透法、電滲析法、蒸發(fā)法和離子交換法等。3危害: 鎘在所有的金屬元素中,鎘是對人體健康威脅最大的有害元素之一。鎘對人體組織和器官的危害是多方面的,主要是對腎臟、肝臟的危害。工作者因職業(yè)而曝露于高濃度的含鎘熏煙或懸浮微粒的灰塵中,會影響腎臟及呼吸系統(tǒng)。最被徹底研究的人體健康效應(yīng)是腎臟衰竭,起因于長時期的高劑量曝露。所以大部份已開發(fā)國家已設(shè)定鎘的職業(yè)曝露標(biāo)準(zhǔn),在大氣中 2mg/m3 到50mg/m3 之間,可以保護(hù)人體具有 40 到 45 年的正常工作壽命。在電子產(chǎn)品中的用途:

4、 鎘金屬或粉末可在鎳-鎘(NiCd)電池中用作陰極電極物質(zhì)。也可與鐵、鋼、鋁基材料、鈦基合金或其它非鐵合金,作為在電解沉積、真空沉積或機(jī)械式沉積時的涂料。此外在低熔點硬焊、軟焊及其它特殊合金中亦作為一種合金元素。重金屬鎘的用途和危害4GB 5009.152003測定鎘離子的國標(biāo)方法第一法:石墨爐原子吸收光譜法 原理:酸性溶液中,鎘離子與碘離子形成絡(luò)合物,并經(jīng)4-甲基戊酮2萃取分離,導(dǎo)入原子吸收儀中,原子化后,吸收228.8nm共振線,與標(biāo)準(zhǔn)系列比較定量。鎘標(biāo)準(zhǔn)溶液:用金屬鎘溶于HCl中加 HNO3+H2O稀釋。第二法:原子吸收分光光度法 (碘化鉀4-甲基戊酮2 法) (雙硫腙乙酸乙酯法) 原理

5、:樣品經(jīng)消化處理后,在pH6左右的溶液中,鎘離子與雙硫腙形成絡(luò)合物,并經(jīng)碘化鉀4-甲基戊酮2或乙酸乙酯萃取分離,導(dǎo)入原子吸收儀中。第三法:比色法第四法:原子熒光法5 80 年代之前用 AAS 居多,AAS 主要用于定性和輔助定量。 AAS 測 ppm 級到 ppb 級,但是干擾因素較多。 ICP-MS 聯(lián)用,精度在 ppb 以上,優(yōu)勢在測有多種元素混合,而且金屬非 金屬都可以。 ICP-AAS 聯(lián)用,精度比 ICP-MS 要低 1-3 個量級。 伏安極譜法,精度很高,測定也非常穩(wěn)定(恒電位技術(shù);線性掃描技 術(shù);脈沖技術(shù);方波技術(shù);交流技術(shù);恒電流技術(shù))。重金屬鎘的測定方法6電化學(xué)分析:通過測量

6、組成的電化學(xué)電池待測物溶液所產(chǎn)生的一些電特性而進(jìn)行的分析。分類: 按測量參數(shù)分-電位、電重量法、庫侖法、伏安法、電導(dǎo);IUPAC分類: 不涉及雙電層及電極反應(yīng),如電導(dǎo)分析及高頻測定; 涉及雙電層,不涉及電極反應(yīng),如表面張力及非Faraday阻抗測定; 涉及電極反應(yīng),如電位分析、電解分析、庫侖分析、極譜和伏安分析。電化學(xué)分析方法簡述7電分析方法特點:1)分析檢測限低;2)元素形態(tài)分析:如 Ce3+ 及 Ce4+ 分析3)產(chǎn)生電信號,可直接測定。儀器簡單、便宜;4)多數(shù)情況可以得到化合物的活度而不只是濃度,如在生理學(xué)研究中,Ca2+ 或K+ 的活度大小比其濃度大小更有意義;5)可得到許多有用的信息

7、:界面電荷轉(zhuǎn)移的化學(xué)計量學(xué)和速率;傳質(zhì)速率;吸附或化學(xué)吸附特性;化學(xué)反應(yīng)的速率常數(shù)和平衡常數(shù)測定等。8定義: 伏安法和極譜法是一種特殊的電解方法。以小面積、易極化的電極作工作電極,以大面積、不易極化的電極為參比電極組成電解池,電解被分析物質(zhì)的稀溶液,由所測得的電流電壓特性曲線來進(jìn)行定性和定量分析的方法。當(dāng)以滴汞作工作電極時的伏安法,稱為極譜法,它是伏安法的特例。伏安分析方法簡述9歷史: 伏安法由極譜法發(fā)展而來,后者是伏安法的特例。 1922 年捷克斯洛伐克人 Jaroslav Heyrovsky 以滴汞電極作工作電極首先發(fā)現(xiàn)極譜現(xiàn)象,并因此獲 Nobel 獎。隨后,伏安法作為一種非分析方法,主

