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文檔簡介

1、絕對精度濾芯在半導體中的應(yīng)用第1頁,共22頁,2022年,5月20日,19點47分,星期二絕對精度折疊濾芯介紹半導體哪些地方用到絕對精度競爭分析和推廣話術(shù)CONTENT第2頁,共22頁,2022年,5月20日,19點47分,星期二何謂絕對精度Absolute ratingMeaning that 99.9%(or essentially all)of the particles larger than a specific micro rating will be trapped on or with in the filter.Why use absolute ratingProvide t

2、he ultimate in economical filtration for even the most critical process fluids. 第3頁,共22頁,2022年,5月20日,19點47分,星期二絕對精度的表征第4頁,共22頁,2022年,5月20日,19點47分,星期二PolyPure-AB絕對精度日本進口Nano纖維材料納米級纖維直徑99.9%原料截留效率纖維交織沒有死結(jié)點原料特性不含硅油檢測所有膜和配件通過檢測硅油SGS檢測自主濾效檢測濾芯焊接完整性檢測膜片顆粒截留檢測液體濾效第5頁,共22頁,2022年,5月20日,19點47分,星期二第6頁,共22頁,202

3、2年,5月20日,19點47分,星期二第7頁,共22頁,2022年,5月20日,19點47分,星期二半導體哪些地方用到絕對精度絕對精度折疊濾芯介紹競爭分析和推廣話術(shù)CONTENT第8頁,共22頁,2022年,5月20日,19點47分,星期二WET 濕法清洗應(yīng)用點詳解ITO Etching (草酸系或鹽酸系)PHT顯影制程第9頁,共22頁,2022年,5月20日,19點47分,星期二ITO Etching 蝕刻: 蝕刻是將材料使用化學反應(yīng)或物理撞擊技術(shù)而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻和干蝕刻,在濕蝕刻中使用化學溶液,經(jīng)由化學反應(yīng)達到蝕刻的目的,而干蝕刻通常是一種等離子體蝕刻,其作用是等離子體

4、撞擊芯片表面的物理作用,或者是等離子體活性基與芯片表面原子間的化學反應(yīng)。隨著集成電路中組件尺寸越做越小,由于化學反應(yīng)沒有方向性,而濕蝕刻是等向性的,當蝕刻溶液做縱向蝕刻時,側(cè)向蝕刻同時發(fā)生,從而導致圖案線寬失真,因此濕蝕刻在3微米以下組件的制程中已逐漸被干蝕刻取代。第10頁,共22頁,2022年,5月20日,19點47分,星期二草酸系 VS 鹽酸系 ITO 規(guī)格的不同,蝕刻液的選擇和濃度配比都不同ITO 是Indium Tin Oxides的縮寫,納米級銦錫金屬氧化物,有良好的導電性,有效切斷電子輻射非晶系:草酸系(3.4%)經(jīng)典配方晶系:鹽酸系(FeCl+HCl或者王水)3.4%的草酸屬于弱

5、酸,可以用PP材質(zhì)預過濾PP材料無法耐受強酸,建議使用PTFE或PVDF第11頁,共22頁,2022年,5月20日,19點47分,星期二PHT 第12頁,共22頁,2022年,5月20日,19點47分,星期二PHT 堿性溶液適用于PP材質(zhì)過濾,PP材料耐熱性高,耐堿pH范圍廣第13頁,共22頁,2022年,5月20日,19點47分,星期二RCA清洗法=+WET 稀釋化學法+IMEC清洗法+單晶片清洗濕法清洗采用液體化學溶劑和DI水氧化、蝕刻和溶解晶片表面污染物、有機物及金屬離子污染依靠溶劑、酸、表面活性劑和水在不破壞晶元表面特征的情況下通過噴射、凈化、氧化和溶解晶元表面污染物。在每次使用化學品

6、后都要在超純水中徹底清洗在RCA清洗的基礎(chǔ)上,對SC1,SC2混合物采用稀釋化學法可以大量節(jié)約化學品和DI水的消耗量。并且SC2混合物中的H2O2可以完全去除科普:SC1:APM稱為SC1清洗液,配方為:SC2:HPM稱為SC2清洗液,配方為:HCL:H2O2:H2O=1:1:61:2:7第一步生成薄層化學氧化物;第二步去除氧化物,同時去除顆粒和金屬污染物;第三步在沉積了金屬氧化物的硅表面產(chǎn)生親水性,防止干燥出現(xiàn)水印大直徑晶片的清洗,清洗過程采用DI水及HF的循環(huán)再利用第14頁,共22頁,2022年,5月20日,19點47分,星期二由于集成電路內(nèi)個元件及連線相當細微,因此制造過程中如果遭到塵粒

7、、金屬的污染,很容易造成晶片內(nèi)電路功能的損壞,形成短路或斷路等,導致集成電路失效以及影響幾何特征的形成。因此在制作過程中除了要排出外界的污染源外,集成電路制造步驟如高溫擴散、離子植入前均需要進行清洗工作。所以半導體制造清洗效果的好壞,較大程度的影響芯片制程及電路特性等質(zhì)量問題。清洗液使用的各種化學品處理不當就會嚴重污染環(huán)境,清洗次數(shù)繁多消耗大量的化學品和DI水,面對更細,集成度更高的制程,對化學品以及清洗液的純度要求也越來越高,超純化學品的需求越發(fā)廣泛。清洗制程總結(jié) 第15頁,共22頁,2022年,5月20日,19點47分,星期二競爭分析和推廣話術(shù)絕對精度折疊濾芯介紹半導體哪些地方用到絕對精度

8、CONTENT第16頁,共22頁,2022年,5月20日,19點47分,星期二PolyPure-AB競爭分析表第17頁,共22頁,2022年,5月20日,19點47分,星期二PolyPure-AB競爭分析表第18頁,共22頁,2022年,5月20日,19點47分,星期二流量對比第19頁,共22頁,2022年,5月20日,19點47分,星期二效率對比第20頁,共22頁,2022年,5月20日,19點47分,星期二銷售話術(shù)總結(jié)Absolute ratings for consistent and reliable performance (99.98%; = 5000)2. Abso-Mate c

9、atridges are non-fiber releasing and contain minimal extractables3. All materials of construction are FDA listed as acceptable for potable and edible liquid contact according to CFR Title 214. All-polypropylene construction offers wide chemical compatibility with most chemicals, acids, bases and solvents5. Absolute cartridges are produced withoutadhesiv

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