2.3-IC測(cè)試要求和步驟(精)_第1頁(yè)
2.3-IC測(cè)試要求和步驟(精)_第2頁(yè)
2.3-IC測(cè)試要求和步驟(精)_第3頁(yè)
2.3-IC測(cè)試要求和步驟(精)_第4頁(yè)
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IC測(cè)試要求和步驟一、測(cè)試原理：對(duì)于基于CMOS工藝制造的IC芯片，T3Ster系統(tǒng)可以進(jìn)行瞬態(tài)熱測(cè)試，并進(jìn)而得出散熱路徑上的結(jié)構(gòu)函數(shù)。使用CMOS工藝制造的芯片，在進(jìn)行瞬態(tài)熱測(cè)試的時(shí)候，將GND管腳和Vdd管腳找到，并在GND管腳接入正電壓，Vdd管腳接入負(fù)電壓，電流流過CMOS電路的體二極管，使芯片發(fā)熱，并進(jìn)行測(cè)試。圖：IC測(cè)試原理——CMOS芯片的體二極管作為測(cè)試對(duì)象或者選擇IC電路中的ESD保護(hù)二極管作為測(cè)試的對(duì)象，進(jìn)行瞬態(tài)熱測(cè)試。圖：IC測(cè)試原理——芯片的ESD保護(hù)二極管作為測(cè)試對(duì)象結(jié)構(gòu)函數(shù)反映了從發(fā)熱源（DieChip）到環(huán)境（熱沉，最后直線向上部分）的熱流路徑上的所有熱容與熱阻分布。根據(jù)結(jié)構(gòu)函數(shù)上斜率(熱容與熱阻的比值變化，可以區(qū)分出代表不同材料的線段。T3Ster系統(tǒng)用直觀的方式，幫助分析熱流路徑上不同材料的熱阻與熱容。圖：IC芯片測(cè)試后的結(jié)構(gòu)函數(shù)二、測(cè)試的準(zhǔn)備和條件：1，對(duì)于復(fù)雜的BGAIC來說，首先要按照BlockDiagram找到每個(gè)Block中存在體二極管的GND管腳和Vdd管腳；圖：ICBlock示意圖2，通過一個(gè)電路板，將所有Block中的GND管腳和Vdd管腳連接起來，并放置在靜態(tài)空氣箱中進(jìn)行測(cè)試；圖：焊在PWB板上的BGAIC圖：放置在靜態(tài)空氣箱中的BGAIC和電路板3，如果需要進(jìn)行符合JESD51-14規(guī)定的Rthjc的測(cè)試，請(qǐng)準(zhǔn)備兩種電路板，這兩種電路板的導(dǎo)熱銅層厚

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