8、要用于研究各種介質(zhì)中的氧化還原過程、表面吸附過程以及化學(xué)修飾電極表面電子轉(zhuǎn)移機(jī)制。有時,該法亦用于水相中無機(jī)離子或某些有機(jī)物的測定。 50 年代末至 60 年代初,光學(xué)分析迅速發(fā)展,該法變得不像原來那樣重要了。 60 年代中期,經(jīng)典伏安法得到很大改進(jìn),方法選擇性和靈敏度提高,而且低成本的電子放大裝置出現(xiàn),伏安法開始大量用于醫(yī)藥、生物和環(huán)境分析中。此外伏安法與 HPLC 聯(lián)用使該法更具生機(jī)。 目前,該法仍廣泛用于氧化還原過程和吸附過程的研究。10極譜分析的特點和特殊之處:1)采用一大一小的電極:大面積的去極化電極參比電極;小面積的極化電極;2)電解是在靜置、不攪拌的情況下進(jìn)行。3)滴汞和周圍的溶

9、液始終保持新鮮保證同一外加電壓下的電流的重現(xiàn)和前后電解不相互影響。4)汞電極對氫的超電位比較大可在酸性介質(zhì)中進(jìn)行分析(對SCE,其電位可負(fù)至-1.2V)。5)滴汞作陽極時,因汞會被氧化,故其電位不能超過+0.4V。即該方法不適于陰離子的測定。6)汞易純化,但有毒。11極譜曲線極譜圖M12 在極譜圖中,當(dāng)過了M點后,繼續(xù)增加電壓,EDME更負(fù)。滴汞電極表面的待測離子將迅速獲得電子而還原,電解電流急劇增加,滴汞電極表面的待測離子濃度則急劇被消耗。 由于溶液本體的待測離子來不及到達(dá)滴汞表面,因此,滴汞表面濃度 cs 低于溶液本體濃度 c,即 cs c,存在一個濃度梯度。如圖:產(chǎn)生所謂“濃差極化”。此

10、時,電解電流i與離子擴(kuò)散速度成正比,而擴(kuò)散速度又與濃度差 (c-cs) 成正比,與擴(kuò)散層厚度 成反比, 即: i = K (c-cs)/。外加電壓繼續(xù)增加, cs 趨近于0, (c-cs) 趨近于 c 時,這時電流的大小完全受溶液濃度 c 來控制極限電流 id,即:極譜定量分析的基本原理極限擴(kuò)散電流的產(chǎn)生:13干擾電流及其消除1. 殘余電流(Residual current):產(chǎn)生:在極譜分析時,當(dāng)外加電壓未達(dá)分解電壓時所觀察到的微小電流,稱為殘余電流(ir)。包括因微量雜質(zhì)引起的電解電流和因滴汞生長、掉落形成的電容電流(或充電電流)。它們直接影響測定的靈敏度和檢出限??鄢篿r 應(yīng)從極限擴(kuò)散

11、電流中扣除:作圖法和空白試驗。2. 遷移電流(Migration current)產(chǎn)生:由于電極對待測離子的靜電引力導(dǎo)致更多離子移向電極表面,并在電極 上還原而產(chǎn)生的電流,稱為遷移電流。它不是因為由于濃度陡度引起的擴(kuò)散,與待測物濃度無定量關(guān)系,故應(yīng)設(shè)法消除。消除:通常是加入支持電解質(zhì)(或稱惰性電解質(zhì))類似于緩沖液。143. 極譜極大(Maximum current) 產(chǎn)生:當(dāng)外加電壓達(dá)到待測物分解電壓后,在極譜曲線上出現(xiàn)的比極限擴(kuò)散電 流大得多的不正常的電流峰,稱為極譜極大。其與待測物濃度沒有直接 關(guān)系,主要影響擴(kuò)散電流和半波電位的準(zhǔn)確測定。其產(chǎn)生過程為:毛細(xì) 管末端汞滴被屏蔽表面電流密度不均

12、表面張力不均切向調(diào)整張力 攪拌溶液離子快速擴(kuò)散極譜極大。消除:加入可使表面張力均勻化的極大抑制劑,通常是一些表面活性物質(zhì)如明 膠、PVA、Triton X-100等。 154. 氧波(Oxygen waves)產(chǎn)生:兩個氧極譜波: O2 + 2H + 2e-H2O2 -0.2V (半波電位) (O2 + H2O + 2e- H2O2 +2OH-) H2O2 + 2H + 2e-2H2O -0.8V (半波電位) (H2O2 + 2e- 2OH-) 其半波電位正好位于極譜分析中最有用的電位區(qū)間(0 -1.2 V),如圖所示。因而重疊在被測物的極譜波上,故應(yīng)加以消除。消除:a)通入惰性氣體如H2、

