1、薄膜材料研究會第一回研究集會2004.11.12奈良先端科學技術大學院大學浦岡行治1薄膜材料研究會第一回研究集會20投稿數(shù)48件TFT 38件LSI2件酸化物半導體6件量子2件TFT関連內(nèi)訳結晶化14件絶縁膜7件活性化2件評価5件信頼性 5件非結晶Si(CVD) 1件SOI 2件有機TFT2件投稿內(nèi)容分析2投稿數(shù)48件TFT関連內(nèi)訳投稿內(nèi)容分析2投稿機関分析大學40件企業(yè)8件大阪大學九州大學大學島根大學千葉大學電気通信大學東京農(nóng)工大東京工蕓大學東京工業(yè)大學東洋大學奈良先端大學兵庫県立大學広島大學北陸先端大學龍谷大學東京大學東京高専ALTEDEC科技団住友金屬鉱山大日本印刷日立製作所日立UNAX

2、IS日新電機日新機器SELETE松下電器産業(yè)日立國際電気17大學13企業(yè)青字筆頭、黒字連名3投稿機関分析大學40件企業(yè)8件大阪大學ALTED橫井利彰氏（武蔵工大）快適情報環(huán)境“寒川誠二氏（東北大） 最前線加工“川瀬健夫氏（）“有機応用招待講演4橫井利彰氏（武蔵工大）快適情報環(huán)境TFT結晶化（1）熱用aSi 膜結晶化TFT 応用（PS1)（広島大）熱照射Si 薄膜結晶化過程実時間観測（PS2)（広島大）短時間加熱法膜結晶化（PS3)（東京農(nóng)工大）固體YAG形成結晶化Si結晶成長（PS4)（兵庫県立大）直線偏光Nd:YAG 溶融結晶化Si 広角入射形成制御（PS5)（北陸先端大）PM-ELA法作製

3、Si結晶上微細TFT特性（PS6)（）SELAX 法橫方向成長poly-Si 膜伝導特性（PS）（日立）5TFT結晶化（1）熱用aSi 膜TFT結晶化（）薄膜結晶化（PS8)（東京農(nóng)工大）Si 上Ge 薄膜誘起結晶成長（PS9)（広島大）金屬誘起固相成長多結晶Si/低溫形成電界印加効果（PS10)（九州大）大粒徑多結晶Si 薄膜作製Ge 微結晶核利用基板表面制御（PS11)（阪大）分光観察薄膜対高圧水蒸気処理効果（PS14)（島根大）分子動力學石英基板上融液結晶成長（PS15)（九州大）6TFT結晶化（）薄膜結晶化（PCVD法薄膜Low impurity thin films for high

4、 performance TFTs deposited in a PlasmaBox reactor（PS21)（）Characteristics of Bottom Gate Thin Film Transistors with Silicon rich poly-Si1-xGex and poly-Si fabricated by Reactive Thermal Chemical Vapor Deposition（PS12)（東工大）Cat-CVD 法Vth 変動少安定a-Si TFT 作製（PS13)（北陸先端大）7CVD法薄膜Low impurity thin fTFT絶縁膜Low

5、Temperature Growth of Silicon Oxide Film by Using Ozone-Enriched Gas（PS19）（北陸先端大）波酸化PECVD 積層膜絶縁膜用SOI-TFT 特性（PS20)（）高圧水蒸気熱処理TEOS-SiO2絶縁膜改質(zhì)（PS22)（東京農(nóng)工大）法高圧水蒸気熱処理低溫作製電気特性（PS24)（大日本印刷）高圧水蒸気熱処理絶縁膜界面改質(zhì)（PS25)（東京農(nóng)工大）測定SiO2/Si 界面特性評価（PS26)（東京農(nóng)工大）8TFT絶縁膜Low Temperature Growth TFT活性化不純物低溫活性化（PS16)（東京農(nóng)工大）加熱誘起不純

6、物拡散用Si 及SiO2/Si界面特性解析（PS27)（東京農(nóng)工大）9TFT活性化不純物低溫活性化（PS1TFT評価界面局在一様分布対特性比較（PS29)（竜谷大）薄膜量子効果（PS32)（竜谷大）多結晶動作特性解析（PS30）（東京農(nóng)工大）多結晶薄膜特性（PS31)（東京農(nóng)工大）超極薄SiO2膜poly-Si CMOS解析（PS33)（奈良先端大）10TFT評価TFT信頼性水蒸気熱処理低溫薄膜信頼性改善効果（PS23)（奈良先端大）p-低溫poly-Si TFT劣化機構（PS34)（東京工蕓大學）低溫Poly-Si TFT 発熱劣化解析（PS35)（奈良先端大）結晶性注目低溫TFT 劣化解明

7、（PS36)（奈良先端大）低溫Poly-Si TFT 劣化解析SOI、高溫TFT 比較（PS37)（奈良先端大）11TFT信頼性水蒸気熱処理低溫薄膜SOI関連Channel Design Optimization of 1m SOI TFTs for System Displays（PS17)（）SOQ MOSFET 有用性実験的検証（PS18）（東洋大學）12SOI関連Channel Design Optimizati有機TFT微粒子利用作製有機縦型特性解析（PS38)（千葉大）AFM 開発有機TFT 電位分布測定（PS39)（千葉大）13有機TFT微粒子利用作製有機縦型LSI関連極薄MOS

8、FET 効果（PS28)（奈良先端大）窒素勵起活性種用PLD-HfSixOy 膜窒素導入（PS46)（奈良先端大）14LSI関連極薄MOSFET 効果（PS酸化物半導體透明酸化物半導體InGaO3(ZnO)5 単結晶薄膜輸送特性電界効果型（PS40)（東工大）室溫製膜透明酸化物半導體InGaZnO4輸送特性（PS41）（東工大）酸化亜鉛薄膜成長及低溫平坦化（PS42)（東工大）ITO 薄膜深方向構造光學的研究（PS43)（電通大）構造分散系金屬薄膜電気伝導応用（PS44)（電通大）近赤外域低損失導電性酸化物材料（PS45)（住友金屬鉱山）15酸化物半導體透明酸化物半導體InGaO3(ZnO)5 単結晶量子Intergrain coupling phenomena in q