13、N2、CO2 (CO2僅適于酸性溶液); b) 在中性或堿性條件下加入Na2SO3,還原O2; c) 在強(qiáng)酸性溶液中加入Na2CO3,放出大量二氧化碳以除去O2;或加入 還原劑如鐵粉,使與酸作用生成H2,而除去O2; d) 在弱酸性或堿性溶液中加入抗壞血酸。 e) 分析過程中通N2保護(hù)(不是往溶液中通N2)。16極譜和伏安法的發(fā)展 單掃描極譜裝置圖三電極系統(tǒng)及裝置圖U外wWCRie高阻抗回路:無電流,因而無極化單掃描極譜17掃描電壓(V)時間/s掃描方式:經(jīng)典極譜所加電壓是在整個汞滴生長周期(7s)內(nèi)加一線性增加電壓;而單掃描是在汞滴生長后期(2s)加一鋸齒波脈沖電壓,如圖。掃描速率:經(jīng)典極譜

14、掃描電壓速率 200 mV/min;單掃描為 250 mV/s(于汞滴生 長末期開始施加掃描電壓);后者為前者的 50 80 倍。 單掃描極譜出現(xiàn)峰電流,因而分辨率比經(jīng)典極譜高。18單掃描極譜法的 i E 曲線AB段:掃描開始時,外加電壓還沒有使滴汞電極的電極 電位達(dá)到可還原物質(zhì)的析出電位,電解池中只有 少量電流通過,為殘余電流。BC段:當(dāng)外加電壓使滴汞電極的電位值達(dá)到可還原物質(zhì) 的析出電位時,滴汞表面附近的可還原物質(zhì)在短 時間內(nèi)迅速還原,造成電解電流迅速變大,曲線 急劇上升,達(dá)到一個最高點(C點)。CD段:當(dāng)電解電流達(dá)到C點后,再增加電壓時,由于電 極表面的可還原物質(zhì)巳被還原,濃度變小,而本

15、體溶液中的可還原物質(zhì)又來不及 擴(kuò)散到電極表面,所以,電解電流不但不增大,反而略有減小。DE段:當(dāng)電解電流的降低到D點后,擴(kuò)散到電極表面的可還原物質(zhì)與電極反應(yīng)消耗的可還原物質(zhì)的量相等,達(dá)到一個平衡,電解電流不再變化。此時的電流為極限擴(kuò)散電流。AB段叫基線,C點叫波峰,DE段叫波尾。從波峰到基線的垂直距離叫峰電流(波高)用Ip表示,C點所對應(yīng)的電位叫峰電位。19定量依據(jù)峰電流表達(dá)式為:式中 v 為掃描速率,A為電極面積。Ip的大小在一定條件下與可還原物質(zhì)的濃度具有線性關(guān)系,據(jù)此可進(jìn)行定量分析。 Ip=Kc201)普通極譜法通過很多個汞滴(50 80滴)獲得極譜圖, 而單掃描極譜法是一滴汞獲得極譜圖

16、。2) 普通極譜法加入的極化電壓速度慢,一般在 0.005 V/s左右,而單掃描極譜法加入的極化電壓速度快,在 0.25 V/s左右。3) 普通極譜法的極譜圖是鋸齒振蕩階梯曲線,而單掃描極譜的極譜圖是平滑無振蕩的尖峰狀曲線。單掃描極譜法與普通極譜法的主要區(qū)別21循環(huán)伏安法(Cyclic Voltammetry): 循環(huán)伏安法的電壓掃描方式與單掃描相似。通常采用的指示電極為懸汞電極、汞膜電極或固體電極,如 Pt 圓盤電極、玻璃碳電極、碳糊電極等。 掃描開始時,從起始電壓掃描至某一電壓后,再反向回掃至起始電壓,構(gòu)成等腰三角形脈沖: 正向掃描時:O + 2e- = R 反向掃描時:R = O + 2

17、e- 掃描電壓(V)時間/s 從峰電流比可以推斷反應(yīng)是否可逆;峰電位差與掃描速率無關(guān),可以求得可逆反應(yīng)的條件電極電位(pa+pc)/2。 循環(huán)伏安法可用于研究電極反應(yīng)過程。22交流極譜掃描方式:經(jīng)典極譜線性掃描電壓上迭加一小振幅(幾mV至幾十mV)、低(50 Hz)頻正弦交流電壓,記錄通過電解池的交流電流信號。在直流電路上串聯(lián)一交流電壓 ,經(jīng)電解后產(chǎn)生的交直流信號在電阻 R 上產(chǎn)生壓降,此混合信號經(jīng)電容濾掉直流成份后被放大、整流、濾波,并直接記錄下來。+掃描電壓V時間/s23脈沖極譜24溶出伏安分析25實驗50 線性掃描伏安法測定廢水中的鎘離子學(xué)習(xí)CHI750A電化學(xué)工作站的操作使用。熟悉汞膜

18、電極的制備,掌握線性掃描伏安法的基本原理。掌握線性掃描伏安法測定廢水中痕量鎘的方法。實驗?zāi)康?6CHI750A電化學(xué)工作站儀器介紹: 電化學(xué)工作站是通用型電化學(xué)測量系統(tǒng),集成了包括循環(huán)伏安法、線性掃描伏安法、脈沖伏安法、方波伏安法、交流伏安法和流體動力學(xué)調(diào)制伏安法等常用電化學(xué)測量技術(shù)。27操作步驟: CHI750A電化學(xué)工作站先打開計算機(jī)再開啟電化學(xué)工作站主機(jī)電源。將檢測池的工作電極、參比電極和輔助電極與電化學(xué)工作站聯(lián)線準(zhǔn)確連接。雙擊 Windows 桌面上的“電化學(xué)工作站 CHI660 (或CHI750或CHI610C)” 圖標(biāo)。出現(xiàn)軟件界面后,使之運(yùn)行最大化。先進(jìn)行硬件檢測:執(zhí)行 “Set

19、up” 菜單欄中的 “Hardware Test” 命令,硬件檢測正常后可以進(jìn)行實驗。設(shè)置所需的儀器參數(shù)如步驟 5、6。 設(shè)置所使用的電化學(xué)技術(shù):點擊 “Setup” 菜單欄和 “Technique” 進(jìn)行選擇。設(shè)置該實驗技術(shù)的技術(shù)參數(shù):點擊 “Setup” 菜單欄和 “Parameters”, 參數(shù)設(shè)置好后點擊 “OK” 確定。軟件部分參數(shù)設(shè)置完畢后,準(zhǔn)備進(jìn)行樣品測試工作。 測試完畢可使用軟件部分的數(shù)據(jù)處理功能,包括電流峰電位、峰高和峰面積(電量)的自動量測,半微分、半積分和導(dǎo)數(shù)處理,平滑和濾波等。通過半微分處理,可將伏安波的半峰型轉(zhuǎn)化成峰型,改善了峰形和峰分辨率。實驗完畢請先關(guān)電化學(xué)工作站

20、主機(jī)電源,再關(guān)閉計算機(jī)。28注意事項: CHI750A電化學(xué)工作站使用前請詳細(xì)閱讀使用說明書。開關(guān)機(jī)步驟請嚴(yán)格按照順序,儀器不宜時開時關(guān)。使用過程中請不要把電極連接線弄濕。如果實驗過程中發(fā)現(xiàn)電流溢出(Overflow,經(jīng)常表現(xiàn)為電流突然成為一水平直線 或得到警告),可停止實驗,在參數(shù)設(shè)定命令中重設(shè)靈敏度(Sensitivity)。數(shù)值越小越靈敏(1.0e-006 要比 1.0e-005 靈敏)。如果溢出,應(yīng)將靈敏度調(diào)低(數(shù)值調(diào)大)。掃描速度為0.05 V/s 時,對 50Hz工頻干擾有較好的抑制,噪聲大大減小你如果在 0.1 V/s或更高的掃速得到較大的噪聲,不妨試試 0.05 V/s 以下的

21、掃描速。使用后應(yīng)及時清潔實驗桌面。有故障及時報告實驗室工作人員。1.3.1.4.5.6.7.2.29汞膜電極的制備1)將金盤電極(直徑1 mm)在金相砂紙上打磨、拋光,使露出金表面。2)拋光后的金電極在二次水中超聲波清洗5 min。3)將清洗干凈的金電極端面浸入儲汞瓶的汞中30秒后,柔和攪動金電極,取出,即可見金盤電極的端面上蘸涂了一層汞膜。4)將該蘸汞電極置于空白底液中,在-0.30 -0.80 V電位范圍內(nèi)循環(huán)掃描5周,浸泡在二次水中備用。金盤電極30實驗原理在-0.3 -0.8 V,Cd2+在汞膜電極上發(fā)生如下電極反應(yīng): Cd2+ + 2e- + Hg = Cd(Hg) E1/2 = -0.67 V (vs. SCE)電流峰高與濃度成正比,據(jù)此進(jìn)行定量分析。31實驗要求汞膜電極的制備電化學(xué)工作站準(zhǔn)備:一次打開計算機(jī)、電化學(xué)工作站主機(jī)的電源。將工作電極、參比電極和輔助電極連線與電化學(xué)檢測池的對應(yīng)電極正確連接。電化學(xué)工作站預(yù)熱10 min。運(yùn)行 CHI750 電化學(xué)工作站。并設(shè)置參數(shù)。取 5 個 50 mL容量瓶

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